DE2202912C3 - Horizontalablenkschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Horizontalablenkschaltung für Fernsehempfänger oder dergleichen, insbesondere eine solid-state-Horizontalablenkschaltung mit einem Hochspannungserzeugerkreis und einem Gategesteuerten Schaltelement zur Zuführung eines Ablenkstromes zu einer Horizontalablenkspule.

Bei Aufbau einer Horizontalablenkschaltung zur Verwendung in Fernsehempfängern oder dergleichen in solid-state-Ausführung muß ein in der Horizontalausgangsstufe verwendetes Element, d. h. ein Schaltelement, das einen Sägezahnablenkstrom erzeugt und einer HorizontalablerJtspule zuführt, eine hohe Spannung und einen hohen Strom aushalten. Zu diesem Zweck wird überlicherweise ein speziell ausgewählter, teuerer Transistor mit großer Sperrspannung und hoher Strombelastbarkeit verwendet Um einen solchen teueren Transistor zu vermeiden, wurde bereits vorgeschlagen, einen billigeren Thyristor zu verwenden, beispielsweise ein Halbleiterelement, das als GCS (Gate-gesteuerter Schalter) bezeichnet wird. Dieses GCS wird gelegentlich auch GTO (Gate-Abschalter) bezeichnet Das GCS enthält eine erste T-Typ-Halbleiterschicht, eine erste N-Typ-Halbleiterschicht, eine zweite P-Typ-Halbleiterschicht und elsie zweite N-Typ-Halbleiterschicht; die erste P-Typ-Schicht dient als Anode, die zweite N-Typ-Schicht als Kathode und die zweite P-Typ-Schicht als Gate. Der Gate-Strom wird zwischen Gate und Kathode zugeführt und steuert die Leitfähigkeit zwischen Anode und Kathode. Ist das Schaltelement durch den Gate-Strom zwischen Gate und Kathode einmal leitend gemacht oder gesperrt, so bleibt es im leitenden bzw. gesperrten Zustand selbst ohne weitere Zuführung des Gate-Stromes; das Schaltelement kann daher eine Schaltfunktion mit geringer Leistung erfüllen und eignet sich als Schaltelement für den Horizontalablenkkreis. Ein durch die Funktion des Schaltelementes des Horizontalablenkkreises erzeugter Horizontalablenkimpuls wird durch einen Rücklauftransformator verstärkt, gleichgerichtet und dann als Hochspannungsimpuls einer Kathodenstrahlröhre zugeführt. Die Nachteile der bekannten Horizontalablenkkreise unter Verwendung eines solchen Thyristors liegen jedoch in der komplizierten Schaltung zur Betätigung des Thyristors, in der Beeinträchtigung des Horizontalablenkstromes usw.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, unter Vermeidung dieser Nachteile eine Horizontalablenkschaltung zu entwickeln, die sich durch einen

hi wesentlich vereinfachten Aufbau und die Erzeugung eines Horizontaltablenkstromes hoher Qualität auszeichnet. Die Erfindung geht aus von einer Horizontalablenk-

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schaltung mit einem Hochspannungsgeneratorkreis, enthaltend:

a) Ein Halbleiterschaltelement mit einer ersten, zweiten und dritten Elektrode, wobei die erste Elektrode an einen Rücklauftransformator angeschlossen ist, der auf der Ausgangsseite eine Hochspannung erzeugt und wobei das Halbleiterschaltelement während des durch ein der zweiten Elektrode zugeführtes Signal bewirkten leitenden Schaltzustai.des einen Strom von der ersten zur dritten Elektrode fließen läßt

b) ein Gate-gesteuertes Schaltelement mit einer ersten, zweiten und dritten Elektrode, wobei die erste Elektrode an eine Horizontalablenkspule angeschlossen ist, die die Horizontalstrahlabtastung bewirkt und wobei das Gate-gestouerte Schaltelement während des durch ein der zweiten Elektrode zugeführtes Signal bewirkten leitenden Schaltzustandes einen Strom von der ersten zur zweiten Elektrode fließen läßt,

c) sowie eine Treibersignalquelle, die an die zweite Elektrode des Halbleiterschaltelementes angeschlossen ist und ihr ein Treibersignal zufüirrt.

Die erfindungsgemäße Horizontalablenkschaltung ist gekennzeichnet durch

d) die Reihenschaltung einer ersten und zweiten Diode gleicher Polarität, die an die dritte Elektrode des Halbleiterschaltelementes angeschlossen ist,

e) sowie Kopplungselemente zum Anschluß der zweiten Elektrode des Gate-gesteuerten Schaltelementes an den Verbindungspunkt der ersten und zweiten Diode.

Einige Ausführungsbeispiele sind in der Zeichnung veranschaulicht. Es zeigt

F i g. 1 das Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispieles einer erfindungsgemäßen Horizontalablenkschaltung,

F i g. 2 Diagramme zur Erläuterung der Funktion der Schaltung geraäß Fig. 1,

Fig.3 und 4 Schaltbilder von zwei weiteren Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Horizontalablenkschaltung,

F i g. 5 Diagramme zur Erläuterung der Funktion der Schaltung gemäß F i g. 4,

F i g. 6 ein Schaltbild eines weiterer· Ausführungsbeispieles.

Anhand von F i g. 1 sei eine erfindungsgemäße Horizontalablenkschaltung im einzelnen erläutert. Ein Treibertransistor 1 wird mit einem Rechtecksignal gespeist, das von einer (nicht dargestellten) Horizontaloszillatorschaltung erzeugt wird und mit einem Horizontalsynchronisierignal synchronisiert ist. Ein Transformator 2 enthält Primär-, Sekundär- und Tertiärwicklungen 'Sa, 3b, Zc. Die Schaltung enthält ferner einen Hochspannungsgeneratorkreis 4, einen Rücklauftransformator 5 des Kreises 4 mit Primärwicklung 6a und Sekundärwicklung 6b, ein Schaltelement 7 (beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ein GCS), eine eo Dämpfungsdiode 8 und einen Kondensator 9, ein Gleichrichterelement 10 und eine Kathodenstrahlröhre 11. Die Sekundärwicklung 3£>des Treibertransformators 2 liegt über eine Parallelschaltung 25, enthaltend einen Kondensator 24 und einen Widerstand 23, an Masse. b5 Eine Horizontalablenk-Stromerzeugerschaltung 12 enthält einen Horizontalablenktransformator 14 (Drosselspule), eine Horizontalatlenkspule 14 und einen in Reihe hiermit geschaltteten Kondensator 15, Weiterhin sind vorgesehen eine Dämpferdiode 16, ein Kondensator 17, ein GCS18 sowie Gleichspannungsquellen 19,20.

Erfindungsgemäß sind die erste und zweite Diode 21, 22 in gleicher Richtung wie das GCS 7 zwischen die Kathode des Schaltelementes (beim Ausführungsbeispiel der F i g. 1 des GCS 7) und Masse geschaltet; die Sekundärwicklung 3b des Transformators 2 ist mit einem Ende an das Gate des GCS 7 angeschlossen und liegt am anderen Ende über eine Parallelschaltung 25, enthaltend einen Widerstand 23 und einen Kondensator 24, an Masse. Die Tertiärwicklung 3c ist mit einem Ende an den Verbindungspunkt der Dioden 21, 22 über eine Parallelschaltung 28, enthaltend einen Widerstand 26 und einen Kondensator 27, angeschlossen; das andere Ende ist mit dem Gate des GCS 18 verbunden. Die Sekundär und Tertiärwicklungen 3b, 3cdes Transformators 2 liefern Signale entgegengesetzter Polaritäten; die schwarzen Punkte kennzeichnen diejenigen Enden der Primär-, Sekundär- und Tertiärwicklung 3a, 3b und 3c des Transformators 2, die dieselbe Polarität besitzen.

Wird bei dieser Schaltung eine Recvtteckspannung S> (vgL F i g. 2A) über den Transistor 1 der Primärwicklung 3a des Transformators 2 zugeführt, so erhält man an der Sekundär- und Tertiärwicklung 3b, 3c Rechteckspannungen S₂ bzw. Sj (vgl. Fig.2B und 2C). Steigt die Spannung S₂ im Zeitpunkt fi an, so fließt in einem mit P₀ gekennzeichneten Stromkreis ein Gate-Strom i₀ der GCS 7 und 18 (vgl. F i g. 2D); dadurch werden die GCS 7 und 18 leitend gemacht, so daß Anoden«tröme /i und I₂ (Ströme zwischen Anoden und Kathoden) der GCS 7 und 18 (vgl. Fig.2E und 2F) vom Zeitpunkt f₍ bis zum Zeitpunkt h fließen (positive Halbwelle der Spannung S₂). Die Wellenform des Stromes I₂ entspricht der eines Stromes durch die Horizontalablenkspule 14 des Horizontalablenk-Stromgeneratorkreises 12. Beim Anstieg der Rechteckspannung S₂ will der Gate-Strom <b durch die Diode 22 fließen; die in der Tertiärwicklung 3c induzierte Spannung S3 ist jedoch in ihrer Richtung der Spannung S₂ in der Sekundärspule 3b entgegengesetzt; sie liegt über Gate und Kathode des GCS 18 an der Diode 22 und hält diese unter entgegengesetzter Vorspannung und damit im nicht leitenden Zustand. Demgemäß fließt der genannte Gate-Strom h nicht über die Diode 22; die in der Wicklung 3b induzierte Spannung S₂ spannt das GCS in Durchlaßrichtung zwischen Gate und Kathode vor und bringt es damit in den leitenden Schaltzustand. Die in den Wicklungen 3c und 3h induzierten Spannungen Sz und S₂ sind einander überlagert und spannen das GCS 18 zwischen Gate und Kathode in Durchlaßrichtung vor, so daß es leitend ist. Da der Gate-Strom i, und der Anodenstrom A des GCS 7 in dem erwähnten Stromkreis fließen und den Kondensator 27 aufladen, steigt das Anodenpotential der Diode 22 allmählich an und spannt die Diode 22 in Durchlaßrichtung vor, so daß sie leitend ist; ein Teil des Gate-Stromes k> und beinahe der gesamte Gate-Strom /1 des GCS 7, der sich allmählich vergrößert, da es sich um eine Sägezahnwelle handelt, fließt über die Diode 22. Die Diode 22 spie^?'. also eine wesentliche Rolle, indem sie einen Stromweg bildet, der verhindert, daß der Anodenstrom des GCS 7, mit Ausnahme des Anstieges, in das GCS 18 fließt.

Wenn die Rechteckspannung S\ im Zeitpunkt /2 abfällt, sinkt auch die Spannung S₂ ab, und ein Gate-Strom k' fließe im Stromkreis P₀ in entgegengesetzter Richtung zum Gate-Strom k> während einer Zeitdauer, in der die sogenannten Erholungsströme der

Dioden 21,22, fließen, wodurch die GCS 7 und 18 in den nichtleitenden Schaltzustand geführt werden, wodurch die Anodenströme h und h der GCS 7 und 18 unterbrochen werden. In diesem Falle wird der Wert Ec der in der Tertiärwicklung 3c erzeugten Spannung S> kleiner als der Wert V\ der Zündspannung zwischen Gate und Kathode des GCS 18 gewählt (Ec < V₁); die Summe des Wertes Eb der Spannung Si an der Sekundärwicklung 36 und der erwähnten Spannung Ec wird größer als die Summe des Wertes V₂ der Zündspannung zwischen Gate und Kathode des GCS 7 und der erwähnten Spannung V\ gewählt, also: Eb+Ec > Vi + V₂. Unter diesen Bedingungen wird der Gate-Strom den GCS 7 und 18 während der Zeitdauer des Flicßens des erwähnten Erholungsstromes züge- ΐί führt. Die Dioden 21 und 22 werden somit im Zeitpunkt h entgegengesetzt vorgespannt, wenn die Rechteckspannung S; abfällt; der Erholungsstrom der Dioden 21, 22 fließt als Gate-Strom /b' für das GCS 7 von der Diode 22 zum Widerstand 23 über die Diode 21, Kathode und Gate von GCS 7 und Sekundärwicklung 3b des Transformators 2, so daß das GCS 7 etwa im Zeitpunkt f2 nichtleitend gemacht wird. Zu diesem Zeitpunkt fließt kein Strom von der Kathode des GCS 18 zur Diode 21 über das Gate von GCS 18, die Wicklung 3c und den Widerstand 26 aufgrund der oben erwähnten Beziehung EC < V₁. Der in Durchlaßrichtung durch die Diode 22 fließende Strom (wenn die GCS 7 und 18 leitend sind) ist jedoch kleiner als der Durchlaßstrom in der Diode 21, so daß die Zeitdauer für den Erholungsstrom der Diode 22 kürzer als die Zeitspanne für den Erholungsstrom der Diode 21 ist. Der in entgegengesetzter Richtung in der Diode 22 fließende Strom endet daher im Zeitpunkt Ji. wonach der Erholungsstrom der Diode 21 als Gate-Strom /0" (Fig. 2F) durch den Stromkreis P₀ des Stromes i„ fließt, so daß das GCS 18 praktisch im Zeitpunkt t\ aufgrund der obigen Beziehung Eb+Ec > V, + V₂ gemacht wird. Der Erholungsstrom der Diode 21 hört im Zeitpunkt η auf.

Nach einem Zeitpunkt r, fließt in der Ablenkspule 14 über die Dämpferdiode 16 ein Strom I, (vgl. Fi g. 2H); im Zeitpunkt i_b steigt die Spannung S\ an und es witruci !wien sii_ii iiici nach uifsciben Vorgänge wie u'ucii beschrieben, so daß die Ablenkspule 14 mit einem Strom /4 (Fig. 21) gespeist wird. Die Primärwicklung 6a des Rücklauftransformators 5 des Hochspannungsgeneratorkreises 4 wird mit einer Impulsspannung durch die Einschalt-Ausschalt-Funktion des GCS 7 gespeist; dieser Impuls wird durch die Sekundärwicklung 6b verstärkt und durch die Diode 10 gleichgerichtet, so daß sich ein Hochspannungsimpuls ergibt, der der Anode der Kathodenstrahlröhre 11 zugeführt wird.

Fig. 3 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei gleiche Elemente wie in F i g. 1 mit denselben Bezugszeichen versehen sind; das GCS 7 des Hochspannungsgeneratorkreises 4 ist durch einen Transistor 31 ersetzt. Der Transistor 31 wird durch die in der Sekundärwicklung 3b des Treibertransformators 2 erzeugte Rechteckspannung S2 leitend gemacht und gesperrt; das GCS 18 wird dagegen wie im Falle der F i g. t durch den Erholungsstrom der Diode 21 nichtleitend gemacht. Die übrigen Funktionen sind die gleichen wie beim Ausführungsbeispiel der Fig.3, so daß sich eine gesonderte Beschreibung erübrigt. Zwischen Basis und Emitter des Transistors 21 ist eine Diode 29 geschaltet, die einen Durchschlag des Transistors 31 beim Hießen seines Erholungsstromes verhindert; diese Diode ist jedojh nicht stets erforder

Da erfindungsgemäß die Ausgangsströme der Sekundärund Tertiärwicklung 3b, 3c des Transformators 2 einander überlagert sind und den Steuerelektroden des Schaltelementes 7 und des GCS 18 zugeführt werden (da also der Gate-Stromweg wie oben beschrieben besteht), können die GCS 18 und 7 zuverlässig ein- urtd ausgeschaltet werden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Parallelschaltung 28 zwischen dem Verbindungspunkt der Dioden 21, 22 und der Tertiärwicklung 3c vorgesehen; sie kann jedoch auch zwischen dem Gate von GCS 18 und der Tertiärwicklung 3t angeordnet werden.

Beim Ausführungsbeispiel der Fig. I ist der Verbindungspunkt zwischen der Horizontalablenkspule 14 und dem Kondensator 15 über den Kondensator 30 an den Verbindungspunkt der Sekundärwicklung 36 und der Parallelschaltung 25 angeschlossen. Bei einer solchen Schaltung wird eine am Verbindungspunkt der Horizontalablenkspulc 14 und des Kondensators 15 erzeugte parabolische Spannung dem Verbindungspunkt der Sekundärwicklung 3b und des Parallelkreises 25 zugeführt, was das Ein- und Ausschalten des GCS Ί erleichtert. Das Gate-Potential von GCS 7 wird nämlich im Zeitpunkt, wo GCS 7 leitend wird, angehoben und irr Zeitpunkt der Sperrung abgesenkt.

Fig. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Tertiärwicklung 3c des Treibertransformators 2 wird hier nicht verwendet. Der Verbindungspunkt der Dioden 21, 22 ist unmittelbar über die Parallelschaltung des Widerstandes 26 und des Konden sators 27 an das Gate von GCS 18 angeschlossen. Die Kathode der Diode 22 liegt über einen Widerstand 32 ar Masse. Auch bei dieser Schaltung sind die Ein- und Ausschaltfunktion und die sonstigen Funktionen der GCS 7 und 18 im wesentlichen dieselben wie beirr Ausführungsbeispiel der Fig. I und 2. Ein Unterschiec besteht jedoch darin, daß der Gate-Strom der GCS 7 und 18 und der Anodenstrom des GCS 7 nach Durchsetzen der Diode 21 aufgeteilt werden auf einer zur Diode 22 und zum Widerstand 32 führender Stromweg und einen zum Gate von GCS 18 über die

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sators 27 führenden Stromweg. Der Wert de; Widerstandes 32 wird so groß gewählt, daß eir ausreichender Gate-Strom des GCS 18 fließt, um da< GCS 18 leitend zu machen.

Die Funktion dieses Ausführungsbeispieles ist irr einzelnen folgendermaßen: Eine Rechteckspannung 5 (Fig. 5A) wird der Primärwicklung 3a des Treibertrans formators 2 zugefügt, so daß eine Rechteckspannnng S (Fig. 5B) in der Sekundärwicklung 3b induziert wird Vom Zeitpunkt /1 des Anstiegs der Rechteckspannunf S₂ fließt ein Gate-Strom h (Fig.5C) zum GCS 7 ir einem Stromkreis von der Sekundärwicklung 36 übei das Gate von GCS 7, seine Kathode, die Diode 21. di« Diode 22, den Widerstand 32 und die Parallelschaltung 25 des Widerstandes 23 und des Kondensators 24 zurück zur Sekundärwicklung 3b. Der Gate-Strom i fließt auch teilweise über das Gate und die Kathode vor GCS 18. Infolgedessen wird das GCS 7 im Zeitpunkt t leitend gemacht Ist GCS 7 leitend, so wird dei Anodenstrom /_t des GCS 7 (vgl. Fig.5D) von GCS Ί aufgeteilt auf die Dioden 21 und 22 und das Gate und di< Kathode von GCS 18 über die Parallelschaltung 28 de; Widerstandes 26 und des Kondensators 27. Infolgedes sen sind einander überlagert ein Gate-Strom / (F i g. 5E), ein Teil des Gate-Stromes /Ί und ein Teil de:

Anodenstromes /Ί von GCS 18; sie fließen über Gate und Kathode von GCS 18 und machen es im Zeitpunkt fi leitend; dadurch fließt ein Anodenstrom I₂ des GCS 18 (F i g. 5F). Dieser Anodenstrom I₂ wird der Ablenkspule 14 zugeführt. Der Wert des Gate-Stromes h von GCS 18 ist in diesem Falle mit Hilfe der Widerstände 32 und 26 geeignet gewählt. Der Gate-Strom k wird ferner durch den Y,i ndensator 27 so gesteuert, daß er sich bei einer Vergrößerung des Anodenstromes l\ von GCS 7 nicht unnötig vergrößert.

Wenn im Zeitpunkt h die Rechtecksfjannung Si abfällt, wird die Rechteckspannung S₂ negativ und der Gate-Strom /Ί unterbrochen; gleichzeitig werden die Dioden 21, 22 entgegengesetzt vorgespannt, so daß die Erholungsströme der Dioden 21, 22 als Gate-Strom /Γ von GCS 7 über den Widerstand 32, die Dioden 22 und 21, Kathode und Gate von GCS 7, Sekundärwicklung 3b und Parallelschaltung 25 von Widerstand 23 und Kondensator 24 Hießen, so daß das GCS 7 In Ηρπ nichtleitenden Zustand geführt wird. Der Anodenstrom /ι von GCS 7 hört daher im Zeitpunkt h auf. In diesem Falle ist der in Durchlaßrichtung fließende Strom in der Diode 22 vom Zeitpunkt fi bis zum Zeitpunkt t₂ kleiner als der der Diode 21. und zwar um den Betrag des Gate-Stromes i₂ von GCS 18; infolgedessen ist die Zeit, in der der Erholungsstrom der Diode 22 fließt, kleiner als die entsprechende Zeit der Diode 21. Während daher der Erholungsstrom der Diode 21 noch fließt, hört der der Diode 22 im Zeitpunkt h bereits auf; der Erholungsstrom der Diode 21 fließt dann als Gate-Stre.:i ti von GCS 18 über Kathode und Gate von GCS 18, die Parallelschaltung 28 des Widerstandes 26 und des Kondensators 27, die Diode 21 und das GCS 7, so daß GCS 18 gesperrt wird. Der Anodenstrom I₂ von GCS 18 hört daher etwa im Zeitpunkt h auf. Der Erholungsstrom der Diode 21 fällt im Zeitpunkt f4 weg. Ein Dämpferstrom h (F i g. 5G) fließt daher vom Zeitpunkt h an, so daß die Ablenkspule 14 mit einem Horizontalablenkstrom /gemäß F i g. 5H versorgt wird. Der Primärwicklung des Rücklauftransformators 5 wird ferner ein Impuls vorbestimmter Breite zugeführt, der erzeuet wird, wenn der Anodenstrom /ι von GCS 7 aufhört; der Impuls wird nach Verstärkung von der Sekundärwicklung des Rücklauftransformators 5 abgenommen und gleichgerichtet, so daß sich ein Hochspannungsimpuls ergibt. Dann steigt die Rechteckspannung Si im Zeitpunkt k wieder an, woraufhin sich die geschilderten Vorgänge wiederholen.

Fig.6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, das den Transistor 31 anstelle des GCS 7 der F i g. 4 verwendet (ebenso wie gemäß F i g. 3); auch die

ίο Funktion ist entsprechend dem Ausführungsbeispiel der F i g. 3. In diesem Falle fließen jedoch die Erholungsströme der Dioden 21, 22 nicht über den Transistor 31, sondern über den Kurzschluß 33.

Wie oben erläutert wurde, ist erfindungsgemäß die

ii Reihenschaltung von zwei Dioden an die Kathode beispielsweise eines GCS angeschlossen, das als erstes Schaltelement eines Hochspannungs-Generatorkreises dient, wobei ein GCS, das ein zweites Schaltelement eines Stromkreises zur Zuführung eines Horizontalablenkstromes bildet, mit der Reihenschaltung verbunden ist; die .Schaltfunktion beider Schaltelemente wird durch eine Spannung gesteuert, die von der Sekundärwicklung eines Treibertransformators abgenommen wird. Erfindungsgemäß ist also die Reihenschaltung zur Kopplung

>> der beiden Schaltelemente im Stromkreis der Sekundärwicklung des Treibertransformators vorgesehen, so daß sich eine einfache Gesamtschaltung ergibt. Da ferner die beiden Schaltelemente, von denen wenigstens eines ein GCS ist, nur durch die in der Sekundärwicklung

w induzierte Spannung gesteuert werden, besitzt die erfindungsgemäße Horizontalablenkschaltung einen geringen Leistungsverbrauch und zeichnet sich daher durch besondere Wirtschaftlichkeit aus.

In den Anodenstromkreis des GCS, das als Schaltele-

>i ment dient und in der Schaltung zur Zuführung des Horizontalablenkstromes verwendet wird, wird ferner kein Element mit nichtlinearer Charakteristik, wie Transistor, Diode oder dgl, eingefügt; die Linearität des in der Ablenkspule fließenden Horizontalablenkstromes

wird daher überhaupt nicht beeinträchtigt, und man erzielt einen Horizontalablenkstrom hoher Qualität.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

Patentansprüche;

1. Horizontalablenkschaltung mit einem Hochspannungsgeneratorkreis, enthaltend;

a) Ein Halbleiterschaltelement mit einer ersten, zweiten und dritten Elektrode, wobei die erste Elektrode an einen Rücklauftransformator angeschlossen ist, der auf der Ausgangsseite eine Hochspannung erzeugt und wobei das Halbleiterschaltelement während des durch ein der zweiten Elektrode zugeführtes Signal bewirkten leitenden Schaltzustandes einen Strom von der ersten zur dritten Elektrode fließen läßt,

b) ein Gate-gesteuertes Schaltelement mit einer ersten, zweiten und dritten Elektrode, wobei die erste Elektrode an eine Horizontalablenkspule angeschlossen ist, die die Horizontalstrahlabtastung bewirkt und wobei das Gate-gesteuerte Schaltelement während des durch ein der zweiten pfcktrode zugeführtes Signal bewirkten leitenden Schaltzustandes einen Strom von der ersten zur zweiten Elektrode fließen läßt,

c) sowie eine Treibersignalquelle, die an die zweite Elektrode des Halbleiterschaltelementes angeschlossen ist und ihr ein Treibersignal zuführt,

gekennzeichnet durch

d) die Reihenschaltung einer ersten und zweiten Diode gleicher Polarität, die an die dritte Elektrode des Halbleiterschaltelementes angeschlossen kl,

e) sowie Kopplungselpmente 'um Anschluß der zweiten Elektrode des Gate-gesteuerten Schaltelementes an den Verbindungspunkt der ersten und zweiten Diode.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Elektrode des Gate-gesteuerten Schaltelementes direkt mit Masse verbunden ist.

3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ende der Reihenschaltung der Dioden mit der dritten Elektrode des Halbleiterschaltelementes verbunden und das andere Ende über einen Widerstand an Masse geschaltet ist.

4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungselemente aus der Parallelschaltung eines Kondensators und eines Widerstandes bestehen.

5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterschaltelement durch ein weiteres Gate-gesteuertes Schaltelement gebildet wird, dessen Gate mit der Treibersignalquelle verbunden ist.

6. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterschaltelement durch einen Transistor gebildet wird, dessen Basis und Emitter an die Treibersignalquelle angeschlossen sind.

7. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungselemente eine zusätzliche Signalquelle enthalten.

8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungselemente die Parallelschaltung eines Kondensators und eines in Reihe mit der zusätzlichen Signalquelle liegenden Widerstandes enthalten.

9, Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibersignalquelle und die zusätzliche Signalquelle durch einen Treibertransformator mit mehreren Windungen gebildet werden,

10, Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterschaltelement durch ein weiteres Gate-gesteuertes Schaltelement gebildet wird.

11, Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterschaltelement durch einen Transistor gebildet wird, der zwischen Basis und Emitter einen Stromweg aufweist