DE2211875B2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2211875B2
DE2211875B2 DE2211875A DE2211875A DE2211875B2 DE 2211875 B2 DE2211875 B2 DE 2211875B2 DE 2211875 A DE2211875 A DE 2211875A DE 2211875 A DE2211875 A DE 2211875A DE 2211875 B2 DE2211875 B2 DE 2211875B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
irradiation
coating
electron beam
groups
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2211875A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2211875C3 (enExample
DE2211875A1 (de
Inventor
Barry Forester Burgess Hill Sussex Martin
Edward David Purley Surrey Roberts
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2211875A1 publication Critical patent/DE2211875A1/de
Publication of DE2211875B2 publication Critical patent/DE2211875B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2211875C3 publication Critical patent/DE2211875C3/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P14/6922
    • H10P14/6519
    • H10W74/47
    • H10P14/6342
    • H10P14/6686
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24273Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
    • Y10T428/24322Composite web or sheet
    • Y10T428/24331Composite web or sheet including nonapertured component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652Of asbestos
    • Y10T428/31663As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
DE19722211875 1971-03-15 1972-03-11 Verfahren zur Herstellung von mit Öffnungen versehenen Filmen aus einem Material auf Basis von Siliciumoxyd auf einem Substrat Granted DE2211875A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB688471 1971-03-15

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2211875A1 DE2211875A1 (de) 1972-09-28
DE2211875B2 true DE2211875B2 (enExample) 1979-01-11
DE2211875C3 DE2211875C3 (enExample) 1979-09-13

Family

ID=9822552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19722211875 Granted DE2211875A1 (de) 1971-03-15 1972-03-11 Verfahren zur Herstellung von mit Öffnungen versehenen Filmen aus einem Material auf Basis von Siliciumoxyd auf einem Substrat

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3825466A (enExample)
JP (1) JPS5328879B1 (enExample)
DE (1) DE2211875A1 (enExample)
FR (1) FR2130196B1 (enExample)
GB (1) GB1316711A (enExample)
IT (1) IT952963B (enExample)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4041190A (en) * 1971-06-29 1977-08-09 Thomson-Csf Method for producing a silica mask on a semiconductor substrate
GB1449899A (en) * 1972-12-29 1976-09-15 Atomic Energy Of Australia Reproduction of photographic images
GB1451623A (en) * 1973-10-01 1976-10-06 Mullard Ltd Method of prov8ding a patterned layer of silicon-containing oxide on a substrate
JPS552041U (enExample) * 1978-06-20 1980-01-08
JPS5945946A (ja) * 1982-09-06 1984-03-15 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 中空糸状多孔質ガラスの製造法
JPS6221151A (ja) * 1985-07-19 1987-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd パタ−ン形成方法
GB2197881B (en) * 1986-10-03 1991-03-06 Denki Kagaku Kogyo Kk Heat resistant vessel and process for manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
IT952963B (it) 1973-07-30
FR2130196A1 (enExample) 1972-11-03
JPS5328879B1 (enExample) 1978-08-17
US3825466A (en) 1974-07-23
DE2211875C3 (enExample) 1979-09-13
DE2211875A1 (de) 1972-09-28
GB1316711A (en) 1973-05-16
FR2130196B1 (enExample) 1977-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3221180C2 (enExample)
DE2547792B2 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes
DE2264407B2 (de) Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung Ausscheidung aus: 2238429
DE112010004081T5 (de) Rezeptur für die Rotationsbeschichtung und Verfahren zum Ablösen eines lonenimplantiertenFotolacks
DE2013576B2 (de) Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsaure filmen auf Halbleiteroberflachen
DE2211875B2 (enExample)
DE69026537T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Struktur aus leitfähigem Oxyd
DE2302148C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Phosphorsilicatglasschichtmusters
DE2726813A1 (de) Verfahren zur herstellung eines fotowiderstandes
EP1658647A2 (de) Integrierte schaltung mit einem organischen halbleiter und verfahren zur herstellung einer integrierten schaltung
DE3744368C1 (de) Verfahren zur Herstellung von festen optischen Einfach- und Mehrfach-Interferenz-Schichten
EP0166893A1 (de) Trockenätzverfahren
DE2853295C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Speicherplatte für ein Vidikon
DE2316520B2 (de) Verfahren zum Dotieren von Halbleiterplättchen durch Diffusion aus einer auf das Halbleitermaterial aufgebrachten Schicht
DE2506457B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer silikatischen Abdeckschicht auf einer Halbleiterscheibe oder auf einer auf ihr befindlichen Schicht
DE2225366A1 (de) Verfahren zum Entfernen von Vor Sprüngen an Epitaxie Schichten
DE2331516A1 (de) Verfahren zur herstellung von tiefdiffundierten halbleitenden bauteilen
DE2231912C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxydmaske
JP2506801B2 (ja) 導電性有機膜の形成方法
DE1254428B (de) Verfahren zum Herstellen lichtempfindlicher Bleiselenidschichten durch Aufdampfen imVakuum
DE3150420A1 (de) Verfahren zur bildung einer duennen phosphorschicht auf siliziumsubstraten durch aufdampfen von h 3 po 4
DE2613925C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Feldeffekt-Flüssigkristallanzeigezellen mit gewundenem nematischem Flüssigkristall
Martin et al. Improvements relating to methods of producing films comprising siliceous material
DE2306474C3 (de) Verfahren zum Herstellen farbiger Lüsterüberzüge
DE2211699A1 (de) Filmfoermiger strahlungsdetektor und verfahren zur herstellung desselben

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee