IT939723B - Procedimento per la fabbricazione di rivelatori di particelle a semi conduttore a struttura nip priva di zona morta e rivelatore ottenuto con il procedimento - Google Patents

Procedimento per la fabbricazione di rivelatori di particelle a semi conduttore a struttura nip priva di zona morta e rivelatore ottenuto con il procedimento

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IT939723B
IT939723B IT69174/71A IT6917471A IT939723B IT 939723 B IT939723 B IT 939723B IT 69174/71 A IT69174/71 A IT 69174/71A IT 6917471 A IT6917471 A IT 6917471A IT 939723 B IT939723 B IT 939723B
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IT
Italy
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procedure
semi
manufacture
dead zone
conductive particle
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Application number
IT69174/71A
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English (en)
Italian (it)
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Michel Oria
B Waast
A Garin
Bonnet Nata
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Commissariat Energie Atomique
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
    • H10F30/292—Bulk-effect radiation detectors, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors
    • H10F30/2925—Li-compensated PIN gamma-ray detectors
    • H10P95/00—
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