DE2034520A1 - Lichtstrahlgesteuerter Spannungsteiler - Google Patents
Lichtstrahlgesteuerter SpannungsteilerInfo
- Publication number
- DE2034520A1 DE2034520A1 DE19702034520 DE2034520A DE2034520A1 DE 2034520 A1 DE2034520 A1 DE 2034520A1 DE 19702034520 DE19702034520 DE 19702034520 DE 2034520 A DE2034520 A DE 2034520A DE 2034520 A1 DE2034520 A1 DE 2034520A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- light beam
- voltage divider
- light
- differential amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C10/00—Adjustable resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
- Lichtstrahlgesteuerter Spannungsteiler nic Erfindung bezieht sich auf ein Bauelement, das ein von der Lage eines Lichtstrahls abhängiges elektrisches Signal abgibt.
- Ein ähnliches Bauelement ist als "laterales Fotoelement" bekannt (Veröffentlichung von Dr. Ing, Rudolf Rost t in ELEKTRONIK 1967 Heft 4 S. 105 bis S. 107). Dieses laterale @otoelement t hat jedoch den nachteil, daß das Ausgangssignal nicht nur von der Lage, sondern auch von der Helligkeit und vom Querschnitt des Lichtstrahls abhängig ist. Vor allem seinc I,incarität ist von der Gestalt und Größe des Lichtstrahlquerschnitts abhängig.
- @ür viele Anwendungsfälle, vor allem in der Meß- und Regelungstechnik,wird ein Bauelement benötigt, das möglichst unabhängig von der Helligkeit und geometrischen Form des Lichtstrahls ein Signal abgibt, clas nur von der lage des Lichtstrahls l)cstilnmt wird.
- Ein solches Bauelement besteht erfindungsgemäß aus einer langgestreckten lichtempfindlichen Widerstandsschicht, die isolier@ auf einem elektrischen Leiter aufgebracht ist und an ihren Enden mit Anschlußkontakten versehen ist. Trifft an irgend einer Stelle ein Lichtstrahl auf die lichtempfindliche Schicht, so wird an dieser S telle die Isolation zwischen beiden Scliichtc n aufgehoben; d.h. die Widerstandsschicht wird dadurch in zwei Teilwiderstände zerlegt und der Tcilungspunkt mit der leitenale Schicht verbunden.
- Fig. 1 zeigt die Aus führungsmögl ichkeit eines lichtstrahlgesteuerten Spannungsteilers auf Halbleiterbasis.
- Fig. 2 zeigt eine Anordnung zur Lagebestimmung des Lichtpunktes in einer Ebene.
- Die Schicht R zwischen den Kontakticrungen 1 und 2 in Fi. 1 ist niedrig dotiert und hat einen bestimmten ohmschen Widerstand R.
- Dieser Schicht R liegt eine hochdotierte Schicht 3 gegenüber; sie hat einen kleinen ohmschen Widerstand und wird als elektrischer Leiter verwendet. Die beiden Schichten R und @ sind über die Spannungsquelle Uo in Sperrichtung vorgespannt und damit elektrisch getrennt.
- Wie Fig. 1 zeigt, ist das lichtempfindliche Bauteil 4 in eincr Brückenschaltung angeordnet. Um sicher zu sperren, muß die Brtickenspanmlng U1 kleiner sein als die Vorspannung U@.
- Trifft ein Lichtstrahl 5 des parallel gerichteten Lichtbandes 6 durch die Steueröffnung 7 des Signalbandes 8 in P auf den lichtelektrischen Spannungsteiler 4, so wird an der Auftreffstelle die Sperrwirkung aufgehoben und es findet ein Elektronenaustausch statt. Der Widerstand R wird also im Punkt P in zwei Teilwiderstände aufgeteilt und mit der leitenden Schicht 3 verbunden.
- Wird das Signalband S in Längsrichtung V bewegt, so erhält man eine Brückenspannung S, die proportional der Lage der Steueröffnung 7 ist.
- Helligkeitsschwankungen des Lichtstrahls 5 wirken sich so lauge nicht auf das Ausgangssignal S aus, wie die Sperrwirkung il.
- Auf treffpunkt r aufgehoben wird Ebenso bleiben symmetrische Querschnittsveränderungen des Lichtstrahls ohne Einfluß auf das Ausgangssignal.
- In Figur 2 wird gezeigt, wie mit hilfe einer flächig aufgebrach ten, lichtempfindlichen Schicht die Lage eines Lichtpunktes in einer Ebene bestimmt werden kann. Es gilt sinngemäß fiir die Funktion dieser Ausführung das gleiche wie bei Figur 1, wenn auch hier der Lichtstrahl erst die Widerstandsschicht @ durchdringen muß, um zur Sperrschicht zu gelangen.
Claims (3)
- Pa tenta ns prüchedurch die Stellung eines Lichtflecks bestimmt ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem elektrischen Leiter eine langgestreckte lichtempfindliche Schicht aufgebracht ist, welche ihrerseits mit cincr Widerstandsschicht bedeckt ist, die an ihren Enden mit Anschlußkontakten verschen ist.
- 2. Anordnung zur Erzeugung eines Steuersignals aus der relativen Stellung eines Lichtflecks auf einem Spannungsteiler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an die Enden der Widerstandsschicht eine Serienschaltung zweier iclerstande angeschlossen ist, an deren Verbindungspunkt ein eingang eines Differenzverstärkers liegt, während der andere Eingang des Differenzverstärkers Über eine Spannungsquelle iiit der gutleitenden Schicht verbunden ist, und daß am Ausgang des Differenzverstärkers ein dem Abstand des Lichtflecks auf dem lichtempfindlichen halbleiter von einem Bezugspunkt proportionales Signal abgenommen wird.
- 3. Elektrischer Spannungsteiler nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht flächig aufgebracht ist und der Lichtstrahl erst die mehrfach kontaktiert Widerstandsschicht R durchdringen muß, um zur Sperrschicht zu gelangen.L e e r s e i t e
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19702034520 DE2034520A1 (de) | 1970-07-11 | 1970-07-11 | Lichtstrahlgesteuerter Spannungsteiler |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19702034520 DE2034520A1 (de) | 1970-07-11 | 1970-07-11 | Lichtstrahlgesteuerter Spannungsteiler |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2034520A1 true DE2034520A1 (de) | 1972-02-03 |
Family
ID=5776513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702034520 Pending DE2034520A1 (de) | 1970-07-11 | 1970-07-11 | Lichtstrahlgesteuerter Spannungsteiler |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2034520A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0309631A1 (de) * | 1987-09-28 | 1989-04-05 | KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO also known as Kobe Steel Ltd. | Vorrichtung und Verfahren zum Feststellen der Richtung von einfallendem Licht |
-
1970
- 1970-07-11 DE DE19702034520 patent/DE2034520A1/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0309631A1 (de) * | 1987-09-28 | 1989-04-05 | KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO also known as Kobe Steel Ltd. | Vorrichtung und Verfahren zum Feststellen der Richtung von einfallendem Licht |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4015597C2 (de) | Fotosensorschaltung zum Erfassen von einfallendem Licht | |
DE3332463C2 (de) | ||
DE2806858C2 (de) | ||
DE3635137C2 (de) | ||
DE2131167B2 (de) | Isolierschicht-Feldeffekttransistor mit als Schutzdiode wirkendem PN-Übergang | |
DE3638641C2 (de) | ||
EP0142614A1 (de) | Schaltung mit Magnetfeldsensor zum Messen eines Magnetfeldes | |
DE2034520A1 (de) | Lichtstrahlgesteuerter Spannungsteiler | |
DE1764455B2 (de) | Monolithisch integrierte Darlington-Transistorschaltung | |
DE4017992A1 (de) | Transistor mit strommessfunktion | |
EP0704902B1 (de) | Verwendung eines Leistungshalbleiterbauelements mit monolithisch integrierter Sensoranordnung | |
DE2646277C2 (de) | Strombegrenzerschaltung | |
DE3604120C2 (de) | ||
DE1808406B2 (de) | Strahlungsdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2352541C3 (de) | Kontaktloser Schalter | |
DE3211257C2 (de) | ||
DE2651813C3 (de) | Schaltungsanordnung mit einem Operationsverstärker zur schwellenlosen Einweggleichrichtung einer Wechselspannung | |
DE2024997A1 (de) | Einrichtung zur Erfassung von magne tischen Feldern | |
DE4413481C2 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
DE2139528C3 (de) | Photo-MOS-Anordnung und daraus gebildete Matrix | |
DE3605018C2 (de) | ||
EP0010125A1 (de) | Integriertes Hall-Bauelement | |
DE2359143A1 (de) | Verfahren zum linearisieren der signale eines fotodetektors | |
DE2325552C3 (de) | Zweipolige monolithisch integrierte Schaltung mit Z-Diodenkennlinie | |
DE2416444C3 (de) | Belichtungssteuerungsschaltung |