DE2037589C3 - Verfahren zum Herstellen eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines Sperrschicht-FeldeffekttransistorsInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2037589A DE2037589C3 (de) | 1970-07-29 | 1970-07-29 | Verfahren zum Herstellen eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors |
| AU29576/71A AU453966B2 (en) | 1970-07-29 | 1971-07-19 | Shortstoppers free radiacal polymerization of vinylidene monomers |
| FR7127514A FR2099653B1 (OSRAM) | 1970-07-29 | 1971-07-27 | |
| US00166667A US3813291A (en) | 1970-07-29 | 1971-07-28 | Method of manufacturing a barrier layer field-effect transistor |
| GB3553271A GB1321503A (en) | 1970-07-29 | 1971-07-28 | Method for manufacturing a barrier-layer field-effect transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2037589A DE2037589C3 (de) | 1970-07-29 | 1970-07-29 | Verfahren zum Herstellen eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2037589A1 DE2037589A1 (de) | 1972-02-10 |
| DE2037589B2 DE2037589B2 (de) | 1973-07-12 |
| DE2037589C3 true DE2037589C3 (de) | 1974-02-21 |
Family
ID=5778224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2037589A Expired DE2037589C3 (de) | 1970-07-29 | 1970-07-29 | Verfahren zum Herstellen eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3813291A (OSRAM) |
| AU (1) | AU453966B2 (OSRAM) |
| DE (1) | DE2037589C3 (OSRAM) |
| FR (1) | FR2099653B1 (OSRAM) |
| GB (1) | GB1321503A (OSRAM) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3941630A (en) * | 1974-04-29 | 1976-03-02 | Rca Corporation | Method of fabricating a charged couple radiation sensing device |
| IT1041193B (it) * | 1975-08-08 | 1980-01-10 | Selenia Ind Elettroniche | Perfezionamenti nei procedimenti per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttor |
| DE2824026A1 (de) * | 1978-06-01 | 1979-12-20 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen eines sperrschicht-feldeffekttransistors |
-
1970
- 1970-07-29 DE DE2037589A patent/DE2037589C3/de not_active Expired
-
1971
- 1971-07-19 AU AU29576/71A patent/AU453966B2/en not_active Expired
- 1971-07-27 FR FR7127514A patent/FR2099653B1/fr not_active Expired
- 1971-07-28 US US00166667A patent/US3813291A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-07-28 GB GB3553271A patent/GB1321503A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2037589A1 (de) | 1972-02-10 |
| FR2099653A1 (OSRAM) | 1972-03-17 |
| GB1321503A (en) | 1973-06-27 |
| US3813291A (en) | 1974-05-28 |
| AU453966B2 (en) | 1974-10-17 |
| FR2099653B1 (OSRAM) | 1974-04-26 |
| AU3137271A (en) | 1973-01-25 |
| DE2037589B2 (de) | 1973-07-12 |
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