DE2929119C2 - - Google Patents
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- DE2929119C2 DE2929119C2 DE19792929119 DE2929119A DE2929119C2 DE 2929119 C2 DE2929119 C2 DE 2929119C2 DE 19792929119 DE19792929119 DE 19792929119 DE 2929119 A DE2929119 A DE 2929119A DE 2929119 C2 DE2929119 C2 DE 2929119C2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Ab
schalten von tiegelfreien Zonenschmelzanlagen beim Auf
treten von Überschlägen im Bereich der Induktionsheiz
spulen mit den Merkmalen:
- a) die Induktionsheizspule ist mit den Ausgangsklemmen eines Hf-Generators verbunden;
- b) an die Induktionsheizspule ist der Eingang der Schal tungsanordnung gekoppelt;
- c) die Schaltungsanordnung weist eingangsseitig einen eine geglättete Gleichspannung erzeugenden Gleich richter auf;
- d) die Schaltungsanordnung hat ausgangsseitig eine Abschalt stufe;
- e) der Ausgang der Abschaltstufe ist mit dem Hf-Generator verbunden.
Beim tiegelfreien Zonenschmelzen wird ein Siliciumstab in
einem evakuierten oder mit Schutzgas gefüllten Rezipienten
senkrecht gehaltet und induktiv mittels einer Spule beheizt.
Die so erzeugte Schmelzzone wird langsam in einer Richtung
durch den Stab geführt. Beim Zonenschmelzen von dicken
Stäben werden erhebliche Hochfrequenzleistungen umgesetzt.
Durch Stoßionisation kommt es daher gelegentlich zu Über
schlägen im Bereich der Induktionsheizspule, die erhebliche
Beschädigungen an Spule und anderen Anlageteilen verursa
chen können. Zur Vermeidung solcher Beschädigungen muß der
Hf-Generator möglichst rasch abgeschaltet werden.
In der deutschen Offenlegungsschrift 22 04 441 ist eine
Schaltungsanordnung zum induktiven Beheizen von Halbleiter
material in Vakuum und Gasziehanlagen gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 1 beschrieben. Bei dieser Schaltungsanordnung
umgibt eine Induktionsheizspule, die mit einer parallel ge
schalteten Kapazität einen Hf-Schwingkreis bildet, einen
Siliciumstab. An den Hf-Schwingkreis ist eine Schaltungsan
ordnung gekoppelt, die aus einem kapazitiven Spannungstei
ler mit Gleichrichter, einem Differenzierglied, einer Tran
sistorlogik mit einer bistabilen Kippstufe und einer
Schaltstufe besteht und als automatische elektronische
Sicherung wirkt. Die Schaltungsanordnung ist mit der Steu
ereinrichtung des Hochfrequenzgenerators und des Ziehmecha
nismus verbunden, so daß beim Eintreten eines Spannungszu
sammenbruchs die Vorrichtung automatisch abgeschaltet wird.
Aus der deutschen Auslegeschrift 26 37 939 ist eine ähn
liche, auf plötzliche Amplitudenänderungen der an die
Induktionsheizspule gelieferten Wechselspannung anspre
chende Sensorschaltung bekannt. Diese Sensorschaltung be
steht aus einem kapazitiven Spannungsteiler, einem Gleich
richter, einem Differenzierglied, einer Vergleichsstufe und
einer die Abschaltung des Hf-Generators bewirkende Aus
schaltstufe.
Bei Schwankungen in der Stromversorgung dieser Sensorschal
tungen bzw. bei Netzeinbrüchen kann es jedoch zu Störungen,
wie beispielsweise Fehlabschaltungen kommen.
Der vorlie
genden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde hier Abhilfe zu
schaffen und die Schnellabschaltung so vorzusehen, daß nur
beim Auftreten von Überschlägen im Bereich der Induktions
heizspule und nicht beim Auftreten von sonstigen Störungen
eine elektronische Sicherung ausgelöst wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch folgende Merkmale
gelöst:
- f) an die beiden Ausgangsklemmen des Gleichrichters ist eine Diode und ein Kondensator in Reihe geschaltet;
- g) die Diode ist so gepolt, daß bei Anliegen einer Spannung an den Ausgangsklemmen der Kondensator aufgeladen wird;
- h) eine Leuchtdiode ist der Diode antiparallel geschaltet;
- i) die Leuchtdiode ist über einen Fototransistor optisch mit dem Eingang der Abschaltstufe gekoppelt;
- j) der Kondensator (C 1) ist so bemessen, daß beim Auftreten eines Überschlages durch Entladen des Kondensators (C 1) ein Stromfluß durch die Leuchtdiode (D 3) bewirkt wird und die Leuchtdiode (D 3) Licht emittiert.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in der Figur
dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert.
Der in der Figur nicht dargestellte HF-Generator ist
über die Klemmen 1 und 2 an die Schmelzspule 13 ange
schlossen. Das an den Punkten 3 und 4 abgegriffene
stationäre HF-Signal wird beispielsweise mittels eines
Transformators 15 verkleinert und mittels der Diode D 1
gleichgerichtet und lädt den Kondensator C 1 über die
Diode D 2 und den zu ihr parallel geschalteten Wider
stand R 1 auf die Spitzenspannung auf. Dem Glättungs
kondensator C 2 des Gleichrichterkreises ist das Poten
tiometer R 2 parallel geschaltet, zwischen dessen festen
Kontakt 7 und beweglichen Abgriff 8 der HF-Istwert
für Regelungszwecke abgenommen werden kann.
Tritt ein Überschlag im Bereich der Induktionsheiz
spule 13 auf, so bricht die HF-Spannung zusammen und
am Punkt 5 wird damit die Spannung niedriger als am
Punkt 6. Aufgrund dieser Spannungsdifferenz fließt
durch die antiparallel zur Diode D 2 geschaltete Leucht
diode D 3 bis der Kondensator C 1 entladen ist ein Strom.
Die Leuchtdiode D 3 ist optisch mit einem Fototransistor
T 1 verbunden. Leuchtdiode D 3 und Fototransistor T 1
können beispielsweise als Optokoppler ausgebildet sein.
Beim Aufleuchten der Fotodiode D 3 infolge Stromdurch
flusses steuert der Fototransistor T 1, dessen Emitter
mit der Basis eines zweiten Transistors T 2 verbunden
ist, den Transistor T 2 aus, so daß das im Kollektor
kreis von T 2 geschaltete Relais 14 den HF-Generator
abschaltet. Mit 11 und 12 ist die Leitung vom Relais 14
zum in der Figur nicht dargestellten HF-Generator be
zeichnet. An den Punkten 10 und 9 liegt die Versor
gungsspannung für den Transistor T 2 an. Die das Relais
14 überbrückende Diode D 4 dient dem Schutz des Tran
sistors T 2 vor induzierten Spannungen.
Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist da
rin zu sehen, daß der eigentliche aus den Dioden D 1,
D 2 und D 3, den Widerständen R 1 und R 2 und den Konden
satoren C 1 und C 2 bestehende Sensor von keiner anderen
als der HF-Spannung der Induktionsheizspule gespeist
wird. Dadurch entfallen Störeffekte, wie sie sonst
gelegentlich durch Netzeinbrüche, Netzschwankungen
etc. verursacht werden. Die erfindungsgemäße Vorrich
tung ist daher betriebssicherer als die zum Abschalten
des HF-Generators bekannten Differenzierschaltungen.
Die Realisierung der in der Figur dargestellten Vor
richtung kann unter folgender Bemessung für die Wider
stände und Kondensatoren erfolgen:
R 1 = 100 kOhm, R 2 = 1 kOhm, C 1 = 100 µF, C 2 = 10 nF.
Besonders vorteilhaft ist bei der vorliegenden Erfin
dung die Abnahme der HF-Spannung direkt an der Induk
tionsheizspule. Zum einen ist hier die Empfindlichkeit
der Überschlagssicherung am größten und zum anderen
wird durch den an den Punkten 8 und 7 abgenommenen
HF-Istwert auch die während des Zonenschmelzvorgangs
notwendige Regelung des Streck-Stauch-Mechanismusses
der Zonenschmelzapparatur und der Leistungsregelung
des HF-Generators auf einfache Weise und bei größter
Empfindlichkeit ermöglicht.
Claims (5)
1. Schaltungsanordnung zum Abschalten von tiegelfreien Zonen
schmelzanlagen beim Auftreten von Überschlägen im Bereich der
Induktionsheizspule (13) mit den Merkmalen:
- a) die Induktionsheizspule (13) ist mit den Ausgangsklemmen eines Hf-Generators verbunden;
- b) an die Induktionsheizspule (13) ist der Eingang der Schal tungsanordnung gekoppelt;
- c) die Schaltunganordnung weist eingangsseitig einen eine geglättete Gleichspannung erzeugenden Gleichrichter auf;
- d) die Schaltungsanordnung hat ausgangsseitig eine Abschalt stufe;
- e) der Ausgang der Abschaltstufe ist mit dem Hf-Generator ver bunden
gekennzeichnet durch die Merkmale:
- f) an die beiden Ausgangsklemmen des Gleichrichters ist eine Diode (D 2) und ein Kondensator (C 1) in Reihe geschaltet;
- g) die Diode (D 2) ist so gepolt, daß beim Anliegen einer Spannung an den Ausgangsklemmen des Gleichrichters der Kon densator (C 1) aufgeladen wird;
- h) eine Leuchtdiode (D 3) ist der Diode (D 2) antiparallel ge schaltet;
- i) die Leuchtdiode (D 3) ist über einen Phototransistor (T 1) optisch mit dem Eingang der Abschaltstufe gekoppelt; und
- j) der Kondensator (C 1) ist so bemessen, daß beim Auftreten eines Überschlages durch Entladen des Kondensators (C 1) ein Stromfluß durch die Leuchtdiode (D 3) bewirkt wird und die Leuchtdiode (D 3) Licht emittiert.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß ein hochohmiger Wider
stand (R 1) parallel zur Diode (D 2) geschaltet ist.
3. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Leuchtdiode (D 3) und der Fototransistor (T 1) als Opto
koppler ausgebildet sind.
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß an
die beiden Ausgangsklemmen des Gleichrichters ein Poten
tiometer (R 2) mit seinen festen Abgriffen angeschlossen
ist und der variable Abgriff des Potentiometers (R 2) zu
sammen mit einem seiner festen Abgriffe an eine Regelein
richtung der Zonenschmelzanlage angeschlossen ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792929119 DE2929119A1 (de) | 1979-07-18 | 1979-07-18 | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von silicium durch tiegelfreies zonenschmelzen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792929119 DE2929119A1 (de) | 1979-07-18 | 1979-07-18 | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von silicium durch tiegelfreies zonenschmelzen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2929119A1 DE2929119A1 (de) | 1981-02-05 |
DE2929119C2 true DE2929119C2 (de) | 1989-08-24 |
Family
ID=6076081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792929119 Granted DE2929119A1 (de) | 1979-07-18 | 1979-07-18 | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von silicium durch tiegelfreies zonenschmelzen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2929119A1 (de) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2204441A1 (de) * | 1972-01-31 | 1973-08-09 | Siemens Ag | Ueberschlagsabschaltautomatik fuer ziehmaschinen |
DE2637939C3 (de) * | 1976-08-23 | 1979-07-26 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung für das tiegelfreie Zonenschmelzen von Halbleiterstäben |
-
1979
- 1979-07-18 DE DE19792929119 patent/DE2929119A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2929119A1 (de) | 1981-02-05 |
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