DE2204441A1

DE2204441A1 - Ueberschlagsabschaltautomatik fuer ziehmaschinen

Info

Publication number: DE2204441A1
Application number: DE19722204441
Authority: DE
Inventors: Gerhard Barowski; Wolfgang Dr Keller
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1972-01-31
Filing date: 1972-01-31
Publication date: 1973-08-09
Also published as: JPS4887443A; JPS5332547B2

Description

Überschlagsabschaltautomatik für Ziehmaschinen Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum induktiven Beheizen von fIalbleitermaterial, insbesondere Silicium, in Vakuum- und Gasziehanlagen, bei welchen eine das Halbleitermaterial umgebende Induktionsspule mit einer Kapazität zu einem H?-Schwingkreis, der von einem HP-Generator gespeist wird, zusammengefaßt ist.
Bei diesen Vorrichtungen können erhebliche Beschädigungen auftreten, wenn im HF-System des Heizkreises Überschläge stattfinden und der HF-Generator einschließlich des Ziehmechanismus nicht sofort abgeschaltet und dadurch das Auftreten von Lichtbogen verhindert wird.
Bei Vakuumziehanlagen wird mittels eines Penning-Manometers das Vakuum überwacht, welches sich bei Auftreten eines Lichtbogens verändert. Diese Veränderung wird registriert und die Vorrichtung über eine Schaltstufe abgeschaltet.
Aufgabe dieser Erfindung ist es, mittels einer vollautomatischen Sicherung sowohl bei Vakuum- als auch bei Gasziehanlagen die H9-Spannung zu überwachen und bei Auftreten eines Lichtbogens den dabei entstehenden Spannungszusammenbruch zu registrieren und die Gesamtanlage abzuschalten.
(Figur 1) Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß an den HS-Schwingkreis eie Schaltungsanordnung gekoppelt ist, die aus einen kapazitiven Spaungstei1er mit Gleichrichter einem Differenzierglied, einer Transistoriogik mit einer bistabilen Kipstufe, deren Ansprechempfindlichkeit durch einen Regelwiderstand im Emitterkreis der Transistoren einstellbar ist und einer Schaltstufe besteht und als automatische elektronische Sicherung wirkt, und init der Steuereinrichtung des H-Generators und des Ziehmechanismus verbunden ist, so daß bei Eintreten eines Spannungszusammenbruches die Vorrichtung automatisch abgeschaltet wird.
In Figur 1 ist das Prinzipschaltbila dargestellt Figur 2 und 3 zeigen zwei Ausführungsbeispiele der Transistorlogik.
Über den in Figur 1 mit 2 bezeichneten kapazitiven Spannungsteiler, der an den Schwingkreis 1 angekoppalt ist, wird die Hh'-Spannung der Heizvorrichtung abgegriffen und über eine dem Spannung steiler 2 zugeordnete Gleichrichteranordnung 3 und einem Differenzierglied 4 der Transistorlogik 5 zugeführt. Diese besteht aus einer bistabilen Kippstufe mit den beiden r'ransistoren T1 und 2 in deren Emitterkreis ein Regelwiderstand R1 geschaltet ist, mit dessen Hilfe die Ansprechempfindlichkeit der bistabilen Kippstufe eingestellt werden kann.
Tritt ein Spannungszusammenbruch in der Heizvorrichtung z. 3. infolge eines Überschlsges an der Spule, der HF-Durchführlmg oder dem Sekundärkreis des HF-Generators ein.
wird der Spannungszusammenbruch über den Spannungsteiler und den Gleichrichter dem Differenzierglied zugeführt.
Durch den differenzierten Impuls wird die bistabile Kippstufe umgeschaltet und über den Transistor T3 und das Relais R10der HF-Generator und der Ziehriechanismus der Heizvorrichtung abgeschaltet.
In Figur 2 ist das Differenzierglied 4, die Transistorlogik mit der bistabilen rXippstue 5 und die Schalt stufe 6 dargestellt.
Die bistabile Kippstufe der Transistorlogik 5 besteht aus den beiden Transistoren T1 und T2 mit den Basiswiderständen R3, R4 und R5 und den Kollektorwiderständen R6 und X7.
In der gemeinsamen Emitterleitung der beiden Transistoren Tl und T2 liegt parallel zu der Kapazität O2 ein regelbarer Widerstand Ri, mit welchem die Einstellempfindlichkeit der bistabilen KippstuI:e geregelt werden kann.
Figur 3 unterscheidet sich von Figur 2 durch die Beschaltung der Kippstufe mit einer Diode Di in der Verbindung des Kollektors des Transistors T1 mit der Basis des Transistors 'D2, anstelle eines RC-Gliedes R8, C3 an der Basis des Transistors 22 . (Fig. 1) Durch die Beschaltung mit den RO-Glied R8, C3 in Figur 2, bzw. der Diode D1 in Figur 3 kippt die bistabile Transistorlogiknach Abschalten der Anlage in eine bevorzugte Lage, wodurch die inschaltbereitschaft der Anlage hergestellt ist.
1 Anspruch 3 Figuren

Claims

Patent ans r u c 3 Vorrichtung zum induktiven Beheizen von Halbleitermaterial in Vakuun- und Gasziehanlagen, bei welchen eine das Halbleitermaterial umgebende Induktionsspule mit einer Kapazität zu einem HF-Schwingkreis zusammengefaßt und von einem HF-Generator gespeist ist, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß an den HF-Schwingkreis 1 eine Schaltungsanordnung gekoppelt ist, die aus einem kapazitiven Spannungsteiler 2 mit Gleichrichter 3, einem Differnzierglied 4, einer Transistorlogik mit einer bistabilen Kippstufe 5, deren Ansprechempfindlichkeit durch einen Regelwiderstand R1 im Emitterkreis der Transistoren T1, T2 einstellbar ist und einer Schaltstufe 6 besteht und als automatische elektronische Sicherung wirkt, und mit der Steuereinrichtung des H?-Generators 7 und des Ziehmechanismus 8 verbunden ist, so daß bei Eintreten eines Spannungszusammenbruches die Vorrichtung automatisch abgeschaltet wird.