DE2154877B2 - Anzeigeeinrichtung mit einem Flüssigkristall-Anzeigeelement - Google Patents
Anzeigeeinrichtung mit einem Flüssigkristall-AnzeigeelementInfo
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Description
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß erfindungsgemäß die Schaltungsanordnung ein Paar
MOS-Transistoren komplementärer Schaltcharakteri-40 stik mit in Reihe geschalteten Quelle-Senke-Schalt-
Die Erfindung betrifft eine Anzeigeeinrichtung, strecken aufweist, an deren Verbindung untereinan-
insbesondere für eine Armbanduhr, mit einem Flüs- der das Anzeigeelement angeschlossen ist und für de-
sigkristall-Anzeigeelement und einer elektrischen ren Aussteuerung ein mit der ersten Spannung als
Schaltungsanordnung zur Steuerung des Anzeigeele- Betriebsspannung arbeitender C-MOS-Inverter vor-
mentes, die einen mit einer ersten Spannung aussteu- 45 gesehen ist.
erbaren Feldeffekt-Transistor umfaßt, in dessen Durch den Anschluß des Anzeigeelementes an die
Quelle-Senke-Schaltkreis eine Spannungsquelle mit Verbindung zwischen den beiden MOS-Transistoren
einer gegenüber der ersten Spannung höheren zwei- liegt das Anzeigeelement zu dem einen Transistor
ten Spannung und das Anzeigeelement in Reihe ge- parallel und zu dem anderen in Reihe. Im Einschaltschaltet
sind. 50 zustand befindet sich der in Reihe zu dem Anzeige-Soweit Flüssigkeitskristall-Anzeigeelemente bis- element geschaltete Transistor im durchgeschalteten
lang mit Hilfe von bipolaren Transistoren geschaltet Zustand, während der zum Anzeigeelement parallele
werden, macht sich die beispielsweise im Vergleich Transistor gesperrt ist. Da die Impedanz des durchzu
lichtemittierenden Dioden sehr hohe Impedanz geschalteten Transistors relativ klein ist, baut sich
dieser Flüssigkristall-Anzeigeelemente äußerst störend 55 praktisch die gesamte Spannung an den Anschlußbemerkbar.
So liegt ein solcher Impedanzwert bei- klemmen des Anzeigeelementes auf. Im Ausschaltzuspielsweise
in der Größenordnung von 500 bis 1000 stand ist der in Reihe zu dem Anzeigeelement lie-MOhm,
er erreicht damit Größenordnungen, die der gende Transistor gesperrt, während der parallel zum
Steuerimpedanz eines bipolaren Transistors gleich- Anzeigeelement geschaltete Transistor leitend ist.
kommen bzw. diesen übersteigen. Im Abschaltzu- 60 Das Anzeigeelement wird demnach durch den relativ
stand baut sich somit eine so hohe Spannung an dem geringen Impedanzwert des parallelliegenden durch-Anzeigeelement
auf, daß dieses mehr oder weniger geschalteten Tranistors praktisch kurzgeschlossen, so
schwach nachleuchtet, wenn der bipolare Schalttran- daß sich an seinen Klemmen keine nennenswerte
sistor ausgeschaltet wird. Parallelgeschaltete Wider- Spannung aufbauen kann.
stände, mit denen diese Erscheinung abgebaut wer- 65 Die MOS-Transistoren, zu deren Betrieb keinerlei
den könnte, belasten den Energiehaushalt der Uhr in passive Schaltelemente erforderlich sind, lassen sich
unannehmbarer Weise. Weiterhin behindert ein sol- ohne Schwierigkeiten in integrierter Schaltkreistech-
cher Widerstand die Ausführung der Schaltungsan- nik ausführen. Auf diese Weise erhält man eine spar-
same und sehr gedrungene Bauweise, die den Einsatz sistor durch ein Eingangssignal positiver Polarität
des Anzeigeelementes auch bei sehr kleinen Uhren eingeschaltet, so wird das Flüssigkristall-Anzeigeelegestattet,
obwohl die Zahl der erfindungsgemäß vor- ment 4 erregt und der P-MOS-Transistor 6 wird abgesehenen
Schaltfunktionen größer isi. geschaltet, so daß der Energieverbrauch der Anzeige-
Flüssigkristall-Anzeigeelemento benötigen eine s einrichtung gering gehalten werden kann. Der
Aussteuerspannung, die wesentlich größer ist als die P-MOS-Transistor 6 wird eingeschaltet, sobald das
Spannung, mit der insbesondere MOS-transistori- Steuerpotential etwa 0 Volt beträgt. Im Einschaltzusierte
Schaltkreise, wie sie für die Aufbereitung stand bildet sich dadurch für das Anzeigeelement 4
der Anzeigesignale in dieser oder jener Form erfor- ein Kurzschlußkreis, wobei der N-MOS-Transistor S
derlich sind, auskommen. Im Sinne der angestrebten io abgeschaltet ist. Bei diesem Schaltzustand ist das AnRaum-
und Energieersparnis werden daher nur die zeigeelement 4 daher nicht erregt. Es ist relativ einunmittelbar
der Aussteuerung des Anzeigeelementes fach, einen integrierten Schaltkreis mit komplemendienenden
Transistoren für die hohe Betriebsspan- tären MOS-Transistoren für den Antrieb des Flüssignung
des Anzeigeelementes ausgelegt, während die kristall-Anzeigeelementes herzustellen. Dadurch wird
übrigen Schaltkreise und die Transistoren, die die 15 es möglich, Armbanduhren bzw. Anzeigeelemente
Anzeigesignale an die Aussteuertransistoren weiter- mit sehr niedrigem Energieverbrauch zur Verfugung
geben, mit der niedrigen Betriebsspannung arbeiten. zu stellen.
Auf diese Weise ist es möglich, die Anzeigeeinrich- Das Ausführungsbeispiel gemäß F i g. 4 eignet sich
rung im Zusammenhang mit batteriebetriebenen Ge- als Antriebsschaltkreis für die mit Flüssigkristall-Anräten
einzusetzen, und zwar insbesondere auch sol- 20 Zeigeelementen arbeitende Anzeigeeinrichtung einer
chen, bei denen aus Platzgründen nur eine Batterie Armbanduhr. Zur Steuerung des Anzeigeelementes 7
vorhanden ist, aus deren Spannung auch die höhere sind hier ein P-MOS-Transistor 8, ein N-MOS-Tran-Betriebsspannung
des Anzeigeelementes durch Her- sistor 9, ein P-MOS-Transistor 10 und ein N-MOS-auftransformieren
od. dgl. gewonnen wird; diese Transistor 11 vorgesehen, die Inverter bilden, wobei
Spannungsumformung muß dann lediglich die Lei- as sich die Transistoren jeweils komplementär symmestung
erbringen, die für den Betrieb des Anzeigeele- trisch verhalten bzw. als komplementärsymmetrimentes
und der dieses unmittelbar aussteuernden scher Metalloxidhalbleiter-Transistor (COS-MOS)
Transistoren erforderlich ist, während sämtliche an- ausgebildet sind. Die Steuer- und die Senkeelektroderen
Schaltfunktionen von der niedrigen Batterie- den aller dieser Metalloxidhalbleiter-Transistoren
spannung unmittelbar gespeist werden. 30 sind hintereinander zu gemeinsamen Steuer- und
In bevorzugter Ausführung weist die Schauungs- Senkeelektroden zusammengefaßt. Die Metalloxidanordnung
zwei mit der zweiten Spannung als Be- halbleiter-Transistoren 8 und 10 sind mit ihren Queltriebsspannung
arbeitende Inverter aus Komplemen- leelektroden an eine Energieversorgung relativ hoher
tär-Metalloxidhalbleitern auf, die jeweils mit einem Spannung zum Antrieb des Anzeigeelementes angeweiteren
MOS-Transistor zusammenarbeiten, wel- 35 schlossen. Jede der Steuerelektroden von Steuertrancher
jeweils mit einem der Invertertransistoren ver- sistoren des N-MOS-Typs 12 und 13 sind mit den
bunden ist; das einseitig an einem Pol der zweiten Eingangs- bzw. Ausgangsanschlüssen einer Inverter-Spannung
angeschaltete Anzeigeelement ist dabei an- schaltung 14 verbunden. Dieser Inverter ist an eine
dersseitig außer an die Quelle-Senke-Verbindung Energiequelle relativ geringer Spannung angeschloszwischen
den Transistoren des einen Inverters an die 40 sen. Die Spannung der Energieversorgung für eine
Gatter der Transistoren des anderen Inverters ange- Armbanduhr sollte so niedrig wie möglich sein, da
schlossen. der Raumbedarf der Armbanduhr klein gehalten
Die Erfindung wird an Hand der in der Zeichnung werden soll. Die relativ hohe Spannung zum Antrieb
wiedergegebenen Beispiele näher erläutert. Es zeigen des Betätigungselementes kann aus der relativ nied-
Fi g. 1 und 2 herkömmliche Treiberschaltkreise für 45 rigen Spannung gewonnen werden, z.B. durch Hoch-
FlüssigkristaU-Anzeigeelemente, spannen, so daß der Energieverbrauch der Armband-
F i g. 3 ein Prinzipschaltbild eines Antriebsstrom- uhr möglichst wirtschaftlich gestaltet werden kann,
kreises für ein Flüssigkristall-Anzeigeelement gemäß Die Antriebsschaltungsanordnung gemäß der vorlie-
der Erfindung, genden Erfindung ist ganz besonders deshalb vorteil-
Fig.4 ein Ausführungsbeispiel einer Schaltungs- so haft, weil die Differenz zwischen der Versorgungsanordnung gemäß der Erfindung. spannung für das Flüssigkristall-Anzeigeelement und
Fig. 1 zeigt die herkömmliche Ansteuerung eines diejenige für die Teilerschaltung rußerordentlich
Flüssigkristall-Anzeigeelementes 1 mit Hilfe eines groß gemacht werden kann.
Schalttransistors2. Die Schaltungsanordnung gemäß Fig.4 arbeitet
F i g. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem par- 55 wie folgt. Tritt eine positive Spannung am Eingang
allel zu dem Flüssigkristall-Anzeigeelement ein des Inverters auf, so werden die N-MOS-Transisto-
Widerstand3 als Last angeordnet ist. Ein solcher ren 11 und 13 eingeschaltet, während die NMOS-
Widerstand hat — wie bereits bemerkt — den Nach- Transistoren 9 und 12 ausgeschaltet werden. Der
teil, daß er den Energiebedarf der Einrichtung er- P-MOS-Transistor 8 wird eingeschaltet, worauf das
höht, was für eine Armbanduhr äußerst nachteilig ist. 60 Flüssigkristall-Anzeigeelement 7 erregt wird. Wird
Das grundsätzliche Ausführungsbeispiel nach der dagegen das elektrische Potential am Eingang zu O,
Erfindung gemäß F i g. 3 zeigt ein Flüssigkristall-An- so werden die N-MOS-Transistoren 9 und 12 einge-
zeigeelement 4, das dem Ausgang eines P-Kanal-Me- schaltet, so daß das Flüssigkristall-Anzeigeelement 7
talloxidhalbleiters (P-MOS) 6 parallel geschaltet ist. kurzgeschlossen wird und nicht mehr erregt wird.
In Reihe dazu ist ein N-Kanal-Metalloxidhalbleiter 65 Weiterhin wird der P-MOS-Transistor 8 abgeschal-
(N-MOS) 5 geschaltet. Die beiden Metalloxidhalblei- tet, so daß der Energieverbrauch außerordentlich
ter-Transistoren 5 und 6 sind zueinander komple- niedrig gehalten werden kann,
mentär symmetrisch (COS). Wird der N-MOS-Tran- Die Schaltungsanordnung mit ihren aktiven
MOS-Bauelementen gemäß der Erfindung kann in integrierter bzw. miniaturisierter Bauweise erstellt
werden, so daß sie sich vortrefflich für eine Armbanduhr mit niedriger Batteriespannung eignet. Wie
bereits besprochen, können mit dieser Schaltungsanordnung Flüssigkristall-Anzeigeelemente hoher Impedanz
ohne weiteres energiesparend geschaltet werden.
Darüber hinaus kann die Schaltungsanordnung für eine kristallgesteuerte Armbanduhr, deren Anzeigeeinrichtung
mit Flüssigkristallen arbeitet, sehr einfach gestaltet werden.
Die Erfindung wurde an Hand von Schaltungsanordnungen beschrieben, die mit positiven Spannungs-Signalen
arbeiten. Natürlich können die erfindungsgemäßen Merkmale ebenfalls bei solchen Schaltungsanordnungen vorgesehen werden, die mit negativen
Spannungsimpulsen arbeiten. Dazu bedarf es nur einer geringfügigen Änderung bzw. Anpassung des
to Anschlusses des Flüssigkristall.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Anzeigeeinrichtung, insbesondere für eine stör parallel, so ist immer noch der Nachteil zu verArmbanduhr,
mit einem Flüssigkristall-Anzeige- 5 zeichnen, daß für beide bipolaren Transistoren Easiselement
und einer elektrischen Schaltungsanord- widerstände benötigt würden. Es tritt demnach wienung
zur Steuerung des Anzeigeelementes, die der ein Hindernis auf, die vor allem bei kleinen Uheinen
mit einer ersten Spannung aussteuerbaren ren anzustrebende, raumsparende integrierte Schalt-Feldeffekt-Transistor
umfaßt, in dessen Quelle- kreistechnik zum Einsatz zu bringen.
Senke-Schaltkreis eine Spannungsquelle mit einer io Eine Anzeigeeinrichtung der eingangs genannten gegenüber der ersten Spannung höheren zweiten Art ist im Rahmen der USA.-Patentschrift Spannung und das Anzeigeelement in Reihe ge- 3 519 330 bekanntgeworden; dort gelangt ein Feldschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, effekt-Transistor zur Anwendung, der den Schaltzudaß die Schaltungsanordnung ein Paar MOS- stand eines Flüssigkristall-Anzeigeelementes mitbe-Transistoren (8, 9) komplementärer Schaltcha- 15 einflußt. Es handelt sich hierbei allerdings um eine rakteristik mit in Reihe geschalteten Quelle- impulsweise Steuerung des Anzeigeelementes, wobei Senke-Schaltstrecken aufweist, an deren Verbin- der mit dem Anzeigeelement in Reihe geschaltete dung untereinander das Anzeigeelement (7) ange- Feldeffekt-Transistor eine impulsförmige Löschspanschlossen ist und für deren Aussteuerung ein mit nung schaltet. Feldeffekt-Transistoren haben bereits der ersten Spannung als Betriebsspannung arbei- so den Vorteil, daß zu ihrem Betrieb Ohmsche Widertender C-MOS-Inverter (14) vorgesehen ist. stände nicht erforderlich sind, auch ist ihr Ein-2. Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, da- schalt-Ausschalt-Impedanzverhalten besser als bei durch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanord- bipolaren Transistoren. Dennoch bewegt sich der nung zwei mit der zweiten Spannung als Betriebs- Widerstand der Quelle-Senke-Schaltstrecke im gespannung arbeitende C-MOS-Inverter (8, 9 und 25 sperrten Zustand noch in einer Größenordnung, die 10, 11) und weitere MOS-Transistoren (12, 13) im Vergleich zu der hohen Impedanz des Anzeigeeleumfaßt, welch letztere jeweils mit einem der In- mentes zu gering ist, um ein völliges Verlöschen der verter-Transistoren verbunden sind, wobei das Anzeige sicherzustellen, wenn im gesperrten Zueinseitig an einem Pol der zweiten Spannung an- stand an der Reihenschaltung aus Transistor und geschaltete Anzeigeelement (7) andersseitig außer 30 Anzeigeelement eine Spannung anliegt,
an die Quelle-Senke-Verbicdung zwischen den Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Transistoren des einen Inverters an die Gatter Anzeigeeinrichtung der eingangs genannten Art zu der Transistoren des anderen Inverters ange- schaffen, die bei raumsparendem und wirtschaftlischlossen ist. chem Aufbau und geringem Energiebedarf eine un-
Senke-Schaltkreis eine Spannungsquelle mit einer io Eine Anzeigeeinrichtung der eingangs genannten gegenüber der ersten Spannung höheren zweiten Art ist im Rahmen der USA.-Patentschrift Spannung und das Anzeigeelement in Reihe ge- 3 519 330 bekanntgeworden; dort gelangt ein Feldschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, effekt-Transistor zur Anwendung, der den Schaltzudaß die Schaltungsanordnung ein Paar MOS- stand eines Flüssigkristall-Anzeigeelementes mitbe-Transistoren (8, 9) komplementärer Schaltcha- 15 einflußt. Es handelt sich hierbei allerdings um eine rakteristik mit in Reihe geschalteten Quelle- impulsweise Steuerung des Anzeigeelementes, wobei Senke-Schaltstrecken aufweist, an deren Verbin- der mit dem Anzeigeelement in Reihe geschaltete dung untereinander das Anzeigeelement (7) ange- Feldeffekt-Transistor eine impulsförmige Löschspanschlossen ist und für deren Aussteuerung ein mit nung schaltet. Feldeffekt-Transistoren haben bereits der ersten Spannung als Betriebsspannung arbei- so den Vorteil, daß zu ihrem Betrieb Ohmsche Widertender C-MOS-Inverter (14) vorgesehen ist. stände nicht erforderlich sind, auch ist ihr Ein-2. Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, da- schalt-Ausschalt-Impedanzverhalten besser als bei durch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanord- bipolaren Transistoren. Dennoch bewegt sich der nung zwei mit der zweiten Spannung als Betriebs- Widerstand der Quelle-Senke-Schaltstrecke im gespannung arbeitende C-MOS-Inverter (8, 9 und 25 sperrten Zustand noch in einer Größenordnung, die 10, 11) und weitere MOS-Transistoren (12, 13) im Vergleich zu der hohen Impedanz des Anzeigeeleumfaßt, welch letztere jeweils mit einem der In- mentes zu gering ist, um ein völliges Verlöschen der verter-Transistoren verbunden sind, wobei das Anzeige sicherzustellen, wenn im gesperrten Zueinseitig an einem Pol der zweiten Spannung an- stand an der Reihenschaltung aus Transistor und geschaltete Anzeigeelement (7) andersseitig außer 30 Anzeigeelement eine Spannung anliegt,
an die Quelle-Senke-Verbicdung zwischen den Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Transistoren des einen Inverters an die Gatter Anzeigeeinrichtung der eingangs genannten Art zu der Transistoren des anderen Inverters ange- schaffen, die bei raumsparendem und wirtschaftlischlossen ist. chem Aufbau und geringem Energiebedarf eine un-
35 beeinträchtigte optische Unterscheidbarkeit zwischen
dem Ein- und dem AusschaHzustand sicherstellt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10329770 | 1970-11-25 | ||
JP10329770A JPS549040B1 (de) | 1970-11-25 | 1970-11-25 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2154877A1 DE2154877A1 (de) | 1972-06-15 |
DE2154877B2 true DE2154877B2 (de) | 1974-08-22 |
DE2154877C3 DE2154877C3 (de) | 1978-02-02 |
Family
ID=
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0176763A1 (de) * | 1984-09-05 | 1986-04-09 | Hitachi, Ltd. | Flüssigkristallbauelement und Verfahren zu dessen Betrieb |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0176763A1 (de) * | 1984-09-05 | 1986-04-09 | Hitachi, Ltd. | Flüssigkristallbauelement und Verfahren zu dessen Betrieb |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3842411A (en) | 1974-10-15 |
CH571724A5 (de) | 1976-01-15 |
HK55476A (en) | 1976-09-17 |
GB1329325A (en) | 1973-09-05 |
DE2154877A1 (de) | 1972-06-15 |
JPS549040B1 (de) | 1979-04-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |