DE2143678A1 - Frequenz-Spannungs-Wandler - Google Patents
Frequenz-Spannungs-WandlerInfo
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Description
•fatentanvraifce 01/00-70
Dipl.-Ing. W.Beyer £l4Jb/ö
Dipl.-Wirtsch.-Ing. B.Jochem
6 Prankfurt am Main Freiherr-vom-Stein-Str.
In Sachen:
Firma
Ford-Werke AG
Ford-Werke AG
5 Köln 21
Frequenz-Spannun^s-Wandler
Priorität der US-Anmeldung No. 68.857 vom 2. Sept. 1970
Die Erfindung "betrifft einen Frequenz-Spaiinungs-Wandler,
insbesondere zur Umwandlung eines periodischen,elektrischen
Sigrals in ein Signal mit einer mittleren Spannung, die
der Frequenz des periodischen,elektrischen Signals proportional
ist.
Zur Umwandlung einer Frequenz in eine Spannung sind bereits
die verschiedensten Schaltungen bekannt, welche auch eine weit verbreitete Anwendung gefunden haben. Eine Grundschaltung
an einer an sich bekannten Frequenz-Spannungs-Wandler-Schaltung weist einen (Transistor auf, dessen Emitter mit einem
Kondensator verbunden ist, wobei die andere Kondesatorklemme mit dem periodischen,elektrischen Signal beaufschlagt wird,
. einen zweiten Kondensator, dem ein Widerstand parallel geschaltet ist? und eine Diode zwischen dem Emitter des
Transistors und einer Klemme des zweiten Kondensators ,
. Die Funktion dieser Schaltung besteht darin, Aas
periodische Eingangssignal mit veränderbarer Frequenz in ein Ausgangssignal mit einer Spannung umzuwandeln, die der
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Frequenz des periodischen, elektrischen Eingangssignals proportional ist. Eine Schaltung, welche die oben beschriebenen
Elemente aufweist;um die Umwandlung einer
Frequenz in eine Spannung zu bewirken, geht aus dem US-Patent 3 356 082, erteilt am 5. Dez. 1967,
hervor, wobei die dort offenbarte Frequenzspannungswandlerschaltung
^eil einer größeren Schaltung ist. Wie aus dieser Patentschrift deutlich hervorgeht,
kann das periodische, elektrische Signal, das dem
ersten Kondensator des Grundschaltkreises zugeführt wird, selbst von einem getrennten Transistor abgelei-
w tet werden, dem das periodische Eingangssignal, welches
umgewandelt werden soll, zugeleitet wird.
Die transistorisierte Grundschaltung zur Frequenzspannungsumwandlung
weist einige Nachteile auf, obgleich sie an sich zweckmäßig aufgebaut ist. So wird zum Beispiel
der Basisstrom für den in der Schaltung befindlichen Transistor aus einer Quelle mit einem relativ hohen
Widerstand gewonnen, die beim Umschalten dieses Transistors von einem nicht leitenden in einen leitenden
Zustand einen Übergangszustand bewirkt, der in dem
Ausgangssignal in Erscheinung tritt. Ferner ist die
Ausgangsspannung des Schaltkreises eine Funktion der Frequenz des Eingangssignals und eines Proportionalitätsfaktors, welcher seinerseits eine Funktion des Abfalls
der Basis - Emitterspannung und des Abfalls der Diodenspannung ist, wobei diese Spannungsabfälle mit der Transistortemperatur
und daher mit der Umgebungstemperatur sich verändern und zwar in gleicher Richtung.um eine
Änderung des Frequenz-Spannungs-Proportionalitätsfaktors zu bewirken. Ein weiterer Nachteil ist bei der Grundschaltung
zur Frequenzspannungsumwandlung in der Tatsache zu erblicken, daß bei sehr geringen Frequenzen und daher
bei niedrigen Ausgangsspannungen die Ausgangsspannung eine nichtlineare Funktion der Frequenz des periodischen Ein-
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signals wird. Ein weiterer Nachteil "besteht bei
der Grundschaltung darin, daß sie gegenüber positiven Einschwin g/orgängen mit hoher Spannung zum Teil aniällig
ist, welche in der Spannungsversorgungsleitung auftreten können, wobei das Auftreten eines genügend
hohen Spannungsstoßes den Zusammenbruch des Kollektor-Basisüberganges des Transistors und damit eine Zerstörung
desselben bewirkt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die oben genannten Nachteile zu vermeiden. Die Lösung
dieser Aufgabe besteht darin, daß bei einem Frequemz-Spannungs-Wandler,
insbesondere zur Umwandlung eines periodischen, elektrischen Signals in ein Signal mit
einer mittleren Spannung, die der Frequenz des periodischen, elektrischen Signals proportional ist, eine
Klemme eines Kondensators mit dem Emitter eines Transistors verbunden ist, und das periodische,elektrische
Signal der anderen Klemme des Kondensators zugeführt wird, wobei ein weiterer Kondensator zu einem Widerstand
parallel liegt und zwischen dem Emitter des Transistors und einem der Anschlüsse des weiteren
Kondensators eine Diode geschaltet ist, und wobei ferner mit der Basis des Transistors Transistorkreise
verbunden sind, um zu erreichen, daß der absolute Wert der zugeführten Spannung den Wert der Sapnnung
übertrifft, die an der einen Klemme des zweiten Kondensators anliegt.
Die verbesserte Schaltung nach der Erfindung weist
Mittel zu Kompensation der Umgebungs- und Transistortemperaturänderungen
auf, sowie Schaltmittel zur Verhinderung nachteiliger Wirkungen, die sich durch Über-Cancss-
bzw. Einschwingvorgänge in der Versorgungsleitung oder anderen Teilen des·. Schaltkreises ergeben. Wenn das
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periodische, elektrische Signal, das über einen ersten
Kondensator dem Transistor des Grundschaltkreises zur
Frequenzspannungsumwandlung zugeführt wird, von einem zweiten Transistor oder von Transistoren abgeleitet
wird, sind nach der Erfindung Widerstände und Dioden vorgesehen, um die Änderungen der Leitungszustände
des zweiten Transistors oder der Transistoren in Abhängigkeit von den Änderungen des periodischen
Eingangssignals, welches umgewandelt werden soll,
sicherzustellen. Ein weiterer Vorteil der Schaltung nach der Erfindung besteht darin, daß sie einen
hohen Eingangs- und einen niedrigen Ausgangswiderstand aufweist.
Aufgrund dieser und anderer Vorteile der Schaltung nach der Erfindung kann sie als ein Frequenzspannungswandler
für allgemeine Zwecke dienen. Die Prequenzspannungswandlerschaltung
nach der Erfindung kann aus einzelnen elektrischen Elementen oder aus einer integrierten Schaltung
oder einer mindestens teilweise integrierten Schaltung aufgebaut sein.
Die verbesserte Frequenzspannungswandlerschaltung nach
der Erfindung weist nicht mehr die Nachteile der an sich bekannten Grundschaltung auf, und ist vielseitig anwendbar.
Unabhängig davon, ob diese Schaltung aus einzelnen Schaltelementen oder aus einer integrierten
Schaltung aufgebaut ist, kann sio als ein zweckmäßiger Grundbaustein bei geschwindigkeitsabhängigeii kraftfahrtechnischen
Systemen verwendet worden, wie Beispielsweise bei Geschwindigkeitssteuersystemen, elektronischen
kabellosen Drehzahlmessern, Rutschsteuersystemen, Steuersystemen für Maschinenabgase, Steuerungen für·elektronische
automatische Getriebe oder bei (TcciPmetersystemen.
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Die Erfindung wird anhand einiger in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Hierbei zeigen:
Pig. 1 ein schematisches Schaltbild einer -Frequenz-Spannungs-Wandlerschaltung
nach der Erfindung;
Fig. 2 eine Abwandlung eines Teiles der in Pig. 1 dargestellten Schaltung und
Fig. 3 ein schematisches Schaltbild, das im wesentlichen
demjenigen nach Fig. 1 ähnlich ist und eine integrierte Schaltung und verschiedene
einzelne Komponenten aufweist.
Die folgende ins einzelne gehende Beschreibung bezieht sich auf Spannungen einer angegebenen Polarität und
auf dargestellte Transistoren einer besonderen Art, daß heißt eines PNP oder eines liPlT-Typs. Diese
Spannungspolaritäten und Transistortypen können natürlich auch entsprechend ausgetauscht werden, vorausgesetzt,
daß absolute Spannungswerte und die entsprechenden Beziehungen erhalten bleiben.
In Fig. 1 ist ein schematisches Schaltbild einer Ausführungsform der Frquenz-Spannungs-Wandlerschaltung
nach der Erfindung dargestellt. Die Schaltung umfaßt die Elemente des Frequenz-Spannungs-Wandlers der als
Grundaufbau zuvor beschrieben wurde. Diese Elemente sind der Transistor Q0, der Kondensator C1, die Diode
CL I
D^, der Kondensator Gp und der Widerstand Rq. Die
Arbeitsweise dieser Elemente wird im folgenden in Verbindung mit der allgemeinen Diskussion der Schaltkreisvorgänge
beschrieben.
Der in Fig. 1 dargestellte Schaltkreis ist derart ausgebildet, daß er mit einer Wechselspannungsquelle an den
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Klemmen 10 und 12 angeschlossen werden kann, wobei die
letztere geerdet dargestellt ist, und die Spannung Y^
an der KJLeHm6IO in Bezug auf die Erde positiv ist.
Das periodische, elektrische Eingangssignal für den Schaltkreis ist durch eine Signalquelle 14- dargestellt,
deren eine Seite geerdet und deren andere Seite mit der Klemme eines Widerstandes Rx, verbunden ist. Zwischen
der Erde und der anderen Klemme des Wider Standes R^
liegt eine Diode D^. Eine weitere Diode Ü2ist ebenfalls
mit dieser Klemme des Widerstandes Rx, und der Basis
eines Transistors Q^ verbunden. Die Basis des Transistors
Q1 liegt ferner an einer Klemme eines Widerstandes
Rp wobei der andere Anschluß dieses Widerstandes Rp
über einen Widerstand R7 mit der Sapnnung s que lie V^
V3rbunden ist. Mit dem Knotenpunkt zwischen den Widerständen R2 und R7 sind ein Widerstand IL und eine in
Sperrichtung betriebene Zener-Diode D7 elektrisch
verbunden. Der Widerstand R^ ist bei 16 mit dem Kollektor
des Tansistors Q. und dem Kondensator Cx, wie aus Fig.
1 ersichtlich ist, verknüpft. Der Emitter des Transistors £L· ist geerdet, desgleichen der weitere Anschluß der
Zener-Diode D7. Die Zener-Diode D7 \d.rd zur Spannungsstabilisierung
verwendet und bewirkt am Knotenpunkt 18 eine nahezu konstante Spannung V. Die Diode Dx, schützt
ζ ι
den Basis-Emitterübergang des Transistors Qx, gegen
große negative Ausschläge des periodischen Eingangssignals.
Die rechte Seite des Kondensators Cx, ist mit dem Emitter
des Transistors Q2 verbunden. Der Kollektor des Transistors
Qo ist über einen Widerstand R1- mit der Sapnnvngsversorgung
V. verbunden.
Eine Diode D^ ist bei 20 mit dem Emitter des Transistors
Qo und mit der rechten Klemme des Kondensators C^ verknüpft.
Die andere Klemme der Diode D2, ist bei 22 mit
der einen Seite eines Kondensators Cp verbunden, während
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ά"-ώ andere Seite dieses Kondensators geerdet ist.
'■':i dem Kondensator Cp liegt ein Widerstand Rq parallel.
^r Kondensator C0 und der Widerstand Rq sind durch
eine Leitung 24- mit der Basis eines Transistors Q^
verknüpft. Ihre entsprechenden gegenüberliegende^. Klemmen
sind ebenso wie der Kollektor des Transistors Q7 geerdet.
Der Emitter des Transistors Q7 ist über einen strombegrenzenden
Widerstand Rg mit der Basis des Transistors Qp verbunden.
Der Emitter des Transistors Q7 ist ferner über einen Widerstand R^ mit der Ppannungsquelle V. und über
einen strombegrenzenden Widerstand R7 mit der Basis
eines Transistors Q2. verbunden. Der Kollektor des
Transistors Q2 ist mit der Spannungsversorgung V« verier
üpft, während sein Emitter über einen Ausgangsv/iderstand R ^0 geerdet ist. Die Ausgangsspannung Vq,
die der Frequenz des periodischen, elektrischen Eingangssignals proportional ist, wird an dem Ausgangswiderstand
P^0,wie in Fig. 1 dargestellt ist, abgegriffen.
Im Betrieb dieser Schaltung liefert die Signalquelle ein periodisches elektrisches Eingangssignal. Da die
Signalquelle 14 bei 12 geerdet ist, macht die gegenüberliegende Seite derselben periodische Ausschläge und
zwar von einem positiven Wert zu einem negativen Wert und zurück zu einem positiven V/ert. Bei den an sich
bekannten Schaltungen fehlt der Widerstand Rp und die
Diode D0, so daß das periodische Eingangssignal über
den Widerstand Rx, direkt der Basis des Transistors
Q^ zugeführt wird. Durch das Vorhandensein des Widerstandes
Rp und der Diode Dp jedoch stehen Mittel zur
Verfügung, um eine Änderung von dem nichtleitenden in den leitenden Zustand des Transistors Q* in Abhängigkeit
von den periodischen Änderungen der Signalquelle 14 sicherzustellen. Diese Sicherstellung einer angemessenen
Basis-durchsteuerung für den Transistor Q^1 erfolgt deswegen,
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weil die Basis über den Widerstand Rp mit der Quelle
einer stabilisierten, Spannungsversorgung V verbunden
ist. Wenn daher die Signalquelle von ihrem negativsten Wert in Richtung ihres höchsten positiven Wertes fortschreitet,
wird ein Punkt erreicht, bei dem die Basis des Transistors CL in Bezug auf ihren Emitter ausreichend
positiv wird, um eine Leitung des Transistors Qx, zu bewirken. Die Sättigung des Transistors Q^
folgt unmittelbar danach. Dies ergibt sich, weil die Diode D^ im Verlaufe des positiven Anstieges
des periodischen Eingangssignals in Sperrichtung " betrieben wird, und der Strom von der stabilisierten
Versorgungsleitung Vg durch den Widerstand Rg zur
Basis des Transistors Q^ fließt.
Im Verlaufe des Port schreit ens des periodischen Signals von seinem positiven in Richtung seines negativen
Maximums wird die Diode D2 erneut in Durchgangsrichtung
betrieben, und c^.e Spannung an der Basis des Transistors
Q* wird ausreichend niedrig, um zu bewirken, daß der
Transistor von seinem leitenden in seinen nichtleitenden Zustand übergeht. Daher wird ersichtlich, daß der
Transistor Q^ fortlaufend von seinem Leitzustand in seinen nicht leitenden Zustand entsprechend der Frequenz
des periodischen, elektrischen Eingangssignals übergeht. Wenn, der Transistor Q^, leitend ist, ist
die Spannung an seinem Kollektor (16) gleich der Kollektor - Emitter-Sättigungsspannung des Transistors
Q^. Wenn der Transistor Q^ nichtleitend wird, wird
die Spannung am Punkt 16, nach einer geringen Verzögerung, welche durch die Aufladung des Kondensators
Gy,, der in Reihe zum Kondensator Cq liegt, verursacht
wird, gleich der stabilisierten Spannung V der Versorgungsleitung.
Die Spannung am Punkt 16 weist daher die Form einer Rechteckwelle mit einer Frequenz auf,
die dem periodischen Eingangssignal entspricht, welches von der Signalquelle gewonnen wird und besitzt hohe und
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niedrige Spannunfrswerte, welche entsprechend durch
die stabilisierte Spannungsversorgung V und der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des Transistors
erzielt werden.
Das Rechteckwellensignal am Punkt 16, des heißt am
Kollektor des Transistors Q^3 wird somit das periodische
Eingangssignal für die, Elemente der Grundschaltung des Frequenz-Spannungs-Wandlers. Wie zuvor
erwähnt wurde, weisen diese Elemente der Wandlergrundschaltung
den Transistor (~> den Kondensator C^, die Diode D^ und die Parallelschaltung des
Kondensators Ö2 mit dem Widerstand Rq auf. Die Arbeitsweise
der Wandlergrundschaltung ist an sich bekannt, sie soll jedoch zur Vervollständigung der
gesamten Beschreibung der Erfindung im folgenden im einzelnen wiedergegeben v/erden. Um die Erreichung
einer richtigen Betriebsweise des Basisschaltkreises des Frequenzspannungswandlers zu unterstützen, sollte
die Zeitkonstante R/,C<] weitaus geringer sein als das
Zeitinteivall^während dem der Transistor Q^ sich in
einem nicht leitenden Zustand befindet, wobei dieses Zeitinteivall gewöhnlich bei der maximalen Frequenz
des periodischen Einganp:ssignals,mit der^andlerschaltkreis
arbeiten soll,am kürzesten· ist. Als ausreichend wird betrachtet, wenn die Zeitkonstante. R^C ^ geringer
als 1/1ο des Inte^volles ist, während dem der Transsistor
CL sich in einem nicht leitenden Zustand befindet. Ferner sollte die Zeitkonstante RcCi kleiner als 1/1ο
der Zeitkonstante R1, χ (L· sein, so daß die rechte Seite
des Kondensators CL stets in der Nähe des Wertes der
Spannung gehalten wird, die am Kondensator C^ anliegt.
Zusätzlich sollte die Zeitkonstante Rq^ v:5-el geölter ais
die Zeitkonstante R1,(L· sein, so daß während der Zeit in
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der beide Kondensatoren CL und Cp von V über den
Widerstand R^ aufgeladen werden, die Entladung des Kondensators Cp über den Widerstand Rg vernachlässigbar
klein ist.
Wenn ein periodisches Eingangssignal dem Schaltkreis nach Fig. 1 von der Signalquelle 14- zugeführt wird,
nimmt der Kondensator Cp eine Spannung auf, deren mittlerer Wert der Frequenz des Eingangssignals proportional
ist. Obgleich der mittlere Wert der Spannung am Kondensator Cp der Frequenz des Eingangssignals
proportional ist, und konstant bleibt, xvenn die Eingangsfrequenz konstant bleibt, so verändert sich
dennoch die Spannung am Kondensator Cp im Laufe der Zeit. Diese Spannung am Kondensator Cp, welche
als Spannung am Punkt 22 betrachtet werden kann, steigt schnell an, wenn der Transistor CL· nichtleitend
wird und nimmt dann exponentiell ab, wenn der Kondensator Cp sich teilweise über den Widerstand
Rq entIfdt,~/obei die Zeitkonstante der Entladung verglichen
mit den anderen Zeitkonstanten in dem Schaltkreis groß ist. Dieses Geschehen wiederholt
sich jedesmal, wenn der Transistor Q^, von seinem
leitenden in seinen nichtleitenden Zustand übergeht. Die zyklische Entladung und das teilweise exponentielle
Abklingen der Spannung am Punkt 22 ergibt eine mittlere Spannung, welche durch die Frequenz des Eingangssignals
bestimmt wird und die der Frequenz proportional ist.
Die Art und Weise, in der die Schaltung arbeitet, um die oben aufgeführte* Beziehung zwischen dem Eingangssignal
und der Spannung am Kondensator Cp zu erzielen, kann anhand der am Punkt 16 auftretenden Spannung beschrieben
werden, daß heißt, am Kollektor des Transistors Wenn der Transistor Q^ leitend ist, ist die Spannung
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ab Punkt 15 gleich der Kollektor-Emitter-Sättigungs-»
spannung. Wenn jedoch der Transistor CL seinen Leitsustand
in seinen nichtleitenden Zustand aufgrund des periodischen Eingangssignals ändert, so steigt
die Spannung am Punkt 16 an. Der Strom fließt sodann
von der stabil:sierten Spannung V_ durch den Widerstand
R^, den Kondensator C^, die Diode D. in den
Kondensator Gp. Dieser Vorgang hält eine relativ
kurze Zeit 3H, verglichen mit der Periode des
Eingangs signal s, da der Kondensator C,- sehr schnell
über den Widerstand R1, aufgeladen wird;und die
Spannung am Punkt 16 wird gleich der Spannung V . Zu diesem Zeitpunkt beginnt der Kondensator Co
seine exponent!elIe Entladung über den Widerstand Rq. Wenn das Eingangssignal bewirkt, daß der Transistor
CL erneut leitend wird, so nimmt die Spannung am Punkt 16 erneut bis auf den Kollektor-Emitter
Sättigungswert für den Transistor CL ab. Dies bewirkt,
daß der Kondensator C^ in entgegengesetzter Richtung über den Transistor Q2 aufgeladen wird,
der zu diesem Zeitpunkt leitend wird. Der Kondensator C2 kann über den Transistor Q2 während dieses Zeitint
ervalles nicht weiter aufgeladen werden, da die Diode D^ in Sperrichtung betrieben id.rd. Der Kondensator
C0 setzt während dieser Zeitspanne sein exponentie11es Abklingen über den Widerstand Rq
fort. Die Diode D1, bleibt in Sperrichtung betrieben,
vorausgesetzt, daß das exponentielle Abklingen der Spannung am Kondensator C2 genügend langsam mit der
Zeit abnimmt, bis das Eingangssignal erneut bewirkt, daß der Transistor CL nichtleitend wird. Der Zyklus
wird dann wiederholt.
Bei der an sich bekannten Grundschaltung des Frequenz-Spannungs-Wandlers
ist die Basis des Transistors Q0 direkt mit dem Punkt 22 verbunden und die Ausgangs-
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spannung VQ wird von diesem Punkt abgenommen. Bei der
an sich bekannten Schaltung ist daher der mittlere Wert der Ausgangs spannung Yq, abgegriffen am Kondensator
Cp durch die folgende Gleichung gegeben:
V0 ■ L\ J VBE - Vd - VCE(SAT)7 C1V
wob^i V-D-g den Spannungsabfall zwischen der Basis und
dem Emitter des Transistors Q2 >
^g, ^·θη Spannungsabfall
an der Diode D^, "Vqe^s^) ä.en Spannungsabfall
vom Kollektor zum Emitter des Transistors Qx, im
Sättigungszustand und f die Frequenz des periodischen elektrischen Eingangssignals bedeuten. Die oben angegebene
Gleichung nähert sich sehr eng der Ausgangsspannung Vq der an sich bekannten Schaltung, bei der
die Kapazität des Kondensators C2 viel größer als
die Kapazität des Kondensators (L· ist.
Wenn die Spannungen, die sich innerhalb der Klammern der Gleichung befinden, als konstant betrachtet werden,
desgleichen die Kapazität CL und der Widerstand Rq,
so ist leicht zu erkennen, daß die Ausgangsspannung Vq der an sich bekannten Schaltung eine lineare
Funktion der Frequenz f ist. Die Kapazitäts- und Widerstandswerte können in der Tat als konstante betrachtet
werden, genauso wie die in der Klammer stehenden Spannungen, wenn die Transistor-und Diodentemperaturen
fest bleiben. Wenn jedoch die Schaltung einer Temperaturveränderung unterworfen ist, verändert sich V-g-g und
ebenso V^. Darüberhinaus wird V-g-g nicht-linear? wenn die
Frequenz der Signalquelle sehr gering ist. Trägt man daher für die an sich bekannte Schaltung die Ausgangsspannung
Vq gegen die Frequenz auf, so zeigt die Kurve bei geringen Frequenzen einen nicht-linearen Teil und
demzufolge geringe Ausgangsspannungen. Bei der Verbindung der Basis des Transistors Q2 mit dem Punkt 22 nach der
an sich bekannten Schaltung wird der Basisstrom für den Transistor von einem Punkt mit einem relativ hohen Wider-
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stand gewonnen. Hierdurch werden dann, wenn der Transistor Qp von einem nichtleitenden in einen
leitenden Zustand übergeht,Verzerrungen in die
Betriebsweise des Transistors Q2 eingeführt.
Diese Nachteile des an sich bekannten Systems werden durch Einfügung der Transistoren Q^ und
beseitigt. Gemäß der Schaltung nach der Erfindung ist die Basis des Transistors Qo über den strombegrenzten
Widerstand Rg mit dem Emitter des Transistors Q-j verbunden. Die Basis des Transistors
D
Q- ist ihrerseits mit dem Punkt 22 verbunden, bei
dem die Spannung, die der Frequenz des periodischen Eingangssignals proportional ist, gewonnen wird.
Hierdurch wird bewirkt, daß die Spannung, die der Basis des Transistors Qp zugeführt wird, um einen
Betrag ansteigt, der gleich der Emitter-Basisspannung des Transistors Q7 ist7nämlich der Spannung am Punkt
22.
Wenn die Basis des Transistors Qp mit dem Emitter des
Transistors Q-, verbunden ist, wird der Basisstrom für den Transistor Qp aus einer Quelle mit einem relativ |
niedrigen Widerstand gewonnen und die Verzerrungszustände, die andererseits auftreten könnten* wenn
der Transistor Qo sich von einem nichtleitenden in seinen leitenden Zustand ändert, werden nahezu ausgeschlossen.
Die mittlere Spannung Vq am Punkt 22 wird dabei durch die folgende Gleichung bestimmt:
ζ - Vd - VCE(SAT)1 CiV Hierbei
handelt es sjbch ebenfalls um eine lineare Funktion der Frequenz. Der einzige Unterschied zwischen
dieser Gleichung und der zuvor genannten Gleichung
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für die Schaltung nach dem Stand der Technik "besteht
darin, daß die Spannung VBE fortgelassen
worden ist. Ein solches Ergebnis wird erzielt, wenn die Transistoren C^, ^11^· % ähnliche Elemente
sind, daß heißt, wenn sie identische Basis-Emitter-Spannungsabfälle aufweisen. Daher wird die Nichtlinearität,
die bei geringen Eingangsfrequenzen und Ausgangsspannungen bei der Schaltung nach dem Stand
der Technik folgen,eliminiert, genau wie die
Schwankungen, die sich durch Temperaturveränderungen
des Transistors Qo ergeben.
Wie zuvor festgestellt xvurde, verändert sich der Spannungsabfall V^ an der Diode D^ mit der Temperatur.
Venn für diesen Fall eine Temperaturkompensation erforderlich ist, so kann dies dadurch erreicht werden,
indem eine in Durchgangsrichtung betriebene Diode zusätzlich zur Zenerdiode D7 in Reihe liegt.
Die Ausgangsspannung Vq in der Schaltung nach der Erfindung
wird am Widerstand R^q abgegriffen. Der Grund
hierfür besteht darin, daß der Transistor Q7 vorzugsweise
einen hohen Stromverstärkungsgrad aufweist (in der Größenordnung von 100),der dafür sorgt, daß
der Gesamtschaltkreis einen hohen Eingangs- und einen
niedrigen Aungangswiderstand auf v/eist. Die Ausgangsspannung könnte am Emitter des Tansistors Q5, abgegriffen
werden, jedoch ist die Spannung an diesem Punkt eine Emitter-Basisspannung über der Spannung am Punkt 22. Um
dies zu vermeiden;und da die Emitter-Basisspannung
des Transistors Q, sehr temperaturempfindlich ist, wurde der Transistor Q^ dazugeschal" tet und mit dem
Transistor Q,,wie dargestellt,verbunden. Dies bewirkt,
daß. die Basis-Emitterspannungen der Transistoren Q, und
sich einander ausgleichen, wodurch die Betriebsweise
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dor Schaltung temperaturunabhängig gemacht v/ird.
Die Widerstände R1- und Rg schützen die Transistoren
gegen Verzerrungen der zugeführten Spannung. Ein weiterer Schutz wird durch die Widerstände Rr7 und
Rq gewonnen.
In Fig. 2 ist eine Abwandlung der Schaltung nach Fig. 1 wiedergegeben, wobei gleiche Bezugs- ' " -"
ziffern gleiche Elemente bezeichnen. Der Unterschied zwischen diesem Schaltkreis und dem in Fig. 1 dargestellten
besteht darin, daß die Widerstände R^*
und Rs,ρ hinzugeschaltet wurden. Der Vorteil der
sich durch Zuschaltung des Widerstandes R^ ergibt, besteht darin, daß ein umgekehrtes Ausgangssignal
gewonnen werden kann. Das umgekehrte Ausgangssignal besteht in einer Spannung VQ, welche umgekehrt proportional
der Frequenz des periodischen Eingangssignals ist, daß heißt, d; s umgekehrte Ausgangssignal ist eine
Spannung, die mit steigender Frequenz des Eingangssignals abnimmt. Eine normale7direkt proportionale Spannung
kann am Widerstand R^0 abgegriffen werden, wie zuvor
beschrieben wurde.
In Fig. 3 ist ein schematisches Schaltbild einer Schaltung
wiedergegeben, die denjenigen nach Fig. 1 und 2 ähnlich ist, ttfobei gleiche Bezugsziffern gleiche Elemente
bezeichnen. Diese Schaltung unterscheidet sich jedoch von den zuvor beschriebenen Ausführungsformen dadurch,
daß sie eine Kombination aus integrierten Schaltkreiselementen und einzelnen Bauelementen aufweist. Daher
sind viele der Widerstände, der Dioden und der Transistoren innerhalb eines monolithischen "Plättchens" 26
eingebaut darstellt. Das Plättchen weist mehrere Klemmen auf, die von 1 bis 14- beziffert sind, mit denen die
einzelnen Schaltkreiselemente verbunden sind.
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In der AusführungGform nach Pig. 3 ist der Transistor
Q7 durch einen PNP-Transistor mit einem geringen
Verstärkungsgrad und durch einen normal diffundierten Epitaxial-NPN-Transistor mit einem hohen Verstärkungsgrad ersetzt, wobei beide Einheiten wie ein einzelnes
PTiP-Element mit hohem Verstärkungsgrad zusammenwirken.
Ein zusätzlicher Schutz gegen Spannungsverzerrungen wird durch eine Reihe in Sperrichtung betriebener
Emitter-Basisübergänge Q1-, Qg und Qr7 erzielt, die
auf das Plättchen aufdiffundiert sind. Diese Reihe ^.
von Elementen wirkt wie eine .Zenerdiodei wobei
jedes Element eine besondere Durchbruchspannung aufweist.
Patentansprüche:/
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Claims (7)
- -4ψ -Patentansprüche 2 1 A 3 6 7\1J Frequenz-Spannung-Wandler, insbesondere zur Umwandlung eines periodischen, elektrischen Signals in ein Signal mit einer mittleren Spannung, die der .Frequenz des periodischen, elektrischen Signals proportional ist, dadurch gekennzeich· net, daß eine Klemme eines Kondensators (C,,) mit dem Emitter eines Transistors (Q2) verbunden ist. und das periodische, elektrische Signal der anderen Klemuie des Kondensators (CL) zugeführt wird, daß ein weiterer Kondensator (C2) zu einem Widerstand (Rg) parallel liegt und zwischen dem Emitter des Transistors (Qo) und einem der Anschlüsse des Kondensators (C0) eine Diode (D^) geschaltet ist, und daß mit der Basis des Transistors (Q2) Transistorkreise (Q-, Q^) verbunden sind, um zu erreichen, daß der absolute Wert der zugeführten Spannung den Wert der Spannung übertrifft, die an der einen Klemme des Kondensators (C2) anliegt.
- 2. Frequenz-Spannungs-Wandler nach Anspruch 1, da durch gekennzeichnet, daß die Transistorkreise (Q,, Q2,) einen zweiten Transistor (Q^) aufweisen, dessen Emitter mit der Basis des Transistors (Q2) und dessen Basis mit der einen Klemme des Kondensators (C0) verbunden ist, derart, daß die der Basis des Transistors (Q2) zugeführte Spannung den Wert der an der einen Klemme des Kondensators (C0) vorhandenen Spannung um einen Betrag übertrifft, der etwa gleich der Emitter-Basisspannung des Transistors (Q2) ist.
- 3. Frequenz-Spannungs-Wandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daßFo 8255/31.8.71209811/12482U3678die Basis eine Transistors (Q^) mit dem Emitter des Transistors (Q^) verbunden ist und df β ein Ausgangsxiriderstand (R^q) mit dem Emitter des Transistors verbunden ist.
- 4. Frequenz-Spannungs-Wandler nach Anspruch 1, 2 oder 3» dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (Q^) einqihohen VerStärkungsgrad aufweist, derart, daß die Frequenz-Spannungs-Wandlerschal tung mit einem hohen Eingangs-und einem geringen Ausgangswiderstand versehen ist.
- 5. Frequenz-Spannungs-Wandler nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeich net, daß mit dem Transistor (Q?) ein Widerstandskreis derart verbunden ist, daß eine Ausgangsspannung erzielt vri.r.d, die der Frequenz des periodischen, elektrischen Signals umgekehrt proportional ist.
- 6. Frequenz-Spannungs-Wandler nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet , daß ein periodisches Eingangssignal zwischen der Basis und dem Emitter eines Transistors (CL) zugeführt wird, derart, daß dieser in Abhängigkeit von der Veränderung des periodischen, elektrischen Eingangssignals von einem leitenden in einen nichtleitenden und zurück in einen leitenden Zustand übergeht, wobei ein Kondensator (C,,) mit einer Klemme an den Emitter des Transistors (Qo) und seine andere Klemme an den Kollektor des Transistors (Q^) geschaltet ist, und daß ein Widerstand zu dem Kondensator (Qo) parallel liegt und eine Diode (D^,) zwischen dem Emitter des Transistors (Qp) und einer Klemme des Kondensators (Co) liegt.Fo 8255/31.8c71209811/12482U3678
- 7. Frequenz-Spannungs-V/andler nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß Widerstände (E^, R2, R-.) und Dioden (B^, D2) mit der. Basis-des Transistors (Q^) verbunden sind, um die Änderung seines Leitzustandes in Abhängigkeit von der Änderung des periodischen, elektrischen Eingangssignals sicherzustellen.Fo 8255/3I.8.7I209811/12483DLee rse i te
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