DE2026683B2 - Zenerdiode - Google Patents
ZenerdiodeInfo
- Publication number
- DE2026683B2 DE2026683B2 DE2026683A DE2026683A DE2026683B2 DE 2026683 B2 DE2026683 B2 DE 2026683B2 DE 2026683 A DE2026683 A DE 2026683A DE 2026683 A DE2026683 A DE 2026683A DE 2026683 B2 DE2026683 B2 DE 2026683B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zener diode
- semiconductor body
- recombination
- semiconductor
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/60—Impurity distributions or concentrations
-
- H10P32/00—
-
- H10P95/00—
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2026683A DE2026683B2 (de) | 1970-06-01 | 1970-06-01 | Zenerdiode |
| US00147537A US3723832A (en) | 1970-06-01 | 1971-05-27 | Zener diode and method of producing such a zener diode |
| GB1770671A GB1342985A (en) | 1970-06-01 | 1971-05-28 | Zener diode and method of producing a zener diode |
| FR7119798A FR2093964B1 (enExample) | 1970-06-01 | 1971-06-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2026683A DE2026683B2 (de) | 1970-06-01 | 1970-06-01 | Zenerdiode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2026683A1 DE2026683A1 (de) | 1971-12-16 |
| DE2026683B2 true DE2026683B2 (de) | 1973-11-08 |
Family
ID=5772645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2026683A Withdrawn DE2026683B2 (de) | 1970-06-01 | 1970-06-01 | Zenerdiode |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2026683B2 (enExample) |
| FR (1) | FR2093964B1 (enExample) |
| GB (1) | GB1342985A (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL187942C (nl) * | 1980-08-18 | 1992-02-17 | Philips Nv | Zenerdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| US4833509A (en) * | 1983-10-31 | 1989-05-23 | Burr-Brown Corporation | Integrated circuit reference diode and fabrication method therefor |
-
1970
- 1970-06-01 DE DE2026683A patent/DE2026683B2/de not_active Withdrawn
-
1971
- 1971-05-28 GB GB1770671A patent/GB1342985A/en not_active Expired
- 1971-06-01 FR FR7119798A patent/FR2093964B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2093964A1 (enExample) | 1972-02-04 |
| FR2093964B1 (enExample) | 1974-03-29 |
| DE2026683A1 (de) | 1971-12-16 |
| GB1342985A (en) | 1974-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1282196B (de) | Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge | |
| DE1961314A1 (de) | Geschuetztes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE69128226T2 (de) | Halbleiteranordnung vom Druckkontakttyp | |
| DE1005647B (de) | Verfahren zum Verhindern negativer Leitungskanaele in der p-leitenden Zone eines Germaniumtransistorelementes und ein nach diesem Verfahren hergestelltes Germaniumtransistorelement | |
| DE2306842C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Halbleiterelementen aus einer einzigen Halbleiterscheibe | |
| DE1098103B (de) | Verfahren zum Einbau eines elektrischen Halbleiterelementes in ein Gehaeuse | |
| DE2026683B2 (de) | Zenerdiode | |
| DE2608813C3 (de) | Niedrigsperrende Zenerdiode | |
| DE19736754A1 (de) | Ãberspannungsschutzelement | |
| DE1002472B (de) | Verfahren zum Anloeten von Elektroden an einen Halbleiter | |
| DE3785575T2 (de) | Strombegrenzte halbleiterschaltung. | |
| DE1589862A1 (de) | Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente | |
| DE2428569A1 (de) | Einstueckiger schmelzleiter fuer niederspannungssicherungen | |
| DE1292761B (de) | Planar-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| AT226826B (de) | Hochspannungsgleichrichter | |
| DE1514565B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
| DE1090326B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit drei Zonen aus verschiedenen Halbleitermaterialien abwechselnden Leitungstyps | |
| DE2543079A1 (de) | Verfahren zum herstellen von festkoerperkondensatoren | |
| DE1274736B (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
| DE1246888C2 (de) | Verfahren zum herstellen von gleichrichteranordnungen in brueckenschaltung fuer kleine stromstaerken | |
| DE1255205C2 (de) | Verfahren zum Verkapseln eines mit einer Oxydschicht ueberzogenen Halbleiterkoerpers | |
| DE1163975C2 (de) | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften von Halbleiteranordnungen | |
| DE1127489B (de) | Halbleiterdiode zur Spannungsbegrenzung | |
| AT225236B (de) | Verfahren zur Herstellung von abgeschlossenen Schaltungseinheiten sehr geringer Abmessungen | |
| AT212379B (de) | Verfahren zur Herstellen eines Halbleiterbauelementes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BHJ | Nonpayment of the annual fee |