DE2030367C3 - Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch aus einer A tief III B tief V -Verbindung gewachsenen Schicht - Google Patents

Description

Lichtkommunikationssystemen, Lichtcomputern und 30 Festkörperbildwandlern befaßt, werden lichtemittie-

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur rende Dioden mit negativem Widerstand verwendet. Herstellung einer epitaktisch auf einer einkristallinen Diese sind im allgemeinen aus Halbleitermaterialien, Unterlage aus einer A_mB_v-Verbindung gewachsenen die einen hohen Energieabstand der Leitfähigkeits-Schicht aus einer ebensolchen A_mB_v-Verbindung, bänder aufweisen, in Form von Mehrschichtenstrukdie einen pn-übergang enthält, durch Abkühlen einer 35 türen, wie etwa Drei-Schichten-Strukturen und Vierauf die Unterlage aufgebrachten, schmelzflüssigen Schichten-Strukturen hergestellt. Beim herkömm-Lösung aus der A_inB_v-Verbindung, einem Dotierstoff liehen Verfahren aus der flüssigen Phase kann man aus Silicium, Germanium oder Zinn und einem Lö- jedoch bestenfalls zwei Schichten aufwachsen lassen, sungsmittel. während die Herstellung von Mehrschichtenstruktu-

Ein derartiges Verfahren ist bereits bekannt. Die 40 ren schwierig ist. Für den Fall der Herstellung eines Epitaxie aus der flüssigen Phase wird z. B. bei der Vier-Schichten-Elements ist es nötig, mindestens zwei Herstellung von Silicium dotierten lichtemittierenden Wachstumsoperationen vorzunehmen, wodurch der GaAs-Dioden angewendet. Zur Herstellung derarti- Prozeß sehr schwierig wird. Für praktische Zwecke ist ger Dioden wird ein elektrischer Ofen mit einem die Herstellung einer lichtemittiorenden Diode nega-Quarz- oder Graphitschiffchen verwendet. An einem 45 tiven Widerstandes von dem Mehr-Schichtentyp nicht Ende des Schiffchens wird eine GaAs-Scheibe ange- möglich, da die Wachstumsschichten extrem dünne ordnet und am anderen Ende Gallium als Lösungs- Schichten sind und diese Schichten während der £wei» mittel, ein GaAs-Vorrat und das Silicium eingebracht. ten Operation dem Einfluß hoher Temperatur ausge-Wenn die Temperatur einen vorbestimmten Wert er- setzt sind.

reicht hat, wird der Ofen gekippt, und die Schmelze 50 Femer können mit dem Herstellungsprozeß aus kommt in Kontakt mit der Scheibe. Die vorgeschrie- der flüssigen Phase theoretisch GaAs-Transistoren bene Temperatur wird dann über einige Minuten hergestellt werden; die erhaltenen Transistoren sind aufrechterhalten. Anschließend erfolgt Abkühlung jedoch auf den pnp-Typ begrenzt. In einem npnmit einer vorbestimmten Temperaturabnahme- Transistor ist die Beweglichkeit der als Ladungsträger geschwindigkeit. Es ist allgemein bekannt, daß 55 dienenden Elektronen größer als die der Löcher. Das Elemente der IV. Gruppe als amphotere Dotierstoffe bedeutet, daß die npn-Transistoren ausgezeichnete für halbleitende A_mB_v-Verbindungen wirken und Eigenschaften bei hohen Frequenzen aufweisen. Die während des epitaktischen Wachstums aus der flüs- Herstellung solcher npn-Transistoren mit dem hersigen Phase bei einer bestimmten Temperatur, die im kömnilichen Verfahren des epitaxialen Wachstums folgenden als Übergangstemperatur bezeichnet wird, 60 aus der flüssigen Phase ist jedoch nicht möglich,
von einem Donatorverhalten zu einem Akzeptor- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, das

verhalten übergehen. Im Falle von siliciumdotiertem Verfahren der eingangs genannten Art so auszubil-GaAs neigt Silicium bei hohem Arsendampfdruck den, uaß zwecks Bildung von pn-Übergängen in beihohe Temperatur) dazu, die Gitterplätze des GaIH- liebiger Reihenfolge p-Schichten und η-Schichten erciums einzunehmen, so daß eine η-Schicht aufwächst, 65 halten werden können.

und bei niedrigem Arsendampfdruck (niedrige Tem- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge-

peratur) neigt das Silicium zum Einnehmen der löst, daß während des Abkühlens die Temperaturab-Arsen-Gitterplätze, so daß eine p-Schicht aufwächst. nahmegeschwindigke.t je nach Art des gewünschten

katfähigkeitstyps der Schicht geändert wird, und temperatur in Abhängigkeit von der Temperaturab- ^war innerhalb emes Bereiches von 0,1 bis zu 10° C/ nahmegeschwindigkeit variiert. Das bedeutet, daß der min, wobei sie zur Bildung der p-Schicht klein und Arsen-Dampfdruck nicht nur durch die Temperatur Bildung dern-Schicht groß gehalten wird. tür, sondern auch durch die Temperaturgeschwindig-

Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung· werden nach- 5 keit gesteuert werden kann.

stehend an Hand der Zeichnungen näher beschrieben; Fig. 2 zeigt die Abhängigkeit zwischen der Tem-

jfl diesen zeigt peraturabnahmegeschwindigkeit Vc und der Über-

F i g. 1 eine schematische Darstellung einer Appa- gangstemperatur Tc. Folgende Versuchsbedingungen ratur nt Ausführung des erfindungsgemäßen Ver- wurden eingehalten:
!ahrens, « lüg Gallium-Losung, 2,6 bis 3,2 g GaAs,

Fig. 2 em Diagramm, in dem die experimentell 20±0,5 mg Silicium-Dotierung und Kristallebene erhaltenen Werte der Übergangstemperatur in Ab- (111)^4. Auf Grund dieser Experimente wurde empi-Jjängigkeit von der Temperaturabnahmegeschwindig- risch folgende Formel gewonnen:
keit auf getragen sind, /,,cc imw „ί«\

Fig.3 einProgramm des Temperaturablaufs im ,₅ i'c = exp (115,5 · W/Tc-94,56).

Ofen für zwei Beispiele, Es wurde festgestellt, daß die in F i g. 2 gezeigten

Fig. 4 eine schematische Darstellung der mit HiUe Verhältnisse von verschiedenen Faktoren, wie etwa der in F i g. 3 gezeigten Verfahrensschritte erzeugten der Substratkristallebene, die als Wachstumsfläche Schichten, verwendet wird, von der Menge des Dotiermittels, der

Fig. 5 ein Programm des Temperaturablaufs im 20 Temperarurverteilung im Ofen und anderen Faktoren Ofen für ein anderes Beispiel, abhängen und die Funktion in einem bestimmten

F i g. 6 das Programm des Temperaturablaufs im Temperaturabnahinegeschwindigkeitsbereich, d. h. in Ofen für ein weiteres Beispiel, dem Bereich von 0,1 bis 10°C/min, eine fallende

Fig. 7 eine schematische Darstellung der nach Tendenz aufweist, wie es in Fig. 2 zu sehen ist Dardem Verfahren in F i g. 6 gewachsenen Schichten, 25 aus ist auch ersichtlich, daß bei kleiner Temperatur-

F i g. 8 ein Programm des Temperaturablaufs im abnahmegeschwindigkeit eine Schicht vom p-Typ und Ofen eines anderen Ausführungsbeispiels, bei hoher Temperaturabnahmegeschwindigkeit eine

F i g. 9 eine schematische Darstellung der nach den Schicht vom η-Typ wächst. Bei gleichbleibende! Verfahrensschritten in Fig. 8 gewachsenen Schich- Temperaturabnahmegeschwindigkeit wächst zuersi ten. 30 eine Schicht vom η-Typ und dann eine solche von

In F i g. 1 ist ein Ofen gezeigt, wie er für das Auf- p-Typ.

wachsen von η-Typ- und p-Typ-Halbleiterschichten Dies eigenartige Phänomen kann durch die fol·

verwendet wird. Gallium dient als Lösungsmittel für gende theoretische Erklärung verstanden werden:
die Materialien. Eine Schmelze 11 aus Gallium, GaAs- Es ist bekannt, daß Gitterleerstellen von Galliurr

Ausgangsmaterial und Silicium-Dotierungsmaterial 35 und Arsen häufig in GaAs-Gittern, die aus der flüs wird für die Züchtung der epitaktischen GaAs- kigen Phase epitaktisch gewachsen sind, auftreten Schichten vom p-Typ und η-Typ verwendet. Die Die Tendenz des Siliciums, die Galliumplätze odei Schmelze 11 ist an einem Ende eines Graphitschiff- Arsenplätze im Gats-Gitter einzunehmen, hängt voi chens 12 angeordnet und das GaAs-Subslrat 13 am der Arsen-Konzentration in der Zwischenfläche zwi anderen Ende. Die Leitfähigkeit des Substrats 13 kann 40 sehen flüssiger und fester Phase während des Wachs entweder vom p-Typ oder vom η-Typ sein, oder das tumsprozesses der festen Phase ab. Vergleicht mai Substrat besitzt seine Eigenleitfähigkeit. Der rohr- nun den Fall größerer Temperaturabnahmegeschwin förmige Ofen 14 ist um einen Winkel zur Horizon- digkeit(Kc) mit dem Fall kleiner Temperaturabnah talen geneigt., so daß die Schmelze 11 und das Sub- megeschwindigkeit, so ergibt sich, je höher die Tem stratl3 auseinandergehalten werden. Um den rohr- 45 peraturabnahmegeschwindigkeit(Vc) ist, desto größe förmigen Ofen 14 ist eine Heizwendel 15 angeordnet. ist der Grad der Übersättigung und desto höher di< Damit um die Scheibe 13 und die Schmelzeil eine Arsen-Konzentration der Zwischenfläche zwischei nichtoxydierende Atmosphäre aufrechterhalten bleibt, flüssiger und fester Phase. Die Konzentration voi wird durch den Ofen 14 reiner Wasserstoff 16 gelei- Arsen-Leerstellen in der wachsenden Schicht nimm tet. 50 deshalb mit zunehmender Ternperaturabnahmege

Erreicht der Ofen beim Aufheizen die vorbe- schwindigkeit ab.

stimmte Temperatur, wird er entgegengesetzt zur ur- Es bestehen die folgenden Beziehungen:

spriinglichen Richtung geneigt, so daß die Schmelze _ς; , _[νΑς, _^ rc:_A<;i

über das GaAs-Substrat hinwegfließt. Die vorbe- ^j T. vGal =ί TSiGaI

stimmte Temperatur wird dann für einige Minuten 55 κ;aJi/rvAd —*ifi* q;

aiifrpchtpi-hnlt<»n 15IAS]Z[VASJ — Λ.4 0131

auirecmernaixen. iSiGal/fVGa] — K 2 α Si

Beim Abkühlungsprozeß wird das in der Gallium-

Schmelze gelöste GaAs aus der Schmelze wieder aus- mit [VAs] als der Konzentration der Arsen-Leerstel

geschieden, wobei das epitaktische Wachstum auf len, [VGa] der Konzentration der Gallium-Leerstel dem Substrat eintritt. Wenn Silicium als amphotere 60 len, [SiAs] der Silicium-Konzentration in den Arsen

Beimengung verwendet wird, wächst bei hoher Tem- Gitterslellen, [SiGa] der Silicium-Konzentration ii

peratur eine Schicht vom η-Typ und bei einer Tem- Gallium-Gitterstellen, Kl, Kl als den chemische!

peratur unterhalb der Übergangstemperatur eine Gleichgewichtskonstanten und α Si als der Silicium

Schicht vom p-Typ. Konzentration in der Gallium-Schmelze.

Während verschiedener Experimente zur Klärung 65 Diese Bedingungen haben zur Folge, daß bei hohe

der Bedingungen des epitaxialen Wachstums aus der Temperaturabnahmegeschwindigkeit eine n-Schich

flüssigen Phase, bei denen Silicium als Donator oder wächst und bei kleiner Temperaturabnahmegeschwin

Akzeptor dient, wurde gefunden, daß die Übergangs- digkeit eine p-Schicht sich bildet.

Zur Durchführung des Verfahrens sind in dem in laufs zur Herstellung einer mehrschichtigen HaIb-F i g. 1 gezeigten Ofen Vorrichtungen zur Variierung leiteranordnung. Wie aus F i g. 2 entnommen werden der Temperaturabnahmegeschwindigkeit nötig. Ein kann, ist es möglich, eine mehrschichtige Halbleiter-Thermoelement 17 ist an der Seitenwand des Graphit- anordnung durch Wiederholen des Ansteigens und Schiffchens 12 angeordnet, so daß es die tatsächliche 5 Abfallens der Temperaturabnahmegeschwindigkeit Temperatur im Ofen mißt. Die Ausgangsspannung während eines einzigen Wachstumsprozesses zu erdes Thermoelements 17 wird als Anzeigesignal zur halten. Dieselben Operationen können wiederholt Veränderung der Temperaturabnahmegeschwindig- werden, bis die Gallium-Schmelze erstarrt,
keit verwendet. Weiter dienen Referenzeingangs- Ein vielschichtiger Halbleiter des npnp.. .-Typs

signale 18 zur Übermittlung eines vorbestimmten io kann auf diese Weise durch Wiederholung derselben Temperaturprogramms. Der Stromregler 19 ist mit Operationen erhalten werden, indem jeweils die Temder Heizspirale 15 verbunden, und die Anzeigesignale peraturabnahmegeschwindigkeit abwechselnd 1O⁰C/ vom Thermoelement 17 und die Referenzeingangs- min und 0,1° C/min beträgt. Bei Experimenten signale 18 werden dem Stromregler 19 zugeführt. Der konnten 13schichtige Halbleiter erhalten werden. Es der Heizspirale 15 zugeführte Strom wird ent- 15 soll betont werden, daß eine vielschichtige Halbleitersprechend der Differenz zwischen der Ist-Temperatur anordnung durch Verwendung eines einzigen Dotier- und der programmierten Soll-Temperatur gesteuert. stoffes und allein durch Änderungen der Abkühlungs-Die Ist-Temperatur des Ofens folgt der programmier- geschwindigkeit erhalten werden kann,
ten Soll-Temperatur, und die Temperaturabnahme- Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung

geschwindigkeit ändert sich entsprechend dem vor- ao einer lichtemittierenden Diode des pnpn-Typs mit bestimmten Programm. negativem Widerstand beschrieben. F i g. 6 zeigt das

Die Erfindung beruht auf den obigen Erkennt- Programm des Temperaturverlaufs zur Herstellung nissen und besteht hauptsächlich in dem Verfahren dieser Diode. Zur Dotierung wird nur Silicium verzur Herstellung von pn-Ubergängen, bei dem eine wendet. Die drei p-n-p-Schichten werden auf einem Schicht vom η-Typ und p-Typ durch epitaktisches 25 Substrat vom η-Typ in einem einzigen Prozeß durch Wachsen aus der flüssigen Phase durch Änderung der epitaktisches Wachser, aus der flüssigen Phase er-Temperaturabnahmegeschwindigkeit sich bilden. Die zeugt. In diesem Fall dient ein GaAs-Einkristall 31 p-Schicht und die η-Schicht können wahlweise in be- mit einer Elektronenkonzentration von 6 · 10"/cm³ liebiger Reihenfolge auf dem GaAs-Substrat wach- als Substrat. Die aus 10 g Gallium, 3 g GaAs und sen. 30 20 mg Silicium bestehende Schmelze bedeckt die

Fig. 3 zeigt das Programm eines Temperaturab- Fläche(111)/! des Einkristalls. Die Abkühlung erlaufes im Ofen zur Herstellung einer Anordnung mit folgt dann entsprechend dem Temperaturzyklus in einder p-und einer η-Schicht. Diese Figur zeigt zwei Fig. 6. Die Temperaturen betragen bei Π Arten der Programmierung der Ofentemperatur, die =960° C, r2 = 958°C, T3 = 954°C, und die durch die Kurven (A) und (B) bezeichnet sind. In 35 Temperaturabnahmegeschwindigkeiten betragen Vl beiden Verfahren wächst die Ofentemperatur auf eine = 0,2° C/min, Vl = 10° C/min und VZ = 0,2° C/ maximale Temperatur von 960° C mit Hilfe der min. In dem ersten Bereich wächst eine Schicht 32 Heizwendel 15 an. Diese Temperatur wird dann über des p-Typs mit einer Dicke von etwa 5 μ, im zweiten einige Minuten aufrechterhalten. Während dieser Bereich eine Schicht 33 des η-Typs mit einer Dicke Periode fließt durch Neigen des Ofens 14 zum Zeit- 40 von etwa 5 μ und im letzten Bereich eine Schicht 34 punktfl die Gallium-Schmelze 11 über das Substrat des p-Typs mit einer Dicke von etwa 150 bis 180 μ. 13. Zum Zeitpunkt ti beginnt die Abkühlung des Fig. 7 zeigt schematisch die nach dem obigen VerOfens 14. Entsprechend dem durch die Kurve (A) fahren gewachsenen Schichten. Auf das Substrat 31 dargestellten ersten Verfahren ist die Temperatur- vom η-Typ und auf die dritte gewachsene Schicht 34 abnähme im Ofen gering und beträgt 0,2° C/min. 45 werden Kontakte durch Aufbringen von Elektroden-Gleichzeitig wächst zuerst eine Schicht vom p-Typ material aufgebracht

auf dem Substrat. Zum Zeitpunkt 13 ändert sich die Die siliciumdotierten lichtemittierenden GaAs-

Abkühlungsgeschwindigkeit und nimmtauf 10°C/min Dioden negativen Widerstandes, die nach dem zu. Dann wächst eine Schicht vom η-Typ auf der erfindungsgemäßen Verfahren erzeugt werden, weisen Schicht vom p-Typ. Entsprechend dem zweiten, mit 50 eine ausgezeichnete Quantenausbeute der Lichtemisder Kurve (B) angedeuteten Verfahren wird die Tem- sion auf, die etwa zehnmal so groß ist wie bei herperatur zuerst mit einer höheren Geschwindigkeit kömmlichen Dioden. Entsprechend arbeiten diese von 10° C/min erniedrigt und zum Zeitpunkt 14 mit Dioden auch bei Zimmertemperatur. Weiter ist die einer niedrigeren Geschwindigkeit von 0,2° C/min. Dicke der ersten und zweiten gewachsenen Schicht In diesem Fall wächst zuerst eine Schicht vom n-Typ 55 etwa 1 bis 40 μ und ist identisch mit der Diffusionsund dann eine solche vom p^Typ. länge der Minoritätsträger im GaAs. Mit Hilfe des Fig. 4 zeigt die Halbleiteranordnungen mit den obigen Verfahrens läßt sich befriedigend erreichen, in Fi g. 3 gezeigten Verfahren gewachsenen Schich- daß die Dicke der Materialschichten gleich der DiSuten. Teil (A) zeigt einen Querschnitt durch eine Halb- sionslänge ist, so daß die Dioden negative Widerleiteranordnung, die nach dem durch die Kurve (A) 60 Standscharakteristiken haben.

in Fig. 3 gezeigten Verfahren erzeugt wurde, und Das obige Verfahren kann direkt zur Herstellung

Teil (B) zeigt eine Halbleiteranordnung, die gemäß von npn-GaAs-Transistoren angewendet werden. Es Kurve (B) in Fig. 3 erhalten wurde. Die höhere ist nur nötig, die zweite Temperaturabnahmege-Temperaturabnahmegeschwindigkeit bewirkt die BiI- schwindigkeit V 2 nach dem Wechsel beizubehalten, dung der n-Schicht 21 auf der Halbleiterplatte 22 und 65 Damit wird es möglich, npn-Transistoren mit guter die niedrigere Temperaturabnahmegeschwindigkeit Hochfrequenzeigenschaften zu erzeugen,
das Wachstum der Schicht 23 vom p-Typ. Im Fall der Herstellung lichtemittierender Dioder

Fig. 5 zeigt das Programm des Temperaturver- ohne negative Widerstandscharakteristik ist es mög

Hch, daß eine Schicht vom η-Typ und eine vom p-Typ auf einer Platte wächst. Fig. 8(A) zeigt ein Programm eines Temperaturverlaufs, in dem ein einfacher Temperaturanstieg zur Herstellung einer lüchtemittierenden Diode eines solchen Typs dargestellt ist. Bei der Durchführung treten jedoch bei der Temperatursteuerung unerwartete Ergebnisse auf.

Der tatsächliche Temperaturverlauf im Ofen hat eine nach rechts abfallende Tendenz, auch wenn die maximale Temperatur aufrechterhalten wird. Das heißt, daß die Temperatur mit einer extrem kleinen Temperaturabnahmegeschwindigkeit abnimmt. Deshalb bildet sich eine Schicht vom p-Typ, was aus der Funktion in F i g. 2 zu verstehen ist. Das ist jedoch bei der Herstellung von solchen Dioden, die sich von den lichtemittierenden Dioden mit negativem Widerstand unterscheiden, nicht erwünscht. Dieser Nachteil kann durch Anwendung der in F i g. 2 gezeigten Beziehungen und durch Temperatursteuerung des Ofens gemäß dem Programm in F i g. 8 (B) vermieden werden. Der Ofen wird bis auf eine maximale Temperatur, etwa 960° C, aufgeheizt, und die Gallium-Schmelze fließt über das Substrat. Dann wird die Ofentemperatur um einige Grad weiter erhöht und dann extrem schnell, etwa um 30° C/min, verringc .t. Bei dieser großen Temperaturabnahmegeschwindigkeit kann keine Schicht vom p-Typ wachsen. Verringert sich dann die Temperaturabnahmegeschwindigkeit auf etwa 0,3° C/min, dann wächst zuerst eine Schicht vom η-Typ und dann eine selche vom p-Typ. In Fig. 9 ist schematisch eine solche Halbleiteranordnung mit nach dem obigen Verfahren gewachsenen Schichten gezeigt. Das Substrat 41 ist vom n-Typ, die erste gewachsene Schicht 42 ebenfalls vom n-Typ und die zweite gewachsene Schicht 43 vom p-Typ. Eine solche Diode hat eine hohe Lichtemissionsausbeute am pn-übergang zwischen den gewachsenen Schichten 42 und 43.

Andere Halbleiter der Komponenten der Gruppe A_m-B_v außer GaAs sind GaP, InP, GaSb, GaN. AlSb, AlAs, (GaAs)Al, Ga(AsP) und (GaAl)P, unc weitere amphotere Dotierstoffe außer Silicium sine

ao Germanium und Zinn.

Die Erfindung kann zur Herstellung von pn-Über gangen mit den obigen Halbleitermaterialien unc Dotierstoffen verwendet werden.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

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Claims (2)

1. Bei dem obigen Temperaturvorgang wird das Gallium

   Patentansprüche: arsenid in der Schmelze gelöst und beim Abkühlung»

   prozeß wieder ausgeschieden. Bei hoher Temperatu

   I. Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch wächst dabei auf dem GaAs-Substrat eine n-Schich auf einer einkristallinen Unterlage aus einer 5 auf, und bei weiterer Abkühlung unter die Über AmBy-Verbindung gewachsenen Schicht aus gangstemperatur wächst Galliumarsenid vom p-Tyj einer ebensolchen AmBy-Verbindung, die einen auf, so daß ein pn-übergang entsteht
   pn-übergang enthält, durch Abkühlen einer auf Bei dem herkömmlichen Verfahren der Epitaxif

   di& Unterlage aufgebrachten schmelzflüssigen Lö- aus der flüssigen Phase war also der Arsendampf sung aus der AyjBy-Verbindung, einem Dotier- io druck für den Leitfähigkeitstyp der aufwachsender stoff aus Silicium, Germanium oder Zinn und Schichten maßgebend. Die Dotierungsart des GaI-einem Lösungsmittel, dadurch gekeen- liumarsenids bei Verwendung von Silicium wurdt zeichnet, daß während des Abkühlens die allem als von der Temperatur abhängig betrachtet Temperaturabnahmegeschwindigkeit je nach Art und die Abkühlung von einer vorgegebenen Tempedes gewünschten Leitfähigkeitstyps der Schicht 15 ratur fand mit gleichmäßiger Geschwindigkeit statt geändert wird, und zwar innerhalb eines Berei- Die Übergangstejnperatur wurde dabei als festei ches von 0,1 bis zu 10^oC/min, wobei sie zur BiI- Wert betrachtet Bezüglich des Leitfähigkeitstyps dei dung der p-Schicht klein und zur Bildung der gewachsenen Schichten wurde davon ausgegangen. η-Schicht groß gehalten wird. daß nur ein Übergang vom η-Typ zum p-Typ, ab«
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- ao kein Übergang vom p-Typ zum η-Typ während des kennzeichnet, daß zwecks Herstellung einer mehr- Abkühlungsprozesses möglich sei. Obwohl mit dem schichtigen Halbleiteranordnung während des Ab- herkömmlichen epitaktischen Wachstum aus der kühlens mehrmals abwechselnd ein Ansteigen und flüssigen Phase hinreichend gute lichtemittierende ein Abfallen der Temperarurabnahmegeschwin- Dioden hergestellt werden können, ist wegen der digkeit vorgenommen wird. 25 oben angeführten mangelnden Vielseitigkeit der An

   wendungsbereich des Wachstumsprozesses aus der flüssigen Phase begrenzt.

   Auf dem Gebiet der Optronik, die sich z.B. mit