DE2103389A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE19712103389
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John Edward Skaneateles Moyson Joseph Union Springs NY May (V St A )
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General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
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    • H10D10/40—Vertical BJTs
    • H10D10/441—Vertical BJTs having an emitter-base junction ending at a main surface of the body and a base-collector junction ending at a lateral surface of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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