DE2049909A1 - Festkorperabtastsystern - Google Patents
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Description
Deutsche ITT Industries GmbF, C.P.Sandbank -
78 Freiburg, Hans-Bunte-Str.19 Pat.Go/Th/Wi
8. Oktober 1970
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG,
FREIBURG I.BR.
Festkörperabtastsystem %
Die Priorität der Anmeldung Nr. 51 474/69 vom 21. Oktober 1969 in Großbritannien wird in Anspruch genommen.
Die Erfindung bezieht sich auf Festkörperabtastsysteme unter Verwendung von Halbleiterelementen mit Halbleitermaterial,
welches Hochfeldinstabilitätseffekte zeigt.
Wird ein Körper aus piezoelektrischem Halbleitermaterial, beispielsweise Kadmiumsulfid, einem konstanten elektrischen
Feld oberhalb eines kritischen Wertes ausgesetzt, dann enthält der durch den Kristall fließende Gesamtstrom einen ^
Schwingungsanteil, dessen Frequenz vom Durchgang der Raum- ™
ladungsverteilung, d.h. einer Hochfelddomäne, zwischen den
Kontaktflächen des Körpers bestimmt wird. Die Hochfelddomänen werden durch akustische Verstärkungsprozesse im
Halbleitermaterial erzeugt, welche plötzliche Stromsättigungseffekte
und den Einfang der Elektronen in einer sich fortpflanzenden Domäne von großer akustischer Stärke bewirken. Von
dieser Erscheinung wurde von W.H. Haydl und C.F.Quate (Stanford
University Microwave Laboratory Report - M.L. 1403, Jan. 1966) für Kadmiumsulfid berichtet.
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Fl 649 , C.P.Sandbank 41
Die Schwingungsfrequenz ist in erster Linie durch die
Länge des Strompfades durch den Körper gegeben.
Der hier benutzte Ausdruck "Halbleitermaterial mit Hochfeldinstabilitätseffekten"
umfaßt jedes Material, das den in den vorstehenden Abschnitten beschriebenen Effekt oder
eine ähnliche Domänentransporterscheinung aufweist, die auf einem etwas unterschiedlichen Mechanismus beruhen kann.
Der Wert der angelegten Feldstärke, unterhalb der ein spontanes Selbstschwingen nicht auftritt, wird als Schwellwert
bezeichnet. Wird der Wert des stationären elektrischen Feldes an irgendeinem Punkt innerhalb des Körpers aufgrund
der Wirkung eines Eingangssignals während einer kürzeren Zeit als die Laufzeit der Instabilität (die durch die Länge
des Körpers und die Geschwindigkeit der sich fortpflanzenden Hochfelddomäne gegeben ist) zwischen den zwei Flächenkontakten,
an die das Feld angelegt wird, über den Schwellwert gebracht, dann wird der von der äußeren Quelle der
Potentialdifferenz durch den Kö sr bewirkte Stromfluß einen
einzelnen Ausschlag über den ohmschen Stromwert erleiden, so daß sich ein leistungsverstärkter Ausgangsimpuls ergibt. Der
ohmsche Stromwert wird als der Stromwert bezeichnet, bei dem die Elektronen sich im Zustand bei niedriger Feistärke befinden.
Um den im vorigen Abschnitt beschriebenen Einzelimpulsbetrieb zu erhalten, muß der Stationärwert des angelegten
Feldes, das vermöge eines Eingangssignales während einer kürzeren Zeit als die Laufzeit der Instabilität über den
Schwellwert gebracht wurde, einen unteren Schwellwert überschreiten,
der experimentell bei vorgegebenem Material als
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Fl 649 C.P.Sandbank
charakteristisch zwischen 50 % und 75 % des Schwellwertes liegend ermittelt wurde. Der Stationärwert des Feldes kann
ununterbrochen oder zur Verminderung der Gesamtverlustleistung im Bauelement impulsförmig angelegt werden.
Die Erfindung betrifft ein Festkörperabtastsystem mit einem
Halbleiterkörper, der aus einem Material mit Hochfeldinstabilitätseffekten besteht und in dem eine sich fortpflanzende
Hochfelddomäne erzeugt ist. Erfindungsgemäß zeichnet sich dieses Festkörpersystern durch eine Vorrichtung
zur Beobachtung der durch die sich fortpflanzende Hochfelddomäne bewirkten Störungen des Reliefprofils der Halbleiteroberfläche
aus.
Der Halbleiterkörper besteht vorzugsweise aus einem piezoelektrischen
Halbleiter, beispielsweise Kadmiumsulfid (CdS), ZnO oder anderen Il-VI-Verbindungen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert in der
die Fig. 1 schematisch ein Halbleiterelement und
die Fig. 2 schematisch ein Festkörperabtastsystem nach der Erfindung zeigen.
Das aktive Halbleiterelement nach der Fig. 1, beispielsweise
aus einem piezoelektrischen Halbleitermaterial wie Kadmiumsulfid, besteht aus einem parallelflächigen Körper 1 mit
an seinen Endflächen befestigten Flächenkontakten 2. Zum Anlegen einer Potentialdifferenz von einstellbarem Wert an
die Flächenkontakte 2 wird eine in der Zeichnung nicht gezeigte einseitig gerichtete Stromquelle verwendet. Zur Ab-
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leitung irgendeiner Schwingungskomponente des durch den Körper 1 fließenden Stromes würde sich der Ausgangskreis
anschließen.
Die in obigen Abschnitten beschriebene Erscheinung äußert sich durch das Auftreten einer Schwingungskomponente des
durch den Körper 1 fließenden Stromes in dem in der Zeichnung nicht dargestellten Ausgangskreis, sobald die von der einseitig
gerichteten Stromquelle über den Kristall angelegte Potentialdifferenz einen kritischen Wert überschreitet. Die
Eigenschwingfrequenz steht unmittelbar mit der Länge L (typisch ist 1 cm für Cd.S) des Körpers 1 in Beziehung und liegt in
der Größenordnung von 0,2 MHz.
In der Praxis ist die zwischen die Flächenkontakte 2 angelegte Potentialdifferenz im allgemeinen ein experimentell
ermittelter Bruchteil der zum Hervorrufen eines Selbstschwingens erforderlichen und wird derartig gewählt, daß
eine mittels einer äußeren Quelle überlagerte oszillierende Schwingungsform oder ein Steuerimpuls den Körper 1 kurzzeitig
während jeder Periode der Eingangsfrequenz zum Selbstschwingen bringt; der Spitzenwert der oszillierenden Signalspannung
hebt, mit anderen Worten ausgedrückt, das elektrische Feld innerhalb des Kristalls gerade ausreichend
über den Schwellwert an. Bei diesen Bedingungen wurde gefunden, daß jede Ansteuerung des Körpers 1, durch die Spitze
eines Steuerimpulses 3 beispielsweise, einen scharfen Stromimpuls 4 ergibt, welcher der Potentialquelle im Ausgangskreis
auftretende Leistung entzieht. Somit wird eine an das Element angelegte oszillierende Schwingungsform einen
entsprechenden Zug von am Ausgang auftretenden scharfen Stromimpulsen
ergeben. Unter der Voraussetzung, daß die Eigen-
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schwingungsfrequenz niemals Überschritten wird, ist die
Wirkungsweise des Elementes im wesentlichen frequenzunabhängig. Die vom Element verfügbare Ausgangsleistung hängt
von der zulässigen Verlustleistung innerhalb des Körpers ab. Die Ausgangsleistung kann einige Watt betragen; aufgrund
des relativ geringen Wirkungsgrades wird damit aber eine relativ hohe Verlustleistung im Körper verbunden sein.
Das Steuerpotential kann zur Verminderung der Dauerverlustleistung impulsförmig angelegt werden.
Das Halbleiterelement gemäß der Fig. 1 kann auch derartig betrieben werden, daß an die Flächenkontakte eine größer
als der Schwellwert betragende Potentialdifferenz angelegt wird, wodurch ein Selbstschwingen bewirkt wird. Bei dieser
Betriebsart würde das Element eine ununterbrochene Reihe von Ausgangsimpulsen abgeben, ohne daß eine weitere äußere Ansteuerung
erforderlich ist.
Wird das Halbleiterelement übersteuert, so erscheint der Hauptteil der den Wert der zur Auslösung einer Hochfelddomäne
erforderlichen Spannung, d.h. die den Schwellwert des Elements überschreitende Spannung, an der Hochfelddomäne,
Sind beispielsweise 100 Volt zur Auslösung einer Hochfelddomäne im Element erforderlich und wird eine
mittlere Spannung von etwa 150 Volt an das Element angelegt, dann erscheinen davon etwa 80 Volt an der Hochfelddomäne.
Wird nun den 150 Volt eine Modulation von +10 Volt überlagert, so würde sich die Hochfelddomänenspannung während
der Fortpflanzung der Hochfelddomäne längs des Elementes zwischen 70 und 90 Volt ebenso wie das über das Element
gemessene Ausgangssignal um den gleichen oder proportionalen Betrag ändern. Es wäre zu bemerken, daß die Hochfelddomäne
einiges der überschüssigen Spannung bis zum Erreichen des
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Fl 649 C.P.Sandbank
Punktes des Auftretens einer Stoßionisation aufnimmt, falls das Bauelement beispielsweise auf den drei- oder vierfachen
Wert der Schwellspannung übersteuert wird. Die Stoßionisation
begrenzt das Ausbreiten der Hochfeldzone, womit die zusätzliche Vorspannung oder äußere Potentialquellspannung von der
Masse des Halbleitermaterials außerhalb der Hochfelddomäne aufgenommen wird, was zur Bildung einer weiteren Domäne
führen würde. Es ist somit ersichtlich, daß eine Grenze im Hinblick auf die Amplitude der Modulationsspannung existiert.
Bei piezoelektrischen Halbleitermaterialien, beispielsweise Kadmiumsulfid, ist der mit der Auslösung einer Hochfelddomäne
verbundene starke Phononenfluß derart, daß er die Störung der Oberflächen des Halbleitermaterials während der
Fortpflanzung entsprechend einem mit dem Spannungsabfall über die Hochfelddomäne in Beziehung stehenden Betrag bewirkt.
Diese Modulation des Spannungsabfalls an der Hochfelddomäne während der Fortpflanzung würde sich um den
gleichen oder dazu proportionalen Betrag als Beeinflussung des Reliefprofils der Störungen ^ußern.
Die Möglichkeit der Modulation des Spannungsabfalls an einer Hochfelddomäne und entsprechender Modulation des Reliefprofils
der Störungen kann bei verschiedenen Anwendungen und insbesondere bei einem Festkörperabtastsystem nach der
Erfindung ausgenutzt werden.
Das Festkörperabtastsystem nach der Erfindung, welches schematisch
in Fig. 2 der Zeichnung dargestellt ist, macht von einer Schlierenoptik zur Beobachtung des Reliefprofils der
Störungen Verwendung.
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Fl 649 · C.P.Sandbank
Gemäß der Fig. 2 wird von einer Lichtquelle 5 herrührendes Licht durch eine bikonvexe Linse 6 auf einen Satz jalousieartig
angeordneter Spiegelstreifen 7 geworfen. Jeder der Spiegelstreifen 7 läßt einen Lichtstreifen auf die Oberfläche
4 des Körpers 1 fallen. Ist die Oberfläche 4 völlig flach, d.h. bei Fehlen einer sich fortpflanzenden Hochfelddomäne,
so wird der abstrahlende Lichtstreifen zurück auf den entsprechenden Spiegelstreifen geworfen, so daß
kein Licht durch die freien Zwischenräume der jalousieartig angeordneten Streifen fä-llt. Unter diesen Bedingungen wird
daher kein Licht auf den Bildschirm 9 über die in der Zeichnung durch eine bikonvexe Linse 8 angedeuteten Projektionseinrichtung
der Anordnung geworfen. Zumindest teilweise wird jedoch durch die freien Zwischenräume der jalousieartig
angeordneten Streifen jeder der Lichtstreifen gelassen, der von unebenen Teilen der Oberfläche 4, d.h. welche durch
das Vorhandensein einer Hochfelddomäne gestört sind, abstrahlt. Dadurch werden zumindest teilweise jene Lichtstreifen als
Raster einer Helligkeitsinformation auf dem Schirm 9 zumindest teilweise abgebildet. Die zwischen den jalousieartig angeordneten
Streifen durchtretende L'ichtmenge hängt von der Anordnung
der Jalousiestreifen zur Oberfläche 4 und dem Ausmaß
ab, in dem die Oberfläche 4 beim Einfall der von den Streifen 7 herrührenden Lichtstreifen gestört ist.
In der Praxis werden daher die Breite der Streifen 7, die Abstände
zwischen den Streifen 7 und die Anordnung der Streifen 7 zur Oberfläche 4 derartig bemessen, daß für eine maximal
mögliche Störung der Oberfläche 4 ein entsprechend der Störung abstrahlender Lichtstreifen um einen solchen Betrag abgelenkt
wird, daß der gesamte Lichtstreifen durch einen freien Zwischenraum der Streifenjalousie durchtritt und bei einer
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ι
minimalen Störung, d.h. bei einer im wesentlichen ebenen Oberfläche 4, kein Licht durch die Zwischenräume der jalousieartig angeordneten Streifen fällt. Der durch die jalousieartig angeordneten Streifen fallende und auf dem Schirm 9 abgebildete Betrag jedes Lichtstreifens steht daher unmittelbar mit dem Ausmaß der Störung jenes Teiles der Fläche 4 in Beziehung, von dem -er abstrahlt.
minimalen Störung, d.h. bei einer im wesentlichen ebenen Oberfläche 4, kein Licht durch die Zwischenräume der jalousieartig angeordneten Streifen fällt. Der durch die jalousieartig angeordneten Streifen fallende und auf dem Schirm 9 abgebildete Betrag jedes Lichtstreifens steht daher unmittelbar mit dem Ausmaß der Störung jenes Teiles der Fläche 4 in Beziehung, von dem -er abstrahlt.
Der Körper 1 kann auch relativ zu den jalousieartig angeordneten Streifen 7 geneigt winklig in solcher Weise angeordnet
werden, daß für minimale Störungen der entsprechende Lichtstreifen durch einen freien Zwischenraum der Jalousiestreifen
fällt und bei maximaler Störung kein Licht durch die freien Zwischenräume fällt.
Bei konstantem Spannungsabfall über die Hochfelddomäne wird somit im Betrieb eine sich zwischen den Flächenkontakten
2 im Körper 1 fortpflanzende Hochfelddomäne entlang der Fläche 4 ein Reliefprofil ergeben, welches sich normal ändert,
was den gleichen Betrag für jeden der durch die jalousieartig angeordneten Streifen und auf dem Schirm 9 abgebildeten
Lichtstreifen ergibt.
Zur Auslösung einer Hochfelddomäne kann das elektrische Feld Innerhalb des Körpers 1 über den Schwellwert gebracht werden,
indem entweder an die Flächenkontakte 2 ununterbrochen eine den Schwellwert übersteigende Potentialdifferenz oder indem
eine einen Bruchteil der zum Selbstschwingen erforderlichen Potentialdifferenz angelegt wird, der dann ein Triggerimpuls
zur Überschreitung des Schwellwertes aufgeprägt wird.
Wie im vorstehenden Abschnitt erläutert, wird die Modulation
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Pl 649 C.P.Sandbank
des Spannungsabfalls an der Hochfelddomäne während der Fortpflanzung, beispielsweise durch ein Videosignal, eine
Beeinflussung des Reliefprofils der Störungen an der Oberfläche 4 entsprechend dem gleichen oder proportionalen Betrag
ergeben. Das Raster der auf dem Schirm 9 abgebildeten Helligkeitsinformation wird demnach ebenfalls um den gleichen
oder proportionalen Betrag moduliert und daher das modulierende Videosignal verkörpern.
Die Betriebsart des Halbleiterelements, d.h. ob die Potentialdifferenz
an die Flächenkontakte 2 ununterbrochen ι oder impulsweise angelegt wird, hängt von den Synchroni- '
sationsbedingungen zwischen der Laufzeit der Hochfelddomäne
und dem Betrag des Eingangssignals des Hochfelddomänenmodulationssignals ab.
Wird beispielsweise die Potentialdifferenz an die Flächenkontakte 2 ununterbrochen angelegt, dann wird eine weitere
Hochfelddomäne ausgelöst, wenn die Hochfelddomäne die gesamte Länge des Körpers 1 durchmessen hat. In diesem Augenblick
wird die Disposition des Systems derart sein, daß das nächste Modulationssignal an das Halbleiterelement angelegt
wird.
Es gibt verschiedene Möglichkeiten, wie die Oberflächenstörungen gesteigert werden können, falls es erwünscht ist,
eine größere Ablenkung der Lichtstrelfen zu erhalten. Beispielsweise
kann die Oberfläche mit einem Material hoher Kopplungskonstanten versehen werden, wie Lithiumniobat (LiNbO3),
um eine größere Deformation bei vorgegebener Feldspannung zu erhalten.
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Fl649 C.O.Sandbank
Es mag auch erwünscht sein, eine gewisse Speicherung beim Abtastprozeß, beispielsweise auf ein Bild oderv,
einer Zeile, einzuführen. Dies kann durch einen flüssigen oder plastischen Film auf der Oberfläche 4 erreicht werden.
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Claims (7)
- C.P.Sandbank 41PATENTANSPRÜCHE(Ii Festkörperabtastsystem mit einem Halbleiterkörper, ■ der aus einem Halbleitermaterial mit Hochfeldinstabilitätseffekten besteht und in dem eine sich fortpflanzende Hochfelddomäne erzeugt ist, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zur Beobachtung der durch die sich fortpflanzende Hochfelddomäne bewirkten Störungen des Reliefprofils der Halbleiteroberfläche.
- 2. Festkörperabtastsystem nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Modulation des Spannungsabfalls an der sich fortpflanzenden Hochfelddomäne.
- 3. Festkörperabtastsystem nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine Schlierenoptik als Beobachtungsvorrichtung zur Abbildung eines Rasters von Helligkeitsinformationen.
- 4. Festkörperabtastsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3# dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Schicht aus einem Material angeordnet ist, welche die Oberflächenstörungen verstärkt.
- 5. Festkörperabtastsystem nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper mit einer Oberflächenschicht versehen ist, welche die Oberflächenstörungen speichert.
- 6. Festkörperabtastsystem nach Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus piezoelektrischem Halbleitermaterial besteht.10982971561 _ 12 _Fl 649 C.P.Sandbank
- 7. Festkörperabtastsystem nach Ansprüchen 1 bis 6, gekennzeichnet durch jalousieartig angeordnete Spiegelstreifen (7), welche das von einer Lichtquelle (5) herrührende Licht auf die Oberfläche (4) reflektieren, als Schlierenoptik zur Abbildung eines Raster von Helligkeitsinformationen.10982971561
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