DE2159685C3 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit mehreren bipolaren Transistoren oder anderen wenigstens einen PN-Übergang aufweisenden Halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit mehreren bipolaren Transistoren oder anderen wenigstens einen PN-Übergang aufweisenden Halbleiterbauelementen

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EP0296348B1 (de) * 1987-05-27 1993-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Ätzverfahren zum Erzeugen von Lochöffnungen oder Gräben in n-dotiertem Silizium

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