DE2214994B2 - Vorrichtung zum Herstellen oder Lösen von Lötverbindungen - Google Patents
Vorrichtung zum Herstellen oder Lösen von LötverbindungenInfo
- Publication number
- DE2214994B2 DE2214994B2 DE2214994A DE2214994A DE2214994B2 DE 2214994 B2 DE2214994 B2 DE 2214994B2 DE 2214994 A DE2214994 A DE 2214994A DE 2214994 A DE2214994 A DE 2214994A DE 2214994 B2 DE2214994 B2 DE 2214994B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- temperature
- chip
- valve
- solder
- burner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 16
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 49
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/799—Apparatus for disconnecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/98—Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
- H05K13/0486—Replacement and removal of components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75743—Suction holding means
- H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/81052—Detaching bump connectors, e.g. after testing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12033—Gunn diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S228/00—Metal fusion bonding
- Y10S228/902—Metal fusion bonding using flame
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49131—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by utilizing optical sighting device
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49718—Repairing
- Y10T29/49721—Repairing with disassembling
- Y10T29/4973—Replacing of defective part
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49815—Disassembling
- Y10T29/49821—Disassembling by altering or destroying work part or connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Herstellen oder Lösen einer Lötverbindung zwischen zwei
Körpern, von denen der eine mittels eines Greifers relativ zum anderen bewegbar ist.
Die in der Halbleiterindustrie hergestellten Halbleiterchips — im folgenden nur noch als Chips
bezeichnet — tragen komplizierte integrierte Schaltkreise mit einer Vielzahl von Komponenten, wie
Transistoren, Dioden und Widerständen. Mehrere von solchen Chips werden eng benachbart auf dasselbe
Substrat gelötet. Dabei ist zu beachten, daß die zum Teil sehr zahlreichen Ausgangskontakte der Chips mit den
entsprechenden Kontakten auf dem Substrat einwandfrei und zuverlässig elektrisch verbunden werden.
Die Kosten der Chips sind beträchtlich. Deshalb wäre
es unökonomisch, Module mit einem defekten Chip oder mit einem Chip, das nicht einwandfrei mit dem Substrat
verlötet ist, zu verschrotten. Es muß möglich sein, einzelne Chips zu ersetzen oder Lötverbindungen zu
reparieren. Um dies su erreichen, sind verschiedene
Methoden bekannt:
Das ganze Modul wird so hoch erwärmt, daß alle
Lötverbindungen schmelzen. Diese Methode hat den Nachteil, daß eine Lötverbindung nur wenige Male
aufgeschmolzen werden kann, ohne die Kontakte und damit das Modul irreversibel zu zerstören.
Verschiedene Methoden wurden ausgearbeitet, um einzelne Chips, z. B. mit einem Laser, einem Elektronenstrahl,
mit Infrarot-, Widerstandsbeheizung, niit heißem Gas oder mit einem Brenner zu erhitzen. Alle diese
Wärmequellen erzeugen die notwendige Schmelzwärme, aber es hat sich in der Praxis gezeigt, daß es
außerordentlich schwierig ist die Temperatur, auf die das Chip erhitzt wird, zu kontrollieren. Zum Beispiel ist
dies deshalb schwierig, weil die Wärmeableitung vom Chip zum Substrat durch die elektrischen Kontakte
nicht einheitlich ist Mit einigen der Wärmequellen, z. B.
mit heißem Gas, iäßt sich ein einzelnes Chip nicht erwärmen, ohne die benachbarten Chips zu beeinflussen.
Andere Wärmequellen, z. B. die Wasserstoff-Sauerstofflamme, erhitzen das Chip so stark, daß es völlig
zerstört wird und deshalb eine Wiederverwendung oder eine Fehleranalyse unmöglich ist
Bei den beschriebenen Methoden wird im allgemeinen während einer festgestellten Zeit erhitzt Auch dies
hat sich als unbefriedigend herausgestellt, z. B. weil die Chips wegen der unterschiedlichen Wärmeableitung
unterschiedlich schnell aufgeheizt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, beim Trennen zweier hitzeempfindlicher,, ziisammengelöteter
Körper, beim Herstellen oder Reparieren einer Lötverbindung zwischen zwei soi'chen Körpern, von
denen der eine mittels eines Greifers relativ zum andern bewegbar ist den bewegbaren Körper nur so hoch und
nur so lange wie nötig, um das Lot zwischen den Körpern zum Schmelzen zu bringen, zu erhitzen, ohne
mit dem bewegbaren Körper identische und zu ihm benachbart positionierte Körper zu beschädigen. Die
Erfindung hat außerdem die Aufgabe, die Kosten der Modulherstellung zu senken, und bei ihrer Anwendung
darf das Modul nur so wenig beansprucht werden, daß noch mehrere nachfolgende Reparaturen desselben
Moduls möglich sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung gelöst die gekennzeichnet ist durch eine
Einrichtung zur Messung der Temperatur des bewegbaren Körpers und eine von dieser Einrichtung beeinflußbare
Steuereinrichtung, die bei einer bestimmten, oberhalb der Schmelztemperatur des Lots liegenden
Temperatur T\ die Heizung des bewegbaren Körpers abschaltet.
Die Vorrichtung läßt sich besonders vorteilhaft dann einsetzen, wenn es sich bei dem bewegbaren Körper um
ein Chip und bei dem anderen Körper um ein mit Chips bestückbares Substrat handelt
Eine vorteilhafte Ausstattung der Vorrichtung besteht darin, daß beim Lösen der Lötverbindung die
Steuereinrichtung derart mit dem Greifer gekoppelt ist, daß dieser bei einer zweiten, zwischen der Schmelztem-
peratur des Lots und der Temperatur T2 liegenden
Temperatur Ti das Chip zunächst geringfügig anhebt u,
nach Erreichung der ersten Temperatur T2 vollständig abhebt Durch das leichte Anheben des Chips bei der
zweiten Temperatur Ti wird die Wärmeableitung zum Substrat und damit zu den benachbarten Chips
vermindert, außerdem verhindert das leichte Anheben,
daß beim vollständigen Abheben des Chips das Lot zu einer Spitze aufgezogen wird.
Die Vorrichtung läßt sich vorteilhaft einsetzen, wenn als Heizung ein Mikrobrenner dient, zur Unterbrechung
dessea Heizwirkung ein Ventil vorgesehen ist, das beim
Offnen einen die Flamme ausblasenden Luftstoß freigibt
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausstattung der Vorrichtung ist die Heizung mit dem Greifer starr
verbunden.
In besonders vorteilhafter Weise wird die Vorrichtung eingesetzt, wenn der Mikrobrenner ein mit einem
stöchiometrischen, mit einer organischen Flüssigkeit z.B. Aceton, gesättigten Wasserstoff-Sauerstoff-Gemisch gespeister Brenner ist Die Sät'Jgung des
Gasgemisches mit Aceton reduziert die Flammentemperatur von 3000 auf 20000C und erhöht gleichzeitig die
Wärmeausbeute.
In vorteilhafter Weise dient zum Temperaturmessen ein ultrarotempfindlicher Detektor.
Die Erfindung wird an Hand von durch Zeichnungen erläuterten Benutzungsbeispielen beschrieben. Es zeigt
F i g. 2 in naturgetreuer Wiedergabe der Größenverhältnisse den Greifer und den Mikrobrenner beim
Erhitzen eines Chips auf einem Substrat
F i g. 3 ein Schaltschema der notwendigen pneumatischen und elektrischen Leitungen,
F i g. 4 und 5 Kurven, die das Temperatur-Zeitverhalten beim Ablöten und beim Auflöten zeigt
Die Vorrichtung 11 in F i g. 1 dient zum justieren des
zu reparierenden Moduls unter den Brenner. Die Vorrichtung 11 besteht aus einem Tischschlitten 12 zur
Grobjustierung und einer Λ-V-Feinjustierung 14. Die
Grob- und die Feinjustierung können von Hand betrieben oder über Programm gesteuert werden.
Die Vorrichtung 11 enthält zusätzlich eine geeignete
Heizung 20 zum Vorheizen der Substrate. Die Vorheizung empfiehlt sich, um cie Chips und die
Substrate nicht durch thermischen Schock zu beschädigen und auch die Dauer der Operation abzukürzen. Die
richtige Vorheiztemperatur wird so gewählt, daß die zu bearbeitenden Teile ic keiner Weise, z. B. durch
Verfärbung, beschädigt werden. Direkt auf der Heizung 20 ist eir.e Platte 22 zur Aufnahme der Substrate
montiert. Die Platte 22 kann eine Vertiefung 23 in den Abmessungen der Substrate haben.
Beweglich an dem Gehäuse 26 befestigt und direkt «
über der Vorrichtung 11 befindet sich die Sondeneinheit
27, bestehend aus dem Greifer, im folgenden nur noch mit Vakuumsonde 28 bezeichnet, und einer Heizung, im
folgenden nur noch mit Mikrobrenner 30 bezeichnet. Eine mechanische Verbindung 31 verbindet die w)
Sondeneinheit 27 mit einem pneumatischen Zylinder 64, der erst im Zusammenhang mit F i g. 3 beschrieben wird.
Die Sondeneinheit 27 ist mit einem Bolzen 32 verbunden, der in Lagern ruht, die mit Scheuern am
Gehäuse 26 befestigt sind. Dadurch kann die Sondenein- f>5
heit 27 leicht vertikal bewegt werden. Am oberen Ende von Bolzen 32 ist ein Querstück 36 befestigt, das den
Bolzen 32 mit der Kolbenstange 38 verbindet, die zum
pneumatischen Zylinder 64 gehört Auf dem Querstück
36 ist eine Mikrometerschraube montiert, mit dem die unterste mögliche Position der Sondeneinheit 27
festgelegt werden kann.
Die Vorrichtung 11 wird benutzt in Verbindung mit
dem Stereomikroskop 16, das, sofern es ein Justierfadenkreuz hat, dazu benutzt werden kann, die Kontaktkugeln des Chips zu den entsprechenden Kontakten auf
dem Substrat auszurichten. Das Ausrichten kann auch mit Hilfe eines halbdurchlässigen Spiegels 18 geschehen.
Ein ultrarot-empfindlicher Detektor 42, im folgenden
nur noch als Detektor 42 bezeichnet ist seitlich am Gehäuse 26 so befestigt, daß ihn Strahlung des Chips,
das mit dem Mikrobrenner 30 erhitzt wird, unbehindert treffen kann Wie in Fig.3 näher ausgeführt, ist der
Detektor 42 ein Teil des Steuermechanismus, mit dem die Sondeneinheit 27 automatisch gesteuert wird.
Dadurch wird insbesondere die Zeitdauer, während de/ die Flamme des Mikrobrenners 30 auf das Chip trifft
gesteuert
Es ist wünschenswert daß den detektor 42 nur die Strahlung des erhitzten Chips, aber niciit Strahlung von
der Umgebung oder von der Flamme selbst trifft Für die unten beschriebene Flamme ist es günstig, einen
zwischen 2,0 und 2,6 μ Wellenlänge empfindlichen Detektor zu verwenden, damit nicht die Temperatur der
Flamme gemessen wird. Wird ein Breitbanddetektor verwendet sollte die gemessene Wellenlänge durch
Filter begrenzt werden. Insbesondere sollte das Licht der Lampe von Mikroskop 16 ausgefiltert werden.
Unten am Gehäuse 26 und nahe bei der Sondeneinheit 27 ist ein Träger 44 montiert, der einen Anzünder 46
und einen Flammenlöscher 48 enthält Der Anzünder 46 besteht aus einem kleinen Stück Platinwiderstandsdraht
der herausgefahren werden kann, indem mit Luft auf den Zylinder 50 gedrückt wird. Der Anzünder 46 wird,
wenn er ausgefahren und erhitzt ist, dazu benutzt den Mikrobrenner 30 zu entzünden, wenn die Sondeneinheit
27 sich in ihrer unteren Position befindet Der Flammenlöscher 48 bläst die Flamme mit einem
Luftstoß aus und unterbricht dadurch das Erhitzen, bevor die Sondeneinheit 27 angehoben wird.
In F i g. 2 ist die Sondeneinheit 27 in der abgesenkten Position in der Nähe des Chips 52, das entfciTit werden
soll, dargestellt. Die Vakuumsonde 28 und der Mikrobrenner 30 können z. B. aus Injektionsnadeln
hergestellt werden. Der Nadeldurchmesser hängt zu einem bestimmten Grad von der Größe des Chips ab,
das entfernt oder angelötet werden soll. Günstige Nadelgrößen sind Innendurchmesser von 0,8 mm für die
Vakuumsonde 28 jnd von 0,24 mm für den Mikrobrenner 30. Bei beiden Nadeln sollte die Spitze flachgeschüffen sein. Die Vakuumsonde 28 ist auf den Bolzen 32 mit
einem Rohrverbindungsstück 54 montiert und mittels des Schlauchs 56 entweder mit der Vakuumleitung oder
mit der Preßluftleitung verbunden, je nach der Operation, die ausgeführt werden soll, was weiter unten
im Zusammenhang mit F i g. 3 detaillierter beschrieben wird.
Der Mikrobrenner 30 ist an der Stelle 57 direkt mit der Vakuumsonde 27 leicht abgewinkelt so verschweißt,
daß die Flamme 58 die Vakuumsonde nicht erhitzt Dies ist wichtig, weil sonst die reflektierte Strahlung von der
heißen Sondenspitze verfälschte Werte der Chiptemperatur liefern würde.
Die günstigste Gasquelle für die Flamme ist ein Sauerstoff-Wasserstoff-Erzeuger 78, beschrieben in
Fig.3, der Sauerstoff und Wasserstoff aus Wasser
erzeugt, die Gase automatisch im stochiometrischen
Verhältnis mischt und sie dann in ein Vorratsgefäß leitet, wobei sie durch eine Waschflasche mit Aceton oder
einer anderen organischen Flüssigkeit strömen. Durch das Verbrennen des Kohlenstoffs wird viel atmosphärischer Sauerstoff gebunden, wodurch eine stark reduzierende Wirkung im erhitzten Gebiet entsteht. Wegen der
zusätzlichen Verbrennungswärme des Acetondampfes ist im Vergleich zu einer reinen Sauerstoff-Wasserstoff-Flamme die erzeugte Wärmemenge höher, wobei
gleichzeitig wegen der niedrigeren Verbrennungstem peratur des Acetondampfes sich die Flammentemperatur
von 3000 auf 2000°C vermindert. Zusätzlich wird die
Flamme länger und für das Auge leichter erkennbar. Die Position des Brennerendes relativ zum Chip hängt von
verschiedenen Faktoren ab. Ein brauchbarer Abstand ist z. B. 7,5 mm. Der Gasdruck soll ausreichen, um eine
Flamme mit einem etwa 3,2 mm langen Innenkegel zu erzeugen. Die Flamme soll ungefähr auf die Mitte des
Chips gerichtet sein.
Durch die Verwendung der modifizierten Sauerstoff-Wasserstoff-Flamme
kann das Flüssigwerden des l-ötzinns in weniger als 10 Sekunden erreicht werden,
während gleichzeitig der Temperaturanstieg in den benachbarten Chips 60 infolge schlechter Wärmeleitung
des Substrats 24 begrenzt ist, so daß sich diese Chips 60 nicht auf die Schmelztemperatur des Lots erhitzen.
Die Vakuumsonde 28 hängt über einer Ecke von Chip 52 in einem Abstand von etwa 0,1 mm. Beim Entfernen
eines Chips sollte die Vakuumsonde 28 hinreichend weit von der Chipoberfläche entfernt sein, so daß, wenn das
Lot schmilzt, das an der Vakuumsonde hängende Chip vom Substrat vollständig getrennt ist und das Chip mit
der Vakuumsonde vollständig abgehoben werden kann, ohne daß das Lotmaterial zu Spitzen ausgezogen wird.
In ähnlicher Weise sollte beim Verlöten die Vakuumsonde 28 die Chipoberfläche nicht berühren. Der Luftzwischenraum
verhindert, daß die Wärme über die Vakuumsonde 28 abgeleitet wird, und reduziert dadurch
die Dauer der Operation und hält die Temperaturen der benachbarten Chips niedrig.
Fig. 3 zeigt schematisch die pneumatische und elektrischen Leitungen einer brauchbaren Ausführungsform der Vorrichtung. Die Sondeneinheit 27, in der
Mitte der Darstellung, ist. um die Darstellung zu vereinfachen, über die mechanische Verbindung 31
direkt mit dem Zylinder 64 gekoppelt, der bereits in der Beschreibung der F i g. 1 erwähnt wurde. Der Zylinder
64 wird pneumatisch betätigt und wird gesteuert vom Ventil V5 mittels der Luftleitungen 66 und 68. Das
Ventil V5 ist eingangsseitig mit der Preßluft verbunden und versorgt ausgangsseitig die Luftleitungen 66 bzw.
68. In der Ruhestellung, angedeutet durch die ausgezogene Linie 71, hält das Ventil V5 die Kolbenstange im
Zylinder 64 in der oberen Position. Um die Sondeneinheit abzusenken, müssen die in Ruhestellung geschlossenen Ventile V2 und V3 geöffnet werden. Das Ventil V2
wird geöffnet indem der Handschalter, bezeichnet mit »Absenken«, betätigt wird. Das Ventil V3 kann über
einen Wärmeschalter in der Vorheizung 20 gesteuert werden, der das Absenken der Sondeneinheit verhindert, bis die vorgegebene Vorheiztemperatur erreicht
ist Außerdem kann die Vorheiztemperatur mit dem Detektor 42 gemessen und das Ventil V3 durch ein
elektrisches Signal der Steuereinrichtung 74 angeregt werden. Sind die Ventile V2 und V3 "eöffnet wird das
Ventil V5 in seine zweite Stellung überführt — angedeutet durch die gestrichelte Linie 72 —, wodurch
die Preßluft von der Luftleitung 68 zur Luftleitung 6t umgeleitet wird, was die Sondeneinheit 27 zum
Absenken bringt. Um die Sondeneinheit wiedei anzuheben, ist ein in Ruhestellung geschlossenes Venti
Vl vorhanden, welches in der Lage ist, Ventil V5
wieder in die Stellung zu überführen, in der die Preßlufi durch die Leitung 68 fließt. Das Ventil Vl kann erregt
werden vom, T2-Ausgang der Steuereinrichtung 74 au; oder durch Handschalter mit den Aufschriften »Nol
ίο aus« bzw. »Anheben«. Immer, wenn das Ventil Vl
erregt ist, wird der Auslöscher 48 mit Luft durch die Leitung 76 versorgt, wodurch die Flamme 58 ausgebla
sen wird.
Wenn die Sondeneinheit 27 sich in der abgesenkten
i"> Position befindet, kann der Anzünder 46 in Funktion
treten. Eine kurzzeitige Erregung des Handschalters 51
läßt einen Strom zum Transformator T fließen unc verursacht dadurch ein öffnen des in Ruhestellung
geschlossenen Ventils V7. Der Anzünder 46 wire
.'Ii ausgefahren mittels des Luftzylinders 50 und gleichzei
tig bringt der Strom in der Sekundärwicklung vor Transformator T den Draht 80 zum Glühen unc
entzündet dabei die Flamme 58 am Mikrobrenner 30.
Heizt nun die Flamme das Chip 52, so überwacht de
.'"> Detektor die Temperatur des Chips. Die Steuereinrich
tung 74 enthält zwei Schwclldetektoren, die se einjustieri sind, daß sie Impulse abgeben, wenn di<
gemessener Temperaturen Ti bzw. T2 erreichen. Di<
Temperatur Ti entspricht einer willkürlich gewähltei
tu Temperatur etwa 30 bis 50°C über der Schmelztempe
ratur des Lots, mit dem das Chip auf das Substrat gelöte ist Die Temperatur 7*2 wird gewählt unter Berücksichti
gung des Temperaturgradienten im Chip 52. Das Ti entsprechende elektrische Signal spielt nur eine Rolle
sϊ beim Entfernen eines Chips, das auf ein Substrat gelötet
ist und liefert den Strom, um die Verriegelungsspule 8: des Relais R anzuregen. Dadurch wird das in
Ruhestellung geschlossene Ventil V4 geöffnet, wodurch die Vakuumsonde 28 mit dem Vakuumnetz 84 über das
4" Ventil V6 verbunden wird. Das Ventil V4 bleib'
geöffnet, bis die Entriegelungsspule 86 des Relais h erregt wird. Die Temperatur 7"2 liegt zwischen det
Temperatur TX und etwa 100° C oberhalb dei
Schmelztemperatur des Lots. Das zugehörige Signa
->'> öfinet das Ventil Vl, wodurch die Sondeneinheit 27
angehoben wird. Die Temperatur T2 ist so ausgewählt daß die Temperatur des Lots genügend oberhalb seine;
Schmelzpunktes liegt, um ein ausreichendes Fließen de; Lots bei einer Lötoperation zu gewährleisten und um zi
ίο verhindern, daß beim Abheben des Chips das Lot zi
Spitzen ausgezogen wird.
Um ein abgelötetes Chip, das von der Vakuumsona«
gehalten wird, mit Sicherheit von der Vakuumsondc entfernen zu können, ist Schalter 52 vorhanden, der der
Strom zur Erregung der Entriegelungsspule 86 de« Relais R einschaltet Das Betätigen von Schalter Si
bewirkt das Schließen von Ventil V4 und daß das Venti V6 einen Luftstoß durch die Vakuumsonde 28 schickt
wodurch das Chip weggeblasen wird.
ω Schließlich, wie ausführlicher beim Chipauflöter
besprochen wird, gibt es noch die beiden Handschaltei
53 und 54. Der Schalter 53, der das Relais überbrückt kann die Vakuumsonde 28 mit der Vakuumleitunj
verbinden und Schalter 54 verhindert, daß di(
Einschaltung des Vakuums durch das 7Ί-Signal dei
Steuereinheit 74 gesteuert wird.
Die beschriebene Vorrichtung kann zum Ablösen unc Auflöten von Chips verwendet werden und außerderr
um an derselben Position auf dem Substrat ein Chip abzulöten und ein anderes aufzulöten. Beim Einsatz in
der Produktion ist es vorzuziehen, eine Vorrichtung jeweils nur für eine Operation einzusetzen.
Bei der Ablötoperation wird das Substrat 24 unter der Sondeneinheit 27 so justiert, daß de Vakuumsonde 28,
wie Fig.2 zeigt, über einer Ecke des Chips 52 und
knajiv oberhalb der Chipoberfläche hängt. Zur Justierung
kann die Sondeneinheit 27 von Hand abgesenkt werden. Die Justierung erfolgt visuell oder, wie im
Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben, über ein optisches System. Wie die F i g. 3 zeigt, öffnet das Ventil
V2, wenn der Handschalter »Absenken« betätigt wird, und schaltet, sofern die Vorheiztemperatur erreicht ist,
das Ventil V 5 so, daß Luft durch die Leitung 66 strömt und dadurch die Sondeneinheit 27 absenkt.
Mit dem Handschalter 5 1 wird dann der Anzünder 46 in Betrieb gesetzt, der die Flamme anzündet. Ist dir
Temperatur Ti erreicht, wird das Relais K über die
Steuereinrichtung 74, die die Verriegelungsspule 82 erregt, verriegelt, wodurch das Ventil V 4 die Vakuumsonde
mit der Vakuumleitung verbindet. Sobald das Chip von der Sondeneinheit 27 angehoben wird und
damit der Kontakt mit dem Substrat unterbrochen ist,
beginnt die Chiptemperatur schnell anzusteigen, weil die Wärme nicht mehr zum Substrat wegfließen kann.
Wird die festgelegte Temperatur Tl vom Detektor gemessen, verursacht das r2-Signal der Steuereinrichtung
74 die Öffnung des Ventils Vl, wodurch Ventil V 5 in seine ursprüngliche Pcition 71 zurückkehrt, und hebt
dadurch die Sondenei.iheit 27 mit dem Chip 52 an. Gleichzeitig bläst der Auslöscher 48 die Flamme aus. Ist
die Sondeneinheit in der oberen Position, so kann eine nicht gezeigte San lelbüchse unter die Sondeneinheit
gestellt werden. Wird nun Handschalter 52 gedrückt, so fällt das Relais in die nicht verriegtlte Position zurück.
Dadurch schließt sich Ventil V 4 und wird in der Folge Ventil V6 umgeschaltet, wodurch die Vakuumsonde
vom Vakuumnetz 84 abgetrennt und an die Luftleitung 70 angeschlossen wird. Der Luftstrom bläst das Chip
von der Spitze der Vakuumsonde in die Sammelbüchse. Wird Schalter 52 losgelassen, so kehrt das Ventil V 6 in
seine Ausgangsstellung zurück. Die F i g. 4 zeigt graphisch das Zeit-Temperatur-Verhalten bei einer
AMötoperation, im besonderen die kritischen Temperatüren
Ti und T2, bei denen die automatische Steuerung
der Vorrichtung ausgelöst wird.
Für die Auflötoperation wird eine in F i g. 3 nicht gezeichnete Chipaufnahme benötigt, die für die
Sondeneinheit 27 bequem erreichbar sein muß. Die Chipaufnahme kann auf dem Tischschlitten 12 stehen.
Die bereits bekannten Chipaufnahmen bestehen im allgemeinen aus einem Drehtisch mit spiegelnder
Oberfläche, um die Kontaktkugeln an den Chips so gut zu sehen, daß eine genaue Ausrichtung für die richtige
Positionierung auf dem Substrat möglich ist. Die Sondeneinheit wird, wie oben beschrieben, von Hand
abgesenkt, dann wird Handschalter 53 gedrückt, um Vakuum an die Vakuumsonde zu legen, wodurch das
Chip aufgenommen wird. Der Tischschlitten 12 wird nun benutzt, um Substrat 24 unter die Sondeneinheit 27 zu
bringen, wo dann die Kontaktkugeln am Chip zu den Kontakten auf dem Substrat vollends genau ausgerichtet
werden. Dies geschieht mit Hilfe von Mikroskop 16 und dem halbdurchsichtigen Spiegel 18, in dem das
reflektierte Bild des Chips dem durchgelassenen Bild
des Substrats überlagert wird. Der in Ruhestellung geschlossene Handschalter 54 wird geöffnet, um zu
verhindern, daß das 7"1-Signal das Ventil V 4 erregt. Nun wird der Schalter »Absenken« betätigt. Dadurch
wird das ausgerichtete Chip auf das Substrat abgesenkt. Dadurch wird der Handschalter 53 losgelassen,
wodurch sich das Ventil V4 schließt, worauf das Chip in
die richtige Position auf dem Substrat fällt. Jetzt wird, wie oben beschrieben, die Flamme entzündet. Ist die
Temperatur Γ2 erreicht, wird Ventil Vl betätigt wie bei der Ablötoperation und die Operation dadurch beendet.
Das Diagramm in F i g. 5 zeigt das Zeit-Temperatur-Verhalten einer A'jflötoperation, wobei bei der
eingezeichneten Temperatur 7"2 das automatische Funktionieren der Operation eingeleitet wird.
Es soll noch erwähnt werden, daß das Gerät nicht nur, wie beschrieben, für integrierte Schaltkreise eingesetzt
werden kann, sondern überall dort, wo ein hitzeempfindlicher Körper in nächster Nähe von anderen
hitzeempfindlichen Körpern ab- oder aufgelötet werden soll, ohne daß der Körper selbst oder die Körper in
seiner Umgebung beschädigt werden. Außerdem ist die Methode nicht nur für Körper gedacht, die durch Löten
verbunden werden, sondern ganz allgemein für Körper aus einem relativ hochschmelzendem Material, die
dadurch verbunden werden, daß man ein Material mit einem niedrigeren Schmelzpunkt zwischen ihnen
verflüssigt und dann wieder fest werden läßt.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen 909 524/147
Claims (9)
1. Vorrichtung zum Lösen oder Herstellen einer Lötverbindung zwischen zwei Körpern, von denen
der eine mittels eines Greifers relativ zum anderen bewegbar ist, mit einer steuerbaren Heizung für den
bewegbaren Körper, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (42) zur Messung der Temperatur
des bewegbaren Körpers (52) und eine von dieser Einrichtung beeinflußbare Steuereinrichtung (74),
die bei einer bestimmten, oberhalb der Schmelztemperatur
des Lots liegenden Temperatur (T'S) die Heizung (30) des bewegbaren Körpers (52) abschaltet
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekeinnzeichnet,
daß es sich bei dem bewegbaren Körper um ein Halbleiterchip (52) und bei dem anderen
Körper um ein mit Halbleiterchips bestückbares Substrat (24) handelt.
3. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß beim Lösen der Lötverbindung die Steuereinrichtung (74) derart mit
dem Greifer (28) gekoppelt ist, daß diese bei einer zweiten, zwischen der Temperatur (TT) und der
Schmelztemperatur des Lots liegenden Temperatur (T 1) des Halbleiterchip (52) zunächst geringfügig
anhebt und nach Erreichung der ersten Temperatur (T2) vollständig anhebt
4. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1, 2 und. 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Temperatur J"
(TT) weniger als 100° C über der Schmelztemperatur
des Lots liegt
5. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet daß als Heizung ein
Mikrobrenner (30) dient, zur Lh.cerbrechung dessen »
Heizwirkung ein Ventil (Vl) vorgesehen ist, das beim öffnen einen die Ramme ausblasenden
Luftstoß freigibt
6. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung (30) mit -to
dem Greifer starr verbunden ist
7. Vorrichtung nach den Ansprüchen 5 und 6, dadurch gekennzeichnet daß der Mikrobrenner (30)
ein mit einem stöchiometrischen, mit einer organischen Flüssigkeit gesättigten Wasserstoff-Sauer- «
stoff-Gemisch gespeister Brenner ist.
8. Vorrichtung nach dem Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet daß die organische Flüssigkeit aus
Aceton besteht
9. Vorrichtung nach dem Anspruch 1, dadurch so gekennzeichnet, daß als Einrichtung zum Temperaturmessen
ein ultrarotempfindlicher Detektor (42) dient
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13906371A | 1971-04-30 | 1971-04-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2214994A1 DE2214994A1 (de) | 1972-12-07 |
DE2214994B2 true DE2214994B2 (de) | 1979-06-13 |
DE2214994C3 DE2214994C3 (de) | 1980-01-31 |
Family
ID=22484942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2214994A Expired DE2214994C3 (de) | 1971-04-30 | 1972-03-28 | Vorrichtung zum Herstellen oder Lösen von Lötverbindungen |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3735911A (de) |
JP (1) | JPS5412983B1 (de) |
CA (1) | CA961352A (de) |
DE (1) | DE2214994C3 (de) |
FR (1) | FR2134368B1 (de) |
GB (1) | GB1372144A (de) |
IT (1) | IT947884B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3913143A1 (de) * | 1989-04-21 | 1990-10-25 | U T S Uhrentechnik Schwarzwald | Loet- oder schweissvorrichtung |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3775579A (en) * | 1972-05-30 | 1973-11-27 | Ibm | Method and apparatus for repairing printed circuits |
US3931921A (en) * | 1974-09-27 | 1976-01-13 | Blackstone Corporation | Ultrasonic flame soldering tool |
US4022370A (en) * | 1976-04-30 | 1977-05-10 | Burroughs Corporation | Dual in-line chip extractor-exchanger apparatus |
FR2379909A1 (fr) * | 1977-02-04 | 1978-09-01 | Cii Honeywell Bull | Procede et appareil de montage de dispositifs sur un substrat |
US4160893A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-10 | International Business Machines Corporation | Individual chip joining machine |
US4278867A (en) * | 1978-12-29 | 1981-07-14 | International Business Machines Corporation | System for chip joining by short wavelength radiation |
FR2458977A1 (fr) * | 1979-06-13 | 1981-01-02 | Cii Honeywell Bull | Dispositif de demontage non destructif d'un composant electronique modulaire soude par une pluralite de cosses de raccordement sur un substrat |
US4444559A (en) * | 1982-06-28 | 1984-04-24 | International Business Machines Corporation | Process and apparatus for unsoldering solder bonded semiconductor devices |
IT1210953B (it) * | 1982-11-19 | 1989-09-29 | Ates Componenti Elettron | Metodo per la saldatura di piastrine di semiconduttore su supporti di metallo non nobile. |
US4561584A (en) * | 1983-10-17 | 1985-12-31 | Storage Technology Partners | Integrated circuit package removal |
US4632294A (en) * | 1984-12-20 | 1986-12-30 | International Business Machines Corporation | Process and apparatus for individual pin repair in a dense array of connector pins of an electronic packaging structure |
US4768698A (en) * | 1986-10-03 | 1988-09-06 | Pace Incorporated | X-Y table with θ rotation |
US5269868A (en) * | 1989-10-12 | 1993-12-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for separating bonded substrates, in particular disassembling a liquid crystal display device |
US4991286A (en) * | 1989-12-20 | 1991-02-12 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method for replacing defective electronic components |
CA2044649A1 (en) * | 1990-06-19 | 1991-12-20 | Masanori Nishiguchi | Method and apparatus for packaging a semiconductor device |
US5262355A (en) * | 1990-06-19 | 1993-11-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for packaging a semiconductor device |
FR2666451A1 (fr) * | 1990-08-28 | 1992-03-06 | Thomson Csf | Procede et dispositif pour le decollage selectif de plaquettes collees sur un substrat et leur application a la reparation de circuits hybrides. |
US5216803A (en) * | 1991-12-11 | 1993-06-08 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method and apparatus for removing bonded connections |
US5234157A (en) * | 1992-11-02 | 1993-08-10 | At&T Bell Laboratories | Soldering method and apparatus |
US5358169A (en) * | 1994-01-14 | 1994-10-25 | Caddock Electronics, Inc. | Method of soldering leads to electrical components |
US5605277A (en) * | 1994-12-20 | 1997-02-25 | International Business Machines Corporation | Hot vacuum device removal process and apparatus |
US6152353A (en) * | 1999-01-14 | 2000-11-28 | Celestica International Inc. | Printed circuit board header attachment station |
JP4057457B2 (ja) * | 2003-04-15 | 2008-03-05 | 株式会社ディスコ | フリップチップボンダー |
US7288472B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-10-30 | Intel Corporation | Method and system for performing die attach using a flame |
KR101113850B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 플립 칩 본딩 방법 및 이를 채택한 플립 칩 본딩 장치 |
US8205784B1 (en) | 2011-04-29 | 2012-06-26 | Trane International Inc. | Systems and methods for joining metal |
CN104385059B (zh) * | 2014-09-12 | 2017-04-05 | 浙江海洋学院 | 一种刀面磨损检测方法及其装置 |
US9591795B2 (en) | 2014-09-18 | 2017-03-07 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Sensor-based removal of a soldered device |
US10797038B2 (en) * | 2016-02-25 | 2020-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor package and rework process for the same |
TW202247724A (zh) * | 2021-04-09 | 2022-12-01 | 美商山姆科技公司 | 填充有液態金屬填充物的縱橫比通孔 |
CN114953530A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-08-30 | 深圳市海目星激光智能装备股份有限公司 | 芯片修复方法与芯片修复设备 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3165818A (en) * | 1960-10-18 | 1965-01-19 | Kulicke & Soffa Mfg Co | Method for mounting and bonding semiconductor wafers |
US3083291A (en) * | 1960-10-18 | 1963-03-26 | Kulicke & Soffa Mfg Co | Device for mounting and bonding semiconductor wafers |
US3125803A (en) * | 1960-10-24 | 1964-03-24 | Terminals | |
US3050617A (en) * | 1960-10-31 | 1962-08-21 | Electroglas Inc | Thermocompression lead bonding aparatus |
NL271535A (de) * | 1960-11-21 | 1900-01-01 | ||
US3230338A (en) * | 1962-07-02 | 1966-01-18 | Ibm | Selective heating apparatus |
US3271555A (en) * | 1965-03-29 | 1966-09-06 | Int Resistance Co | Handling and bonding apparatus |
US3357091A (en) * | 1965-07-21 | 1967-12-12 | Hughes Aircraft Co | Device for aligning two objects and for mounting one to the other |
US3448911A (en) * | 1967-06-15 | 1969-06-10 | Western Electric Co | Compensating base for simultaneously bonding multiple leads |
US3539160A (en) * | 1968-07-16 | 1970-11-10 | Raymond A Henes | Metal fusion control means |
US3672651A (en) * | 1970-07-13 | 1972-06-27 | John C Diepeveen | Adjustable mount |
-
1971
- 1971-04-30 US US00139063A patent/US3735911A/en not_active Expired - Lifetime
-
1972
- 1972-02-25 IT IT21013/72A patent/IT947884B/it active
- 1972-03-10 JP JP2407472A patent/JPS5412983B1/ja active Pending
- 1972-03-24 GB GB1381172A patent/GB1372144A/en not_active Expired
- 1972-03-28 DE DE2214994A patent/DE2214994C3/de not_active Expired
- 1972-03-28 FR FR7211401A patent/FR2134368B1/fr not_active Expired
- 1972-04-20 CA CA140,072A patent/CA961352A/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3913143A1 (de) * | 1989-04-21 | 1990-10-25 | U T S Uhrentechnik Schwarzwald | Loet- oder schweissvorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5412983B1 (de) | 1979-05-26 |
FR2134368B1 (de) | 1976-06-11 |
IT947884B (it) | 1973-05-30 |
DE2214994A1 (de) | 1972-12-07 |
US3735911A (en) | 1973-05-29 |
CA961352A (en) | 1975-01-21 |
GB1372144A (en) | 1974-10-30 |
FR2134368A1 (de) | 1972-12-08 |
DE2214994C3 (de) | 1980-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2214994C3 (de) | Vorrichtung zum Herstellen oder Lösen von Lötverbindungen | |
DE3436626A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum punkterhitzen eines gegenstandes | |
DE19839014C2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von optischen Elementen durch nicht-kontaktierendes Löten | |
DE4135782C2 (de) | Vorrichtung zum Laserlöten von Halbleiterbauelementen | |
EP1330326A2 (de) | Vorrichtung zum entfernen von lotmaterial von einer lötstelle | |
DE102022109905A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Löten eines elektronischen Bauteils an eine Schaltkreisplatine, Computerprogrammprodukt und computerlesbares Medium | |
EP1920905A1 (de) | Verfahren zum läserschweissen von flächigen Materialien | |
DE3913143C2 (de) | Löt- oder Schweißvorrichtung | |
DE2158115A1 (de) | Metall-Gießvorrichtung sowie Metall-Gießverfahren | |
DE19639993C2 (de) | Vorrichtung zum berührungslosen, selektiven Ein- oder Auslöten von Bauelementen | |
DE2021310C3 (de) | Blaspistole zum Entfernen von Material | |
DE102004003521B3 (de) | Reparaturlötkopf mit einem Zuführkanal für ein Wärmeübertragungsmedium und dessen Verwendung | |
DE1615172B1 (de) | Gleitschuh mit einem Messorgan zum automatischen Regeln des Vorschubs eines Schweisskopfes fuer ein Lichtbogen-Schweissverfahren | |
DE69817932T2 (de) | Verfahren zum Verbinden von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat | |
DE202009014590U1 (de) | Dampfphasen-Lötanlage | |
WO2003030246A2 (de) | Vorrichtung zum verlöten von kontakten auf halbleiterchips | |
DE2258098A1 (de) | Vorrichtung zum aus- und einloeten von bauteilen auf bestueckten leiterplatten | |
DE4233641C2 (de) | Materialanalysator und Verfahren zur Entgasung seines Graphittiegels | |
DE10304774B3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Temperaturbeaufschlagung von Werkstücken | |
DE2710791C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Lösen von mehrpoligen elektrischen Bauteilen von ihrer Trägerplatte | |
EP1683405B1 (de) | Chipentferner | |
EP1727640B1 (de) | Verfahren und vorrichtung für das löten mit unterdruck in der dampfphase | |
EP4010141B1 (de) | Verfahren zum zünden eines schweisslichtbogens | |
DE1627569B2 (de) | Einrichtung zum einleiten eines insbesondere von einer belie bigen stelle der werkstoffoberflaeche ausgehenden schneid vorganges an autogenen brennschneidmaschinen | |
DE102022121002A1 (de) | Schmelzofen sowie Verfahren zum Schmelzen eines metallischen Materials |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |