IT939723B - Procedimento per la fabbricazione di rivelatori di particelle a semi conduttore a struttura nip priva di zona morta e rivelatore ottenuto con il procedimento - Google Patents

Procedimento per la fabbricazione di rivelatori di particelle a semi conduttore a struttura nip priva di zona morta e rivelatore ottenuto con il procedimento

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IT939723B
IT939723B IT6917471A IT6917471A IT939723B IT 939723 B IT939723 B IT 939723B IT 6917471 A IT6917471 A IT 6917471A IT 6917471 A IT6917471 A IT 6917471A IT 939723 B IT939723 B IT 939723B
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IT
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semi
manufacture
dead zone
conductive particle
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IT6917471A
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Michel Oria
B Waast
A Garin
Bonnet Nata
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Commissariat Energie Atomique
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    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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    • H01L31/117Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the bulk effect radiation detector type, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors
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US3413529A (en) * 1966-03-08 1968-11-26 Atomic Energy Commission Usa A semiconductor detector having a lithium compensated shelf region between opposite conductivity type regions
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