DE2148658A1 - Kleinflaechiger metall-halbleiterkontakt - Google Patents

Kleinflaechiger metall-halbleiterkontakt

Info

Publication number
DE2148658A1
DE2148658A1 DE19712148658 DE2148658A DE2148658A1 DE 2148658 A1 DE2148658 A1 DE 2148658A1 DE 19712148658 DE19712148658 DE 19712148658 DE 2148658 A DE2148658 A DE 2148658A DE 2148658 A1 DE2148658 A1 DE 2148658A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
layer
metal
area
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19712148658
Other languages
English (en)
Other versions
DE2148658C3 (de
DE2148658B2 (de
Inventor
Hermann Dipl-Phys Kniepkamp
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to BE789498D priority Critical patent/BE789498A/xx
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority claimed from DE19712148658 external-priority patent/DE2148658C3/de
Priority to DE19712148658 priority patent/DE2148658C3/de
Priority to US00286265A priority patent/US3831068A/en
Priority to LU66176A priority patent/LU66176A1/xx
Priority to IT29727/72A priority patent/IT967908B/it
Priority to NL7213086A priority patent/NL7213086A/xx
Priority to FR7234090A priority patent/FR2154619B1/fr
Priority to GB4464472A priority patent/GB1364604A/en
Priority to JP9793672A priority patent/JPS565068B2/ja
Publication of DE2148658A1 publication Critical patent/DE2148658A1/de
Publication of DE2148658B2 publication Critical patent/DE2148658B2/de
Publication of DE2148658C3 publication Critical patent/DE2148658C3/de
Application granted granted Critical
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H01L21/28587—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds characterised by the sectional shape, e.g. T, inverted T
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H01L21/28581—Deposition of Schottky electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

SIEMEIiSAKTIENGESELLSCHAET München 2, den
Berlin und München Y/ittelsbacherplatz
71/7122
Kleinflächlger Metall-Halbleiterkontakt
Die Erfindung bezieht sich auf einen kleinflächigen Metall-Halbleiterkontakt, wobei eine Isolierschicht auf dem Halbleitermaterial an den Stellen, an denen der Halbleiter kontaktiert v/erden soll, ausgespart ist, und wobei das Metall an diesen Stellen angebracht ist.
KIe.inflächige Metall-Halbleiterkontakte solcher Art sind bekannt, Dabei wird zunächst auf die gesamte Oberfläche des Halbleiters eine Isolierschicht aufgebracht. An den Stellen, an denen die Oberfläche des Halbleiters kontaktiert werden soll, wird die Isolierschicht entfernt. Schließlich werden Kontakte vorgegebener Struktur auf der Isolierschicht und auf den freiliegenden Oberflächen des Halbleiters mit bekannten Verfahren hergestellt. Diese Struktur, die z.B. kreisförmig sein kann, ist flächenmäßig erheblich größer als der Metall-Halbleiterkontakt und kann mit bekannten Methoden kontaktiert v?erden.
Ein Nachteil solcher Metall-Halbleiterkontakte liegt darin, daß zwischen der Oberfläche des Halbleiters und dem Metall auf der Isolierschicht eine parallel zu dem eigentlichen Kontakt liegende Kapazität entsteht, die in der Sperrphase des Kontaktes störend ist. Bei Bauelementen, bei denen eine solche Parallelkapazität nicht zulässig ist, können Metall-Halbleiterkontaktstrukturen dieser Art nur bedingt angewendet werden.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, einen kleinflächigen Metall-Halbleiterkontakt anzugeben, bei dem die vorgenannten Nachteile vermieden sind.
VPA 9/712/1090 vP/BK -2·-
3098U/0535
Diese Aufgabe wird durch einen wie oben angegebenen Metall-Halbleiterkontakt gelöst, der erfindungsgemäß dadurcb gekennzeichnet ist, daß sich in einem Bereich auf der Oberfläche .des Halbleitermaterials eine Metallschicht und darauf eine Keimschicht befindet, daß auf der nicht mit Metall bedeckten Oberfläche des Halbleiters und im Randbereich der Keimschicht die Isolierschicht aus elektrisch isolierendem Material aufgebracht ist, und daß auf der von dieser Isolierschicht freigelassenen Oberfläche der Keimschicht eine aus elektrisch gut leitfähigem Material bestehende Aufwachsschicht vorhanden ist, die die Ebene der Isolierschicht überragt und oberhalb" dieser Ebene eine für die Kontaktierung ausreichend große Fläche besitzt.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung-wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen kleinflächigen Metall-Halbleiterkontaktes vorgeschlagen, das dadurch gekennzeichnet ist, daß auf dem Halbleiter in dem Bereich, in dem der Halbleiter kontaktiert werden soll, eine Metallschicht aufgebracht wird, daß auf dieser Metallschicht eine Keiraschicht aufgebracht wird, und daß die Isolierschicht zunächst auf die gesamte freiliegende Oberfläche dee Halbleiters, der Keimschicht und der Metallschicht, soweit diese von der Keimschicht nicht überdeckt wird, aufgebracht v/ird und daß die Isolierschicht anschließend über der Keimschicht wenigstens bis auf einen verbleibenden Randbereich der Keimschicht, oder höchstens so weit entfernt wird, daß die von der Isolierschicht freigelassene Oberfläche der Keimschicht gleich der gesamten Oberfläche der Keimschicht ist und daß anschließend auf die freiliegende Oberfläche der Keimschicht die Aufwachsschicht solange aufgewachsen wird, bis sie die Ebene der Isolierschicht überragt und oberhalb dieser Ebene eine für die Kontaktierung ausreichend große !Fläche besitzt.
Die durch die Erfindung erzielbaren Vorteile bestehen ins-
VPA 9/712/1090 -3-
309-8 U-/0535 -
-3- 2U8658
.Γ. Ί .
besondere darin, daß erfindungsgemäße kleinflächige Metall-Halbleiterkontakte aiacb bei großer Dicke der Isolierschicht sicher kontaktiert werden können und daß die Parallelkapazität, die zwischen der Oberfläche des Halbleiters und der Aufwachsschicht auf der Isolierschicht vorliegt, sehr klein ' ■ gehalten werden kann.
Zu der Erfindung führten die folgenden Überlegungen. Einer Erniedrigung der Parallelkapazität durch Verstärkung der Isolierschicht 'wird dadurch eine Grenze gesetzt, daß erstens das aufgedampfte Metall von einer bestimmten Stärke der Isolierschicht an keine zusammenhängende Schicht zwischen der Oberfläche der Isolierschicht und der Oberfläche des Halbleiters bildet und daß zweitens die Herstellung sehr kleinflächiger und maßhaltiger Öffnungen in der Isolierschicht bei großer Isolierschichtstärke schwierig-ist.
Weitere Einzelheiten der Erfindung gehen aus der Beschreibung und den Figuren bevorzugter Ausführungsbeispiele der Erfindung und ihrer "Weiterbildungen hervor.
Figur 1 zeigt den Metall-Halbleiterkontakt, bei dem auf die zu kontaktierende Stelle des Halbleiters eine mit einer Keimschicht versehene Metallschicht aufgebracht ist.
Figur 2 zeigt die zunächst auf die gesamte freiliegende Oberfläche des Halbleiters, der Metallschicht und der' Keimschicht aufgebrachte Isolierschicht.
Figur 3 zeigt die durch Entfernung der Isolierschicht über der Eeimschicht freigelegte Oberfläche der Keimschicht.
Figur 4 zeigt die auf der freigelegten Oberfläche der Keimschicht aufgewachsene Aufwachsschicht.
In der Figur 1 ist der Halbleiter mit dem Bezugszeichen 1 versehen, y- - '< '■■·■■
VPA 9/712/1090 3098U/0B35 ^"
Der Halbleiter kann aus einem massiven Halbleiterkörper oder aus einer Epitaxialscbicht, die auf einem hochdotierten Substrat aufgebracht ist, sein. Torzugsweise besteht der Halbleiterkörper · aus Galliumarsenid. Auf dem Halbleiter ist an der Stelle, an . der der Halbleiter kontaktiert werden soll die Metallschicht 2 aufgebracht. Durch Auswahl der Metalle,· die auf dem Halbleiter vorzugsweise aufgedampft werden und dort die Schicht 2 bilden und durch die Anwendung an sich bekannter Terfahrensschritte, können sperrfreie Kontakte oder Schottky-Metall-Halbleiterkontakte hergestellt werden. Vorzugsweise wird zur Herstellung eines Schottky-Metall-Halbleiterkontaktes auf Galliumarsenid
b eine Metallschicht aus Chrom auf gebracht. Zur Herstellung eines sperrfreien Kontaktes wird auf Galliumarsenid vorzugsweise eine Schicht aus einer Gold-Germanium- oder einer Silber-Indium-Germanium-Legierung aufgebracht. Auf die Metallschicht 2 ist eine weitere Metallschicht aufgebracht, vorzugsweise aufgedampft. Sie dient als Keimschicht für den späteren Aufwachsprozeß. Die Keimschicht ist mit dem Bezugszeichen ? versehen. Vorzugsweise besitzt die Keimschicht 3 die gleichen Abmessungen wie die Metallschicht 2. Die Keimschicht besteht vorzugsweise aus Gold, Silber oder TTickel. Figur 2 zeigt die zunächst auf die gesarate freiliegende Oberfläche des Halbleiters, der Metallschicht und der Keimschicht aufgebrachte Isolierschicht 4. Vorzugsweise besteht die Isolierschicht 4 aus SiO2, Ai2O, oder Si^EL. Insbe-
f sondere kann auch ausgeheizter Fotolack als Isolierschicht dienen, da er eine kleinere Dielektrizitätskonstante besitzt als die obengenannten Schichten. Anschließend wird die Isolierschicht 4, wie - in der Figur 3 dargestellt, über der Keimschicht entweder bis auf einen verbleibenden Randbereich der Keimschicht oder höchstens so weit entfernt, daß die von der Isolierschicht freigelassene Oberfläche der Keimschicht gleich der gesamten Oberfläche der Keimschicht ist. Die freigelassene Oberfläche der Keimschicht ist mit dem Bezugszeichen 6 versehen. In der Figur 4 ist die auf die freigelegte Oberfläche 6 der Keimschicht aufgewachsene Aufwachsschicht 5 dargestellt. Die Figur 4- zeigt in schematiecher
VPA 9/712/1090 -5-
3098U/0535
Darstellung den gesamten, fertiggestellten Metall-Halbleiterkontakt.
Das Aufwachsen der Aufwachsschicht auf die Oberfläche der Keimschicht erfolgt vorzugsweise auf folgende Weise. Durch das Eintauchen der in der Figur 3 schematisch dargestellten Metall-Halbleiterkontaktanordnung, die an der, dem Metall-Halbleiterkontakt gegenüberliegenden Fläche des Halbleiters mit einem sperrfreien Kontakt 7 versehen ist, in einen Elektrolyten, der das Metall der Keimschicht als Ion enthält und durch geeignete Polung des Halbleiters scheidet sich bei Stromfluß zwischen dem Halbleiter und einer Elektrode, vorzugsweise einer Platinelektrode, die Aufwachsschicht 5 auf der Oberfläche der Keimschicht 3 ab. Der Aufwachsprozeß wird abgebrochen, wenn . die Aufwachsschicht die Ebene der Isolierschicht überragt; und oberhalb dieser Ebene eine für die Kontaktierung ausreichend große Fläche besitzt.
10 Patentansprüche
4 Figuren
3098U/0535
VPA 9/712/1090

Claims (10)

  1. -6- 2U8658
    Patentansprüche
    leinflächiger Metall-Halbleiterkontakt, wobei eine Isolierschicht auf dem Halbleitermaterial an den Stellen, an denen der Halbleiter kontaktiert werden soll, ausgespart ist und wobei das Metall an diesen Stellen angebracht ist, dadurch gekennzeichnet- , daß.sich in einem Bereich auf der Oberfläche des Metall-Halbleitermaterials eine Metallschicht (2) und darauf eine Keimschicht (3) befindet, daß auf der nicht mit Metall bedeckten Oberfläche des Halbleiters und im Randbereich der Keimschicht die Isolier-schicht (4) aus elektrisch isolierendem Material aufgebracht ist, und daß auf der von dieser Isolierschicht (4) freigelassenen Oberfläche (6) der Keimschicht eine aus elektrisch gut leitfähigem Material bestehende Aufwachsschicht (5) vorhanden ist, die die Ebene'-der Isolierschicht überragt und oberhalb dieser Ebene eine für die Kontaktierung ausreichend große Fläche besitzt.
  2. 2. Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die von der Isolierschicht freigelassene Fläche die gleichen Abmessungen besitzt wie die Oberfläche der Keimschicht.
  3. 3. Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiter aus Galliumarsenid besteht.
  4. 4. Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiter aus einer Epitaxialschicht auf einem hochdotierten Substrat ■besteht.
  5. 5» ELeinfläohiger Metall-Halbleiterkontakt nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf dem Halbleiter aus Galliumarsenid eine Metallschicht (2) aus Chrom befindet.
    VPA 9/712/1090 309814/0-535 _7_
  6. 6. Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt nach einem der Ansprüche 1 Ms 3» dadurch gekennzeichnet , daß sich auf dem Halbleiter aus Galliumarsenid eine Schicht (2) aus einer Gold-Germanium-Legierung oder einer Silber-Indium-Germariium-Legierung befindet.
  7. 7. Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt nach einem der An-. Sprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Keimschicht aus Gold, Silber oder Nickel besteht.
  8. 8. Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn ze.lehne t , daß die Isolierschicht aus SiO2, Al2O, oder Si^N- besteht.
  9. 9. KIeinflächiger Metall-Halbleiterkontakt nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet , daß die Isolierschicht aus ausgebeiztem Fotolack besteht.
  10. 10. Verfahren zur Herstellung eines kleinflächigen Metall-Halbleiterkontaktes nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß auf dem Halbleiter in dem Bereich, in dem der Halbleiter kontaktiert werden soll, eine Metallschicht aufgebracht wird, daß auf dieser Metallschicht eine Keimschicht aufgebracht wird, und daß die Isolierschicht zunächst auf die gesamte freiliegende Oberfläche des Halbleiters, der Keimschicht und der Metallschicht, soweit diese von der Keimschicht nicht überdeckt wird, aufgebracht wird, und daß die Isolierschicht anschließend über der Keiiüschieht wenigstens bis auf einen verbleibenden Randbereich der Keimschicht oder höchstens so weit entfernt wird, daß die von der Isolierschicht freigelassene Oberfläche der Keimschicht gleich der gesamten Oberfläche der Keimschicht ist, und daß anschließend auf die freiliegende Oberfläche der Keimschicht die Aufwachsschicht solange aufgewachsen wird, bis sie die Ebene der Isolierschicht überragt und oberhalb • dieser Ebene eine für die Kontaktierung ausreichend große Fläche besitzt.
    309814/0535
    9/712/1090 -
    Leerseite
DE19712148658 1971-09-29 1971-09-29 Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt Expired DE2148658C3 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE789498D BE789498A (fr) 1971-09-29 Contact metal-semiconducteur de faible superficie
DE19712148658 DE2148658C3 (de) 1971-09-29 Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt
US00286265A US3831068A (en) 1971-09-29 1972-09-05 Metal-semiconductor small-surface contacts
FR7234090A FR2154619B1 (de) 1971-09-29 1972-09-27
IT29727/72A IT967908B (it) 1971-09-29 1972-09-27 Contatto metallo semiconduttore di piccola estensione superfi ciale
NL7213086A NL7213086A (de) 1971-09-29 1972-09-27
LU66176A LU66176A1 (de) 1971-09-29 1972-09-27
GB4464472A GB1364604A (en) 1971-09-29 1972-09-27 Metal-semi-conductor contacts
JP9793672A JPS565068B2 (de) 1971-09-29 1972-09-29

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712148658 DE2148658C3 (de) 1971-09-29 Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2148658A1 true DE2148658A1 (de) 1973-04-05
DE2148658B2 DE2148658B2 (de) 1977-03-17
DE2148658C3 DE2148658C3 (de) 1977-11-03

Family

ID=

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0058835A2 (de) * 1981-02-20 1982-09-01 Texas Instruments Deutschland Gmbh Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3135007A1 (de) * 1981-09-04 1983-03-24 Licentia Gmbh Mehrschichtenkontakt fuer eine halbleiteranordnung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0058835A2 (de) * 1981-02-20 1982-09-01 Texas Instruments Deutschland Gmbh Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3106354A1 (de) * 1981-02-20 1982-09-09 Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
EP0058835B1 (de) * 1981-02-20 1986-04-23 Texas Instruments Deutschland Gmbh Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3135007A1 (de) * 1981-09-04 1983-03-24 Licentia Gmbh Mehrschichtenkontakt fuer eine halbleiteranordnung

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4843582A (de) 1973-06-23
US3831068A (en) 1974-08-20
GB1364604A (en) 1974-08-21
LU66176A1 (de) 1973-01-17
JPS565068B2 (de) 1981-02-03
DE2148658B2 (de) 1977-03-17
IT967908B (it) 1974-03-11
FR2154619A1 (de) 1973-05-11
NL7213086A (de) 1973-04-02
FR2154619B1 (de) 1978-01-06
BE789498A (fr) 1973-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2217538C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen in einer Halbleiteranordnung
DE3135993A1 (de) &#34;verfahren zur herstellung von kontakten mit geringem widerstand in halbleitervorrichtungen&#34;
DE2215357A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil
DE1930669A1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1640500A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Festkoerper-Schaltungsanordnungen
DE2436449B2 (de) Schottky-diode sowie verfahren zu ihrer herstellung
DE1764155A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
DE2615438A1 (de) Verfahren zur herstellung von schaltungskomponenten integrierter schaltungen in einem siliziumsubstrat
DE1912177A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2132034A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen fuer elektrische Baueinheiten auf Festkoerpern
DE1289188B (de) Metallbasistransistor
DE1614233A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
DE2236510B2 (de) Monolithisch integrierbare Speicherzelle
DE1590220A1 (de) Halbleiterwiderstand und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2148658A1 (de) Kleinflaechiger metall-halbleiterkontakt
DE1614219A1 (de) Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode
DE1244310B (de) Elektrisch verstaerkendes Bauelement mit duennen isolierenden Festkoerperschichten
DE2153889C3 (de) Beam-lead-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2657511A1 (de) Monolithisch integrierbare speicherzelle
DE2148658C3 (de) Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt
DE1416437A1 (de) Isolierkoerper mit eingebetteten Metallstiften
DE2045304A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer lokalisierten Zone in einem Halbleiter korper
DE2153889B2 (de) Beam-lead-halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE2057204C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Metall-Halbleiterkontakten
DE1954443C3 (de) Halbleiterbauelement mit einem Schottky-Übergang und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee