DE2161472A1 - Verfahren für den Einsatz von Stickstoffin einem Kernbildungsprozess zur chemischen Aufdampfung von polykristallinem Silicium aus SiCl tief 4 - Google Patents

Verfahren für den Einsatz von Stickstoffin einem Kernbildungsprozess zur chemischen Aufdampfung von polykristallinem Silicium aus SiCl tief 4

Info

Publication number
DE2161472A1
DE2161472A1 DE19712161472 DE2161472A DE2161472A1 DE 2161472 A1 DE2161472 A1 DE 2161472A1 DE 19712161472 DE19712161472 DE 19712161472 DE 2161472 A DE2161472 A DE 2161472A DE 2161472 A1 DE2161472 A1 DE 2161472A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
nitrogen
flow
hydrogen
polycrystalline silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19712161472
Other languages
English (en)
Other versions
DE2161472C3 (de
DE2161472B2 (de
Inventor
James Brian Phoenix; Roman William Clair Tempe; Ariz. Price (V.St.A.). M COIb 11-06
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of DE2161472A1 publication Critical patent/DE2161472A1/de
Publication of DE2161472B2 publication Critical patent/DE2161472B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2161472C3 publication Critical patent/DE2161472C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/043—Dual dielectric
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/114—Nitrides of silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/118—Oxide films
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/122—Polycrystalline

Description

PATENTANWALT
8 MÜNCHEN 71,
Melchiorstraße 42
Mein Zeichen: M25 3P-6 95
Motorola, Inc. 9401 West Grand Avenue Franklin Park, Illinois V.St.A.
Verfahren für den Einsatz von Stickstoff in einem Kernbildungsprozess zur chemischen Aufdampfung von polykristallinem Silizium
aus SiCl1,
Die Erfindung betrifft ein Verfahren für ein kompatibles Aufwachsen einer Siliziumdioxyd-Schicht mit einer darüberliegenden polykristallinen Schicht.
In früher angewandten Verfahren wird Silan Si£L als Material zur Einleitung der Kernbildung verwendet. Eine dünne Schicht von weniger als einem Mikron eines polykristallinen Siliziums wächst bei einer Temperatur auf, die sich in den Grenzen zwischen 900 C und 10000C bewegt. Anschließend wird das System mit Wasserstoff gereinigt, bevor der eigentliche SiCl -Fluß bei einer höheren Temperatur eingeleitet wird.
Demgegenüber weist dieses Verfahren jedoch einige Nachteile :■>. i [i';chl leßLich der Tatsache auf, daß es schwieriger ausführbar lye, d-j. sowohl S L lan Si.Hu als auch Siliziumtetrachlorid SiCl1 als
Vib/v/b
209827/1025
M253P-695
zwei Silizium-Quellen verwendet werden. Das Silan SiEL leitet ein übermäßiges Aufwachsen polykristallinen Siliziums auf der Rückseite der Siliziumscheibe im Gegensatz zu dem Aufwachsen ein, das bei Verwendung von Silxziumtetrachlorxd an der Rückseite auftritt. Darüber hinaus führt das Silan zu einer stärkeren polykristallinen Kernbildung sowohl auf dem Rohr des Ofens als auch auf dem für das Verfahren verwendeten Scheibenträgers und verkürzt somit die Lebensdauer dieser beiden Komponenten. Durch dieses Wachstum am Rohr des Ofens wird ebenfalls die Festlegung der Verfahrens -Endtemperatur bei Einsatz des mit zwei Temperaturen und zwei Gasen arbeitenden Verfahrens schwieriger, da das Silan ein polykristallines Aufwachsen an den Wandungen des Rohres des Ofens und Beobachtungsfenstern an diesen Wandungen hervorruft, wobei ein Pyrometer verwendet wird, um die zweite, innerhalb des Verfahrens verwendete Temperatur einstellen zu können.
Bei einem weiteren Verfahren zur Bildung einer polykristallinen Schicht wird als Quellgas Trichlorsilan SiHCl,, verwendet. Die Arbeitstemperatur liegt hier zwischen 9000C und 12000C. Obwohl in diesem Falle mit nur einem Gas und einem Quellsystem gearbeitet wird, ergeben sich dennoch die folgenden beiden Nachteile. Das Trichlorsilan setzt eine wesentlich größere Menge Silizium an der Wandung des Ofens und auf der Rückseite der Scheibe ab, als dies bei dem erfindungsgemäßen Siliziumtetrachiorid der Fall ist. Außerdem bewirkt der Einsatz von Trichlorsilan eine grobkörnigere Struktur des polykristallinen Silizium im Vergleich zum Silxziumtetrachlorxd, das erfindungsgemäß mit einer Stickstoff-Kernbildung empfohlen wird.
Somit bezieht sich das erfindungsgemäße Verfahren auf die chemische Aufdampfung von polykristallinem Silizium auf eine dielektrische Schicht und dabei insbesondere auf eine Aufdampfung, bei der Stickstoff als kernbildendes Material verwendet wird, wobei Siliziumtetrachiorid als Quellgas eingesetzt und bei einer Temperatur zwischen 9000C und 1200°C gearbeitet wird.
In der Zielsetzung der Erfindung liegt demnach die Schaffung eines Verfahrens zur Bildung von feinkörnigen Schichten aus
BAD - 2 - pöly-rrC'-ns tal L inein
209827/ 1 025
216U72
M253P-695
polykristallinem Silizium, in denen die Korngröße unter drei Mikron liegt. Außerdem sollen diese feinkörnigen Schichten aus polykristallinem Silizium unter Verwendung von Siliziumtetrachlorid als Quellgas und Stickstoffgas als kernbildendes Element zum Aufwachsen polykristallinen Siliziums hergestellt werden, wobei mit nur einer Temperatureinsteilung während des gesamten Prozesses gearbeitet wird, die zwischen 9000C und 12000C liegt und bei der als Siliziumquelle nur ein Gas beteiligt ist. Dieses Silizium-Auf wachs en erfolgt auf einem dielektrischen Material, zu dem Stickstoff als kernbildendes Element verwendet wird. In der Zielsetzung der Erfindung liegt darüber hinaus die Schaffung eines Verfahrens für das Aufwachsen von Silizium auf einer oberen Fläche einer Halbleiterscheibe, das sich innerhalb eines Aufdampfofens vollzieht, wobei lediglich eine geringe Menge Silizium auf den Wandungen des Ofens und auf der Rückseite der Scheibe abgesetzt wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf einem Halbleiterkörper eine Siliziumdioxyd-Schicht und eine polykristalline Schicht gebildet wird und dieser Körper auf eine Temperatur zwischen 9000C und 12000C gebracht wird, daß eine Mx-Bchung aus Wasserstoff und Sauerstoff durch diesen Körper fließt, daß ein Strom von Siliziumtetrachlorid durch diesen Körper fließt bis die gewünschte Stärke von Siliziumdioxyd auf dem Körper gebildet ist, wonach der Sauerstoff- und Siliziumtetrachlorid-Fluß unterbrochen wird, daß ein Stickstoff-Fluß durch den Körper hinzutritt, daß eine Mischung aus Silxziumtetrachlorxd durch diesen Körper fließt und gleichzeitig der Wasserstoff-Fluß erhöht wird und der Stickstoff-Fluß durch den Körper nach Abschluß des Kernbildungsprozesses unterbrochen wird.
Eine besonders vorteilhafte Verwirklichung der Erfindung liegt darin, daß bei der Kernbildung des polykristallinen Siliziums .auf einer dielektrischen Schicht Stickstoffgas als Kernbildungsntittel, Wasserstoff als Trägergas und Silxziumtetrachlorxd als Si*- lizium-Quelle verwendet werden. Die chemische Aufdampfung des SiIi-
- 3 - · ziums
209827/1025
M253P-695
ziums erfolgt in einem normalen Aufdampfofen innerhalb eines Temperaturbereiches , der je nach der gewünschten Geschwindigkeit des Aufwachsens des polykristallinen Siliziums zwischen 900 C und 12000C liegt. . .
Während sich der bevorzugte Temperaturbereich zwischen 1000C und 11500C, bei einer hohen Aufwachsgeschwindigkeit einer Stärke zwischen drei und vier Mikron des polykristallinen Siliziums pro Minute, bewegt, ergibt sich eine feinkörnige, polycristalline Siliziumstruktur innerhalb des gesamten Temperaturbereiches bei geringen Aufwachsgeschwindigkeiten unter niedrigen Temperaturen, und bei höheren.Aufwachsgeschwindigkeiten unter höheren Temperaturen.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung hervor.
Ein normaler Aufdampfofen 10 enthält einen Scheibenträger 12, auf dem sich eine Vielzahl von Halbleiterscheiben I1+ mit oberen freiliegenden Flächen 16 befinden, auf denen polykristalline Siliziumschichten aufgebracht werden sollen. Das System besteht aus einer Vielzahl von Gasbehältern einschließlich einer Stickstoffquelle 18,einer Wasserstoffquelle 20, die über eine Siliziumtetrachlorid-Haftstelle 22 geführt ist, einer Sauerstoffquelle 21+ und einer zweiten Wasserstoffquelle 26, die direkt zum Aufdampfofen 10 führt. Jede Gasquelle wird über ein Ventil gesteuert, das den Gasfluß nach Wunsch unterbrechen bzw. drosseln kann. Darüber hinaus ist vorteilhafterweise auf jeder Gasleitung ein Durchflußmesser angebracht, um die Geschwindigkeit des Gasflusses bestimmen zu können.
Innerhalb eines ersten Ausführung±>eispieles des erfindungST gemäßen Verfahrens wird die Halbleiterscheibe in einen Aufdampfofen eingebracht, wonach erstmals Wasserstoff aus der Quelle 26 mit einer■Geschwindigkeit von 1000 ecm pro Sekunde und Stickstoff aus der Quelle 18 mit einer Geschwindigkeit von 3 33 cem/s durch den Ofen fließt. Der Stickstoffanteil im Wasserstoff-Fluß des Systems kann zu dieser Phase zwischen 30% und 90% Stickstoff schwanken, bei dem das Verfahren zufriedenstellend arbeitet. Anschließend wird die
- 4 - Temperatur
209827/1025
M253P-695 . f .
Temperatur» des Ofens auf einen .Wert von 1145°C gebracht und das System hat sich nunmehr zu stabilisieren, wobei für diesen Vorgang eine Zeit von fünf Minuten als ausreichend ermittelt wurde.
In der gleichen Weise kann die Temperatur des Ofens auch vor Einsetzen des Gasflusses geregelt werden, wobei jedoch diese und andere Verfahrensschritte gleicher Natur dem Fachmann bekannt sind und keine Eingrenzung des Schutzumfanges darstellen.
. Nach erfolgter Stabilisierung des Systems wird der Stickstoffgas - Zutritt unterbrochen und gleichzeitig das Siliziumtetrachlorid in das System eingebracht. Diese Menge des Siliziumtetrachlorids hängt von der Wasserstoffmenge ab, die von der Quelle 20 aus die Haftstelle 22 durchfließt. Hier handelt es sich um einen Fluß von 16 5 ecm pro Sekunde. Dieser Vorgang wird solange fortgesetzt bis sich die gewünschte Menge polykristallinen Siliziums auf den freiliegenden Flächen 16 der Scheiben 14 niedergeschlagen hat.
Durch eine Herabsetzung der Flußgeschwindigkeit der Wasserstoffquelle 20 wird auch die Aufwachsgeschwindigkeit des polykristallinen Siliziums auf den Flächen 16 verzögert.
Ein zweites Beispiel für die Verfahrensanwendung befaßt sich mit dem sequenzweisen Aufwachsen einer Siliziumdioxyd-Schicht auf einer Halbleiterscheibe, dem das Aufwachsen einer polykristallinen Silizium-Schicht folgt. Bei einem ausschließlichen Zufluß von Wasserstoff wird in diesem Beispiel der Aufdampfofen auf eine Temperatur von 1120^C aufgeheizt. Zur Bildung der Siliziumdioxydsehieht wird der Wasserstoff-Fluß auf 700 ccm/s: und der Sauerstoff-Fluß aus der Quelle 24 auf 4 ecm pro Sekunde eingestellt. Anschließend wird durch einen Wafeserstoff-Fluß von 2 ecm pro Minute aus der Quelle 20 Siliziumtetrachlorid dem System zum Aufwachsen einer SiILziumdioxydschicht von 1-10 K Angström auf den Scheiben zugesetzt. Ist der gewünschte SLLiziumdioxyd-Aufwaehsvorgang auf den Scheiben L4 abgeschlossen, so wird die Sauerstoff- und SilizLum tetrachlorid-Zufuhr LBi Wasserstoff abgetrennt, wobei daü SiI i zLumfce trachlor Ld zuerst unter br ο ehe η wird. Das von der QueLle 26 her ge L ujferte Vl au v, evr, tof f- gu:; w.i r-d von VOC) cc.ra/fj .utf 100 ccm/s pjedroijyelt und der Stick-
"^ stoff-
2098 27/1025
216U72
M253.P-695
stoff-Fluß aus der Quelle 18 auf 700 ecm pro Sekunde eingestellt. Diese Mischung fließt während einer Dauer von 3 Minuten, wonach ein Wasserstoff-Fluß von 8 ccm/s durch die Haftstelle 22 dem System Siliziumtetrachlorid zuführt.
Nach Einführung des Siliziumtetrachlorids in das System wird der Wasserstoff-Fluß aus der Quelle 26 gleichmäßig von 100 ecm pro Sekunde auf 700 ccm/s innerhalb einer Zeit von zwei Minuten erhöht. Nach diesen zwei Minuten wird der Stickstoff-Fluß unterbrochen, da der Kernbildungsprozess nunmehr abgeschlossen ist. Zum gleichen Zeitpunkt kann von der Quelle 20 her der Wasserstoff-Fluß durch die Haftstelle 22 erhöht werden, um die gewünschte Aufwachsgeschwindigkeit für das flächenweise Aufwachsen des polykristallinen Siliziums zu erreichen.
Innerhalb des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt das Aufwachsen -des polykristallinen Siliziums aus einer einzigen Siliziumquelle aus Siliziumtetrachloridj. die im Vergleich zu SiH, weniger aufwendig ist. Nur eine geringe Menge Silizium schlägt sich an den Wandungen des Aufdampfofens nieder, wobei die Gesamtdauer des Verfahrens als weitere. Kostenersparnis herabgesetzt wird. Das erfindungsgemäße System ist dafür geeignet, daß vor dem Aufwachsen von polykristallinem Silizium auf den Halbleiterkörper eine Siliziumdioxydschicht aufgebracht werden kann. Darüber hinaus ergibt sich durch den Einsatz des erfindungsgemäßen Verfahrens eine Verbundstruktur einschließlich eines unteren Halbleiterkörpers, einer dielektrischen Zwischenschicht aus Siliziumdioxyd und einer oberen Schicht aus polykristallinem Silizium. Darüber hinaus tritt eine verminderte Wärmespannung zwischen den einzelnen Schichten und ein verringertes Unterwachsen von polykristallinem Silizium auf dielektrisch isolierten Strukturen auf.
Im erstgenannten Beispiel wird der Fluß ties S ticks to ff gaset; bei Einführung des . SillzLiuatetfftchlorids unterbrochen,. da die Anwesenheit von Stickstoff nach Abschluß des Kernbilclungs-prozesses ein nicht zuf riedens teilendes Aufwachsen von Silizium zur1 F ο Lge hat, Lm zweiten Beispiel wird deu1 SiLtzLumtetrachlorLd-Fluß c.et'Lng ^e- * hciLten, während dec f'Luii des V/asserstoff-Trägergas es ,'.u dem Zweck trhöht wird, den Stickstoff-Anteil Lm Aufdampfofen gering zu halten.
- 6 - BAD OBlGlNAL Beide
M253P-695
Beide Verfahrensweisen sind darauf abgestimmt, den Stickstoff-Anteil im Ofen auf die zur Kernbildung erforderliche Menge zu beschränken, wobei der Stickstoff entfernt wird, sobald der Kernbildungsprozess einsetzt.
- Außerdem wurde, festgestellt, daß die Anwesenheit einer geringen Sauerstoffmenge im Ofen während des Aufwachsens des polykristallinen Siliziums zu einer unannehmbar grobkörnigen Struktur führt,
Es gilt als selbstverständlich, daß die beispielhaft gegebene Beschreibung der Erfindung unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen sämtliche hieraus möglichen Varianten gleichermaßen einschließt.
Zusammenfassend wird ein Verfahren für den Einsatz von Stickstoff in einem Kernbildungsprozess zur chemischen Aufdampfung von polykristallinem Silizium aus SiCl1^ beschrieben. Nach Erreichen der gewünschten Ofen-Temperatur zwischen 900 C und 12000C wird das System mit Stickstoff.und Wasserstoff gereinigt. Nach dieser Systemreinigung wird der Stickstoff-Fluß mit dem Auftreten des SiCl "-Flusses unterbrochen. Das Zusammenwirken von Stickstoff und SiCl1^ innerhalb des Systems läßt eine Kernbildung einer sehr feinkörnigen Schicht polykristalline, Siliziums entstehen.
- 7 - Patentansprüche
209827/1025

Claims (5)

  1. M253P-695
    Patentansprüche
    Verfahren für ein kompatibles Aufwachsen einer Siliziumdioxyd-Schicht mit einer darüberliegenden polykristallinen Schicht dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Halbleiterkörper (14,16) eine Siliziumdioxyd-Schicht und eine polykristalline Schicht gebildet wird und dieser Körper auf eine Temperatur zwischen 900 C und 1200 C gebracht wird, daß eine Mischung aus Wasserstoff (20) und Sauerstoff (24) durch diesen Körper fließt,
    daß ein Strom von Siliziumtetrachlorid (22) durch diesen Körper
    fließt bis die gewünschte Stärke von Siliziumdioxyd auf dem Körper gebildet ist, wonach der Sauerstoff- und Siliziumtetrachlorid-Fluß unterbrochen wird, daß ein Stickstoff-Fluß durch den Körper hinzutritt, daß eine Mischung aus Siliziumtetrachlorid durch diesen Körper fließt und gleichzeitig der Wasserstoff-Fluß erhöht
    wird und der Stickstoff-Fluß durch den Körper nach Abschluß des
    Kernbildungsprozesses unterbrochen wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumtetrachlorid-Fluß erhöht wird, um die gewünschte Aufwachsgeschwindigkeit des polykristallinen Siliziums zu erzielen.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennze ichnet, daß der Körper in einen Aufdampfofen (10) eingebracht und zur Erreichung einer bestimmten Aufwachsgeschwindigkeit auf eine Temperatur zwischen 1100°C und 11500C aufgeheizt wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Stickstoff-Anteil im Wasserstoff zwischen 30% und 90% liegt.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Stickstoff-Fluß bei Auftreten des Siliziumtetrachlorid-FluGses unterbrochen wird.
    209827/10?5
DE2161472A 1970-12-14 1971-12-10 Verfahren zum Aufwachsen einer polykristallinen Silicium-Schicht auf einer Halbleiterscheibe Expired DE2161472C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US9781170A 1970-12-14 1970-12-14

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2161472A1 true DE2161472A1 (de) 1972-06-29
DE2161472B2 DE2161472B2 (de) 1979-05-31
DE2161472C3 DE2161472C3 (de) 1980-01-17

Family

ID=22265234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2161472A Expired DE2161472C3 (de) 1970-12-14 1971-12-10 Verfahren zum Aufwachsen einer polykristallinen Silicium-Schicht auf einer Halbleiterscheibe

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3734770A (de)
DE (1) DE2161472C3 (de)
NL (1) NL7117133A (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4087571A (en) * 1971-05-28 1978-05-02 Fairchild Camera And Instrument Corporation Controlled temperature polycrystalline silicon nucleation
JPS5134263B2 (de) * 1972-03-28 1976-09-25
US4003127A (en) * 1974-11-25 1977-01-18 General Motors Corporation Polycrystalline silicon pressure transducer
DE2508802A1 (de) * 1975-02-28 1976-09-09 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von elementarem silicium
US4170667A (en) * 1977-01-31 1979-10-09 Motorola, Inc. Process for manufacturing pure polycrystalline silicon
JPS5670830A (en) * 1979-11-10 1981-06-13 Toshiba Corp Vapor growth method
US20060260626A1 (en) * 2005-01-05 2006-11-23 Philip Morris Usa Inc. Activated carbons with molecular sieve membranes and their use as adsorbents in smoking articles

Also Published As

Publication number Publication date
DE2161472C3 (de) 1980-01-17
NL7117133A (de) 1972-06-16
DE2161472B2 (de) 1979-05-31
US3734770A (en) 1973-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10123858B4 (de) Atomschicht-Abscheidungsverfahren zur Bildung einer Siliciumnitrid-haltigen Dünnschicht
DE1965258A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Epitaxialschicht
DE1086512B (de) Verfahren zum Herstellen eines gleichrichtenden UEberganges in einem Siliziumkoerper
DE2422138A1 (de) Verfahren zur herstellung von elektroden aus halbleitermaterial
DE1197058B (de) Verfahren zur Herstellung einkristalliner flacher Halbleiterkoerper
DE4415601C2 (de) Komposit-Struktur für elektronische Bauteile und Verfahren zu deren Herstellung
DE2161472A1 (de) Verfahren für den Einsatz von Stickstoffin einem Kernbildungsprozess zur chemischen Aufdampfung von polykristallinem Silicium aus SiCl tief 4
DE1544273A1 (de) Verfahren zum Eindiffundieren von aus der Gasphase dargebotenem Dotierungsmaterial in einen Halbleitergrundkristall
DE2114772A1 (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Verbindungshalbleitern aus der Dampfphase
DE1901819B2 (de) Herstellungsverfahren für polykristalline Siliciumschichten
DE3300716C2 (de)
DE3134702A1 (de) Verfahren zum ablagern eines films eines schwerschmelzbaren metalls und durch dasselbe hergestelltes produkt
DE1544287A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Silizium-oder Germaniumstickstoff-Verbindung an der Oberflaeche eines Halbleiterkristalls
DE1614455C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliciumoxid, teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers
DE2151346C3 (de) Verfahren zum Herstellung einer aus Einkristallschichtteilen und Polykristallschichtteilen bestehenden Halbleiterschicht auf einem Einkristallkörper
DE2430859A1 (de) Verfahren zum dotieren von silizium
DE4235015C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Diamantschichten
DE1614358C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Ätzmaske für die Ätzbehandlung von Halbleiterkörpern
WO2008101877A1 (de) Selektives wachstum von polykristallinem siliziumhaltigen halbleitermaterial auf siliziumhaltiger halbleiteroberfläche
DE1914090A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Ohmschen Kontakten und Leitungsfuehrungen auf Halbleitersubstraten
DE1254607B (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpoern aus der Gasphase
DE19936905A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kristalls
DE1769177C3 (de) Verfahren zum Aufbringen einer Aluminiumsilikat-Schicht auf Halbleitermaterial
DE2111961A1 (de) Verfahren zur Herstellung von hoch reinem,einkristallinem Silizium
DE2006994B2 (de) Verfahren zum dotieren eines siliciumkristalls mit bor oder phosphor

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee