DE2107646A1 - Vorrichtung zum Züchten von Einkristallen aus Schmelzen - Google Patents
Vorrichtung zum Züchten von Einkristallen aus SchmelzenInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 41
- 239000000155 melt Substances 0.000 title claims description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 4
- 238000010309 melting process Methods 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 29
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 241001233037 catfish Species 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052566 spinel group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000009182 swimming Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1393270A JPS4949307B1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1970-02-18 | 1970-02-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2107646A1 true DE2107646A1 (de) | 1971-10-07 |
Family
ID=11846948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19712107646 Pending DE2107646A1 (de) | 1970-02-18 | 1971-02-17 | Vorrichtung zum Züchten von Einkristallen aus Schmelzen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS4949307B1 (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (1) | DE2107646A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
GB (1) | GB1347108A (enrdf_load_stackoverflow) |
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DE102009045680A1 (de) | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Siliziumblöcken aus der Schmelze durch gerichtete Erstarrung |
EP2325354A1 (de) | 2009-11-18 | 2011-05-25 | Steremat Elektrowärme GmbH | Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren |
DE102010041061A1 (de) | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist |
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WO2023220765A1 (de) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | Ebner Industrieofenbau Gmbh | Temperiereinrichtung |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2059932B (en) * | 1979-09-20 | 1983-10-12 | Sony Corp | Solidification processes |
US4565671A (en) * | 1983-08-05 | 1986-01-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Single crystal manufacturing apparatus |
DE10102126A1 (de) | 2001-01-18 | 2002-08-22 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium |
CN115852483B (zh) * | 2023-02-27 | 2023-05-16 | 杭州天桴光电技术有限公司 | 一种制备圆饼状氟化镁晶体镀膜材料的装置和方法 |
CN115852484B (zh) * | 2023-02-27 | 2023-05-16 | 杭州天桴光电技术有限公司 | 一种高效制备氟化镁多晶光学镀膜材料的装置和方法 |
-
1970
- 1970-02-18 JP JP1393270A patent/JPS4949307B1/ja active Pending
-
1971
- 1971-02-17 DE DE19712107646 patent/DE2107646A1/de active Pending
- 1971-04-19 GB GB2207071A patent/GB1347108A/en not_active Expired
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US7179331B2 (en) | 2003-10-23 | 2007-02-20 | Crystal Growing Systems Gmbh | Crystal growing equipment |
EP2105522A3 (de) * | 2003-10-23 | 2011-11-02 | PVA TePla AG | Kristallzüchtungsanlage |
DE102007028547B4 (de) * | 2007-06-18 | 2009-10-08 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen |
DE102007028547A1 (de) | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen |
DE102007046409A1 (de) | 2007-09-24 | 2009-04-09 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen |
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DE102009045680A1 (de) | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Siliziumblöcken aus der Schmelze durch gerichtete Erstarrung |
EP2325354A1 (de) | 2009-11-18 | 2011-05-25 | Steremat Elektrowärme GmbH | Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren |
DE102009046845A1 (de) | 2009-11-18 | 2011-06-01 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren |
DE102010041061A1 (de) | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist |
WO2012038432A1 (de) | 2010-09-20 | 2012-03-29 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Kristallisationsanlage und kristallisationsverfahren zur herstellung eines blocks aus einem material, dessen schmelze elektrisch leitend ist |
WO2013135498A1 (de) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Siltronic Ag | Ringförmiger widerstandsheizer und verfahren zum zuführen von wärme zu einem kristallisierenden einkristall |
WO2023220765A1 (de) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | Ebner Industrieofenbau Gmbh | Temperiereinrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS4949307B1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1974-12-26 |
GB1347108A (en) | 1974-02-27 |
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