DE3789295T2

DE3789295T2 - Optische Vorrichtung.

Info

Publication number: DE3789295T2
Application number: DE3789295T
Authority: DE
Inventors: Hiroaki Inoue; Toshio Katsuyama; Hiroyoshi Matsumura; Hitoshi Nakamura; Shinji Sakano
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-01-19
Filing date: 1987-12-29
Publication date: 1994-06-16
Anticipated expiration: 2007-12-30
Also published as: EP0275554A3; US4900134A; DE3789295D1; EP0275554A2; EP0275554B1; JPS63177109A

Description

1. Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit der Funktion des Modulierens der Amplitude, Phase oder Frequenz von Lichtquellen oder des Schaltens optischer Pfade.
Spezieller betrifft sie optische Vorrichtungen, bei denen Modulationen mit Licht (Steuerlicht) hervorgerufen werden, was Hochgeschwindigkeitsbetrieb erlaubt. Zu derartigen verbesserten optischen Vorrichtungen gehören z. B. Vorrichtungen, die als optischer Modulator, als optischer Schalter, als optische bistabile Vorrichtung, als optische logische Vorrichtung und als optische Speichervorrichtung bezeichnet werden. Insbesondere betrifft die Erfindung optische Vorrichtungen, die gut für Anwendungen bei optischen Nachrichtenübertragungs- und optischen Informationsverarbeitungssystemen geeignet sind, bei denen Informationsverarbeitungsfähigkeiten für hohe Geschwindigkeit und große Kapazität erforderlich sind.

2. Beschreibung des zugehörigen Standes der Technik

Als optische Vorrichtung zum Modulieren von Licht war bisher z. B. das bekannt, was in WO-84/03363 (die die Merkmale offenbart, wie sie sich im ersten Teil von Anspruch 1 finden) und in Applied Physics Letters, Vol. 45 (1), 1. Juli 1984, Seite 13 bis Seite 15 (Miller et al) beschrieben ist. Wie in Fig. 1 dargestellt, ist sie so aufgebaut, daß bewirkt wird, daß einfallendes Licht 17 in eine Vorrichtung eintritt, die aus einer dreischichtig gestapelten Struktur vom p (11)-, i (13)- und n (12)-Typ mit einem Mehrfachquantentrog (MQW = multiple quantum well) 14 aus GaAs/GaAlAs gebildet ist, und daß das einfallende Licht 17 durch eine elektrisches Feld moduliert wird, das durch eine externe elektrische Signalquelle 16 angelegt wird, um dadurch Ausgangslicht 18 zu erhalten. Beim Stand der Technik wird die Vorrichtung elektrisch betrieben. Dies führt zu der Schwierigkeit, daß die Modulationsgeschwindigkeit der Vorrichtung auf das Produkt aus einem Lastwiderstand 15 und der Kapazität zwischen den (nicht dargestellten) Elektroden begrenzt ist, d. h. durch eine CR-Zeitkonstante. Es war schwierig, eine solche Vorrichtung für Hochgeschwindigkeitsmodulation zu verwenden.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist eine Aufgabe der Erfindung, das Problem beim Stand der Technik zu lösen und eine Vorrichtung anzugeben, die dazu in der Lage ist, ein Eingangssignal mit hoher Geschwindigkeit zu modulieren.
Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, die Modulationsgrenze zu verbessern, die durch eine CR-Zeitkonstante bestimmt ist.
Noch eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Modulationssignal zu verwenden, das sich von einem elektrischen Signal unterscheidet, das durch eine externe Versorgungsquelle für ein elektrisches Signal angelegt wird.
Diese Aufgaben werden durch die in Anspruch 1 dargelegte Vorrichtung gelöst.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist eine Darstellung zum Erläutern einer Vorrichtung aus dem Stand der Technik;
Fig. 2 ist eine Darstellung zum Erläutern eines Ausführungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 3 ist eine Darstellung zum Erläutern eines anderen Ausführungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 4 ist eine Darstellung zum Erläutern noch eines anderen Ausführungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 5A ist ein Diagramm zum Erläutern der Betriebsweise eines Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung, und sie zeigt die Änderung der Intensität von Steuerlicht über der Zeit;
Fig. 5A und 5C sind Diagramme zum Erläutern der Betriebsweisen von Ausführungsbeispielen gemäß der Erfindung, und sie zeigen die Änderungen der Intensitäten modulierten Ausgangslichts über der Zeit;
Fig. 6 und 7 sind Darstellungen, die weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung zeigen;
Fig. 8A und 8B sind Darstellungen zum Erläutern eines optischen Schalters, der ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist; und
Fig. 9 ist ein Diagramm zum Erläutern der Betriebsweise eines Ausführungsbeispiels der Erfindung.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEI- SPIELE

Bei der Erfindung wird dafür gesorgt, daß Steuerlicht in ein Material eintritt, das einen optischen Gleichrichtereffekt zeigt, z. B. in einen Verbindungshalbleiter der Gruppen III- V, und es wird Gleichstrompolarisierung (D.C.P. = direct current polarization) verwendet, wie sie im Material durch das Steuerlicht hervorgerufen wird. Genauer gesagt, ist es das Merkmal der Erfindung, die Änderung des Brechungsindex oder des Absorbtionsspektrums des Materials auf Grundlage eines elektrooptischen Effekts oder des Franz-Keldysh-Effekts zu nutzen, wie er durch die D.C.P. hervorgerufen wird.
Bei der Erfindung muß das Steuer(oder Modulier)licht angelegt werden, wie oben ausgeführt, und demgemäß ist eine Steuerlichteinfallfläche erforderlich. Dies erfordert jedoch nicht immer eine spezielle Struktur für die Erfindung. Dasselbe gilt für eine Einfallfläche und eine Ausgangsfläche, wie sie jeweils einfallendem Licht und Ausgangslicht entsprechen, was für jedes Ausführungsbeispiel der Erfindung zu beschreiben ist. Beispielsweise können diese Flächen als Öffnungen ausgebildet sein, oder sie sind möglicherweise alternativ als nichtreflektierende Beschichtungsflächen ausgebildet. In einem Extremfall ist keine solche Struktur vorhanden.
Der optische Gleichrichtereffekt ist ein Phänomen, bei dem die D.C.P. innerhalb eines Kristalls aus z. B. einem Verbindungshalbleiter der Gruppen III-V durch Licht hervorgerufen wird. Es ist dies ein quadratisches, nichtlineares optisches Phänomen. Beispielsweise wird, wenn Lichtquellen mit einer Winkelfrequenz ω in einen Kristall eintreten, der den elektrooptischen Effekt zeigt, eine Polarisation P auf Grundlage des elektrischen Felds des Lichts durch das quadratische, nichtlineare optische Phänomen in der folgenden Form hervorgerufen:
P α sin² ωt = (1/2) (1 - cos 2ωt) (1)
Der erste Term im hinteren Klammerausdruck auf der rechten Seite von Gleichung (1) ist die D.C.P.-Komponente, die den optischen Gleichrichtereffekt ausdrückt. Diese D.C.P. wird bei der Erfindung tatsächlich verwendet. (Der zweite Term bezeichnet die Polarisation, die zur höheren harmonischen Komponente zweiter Ordnung beiträgt, die mit der Winkelfrequenz 2ω schwingt).
Die Größe der D.C.P. ist proportional zum Quadrat der Intensität des einfallenden Lichts. Daneben liegt die Ansprechrate für die Ausbildung dieser Polarisation im allgemeinen in der Größenordnung von Picosekunden, und das Ansprechverhalten ist sehr hoch.
Silizium (Si), Verbindungshalbleiter der Gruppen III-V, wie GaAs und InP, Materialien eines ternären Systems wie InGaAs und InAlAs, Materialien eines quartären Systems wie InGaAsP, Verbindungshalbleiter der Gruppen II-VI wie ZnTe, ZnS, ZnSe, CdTe, CdS und CdSe sowie dielektrische Materialien wie LiNbO&sub3;, KDP, ADP und ATP rufen den elektrooptischen Effekt und den Franz-Keldysh-Effekt auf Grundlage der in ihnen erzeugten elektrischen Felder hervor. Diese Phänomene erscheinen als Änderungen der Brechungsindizes der Materialien und als Änderungen der Absorptionsspektren derselben. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Phänomene durch von außen angelegtes Licht hervorgerufen werden. Genauer gesagt, werden die vorstehend genannten Effekte dadurch hervorgerufen, daß elektrische Felder auf Grundlage der D.C.P. verwendet werden, die innerhalb der Materialien durch das extern angelegte Licht hervorgerufen wird, um dadurch optische Vorrichtungen wie einen optischen Schalter vom Totalreflexionstyp und einen optischen Modulator unter Verwendung der Indexänderungen zu realisieren.
Da die optischen Vorrichtungen gemäß der Erfindung Licht als Modulationseinrichtung verwenden, können sie Eingangssignale mit hoher Geschwindigkeit modulieren und schalten, ohne durch eine CR-Zeitkonstante begrenzt zu sein.
Ferner bringen bei Verwendung eines Materials mit Mehrfachquantentrog(MQW)-Struktur die oben angegebenen physikalischen Phänomene große Änderungen der physikalischen Größen in Synergie mit einem MQW hervor.
Übrigens sollte die Wellenlänge des einfallenden Lichts wünschenswerterweise dicht bei der Absorbtionswellenlänge der Exzitonen des Materials liegen, das den optischen Gleichrichtereffekt zeigt (d. h., bei einer Wellenlänge nahe dem Absorptionsende des Materials), um die Modulation wirkungsvoller zu gestalten. Das Steuerlicht weist eine Wellenlänge größer als die Absorptionswellenlänge der Exzitonen auf, damit es nicht im Material absorbiert wird. Außerdem muß bei längerer Wellenlänge des Steuerlichts die Intensität desselben höher sein, um einen festgelegten Modulationseffekt zu erzielen.
In Fällen, in denen Materialien, die den optischen Gleichrichtereffekt zeigen, zur Verwendung bei der Erfindung auf Vorrichtungen angewandt werden, können die Dicken der Filme solche nach Wunsch sein. Im allgemeinen werden die Dicken einige mm oder weniger betragen.
Die Abmessungen jeder Vorrichtung werden abhängig von der Verwendung und dem Zweck derselben bestimmt. Jedoch sollte dann, wenn das Material eine MQW-Schicht bildet, die Dicke jeder der die MQW-Schicht bildenden Schichten wünschenswerterweise 200 oder weniger betragen. Dank der gestapelten Schichtstruktur der darunterliegenden Schichten läßt sich der quantenmechanische Effekt leicht erzielen.
Nun werden die bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung im einzelnen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.

Ausführungsbeispiel 1

Wie in Fig. 2 dargestellt, wurde ein quadratisches Plättchen 21 von 5 mm·5 mm mit einer Dicke von 0,1 mm aus einem GaAs-Einkristall ausgeschnitten und auf einen Träger 22 geklebt, um eine optische Vorrichtung zu bilden. Es wurde dafür gesorgt, daß einfallendes Licht 23 von einer Lichtquelle 26 mit einer Wellenlänge von 1,3 um sowie Steuerlicht 25 von einer Lichtquelle 27 mit einer Wellenlänge von 1,06 um, das mit einer Wiederholfrequenz von 50 MHz aufleuchtete, in die Oberfläche der optischen Vorrichtung eintraten. Dann wurde das einfallende Licht 23 durch das Steuerlicht 25 moduliert und von der entgegengesetzten Fläche als Ausgangslicht 24 emittiert, dessen Phase mit 50 MHz moduliert war.

Ausführungsbeispiel 2

Wie in Fig. 3 dargestellt, wurde mit demselben Verfahren wie beim Ausführungsbeispiel 1 ein rechteckiges Plättchen 31 von 5 mm·6 mm mit einer Dicke von 0,15 mm aus einem InP-Kristall ausgeschnitten und es wurde auf einen Träger 32 geklebt, um eine optische Vorrichtung zu bilden. Es wurde dafür gesorgt, daß Signallicht 23 von einer Signalquelle 36 in eine Oberfläche der optischen Vorrichtung eintrat, und es wurde dafür gesorgt, daß Steuerlicht 35 von einer Lichtquelle 37 in eine andere Fläche eintrat. Dann wurde das vom Steuerlicht 35 modulierte einfallende Licht 23 als Ausgangslicht 34 von einer Fläche entgegengesetzt zur Einfallfläche emittiert.

Ausführungsbeispiel 3

Es wird auf Fig. 4 Bezug genommen.
Eine n+-Ga0,6Al0,4As-Schicht 43, eine undotierte Ga0,6Al0,4 As-Schicht 42, eine undotierte GaAs/Ga0,6Al0,4As-MQW-Schicht 41, eine andere undotierte Ga0,6Al0,4As-Schicht 42 und eine p+-Ga0,6Al0,4As-Schicht 44 wurden aufeinanderfolgend unter Verwendung von MOCVD (metal-organic chemical vapor deposition = metallorganische, chemische Abscheidung aus der Dampfphase) kristallmäß auf ein n+-GaAs-Substrat 45 aufgewachsen. Anschließend wurden die aufgewachsenen Schichten 41, 42, 43 und 44 unter Verwendung von Trockenätzung entfernt, wobei quadratische Teile von 2 mm·2 mm zurückgelassen wurden. Zusätzlich wurde ein kreisförmiges Fenster 46 mit einem Durchmesser von 1 mm in demjenigen Teil des Substrats direkt unter den quadratischen Schichtteilen unter Verwendung selektiver Ätzung ausgebildet, wodurch erlaubt wurde, daß einfallende Lichtquellen 47 als Ausgangslichtquellen 48 austreten konnten.
Die MQW-Schicht 41 wurde so hergestellt, daß sie aus 50 Paaren von Schichten bestand, von denen jede eine Dicke von 100 Å aufwies. Im allgemeinen sollte jede Schicht wünschenswerterweise eine Dicke von höchstens 200 Å aufweisen.
Jede der anderen Schichten kann ungefähr 0,5 bis 1 um dick sein.
Es wurde dafür gesorgt, daß ein Halbleiterlaserstrahl mit einer Wellenlänge von 0,852 um, entsprechend der Spitzenwertwellenlänge der Absorption der MQW-Schicht 41 in die hergestellte Vorrichtung als einfallende Lichtstrahlen 47 eintrat. Ferner wurde Licht von einem modensynchronen YAG- Laser 50 mit einer Wellenlänge von 1,06 um, einer Impulsbreite von 100 psec und einer Wiederholfrequenz von 82 MHz (das Licht hatte die in Fig. 5A dargestellte Signalform, mit einer Spitzenwertleistung von 1 MW) als Steuerlichtquellen 49 verwendet, und es wurde dafür gesorgt, daß es in Überlagerung mit den einfallenden Lichtquellen 47 eintrat. Dann waren die Ausgangslichtquellen 48 mit der Wellenlänge von 0,852 um moduliert, wie dies in Fig. 5C dargestellt ist. Dies auf Grundlage der Tatsache, daß ein elektrisches Feld innerhalb der Kristalle durch D.C. (direkt current = Gleichstrom)-Polarisierung hervorgerufen wurde, die der modensynchrone YAG-Laserstrahl erzeugte, und daß die Wellenlänge für das Absorptionsende durch den Franz-Keldysh-Effekt verschoben wurde. Die Signalformen in den Fig. 5A und 5B wurden auf solche Weise erhalten, daß die Steuerlichtquelle 49 und die Ausgangslichtquellen 48 jeweils mit einer Blitzkamera mit einer zeitlichen Auflösung von 10 ps beobachtet wurden. Herbei wurde keine auffallende Ansprechverzögerung beobachtet, und das Merkmal hoher Geschwindigkeit bei der Erfindung konnte bestätigt werden.
Ferner wird eine optische Bistabilität, wie sie in Fig. 9 dargestellt ist, in Verbindung mit dem vorliegenden Ausführungsbeispiel zwischen der optischen Intensität (Fig. 5A) des Steuerlichts 49 oder 40 und der optischen Intensität (Fig. 5C) des Ausgangslichts 48 realisiert. Dies auf Grundlage der Tatsache, daß, da die exzitonische Absorptionssignalspitze des MQW steil ist, die Absorptionscharakteristik sich plötzlich bei einer Nichtlinearität der durch das elektrische Feld hervorgerufenen D.C.-Polarisierung verändert. Anders gesagt, konnte bestätigt werden, daß die Erfindung auch auf eine optisch bistabile Vorrichtung für optische logische Operationen und auf eine optische Speichervorrichtung anwendbar ist.
Ähnliche Wirkungen konnten selbst dann bestätigt werden, wenn dafür gesorgt wurde, daß das Steuerlicht (49) seitlich eintritt, wie in Fig. 3 dargestellt, also nicht von der Oberseite der optischen Vorrichtung, wie in Fig. 2 dargestellt.
Es wird angenommen, daß die zwei Außenflächen der Halbleiterschichten 43 und 44 als Spiegel wirken, wodurch eine Art Hohlraumresonator gebildet wird. Dann können offensichtlich beide Fläche gut mit weiteren Schichten ausgebildet werden, um die Reflexionskoeffizienten derselben beim vorliegenden Ausführungsbeispiel zu verändern.

Ausführungsbeispiel 4

Dieses Ausführungsbeispiel wird unter Bezugnahme auf die Fig. 8A und 8B beschrieben.
Zunächst wurden, wie dies in Fig. 8A dargestellt ist, aus n-GaAs-Schichten hergestellte optische Wellenleiter 82 und 83 auf einem n&spplus;-GaAs-Substrat 81 durch wohlbekanntes Epitaxiewachstum ausgebildet. Danach wurde ein Bereich 84 für den optischen Gleichrichtereffekt, der Teil des optischen Wellenleiters 82 ist, durch Trockenätzen entfernt. Anschließend wurden dieselben Halbleiterschichten, wie beim Ausführungsbeispiel 3 aufgezeigt, ausgebildet. Dadurch wurde eine optische Vorrichtung fertiggestellt. Fig. 8B ist ein Querschnitt entlang A-A' in Fig. 8A.
Es wurde dafür gesorgt, daß (nicht dargestelltes) Signallicht mit einer Wellenlänge von 1,3 um in das Eintrittsende 85 der optischen Vorrichtung eintrat, und es wurde (nicht dargestelltes) Steuerlicht einer Wellenlänge von 0,85 um auf den Bereich 84 gestrahlt. Dann wurde Ausgangslicht vom Austrittsende 86 der Vorrichtung emittiert, ohne daß das aufgestrahlte Steuerlicht vom Austrittsende 87 emittiert wurde, und optisches Schalten wurde verifiziert.
Übrigens konnten die obigen Ausführungsbeispiele der Erfindung selbst dann betrieben werden, wenn die Kristallmaterialien durch Si und InGaAsP ersetzt wurden.

Ausführungsbeispiel 5

Wie in Fig. 6 dargestellt, war das vorliegende Ausführungsbeispiel dergestalt, daß der Aufbau des Ausführungsbeispiels 3 (Fig. 4) zusätzlich mit einer p-seitigen Elektrode 61 und einer n-seitigen Elektrode 62 versehen wurde, die jeweils Lichtdurchlaßöffnungen aufwiesen. Eine Spannung von 10 V wurde durch eine Spannungsquelle 63 zwischen die Elektroden gelegt, um eine p-n-Polung in Sperrichtung zu erzielen. Dann wurden Effekte ähnlich denen beim Ausführungsbeispiel 3 erzielt. Selbstverständlich können die Elektroden 61 und 62 gut lichtdurchlässige Elektroden sein. In diesem Fall ist die Öffnung in der Elektrode 61 nicht erforderlich.

Ausführungsbeispiel 6

Das vorliegende Ausführungsbeispiel wies einen Aufbau ähnlich demjenigen von Ausführungsbeispiel 3 (Fig. 4) auf, bei dem jedoch die p&spplus;-GaAlAs-Schicht 44 und die n&spplus;-GaAlAs- Schicht 43 jeweils durch undotierte GaAlAs-Schichten 71 ersetzt wurden, und die obere und die untere Seite der Probe wurde jeweils mit dielektrischen Mehrschichtfilmen 72 als Reflexionsbeschichtungen versehen. Die Einzelheiten des Aufbaus sind in Fig. 7 dargestellt. Wenn dafür gesorgt wurde, daß dasselbe einfallende Licht und dasselbe Steuerlicht wie beim Ausführungsbeispiel 3 in die hergestellte Vorrichtung eintraten, wurde eine optische, bistabile Charakteristik erzielt, wie sie in Fig. 5B dargestellt ist. Dies auf Grundlage der Tatsache, daß ein elektrisches Feld innerhalb der Kristalle durch die im MQW hervorgerufene D.C.-Polarisierung erzeugt wurde und daß sich der Brechungsindex im MQW für die einfallenden Lichtquellen aufgrund des Franz-Keldysh-Effekts änderte. D.h., daß bestätigt werden konnte, daß eine optisch bistabile Vorrichtung mit hoher Geschwindigkeit auch mit dem vorliegenden Ausführungsbeispiel realisierbar ist.
Wenn bei allen insoweit beschriebenen Ausführungsbeispielen der Erfindung die Polarisationsrichtung des Steuerlichts geändert wurde, wurden merkliche Polarisationsabhängigkeiten beobachtet. Insbesondere dann, wenn die Polarisationsrichtung der Steuerlichtquellen im wesentlichen unter 45º zu einer Kristallachse stand, wurden die größten Wirkungen erzielt, und wenn sie parallel zur Kristallachse lag, wurden die geringsten Wirkungen erzielt. So konnte bestätigt werden, daß die Wirkungen der Erfindung auf dem quadratischen, nichtlinearen optischen Effekt beruhen.
Die bei den Ausführungsbeispielen verwendeten Materialien sind nicht beschränkend, sondern alle oben erwähnten Materialien sind für die Erfindung benutzbar.

Claims

1. Optische Vorrichtung mit:

- einer Trägereinrichtung (22; 45; 81); und

- einer Moduliereinrichtung (21; 42-44; 84), die von der Trägereinrichtung (22; 45; 81) getragen wird und ein optisches Gleichrichtermaterial aufweist;

- einer ersten Lichtquelle (26) zum Ausgeben von Licht (23; 47) an die Moduliereinrichtung (21; 41-44; 84) zur Modulation durch dieselbe; und

- einer zweiten Lichtquelle (27; 50) zum Ausgeben von Steuerlicht (25; 49) an die Moduliereinrichtung (21; 41-44; 84);

dadurch gekennzeichnet, daß das Steuerlicht (25; 49) eine Wellenlänge aufweist, die länger ist als diejenige, die der exzitonischen Absorption des optischen Gleichrichtermaterials entspricht, um das Material zu polarisieren.

2. Optische Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit:

- einem ersten optischen Wellenleiter (82, 85), der auf der Trägereinrichtung (81) ausgebildet ist;

- einem zweiten optischen Wellenleiter (82, 86), der mit dem ersten optischen Wellenleiter (82, 85) gekoppelt ist; und

- einem dritten optischen Wellenleiter (83, 87), der mit dem ersten optischen Wellenleiter (82, 85) gekoppelt ist;

- wobei die Moduliereinrichtung (84) zwischen dem ersten optischen Wellenleiter (82, 85) und dem zweiten optischen Wellenleiter (82, 86) angeordnet ist.

3. Optische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei der das optische Gleichrichtermaterial aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Verbindungshalbleitern der Gruppen II-VI besteht.

4. Optische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei der das optische Gleichrichtermaterial aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Verbindungshalbleitern der Gruppen III-V besteht.

5. Optische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei der das optische Gleichrichtermaterial aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Si, InGaAs, InAlAs, LiNbO&sub3;, KDP, ADP und ATP besteht.

6. Optische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei der die Moduliereinrichtung (41-44) eine Mehrfachquantentrogstruktur (41) beinhaltet.

7. Optische Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die Mehrfachquantentrogstruktur (41) aus GaAs und GaALAs besteht.