DE202901C - - Google Patents

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DE202901C DENDAT202901D DE202901DA DE202901C DE 202901 C DE202901 C DE 202901C DE NDAT202901 D DENDAT202901 D DE NDAT202901D DE 202901D A DE202901D A DE 202901DA DE 202901 C DE202901 C DE 202901C
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B17/00Insulators or insulating bodies characterised by their form
    • H01B17/20Pin insulators

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7255740B2 (en) 2003-02-18 2007-08-14 Schott Ag Method of growing hexagonal single crystals and use of same as substrates for semiconductor elements
US8157913B2 (en) 2004-04-08 2012-04-17 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Method of forming a sapphire single crystal

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7255740B2 (en) 2003-02-18 2007-08-14 Schott Ag Method of growing hexagonal single crystals and use of same as substrates for semiconductor elements
US8157913B2 (en) 2004-04-08 2012-04-17 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Method of forming a sapphire single crystal

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