DE2210115A1

DE2210115A1 - Thermischer Druckkopf

Info

Publication number: DE2210115A1
Application number: DE19722210115
Authority: DE
Inventors: Hiroshi Shijonawate Yukami Noboru Hirakata Otani, (Japan) P
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1971-03-04
Filing date: 1972-03-02
Publication date: 1972-09-21
Also published as: DE2210115C3; CA953350A; FR2127979A5; DE2210115B2; US3814897A; GB1389483A

Description

MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. Osaka, Japan

Die Erfindung bezieht sich auf einen thermischen Druckkopf, der in einem Gerät verwendet werden kann, das sum Drucken von Informationen auf einem wärmeempfindliehen Aufseichnungsmedium unter Zuhilfenahme von Wärmeenergie geeignet ist.

Es sind heute wärmeempfindIiehe Papiere verschiedener Art handelsüblich, die sich bei Zuführung von Wärmeenergie verfärben. Es wurden auch thermische Druckköpfe jener Art entwickelt, bei denen Wärme durch einen konzentrierten Stromfluß durch ein Widerstandsteil erzeugt wird, und diese Druckköpfe sind heute ebenfalls handelsüblich. Es gibt grob gesprochen zwei Typen von Druckköpfen dieser Art. Die Druckkopfe des einen Typs weisen an der einen Endfläche eines aus einem Material mit hohem spezifischen Widerstand bestehenden Körpers als integrierenden Bestandteil dieses Körpers eine Vielzahl von Widerstandsteilen auf, und der Widerstandssatz wird von Strom durchflossen, so daß in dem Widerstandssatz Wärme erseugt

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wird, während bei dem anderen Typ als wärraeerzeugender Widerscand ein Halbleiter wie beispielsweise Silicium vorgesehen ist und der Strom diesem Widerstand durch ein Stützteil zugeführt wird, das den Widerstand trägt, um so in dem Widerstand Wärme zu erzeugen.

Bei einem thermischen Druckkopf des erstgenannten Typs muß der Widerstandswert des Körpers hinreichend höher sein als der der wärmeerzeugenden Widerstandsteile. Praktisch verwendet man als Material für den Körper einen elektrischen Isolator wie beispielsweise Glas oder einen keramischen V/erkstoff, während die Widerstandsteile aus einer Verbindung wie etwa Zinnoxid bestehen. Bei einem thermischen Druckkopf des zweitgenannten Typs, bei dem der Körper mit dem hohen spezifischen Widerstand aus einem Halbleiter wie etwa Silicium besteht, wird die Störstoffkonzentration in einem Oberflächenbereich nach einer bekannten Methode der selektiven Diffusion oder in ähnlicher Weise selektiv erhöht, um so den Widerstand in diesem Oberflächenbereich auf einen Wert herabzusetzen, der wesentlich unter dem des Halbleiterkörpers liegt. Ein thermischer Druckkopf dieses Typs hat den Vorzug, daß der Stromfluß weitgehend in dem mit dem Störstoff dotierten Oberflächenbereich konzentriert werden kann, so daß es in diesem Bereich zu einer beträchtlichen Wärmeentwicklung kommt.

Die Erfindung hat zur Hauptaufgabe, einen thermischen Druckkopf zu schaffen, der den bekannten Druckköpfen hinsichtlich der Wärmeerzeugungscharakteristik überlegen ist.

Für die Erfindung ist es kennzeichnend, daß bei einem aus einem Halbleiterkörper und einer durch Eindiffundieren eines Störstoffs in einen Oberflächenbereich dieses Halbleiterkörpers nach einer beliebigen geeigneten Methode bekannter Art gebildeten wärmeerzeugenden Widerstanisschicht bestehenden thermischen Druckkopf ein Siliciummaterial mit hohem spezifischen Widerstand zur Ausbildung des Halbleiterkörpers dient, während ein Störstoff von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp wie dem des Halbleiterkörpers zur Bildung der wärmeerzeugenden Wi der stands schicht verwendet wird, um so den Stromfluß gänzlich in der Widerstandsschicht zu konzentrieren, wodurch

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durch eine bemerkenswerte Verbesserung in der Wärmeerzeugungscharakteristik des thermischen Druckkopfes erzielt wird.

Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen mit größerer Deutlichkeit aus der nachfolgenden Beschreibung der Einzelheiten bevorzugter Ausführungsformen anhand der beigegebenen Zeichnungen hervor. Darin zeigen:

Fig. IA und IB eine perspektivische Ansicht bzw. einen Längsschnitt eines erfindungsgemäßen thermischen Druckkopfes;

Fig. 2 eine perspektivische Ansicht einer Aneinanderreihung vcn Blocks eines thermischen Druckkopfes, die in erfindungsgemäßer V/eise hergestellt sind*

Fig. J)L bis 3D Darstellungen zur Veranschaulichung der aufeinanderfolgenden Schritte bei der Herstellung des erfindungsgemäßen thermischen Druckkopfes; und

Fig. 4 eine graphische Darstellung der Änderungen im spezifischen Widerstand eines Halbleiters in Abhängigkeit von der Temperatur.

li: Fig. IA und IB ist ein erfindungsgemäßer thermischer Druchkopf dargestellt, bei dem ein Halbleiterkörper 11 aus p-Silicium oder n-Siliciun vorgesehen ist, der einen geringen spezifischen Widerstand aufweist. In einem Oberflächenbereich an dem einen Ende des Halbleiterkörpers 11 ist nach einem bekannten Diffusionsverfahren eine Yfid erstände schicht 12 ausgeformt, die als wärme erzeugende Schicht dient. Bei dieser Widerstandsschicht handelt es sich um eine η-leitende Schicht, falls der Halbleiterkörper p-leitend ist, bzw. uri eine p-leitende Schicht, falls der Halbleiterkörper n-leitend ist. so da:? d π swi sch en ein pn-übergang 15 gebildet wird. Zwei Elektrode^. 15 und IJ¹ stehen mit der Widerstandsschicht 12 in ohmschem Kontakt, so da.: es su eine-; konzentrierten Stromflui; durch die Widerstand sschieht 12 kon::at, v.-eiui zwischen den Elektroden IJ und 13« eine Spannung angelegt wird, was eina beträchtliche Wärmeentwicklung in der Widerstandsschicht 12 zur Folge hat. Auf dem Halbleiterkörper 11 ist eine aus einem elektrischen Isolator bestehende Schicht 14 ausgeformt, beispielsweise eine Siliciumoxidschiebt, um einen Kontakt

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der Elektroden 13 und 13' mit den nicht mit dem Störstoff dotierten Oberflächenbereichen des Halbleiterkörpers 11 zu vermeiden. Die Farben werden auf einem wärmeempfindlichen Bogen oder Blatt 16 an denjenigen Stellen erzeugt, die von dem heißen Druckkopf berührt werden. Es braucht nicht erwähnt zu werden, daß ein solcher thermischer Druckkopf in einer beliebigen erwünschten Größe gebaut werden kann, und daß es auch möglich ist, die einzelnen Blocks einer Vielzahl von thermischen Druckköpfen von geeigneter Formgebung in der in Fig. 2 gezeigten Weise aneinanderzureihen. In Fig. 2 sind die einzelnen Blocks 18 einer Vielzahl von thermischen Druckköpfen unter Zwischenfügung je eines elektrischen Isolators 17 in einer Reihe angeordnet.

Es soll nun anhand der Fig. 3A bis 3D ein Verfahren zur Herstellung des thermischen Druckkopfes mit dem obigen Aufbau beschrieben werden.

Aus Silicium wird zunächst ein Halbleiterkörper 21 mit geringem spezifischen Widerstand wie der in Fig. 3A gezeigte hergestellt. In Fig. 3A ist dieser Halbleiterkörper 21 linke in einer perspektivischen Ansicht und rechts im Seitenriß dargestellt. Der Halbleiterkörper 21 wird zu einer Höhe h und einer Stärke W-, entsprechend der vorgesehenen Höhe und Stärke des schließlich zu erzeugenden thermischen Druckkopfes vorgeformt. Wie aus Fig. 3B zu entnehmen ist, werden hierauf beträchtliche Teile der entgegengesetzten Seitenflächen des-Halbleiterkörpers 21 mit einer Oxidschicht 23 überzogen, so daß lediglich die Endfläche 22 und diejenigen Oberflächenteile freibleiben, die innerhalb eines geeigneten Abstandes ■£, gemessen/von den Randkanten der Endfläche 22, liegen. Dies kann beispielsweise durch thermisches Aufoxidieren der Gesamtoberfläche des Körpers und anschließendes Abtragen der Oxidschicht in dem obenangegebenen Bereich durch Photoätzung bewirkt werden. Nachdem die Oxidschicht also teilweise wieder entfernt worden ist, läßt man in die ungeschützten oder nichtoxidierten Oberflächenpartien des Halbleiterkörpers 21 einen Störstoff eindiffundieren, v7ie diea in Fig. 3C veranschaulicht ist, um so in den Oberflächenteilen an der Endfläche 22 und an den Seitenpartien innerhalb des Abstandes Z von den Randkanten der Endfläche 22 des Halbleiterkörpers 21 eine Diffusionsschicht

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24 auszubilden. Die eindiffundierte Schicht 24 dient als Widerstandsschicht. Ein wärmeerzeugender Bereich für die Zuführung von Wärmeenergie zu einem wärmeempfindlichen Aufzeichnungsmedium ist vorzugsweise nur in engbegrenzter iilrstreckung vorgesehen, und diesem Erfordernis wird dadurch Rechnung getragen, daß der wärmeerseugende Bereich in diesem Fall im wesentlichen nur die Endfläche 22 umfaßt, wie aus der Darstellung der Hg. IB hervorgeht. Der Flächeninhalt der die Strecke £ einbegreifenden Oberflächenpartien, die sich von den Randkanten der Endfläche 22 forterstrecken, wird in Anbetracht der Tatsache, daß an diesen Stellen Wärme verlorengeht, vorzugsweise so klein wie möglich gehalten. Die Flächengröße dieser Oberflächenpartien wird demgemäß so gering gewählt, wie sich dies mit der Gewährleistung der elektrischen Verbindung mit den Elektroden, vereinbaren läßt. Zum Eindiffundieren des Störstoffes kann man sich eines bekannten Verfahrens zur Diffusion aus der Dampfphase bedienen. Ein Störstoff wie beispielsweise Phosphor, der zur Gruppe V des periodischen Systems gehört, wird eindiffundiert, wenn es sich bei dem Halbleiterkörper mit dem geringen spezifischen Widerstand um pleitendes Material handelt, wohingegen man einen zur Gruppe HX gehörenden Störstoff wie beispielsweise Bor eindiffundieren läßt, falls es sich bei dem Halbleiterkörper um η-leitendes Material handelt. Es bedarf keiner Erwähnung, daß der spezifische Widerstand der Widerstandsschicht auf einen beliebigen Wert festgelegt werden kann, indem man die Eindiffusion des Störstoffs in geeigneter Weise vornimmt. Wie aus Fig. 3D zu ersehen ist, wird hierauf ein Metall wie etwa Aluminium oder Nickel aufgebracht, um die beiden Elektroden 25 und 25' zu bilden, so daß sich diese über' die Oxidschicht 23 und über beträchtliche Teile der eindiffundierten Schicht 24 an den Seitenflächen des Halbleiterkörpers 21 hinwegerstrecken. Zum Aufbringen der Elektroden 25 und 25' kann ein Vakuumverdampfungsverfahren in Anwendung kommen. Bei der Vornahme der Vakuumverdampfung kann die Endfläche 22. abgedeckt werden, so daß sich das Metall nicht auf der Endfläche 22 ablagern kann, oder aber man kann das Metall auf die gesamte Oberfläche aufdampfen, um es anschließend in bestimmten Bereichen durch Photoätzung wieder zu entfernen und den Elektrodenteilen so die gewünschte Form zu geben. Hierauf kann man sieh einer

Sohne id vo rri cii tung

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Schneidvorrichtung wie beispielsweise einer Diamantsäge oder Drahtsäge bedienen, um den Druckkopf so zurechtzuschneiden, daß seine Breite etwas größer ist als eine vorbestimmte Breite W₂ · Nach dem Läppen der bearbeiteten Flächen des Druckkopfes wird zur Umformung des pn-Überganges 26, der unter dem SehneidVorgang gelitten hat, eine chemische Itzung des Druckkopfes vorgenommen, wobei der Druckkopf auf die vorbestimmte Breite W₂ gebracht wird.

Je nach der Art des benutzten wärmeempfindlichen Aufzeichnungsmediums kann vorgesehen sein, mit dem thermischen Druckkopf Temperaturen beispielsweise über 400°C hervorzubringen. Bei den herkömmlichen thermischen Druckköpfen jenes Typs, bei denen ale Halbleiterkörper ein Siliciummaterial mit hohem spezifischen Widerstand dient, während in der Oberflächenpartie des Halbleiterkörpers eine Btörstoffdotierte Schicht mit geringem spezifischen Widerstand ausgeformt ist, muß sich die Wärmeerzeugungscharakteristik des Druckkopfes bei hohen Temperaturen aufgrund der Wärmeentwicklung in der wärmeerzeugenden Schicht zwangsläufig verschlechtern. Im Fall des erfindungsgemäßen Druckkopfes kann demgegenüber ohne weiteres eine hohe Temperatur erzeugt werden, ohne daß eine Verschlechterung seiner Wärmeerzeugungscharakteristik in Kauf genommen werden müßte, was im folgenden bpgründet werden soll.

Fig. 4 zeigt die Temperaturcharakteristik des Widerstandsverhaltens von Silicium. Aus Fig. 4 geht hervor, daß sich der spezifische Widerstand von Silicium in einem oberhalb der Raumtemperatur liegenden Temperaturbereich mit steigender Temperatur zunächst erhöht, um dann nach Erreichen eines bestimmten kritischen Punktes abrupt abzunehmen. Der Bereich, in dem die schroffe Verringerung des spezifischen Widerstandes eintritt, wird als Eigenleitungsgebiet oder Intrinsicbereich bezeichnet. Die kritische Temperatur, bei der ein Übergang in das Eigenleitungsgebiet erfolgt, ist in Abhängigkeit vom spezifischen Widerstand unterschiedlich, und je höher der spezifische Widerstand ist, um so tiefer liegt diese kritische Temperatur. In Fig. 4 sind beispielhaft die kritischen Temperaturen von SiIiciumkristallen mit den spezifischen Widerständen 0,7-icm, 1,3 Acm, 4 :xcm und 10 Ucm aufgetragen, und die kritischen Temperaturen

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türen verringern sich beachtlich "bei höherem spezifischen Widerstand. Eine Erhöhung der Temperatur in jenem begrenzten Teil, der gegen ein wärmeempfindliches Aufzeichnungsmedium anliegt, genügt bereits, damit der thermische Druckkopf als Wärmeerzeuger wirkt, und je geringer die Stärke des wärmeerzeugenden Teils ist, um so wirksamer wird die in diesem Teil erzeugte Wärmeenergie genutzt. Bei dem herkömmlichen thermischen Druckkopf, also bei einem Druckkopf jenes Typs, bei dem der Widerstandswert in einem flachen Bereich an den Oberflächen des einen hohen spezifischen Widerstand aufweisenden Halbleiterkörpers durch Eindiffundieren eines Störstoffs herabgesetzt ist, um so eine hinlängliche Unterschiedlichkeit der Widerstandswerte der dotierten Oberflächenpartie und des Materials im Inneren des Halbleiterkörpers zu gewährleisten, und bei dem ein konzentrierter Stromfluß durch die dotierte Oberflächenpartie herbeigeführt wird, um in dem dotierten Oberflächenteil eine starke Temperatursteigerung zu bewirken, ist es erwünscht, den Strom durch einen Bereich zu leiten, der so nahe wie möglich an der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegt, und der den Halbleiterkörper bildende SiIiciumkristall muß daher einen möglichst hohen spezifischen Widerstand haben. Bei einem SiIiciumkristall mit einem solchen hohen spezifischen Widerstand erfolgt indessen bei einer Temperaturerhöhung leicht der Übergang in das Eigenleitungsgebiet, und bei einer Temperatur oberhalb des kritischen Punktes kommt es zu einer plötzlichen Verringerung des Widerstandswerts des Halbleiterkörpers, so daß der Strom dann auch durch das Innere des Halbleiterkörpers fließt und eine beträchtliche Wärmeentwicklung im Inneren des Halbleiterkörpers einsetzt. In diesem Fall erfolgt die Wärmeerzeugung also nicht nur im Oberflächenbereich, der mit dem wärmeempfindlichen Aufzeichnungsmedium in Kontakt gebracht wird, sondern auch im Inneren des Halbleiterkörpers, und der Wärmewirkungsgrad des thermischen Druckkopfes sinkt daher ganz erheblich ab.

Im Eahmen der Erfindung wird eine Widerstandsschicht im Oberflächenbereich eines aus Silicium bestehenden Halbleiterkörpers demgegenüber durch Eindiffundieren eines Störstoffs von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp wie dem des Halbleiterkörpers gebildet, so

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daß die Strombahn nur auf der einen Seite des pn-Überganges verlaufen kann und im wesentlichen der gesamte Strom durch die Widerstandsschicht fließt. Der Halbleiterkörper braucht daher in diesem Fall keinen hohen spezifischen Widerstand zu haben. Zu einer starken Wärmeerzeugung im Inneren des Halbleiterkörpers wie im Fall des herkömmlichen Druckkopfes kann es nur dann kommen, wenn ein Durchbruch durch den pn-übergang erfolgt, so daß dann ein Stromfluß durch das Innere des Halbleiterkörpers einsetzt. Es ist jedoch festgestellt worden, daß der sog. Sekundärdurchbruch durch einen pn-übergang nur dann eintritt, wenn in einem Halbleiterbereich mit hohem spezifischen Widerstand ein Übergang in das Eigenleitungsgebiet stattfindet. Da im Rahmen der Erfindung ein Halbleiterkörper aus Silicium verwendet wird, der einen geringen spezifischen Widerstand hat, vermittelt die Erfindung gegenüber den herkömmlichen thermischen Druckköpfen den Vorteil, daß die Strombahn bis zu hohen Temperaturen auf die oberflächliche Widerstandsschicht begrenzt bleibt und der Druckkopf bis zu diesen hohen Temperaturen keine Verringerung seines Wärmewirkungsgrades zeigt.

Patentansprüche

839/0713

Claims

Patentansprüche

( ΐΛ Thermischer Druckkopf, gekennzeichnet durch einen Körper (ll) aus einem halbleitenden Material mit geringem spezifischen Widerstand, wobei dieses halbleitende Material eine kritische Temperatur des Übergangs in das Eigenleitungsgebiet hat, die höher liegt, als die Yerfärbungstemperaturen eines wärmeempfindlichen Aufzeiehnungsmediums (l6), eine in einem Oberflächenbereich des halbleitenden Körpers (ll) ausgeformte Schicht (12) von einem Leitfähigkeitstyp? der dem des halbleitenden Körpers (ll) entgegengesetzt isi_? und Mittel (13, 13') zur Stromzuführung zu dieser Schicht (12) zux- If/ärmeerzeugung bis zum Erreichen von zur thermischen Aufzeichnung von Informationen auf dem wärmeempfinäliehen Aufzeichnungsmedium (ΐβ) hinreichenden Temperaturen.
2. Thermischer Druckkopf, gekennzeichnet durch einen Körper (ll) aus einem halbleitenden Material mit geringes spesifi sehen Widerstand, wobei dieses halbleitende Material eine kritische Temperatur des Übergangs in das'Eigenleitungsgebiet hat, die höher liegt als die Verfärbungstemperaturen eines wärmeempfindlichen Aufzeichnungssediums (l6), eine in einem Oberflächenbereich. des halbleitsaden Körpers (ll) durch Eindiffundieren eines Störstoffs Ton entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp wie dem des halbleitendon Körpers (il) ausgeformte dotierte Schicht (12), auf den halb leitenden. Körper (ll) unter Zwischenfügung einer elektrisch isolierenden Schicht (14) aufgebrachte und in einem Teil mit der dotierten Schicht (12) in ohE-schen Kontakt gebrachte leitfällige Lütt el (l;5₅ I?⁵) und Mittel sur Stromzuführung zu der dotierten Schicht (12) durch die leitfMMgen Mittel (13, I3¹) zur Wärmeerzeugung bis sum Erreichen von die Verfärbungstemperaturen des wärmesispfindlichen AufEeichnungsnediumg (l6) überschreitenden Temperaturen.
3· Thermischer Druckkopf, gekennzeichnet durch einen Körper (ll) aus einem ■ halbleitenden Material mit geringen: speEifiseheii Widerstand, wobei dieses halbleitende Material eine kriticjote Eemporatur des Übergangs in das Eigenleitungsgebiet hat-, die liöh&r liegt als die-VerfärbungBtemperaturen eine α wärseempfindlioboa Aufseichnungs^edi-

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ums (l6), eine Vielzahl von in einem Oberflächenbereich des halbleitenden Körpers (ll) durch Eindiffundieren eines Störstoffs von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp wie dem des halbleitenden Körpers (ll) ausgeformten dotierten Schichten (12), auf den halbleitenden Körper (ll) unter Zwischenfügung einer elektrisch isolierenden Schicht (14) aufgebrachte und in einem Teil mit den dotierten Schichten (12) in ohmschen Kontakt gebrachte leitfähige Mittel (I3, 13') und Mittel zur Stromzuführung zu den dotierten Schichten (12) durch die leitfähigen Mittel (13, 13') zur Wärmeerzeugung bis zum Erreichen von die Verfärbungstemperaturen des wärmeempfindlichen Aufzeichnungsmediums (l6) überschreitenden Temperaturen.
4. Thermischer Druckkopf, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von unter Zwischenfügung jeweils eines elektrischen Isolators (17) ^zu einem einheitlichen Ganzen zusammengefaßten Kopfblöcken (l8), wobei jeder dieser Kopfblöcke (ΐθ) einen Körper (ll) aus einem halbleitenden Material mit geringem spezifischen Widerstand aufweist, wobei dieses halbleitende Material eine kritische Temperatur des Übergangs in das Eigenleitungsgebiet hat, die höher liegt als die Verfärbungstemperaturen eines wärmeempfindlichen Aufzeichnungsmediums (l6) , ferner eine in einem Oberflächenbereich des halbleitenden Körpers (ll) durch Eindiffundieren eines Störstoffs von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp wie dem des halbleitenden Körpers (ll) ausgeformte dotierte Schicht (12) , auf den halbleitenden Körper (ll) unter Zwischenfügung einer elektrisch isolierenden Schicht (14) aufgebrachte und in einem Teil mit der dotierten Schicht (12) in ohmschen Kontakt gebrachte leitfähige Mittel (I3, 13') und Mittel zur Stromzuführung zu der dotierten Schicht (12) zur Wärmeerzeugung bis zum Erreichen von die Verfärbungstemperaturen des wärmeempfindlichen Aufzeichnungsmedium s (l6) überschreitenden Temperaturen.

5· Thermischer Druckkopf, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von miteinander in Flucht liegenden, unter Zwischenfügung jeweils eines elektrischen Isolators (17) zu einem einheitlichen Ganzen zusammengefaßten Kopfblöcken (l8). wobei jeder dieser Kopfblöcke (l8) einen Körper (ll) aus einem halbleitenden Material mit geringem spezifischen Widerstand aufweist, wobei dieser halbleitende Körper (ll)

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eine kritische Temperatur des Übergangs in das Eigenleitungsgebiet hat, die höher liegt als die Yerfärbungstemperaturen eines wärmeempfindlichen Aufzeichnungsmediums (ΐβ) , ferner eine in einem Oberflächenbereich des halbleitenden Körpers (ll) durch Eindiffundieren eines Störstoffs von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp wie dem des halbleitenden Körpers (ll) ausgeformte dotierte Schicht (12), auf den halbleitenden Körper (ll) unter Zwischenfügung einer elektrisch isolierenden Schicht (14) aufgebrachte und in einem Teil mit der dotierten Schicht (12) in ohm schen Kontakt gebrachte leitfähige Mittel (13» I3¹) und Mittel zur Stromzuführung zu der dotierten Schicht (12) zur Wärmeerzeugung bis zum Erreichen von die Verfärbungstemperaturen des wärmeempfindlichen Aufseichnungsmediums (l6) überschreitenden Temperaturen.

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