DE2131755C3 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Teilchendetektors mit NIP-Struktur und Verwendung von danach hergestellten Detektoren - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Teilchendetektors mit NIP-Struktur und Verwendung von danach hergestellten Detektoren

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Arlette Gif Sur Yvette Garin Geb. Bonnet
Michel Longjumeau Oria
Bernard Paris Waast
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    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
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US3413529A (en) * 1966-03-08 1968-11-26 Atomic Energy Commission Usa A semiconductor detector having a lithium compensated shelf region between opposite conductivity type regions
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