BE768570A - Procede de fabrication de detecteurs de particules a semi-conducteur a structure nip sans zone morte et detecteurs obtenusselon ledit procede - Google Patents

Procede de fabrication de detecteurs de particules a semi-conducteur a structure nip sans zone morte et detecteurs obtenusselon ledit procede

Info

Publication number
BE768570A
BE768570A BE768570A BE768570A BE768570A BE 768570 A BE768570 A BE 768570A BE 768570 A BE768570 A BE 768570A BE 768570 A BE768570 A BE 768570A BE 768570 A BE768570 A BE 768570A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
detectors
procedure
obtained according
dead zone
manufacturing semiconductor
Prior art date
Application number
BE768570A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
A Garin
M Oria
B Waast
Original Assignee
Commissariat Energie Atomique
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat Energie Atomique filed Critical Commissariat Energie Atomique
Publication of BE768570A publication Critical patent/BE768570A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
    • H10F30/292—Bulk-effect radiation detectors, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors
    • H10F30/2925—Li-compensated PIN gamma-ray detectors
    • H10P95/00—
BE768570A 1970-06-26 1971-06-16 Procede de fabrication de detecteurs de particules a semi-conducteur a structure nip sans zone morte et detecteurs obtenusselon ledit procede BE768570A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7023817A FR2094616A5 (enExample) 1970-06-26 1970-06-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE768570A true BE768570A (fr) 1971-11-03

Family

ID=9057886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE768570A BE768570A (fr) 1970-06-26 1971-06-16 Procede de fabrication de detecteurs de particules a semi-conducteur a structure nip sans zone morte et detecteurs obtenusselon ledit procede

Country Status (7)

Country Link
BE (1) BE768570A (enExample)
CH (1) CH546412A (enExample)
DE (1) DE2131755C3 (enExample)
ES (1) ES392672A1 (enExample)
FR (1) FR2094616A5 (enExample)
GB (1) GB1320834A (enExample)
IT (1) IT939723B (enExample)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2909564C2 (de) * 1979-03-12 1981-01-08 Geraetewerk Lahr Gmbh, 7630 Lahr Einrichtung zur Schwingungsreduktion in einem Schallplattenspieler

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3413528A (en) * 1966-03-03 1968-11-26 Atomic Energy Commission Usa Lithium drifted semiconductor radiation detector
US3413529A (en) * 1966-03-08 1968-11-26 Atomic Energy Commission Usa A semiconductor detector having a lithium compensated shelf region between opposite conductivity type regions
FR1532346A (fr) * 1967-04-12 1968-07-12 Centre Nat Rech Scient Perfectionnements aux détecteurs de rayonnements nucléaires, du type diodes n-i-p

Also Published As

Publication number Publication date
ES392672A1 (es) 1975-04-16
GB1320834A (en) 1973-06-20
IT939723B (it) 1973-02-10
DE2131755C3 (de) 1975-06-12
DE2131755A1 (de) 1972-01-20
DE2131755B2 (de) 1974-10-17
CH546412A (fr) 1974-02-28
FR2094616A5 (enExample) 1972-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE764609A (fr) Article composite resine-fibres et son procede de fabrication
BE760605A (fr) Procede de fabrication de preparations pharmaceutiques
BE764977A (fr) Couches jetables et leur procede de fabrication
BE781401A (fr) Tuyaux munis de brides de raccordement et procede de fabrication
BE771372A (fr) Disque chauffant et son procede de fabrication
BE764902A (fr) Procede de separation de particules magnetisables
BE750055A (fr) Tri-montanate de glycerol et procede de fabrication
BE774720A (fr) Polyesters thermo-stabilises et leur procede de fabrication
BE768570A (fr) Procede de fabrication de detecteurs de particules a semi-conducteur a structure nip sans zone morte et detecteurs obtenusselon ledit procede
BE776149A (fr) Procede de fabrication de barreaux homogenes en matiere semi-conductrice
BE764103A (fr) Jonction josephson et son procede de fabrication
BE780421A (fr) Procede de fabrication de materiaux composites resine-fibres decarbone et materiaux fabriques par ledit procede
BE763095A (fr) Procede de fabrication de tuyaux nervures en matiere synthetique renforcee faisant prise
BE771273A (fr) Complexes d'uranium et leur procede de fabrication
BE774721A (fr) Polyesters thermo-stabilises et leur procede de fabrication
BE768847A (fr) Dosimetre a emission stimulee d'exoelectrons d'une grande sensibilite et procede pour sa fabrication
BE767624A (fr) Materiau composite, inclusions et procede de fabrication
FR1546686A (fr) Détecteur pour la localisation de particules et son procédé de fabrication
BE778158A (fr) Procede de fabrication de pieces moulees en particules et en placage debois
BE752216A (fr) Procede de fabrication de matieres synthetiques electriquement conductrices et antistatiques,
BE759218A (fr) Procede de fabrication de fils de polyacrylonitrile teints et fortementcrepes
BE751771A (fr) Ecrou indesserrable et son procede de fabrication
BE781109A (fr) Procede de preparation de petites particules
BE776970A (fr) Phenoxyalcoylamines substituees, leur procede de preparation etleurs applications
BE765566A (fr) Procede de fabrication de vetements

Legal Events

Date Code Title Description
RE Patent lapsed

Owner name: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Effective date: 19850616