DE2023906B2 - Eingangsschaltung fuer hf-empfaenger - Google Patents

Eingangsschaltung fuer hf-empfaenger

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DE2023906B2 DE19702023906 DE2023906A DE2023906B2 DE 2023906 B2 DE2023906 B2 DE 2023906B2 DE 19702023906 DE19702023906 DE 19702023906 DE 2023906 A DE2023906 A DE 2023906A DE 2023906 B2 DE2023906 B2 DE 2023906B2
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    • H03H2/00Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00
    • H03H2/005Coupling circuits between transmission lines or antennas and transmitters, receivers or amplifiers
    • H03H2/008Receiver or amplifier input circuits

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Description

Die Erfindung betrifft eine Eingangsschaltung für 35 für die Verstärkungsregelspanaung verwendet ist, daß einen Empfänger für hochfrequente elektrische sie seiner Basis zugeführt und an einem Widerstand Schwingungen mit selbsttätiger Verstärkungsregelung im Kollektorstromkreis gegen Masse abgegriffen und und mit einem elektronisch abstimmbaren Schwing- der Basis des Steuertransistors zugeführt ist. kreis zur Kopplung der Antenne auf die Eingangs- Ein die Merkmale der Erfindung in vorteilhafter
elektrode eines Transistors. 40 Weise verwendendes Antennenabstimmsystem umfaßt
Die Verwendung von spannungsabhängig veränder- ein spannungsabhängig veränderliches Reaktanzlichen Halbleiter-Kapazitätsdioden zum elektroni- element in Form einer Varaktordiode, die in Serie sehen Abstimmen von HF-Empfängern bietet eine zwischen die Antenne und den Eingang des nachvielseitige Möglichkeit für den Schaltungsaufbau die- folgenden HF-Versiärkers geschaltet ist. Die Oberser Empfänger. Da die Kapazitätsdiode spannungs- 45 lastungskompensation der Varaktordiode wird durch gesteuert ist, spricht sie jedoch auf den Signalpegel eine veränderliche Impedanz bewirkt, die in Serie zu eines angelegten Signals an, wobei bei verhältnis- der Eingangsschaltung des HF-Verstärkers liegt, mäßig hohen gelegentlich auftretenden Signalpegeln Diese Impedanz ändert sich in Abhängigkeit von der eine teilweise Gleichrichtung des angelegten Signals Verstärkungsregelspannung, die in einer Stufe zur durch die Kapazitätsdiode erfolgen kann. Dadurch 50 automatischen Verstärkungsregelung von dem HF-ändert sich die Gleichvorspannung der Diode, was Verstärkerausgangssignal abgeleitet wird und durch zu einer Verschlechterung der Wirkungsweise auf die Änderung der Impedanz dem an der Kapazitäts-Grund der geänderten Kapazitätswerte der in Sperr- diode auftretenden Eingangssignal entsprechend entrichtung vorgespannten Kapazitätsdiode führen und gegenwirkt. Dabei wird die Verstärkungsregelspaneine Verstimmung des Schaltkreises bewirken kann. 55 nung bei der einen vorteilhaften Aiisführungsforrr
Dieser Nachteil wirkt sich besonders ungünstig in der Erfindung dem Steuertransistor direkt zugeführt Antennenstufen aus, so daß es wünschenswert ist, wogegen bei einer weiteren Ausführungsform der Er· eine Lösung zu finden, um das Einwirken hoher findung die λ erstärkungsregelspannung über einer Signalpegel auf die spannungsabhängig veränderliche im Kollektorstromkrcis des Eingangstransistors lic Abstimmkapazität in der KoppelschaUung zwischen 60 genden Widerstand an dem Steuertransistor wirksan der Antenne und dem Eingang des Empfängers 2:u wird.
verhindern. Wenn ein scrienabgestimmter und in Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung gc
Serie geschalteter Koppclkrcis verwendet wird, um hen aus der nachfolgenden Beschreibung von Aus die Antennensignalc an den HF-Verstärker zu über- führungsbeispielcn in Verbindung mit den Ansprü tragen, ist es wünschenswert, Einrichtungen vorzu- 65 chen und der Zeichnung hervor. Es zeigt sehen, die eine in Serie zur Kapazitätsdiode ge- Fig. 1 ein teilweise in Blockform dargestellte
schaltete Impedanzvergrößerung mit ansteigendem Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform de Signalpegel auslösen, so daß ein kleinerer Anteil des Erfindung,
3 4
Fig. 2 ein teilweise in Blockform dargestelltes NIF-Verstärker 30 zugeführt und anschließend für die
Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Er- Ansteuerung eines Lautsprechers 31 verwendet,
findung, Ein signal zur automatischen Verstärkungsrege-
F i g. 3 und 4 Diagramme zur Erläuterung der lung (AVR) wird vom Detektor 29 über eine Leitung
Wirkungsweise der Schaltungen gemäß Fig. 1 und 2. 5 33 an eine AVR-Stufe 34 geliefert, deren Ausgang
Gemäß der Zeichnung, in welcher gleiche Teile mit der Basis eines zweiten PNP-Transistors 60 vermit gleichen Bezugszeichen versehen sind, empfängt bunden ist, dessen Kollektor wiederum über einen ein HF-Empfänger für amplitudenmodulierte Signale Koppelkondensator 59 mit der Basis des Transistors die HF-Signale über eine Antenne 9, die zum besse- 12 im HF-Verstärker 11 in Verbindung steht. Der ren Verständnis der Schaltung ais Spannungsgenera- io Emitter des zweiten Transistors liegt an Masse. Die tor mit zugehörigen Kapazitäten dargestellt ist. Diese Regelspannung von der AVR-Stufe wird an die Basis Antenne ist über einen serienabgestimmten LC-Kreis des zweiten Transistors 60 angelegt und ändert des-10 mit dem Eingang eines HF-Verstärkers 11 ver- sen Leitfähigkeit, wodurch der Wechselstromwiderbunden, der einen PNP-Transistor 12 in Basisschal- stand des zwischen dem Emitter des Transistors 12 tang umfaßt. Die Signale vom LC-Kreis 10 werden 15 und Masse liegenden Schaltkreises geändert wird. Für Lin die Basis-Emitterstrecke des Transistors 12 an- die betriebsmäßige Gleichvorspannung des als vergelegt, der kollektorscitig mit einem abgestimmten änderliche Impedanz wirkenden zweiten Transistors Kreis 13 verbunden ist. Dieser abgestimmte Kreis 13 60 liegt zwischen eir ■-.· positiven Potentialquelle und besteht aus einer mit einer Anzapfung versehenen dem Verbindungspunkt des Koppelkondensators 59 Spule 14. einem Trennkondensator 15 und einem 20 mit dem Kollektor des Transistors 60 ein Widerspannungsabhängig veränderlichen Abstimmkonden- stand 64.
sator 16. Die beiden Kondensatoren liegen parallel Der Gleichstromarbeitspunkt des Transistors 12
/ur Spule 14. Der Abstimmkondensator 16 und die wird mit Hilfe eines Spannungsteilers eingestellt, der
Spule 14 bilden für den HF-Verstärker einen Reso- aus den Widerständen 61 und 62 besteht und zwi-
nanzschwingkreis. der über einen bestimmten Fre- 25 sehen einer positiven Potentialquelle und Masse lieg«
quenzbereich durchstimmbar ist. Der Verbindungspunkt der beiden Widerstände 61
Der spannungsabhängig veränderliche Abstimm- und 62 liegt direkt an der Basis des Transistors 12 kondensator 16 ist als Halbleiteranordnung mit und ist gegen den Kollektor des die veränderliche einem PN-Übergang und zwei Anschlußklemmen Impedanz bildenden zweiten Transistors 60 durch ausgebildet und ändert seine Kapazität proportional 30 den Koppelkondensator 59 getrennt. Auf diese Weise der angelegten Gleich-Sperrspannung. Abstimmkon- läßt sich ein bestimmter Gleichstromarbeitspunkt für densatoren dieser Art, welche mit zunehmender den Transistor 12 des HF-Verstärkers mit Hilfe des Sperrspannung die Kapazität verringern und damit Spannungsteilers einstellen, der unabhängig von uen den kapazitiven Widerstand vergrößern, sind be- Änderungen des Arbeitspunktes des zweiten Trankannt. Eine Verringerung der Sperrspannung wirkt 35 sistors ist. Der Koppelkondensator 59 überträgt die si.h in entgegengesetzter Weise aus, d.h. die Kapa- Wechselstromsignale, so daß die Kollektor-Emitterzität nimmt zu und damit der kapazitive Widerstand strecke des zweiten Transistors 60 für die Wechselab. Vorzugsweise werden für derartige Abstimmkon- stromsignale in Serie zur Emitter-Basisstrecke des densatoren Varaktordioden benutzt, die eine beson- Transistors 12 liegt.
ders große Kapazitätsänderung in Abhängigkeit von 40 Die Koppelschaltung zwischen der hohen kapaziti-
der Sperrspannung aufweisen und daher eine Ab- ven Impedanz der Antenne 9 und der verhähnis-
stimmung über einen großen Frequenzbereicn zu- mäßig niederen Impedanz der Emitter-Basisstrecke
lassen. des Transistors 12 umfaßt einen serienabgestimmten
Die Sperrvorspannung bzw. die Abstimmspannung LC-Kreis, der eine Induktivität 40 und einen weiwird dem Abstimmkondensator 16 vom Schleifer 45 teren spannungsabhängig veränderlichen Abstimmeines Potentiometers 20 aus über einen Entkoppel- kondensator 41 enthält. An den Verbindungspunkt widerstand 21 zugeführt und an den Verbindungs- des Abstimmkondensators 41 mit einem Trennkonpunkt zwischen dem Abstimmkondensator 16 und densator 44 wird über einen weiteren Entkoppeldem Trennkondensator 15 angelegt. Das Pnter.iio- widerstand 42 die Ausgangsspannung vom Potentiometer 20 kann im Empfänger oder auch in einer vom 50 meter 20 angelegt. Die Kapazität des Trennkonden-Empfänger entfernt gelegenen Lokalität vorgesehen satois 44 ist derart ausgewählt, daß sie wesentlich sein und liefert Gleichspannungen unterschiedlicher größer ist als die Kapazität der übrigen Kondensa-Größe für die Abstimmung. Das vom Resonanz- toren der Schaltung, so daß sie nur einen geringen schwingkreis 13 über den Abgriff der Spule 14 ge- Einfluß auf die Wechselstromsignale aufweist, wählieferte ausgewählte HF-Signal wird an den Eingang 55 rend sie die Gleichstromsignale vom Potentiometer einer Mischstufe 25 angelegt, deren zweiter Eingang 20 fernhält.
mit den Signalen eines Überlagerungsoszillators 26 Wenn ein derartiger HF-Empfänger vorzugsweise beaufschlagt ist. Dieser Überlagerungsoszillator kann als Autoradio Verwendung findet, ist die Antenne 9 ebenfalls mit Hilfe von spannungsabhängig veränder- als kapazitive Peitschenantenne ausgeführt und wird liehen Kondensatoren abstimmbar sein. Dabei kann 60 im Ersatzschaltbild als Spannungsgenerator mit einer die Frequenzeinstellung ebenfalls mit Hilfe eines durch den Kondensator 48 symbolisierten Kapazität vom Potentiometer 20 über einen Entkoppclwider- dargestellt, welche in Serie zur Kapazität des Trennstand 27 angelegtes Vorspannungspotential erfolgen. kondensator 44 und des Abslimmkondensators 41 Durch die Überlagerung der an die Mischstufe 25 liegt. Zusätzlich sind weitere Kapazitäten nach Masse angelegten Signale wird ein ZF-Signal erzeugt, das 65 vorhanden, die primär als Streukapazitäten im Kabel in einem anschließenden ZF-Verstärker 28 verstärkt auftreten, welches die Peitschenantenne mit dem und in einer Detektorstufe 29 demoduliert wird. Die HF-Empfänger verbindet. Diese Kapazitäten sind mit Ausgangssignale, der Detektorstufe 29 werden einem dem Ableitkondensator 49 erfaßt, welcher zwischen
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dem Verbindungspunkt der Kondensatoren 44 und 48 Antenne 9, der Koppelschaltung K) und dem HF-sowie Masse liegt. Um den HF-Empfänger derart Verstärker 11 an der Eingangsimpedanz des HF-abzustimmen, daß er das normalerweise empfangene Verstärkers abfällt, wodurch der wechsclstrommäßigc AM-Band erfaßt, kann ein weiterer Ableitkonden- Signalpegel an der Kapazitätsdiode 41 begrenzt wird, sator 50 parallel zum Antennenausgang vorgesehen 5 Durch die richtige Auswahl des mit der Kapazitatssein, der ebenfalls zwischen dem Verbindungspunkt diode 41 in Serie liegenden Widerstandes ist es mögder Kondensatoren 44 und 48 und Masse liegt. Der Hch, die wechselstrommäßigen Signale an der Kapa-Kapazitätswert des Ableitkondensators 50 sollte so ziiätsdiode 41 derart zu beeinflussen, daß sie niemals ausgewählt werden, daß das für die Durchstimmung einen Pegel übersteigen, bei welchem eine zumindest des AM-Bandes erforderliche Kapazitätsverhältnis in io teilweise Gleichrichtung durch die Kapazitätsdiode Zusammenwirkung mit den parallelliegenden Kon- 41 auftreten würde. Dies wird durch die Kollektordensatoren 48 und 49 und dem in Serie zu der Par- Emitterstrecke des zweiten Transistors 60 bewirkt, aufschaltung liegenden Kondensator 44 gewährleistet der im Basiskreis des Transistors 12 als veränderist, licher Widerstand wirkt, wobei dieser veränderliche
Um einen Gleichstrn-nweg für den dem Abstimm- 15 Widerstand zusammen mit dem Widerstand der kondensator 41 zur Abstimmung zugeführten Strom Emitter-Basisstrecke des Transistors 12 den wirkzu schaffen, ist ein Widerstand 52 mit hohem Wider- liehen Eingangswiderstand für das Wechselstromstandswert vorgesehen, welcher für die Wechselstrom- signal darstellt.
signale die Wirkung eines offenen Schaltkreises hat. In dem Diagramm gemäß Fig. 3 sind \ier Kur-Um zu verhindern, daß die an den Abstimmkonden- 20 ven A, B, C und D dargestellt, die den Emittersator 41 zur Abstimmung angelegte veränderliche strom lc über der Emitter-Basisspannung eines Tran-Spannung den Arbeitspunkt des Transistors 12 un- sistorverstärkers in Basisschaltung wiedergeben, wogünstig beeinflußt, ist ein zweiter Trennkondensator bei der kleine Eingangswiderstand vom Basiswider-53 zwischen der Induktivität 40 und dem Emitter stand bestimmt ist. Der Eingangswiderstand Rt für des Transistors 12 vorgesehen. Entsprechend dem 25 das Wechselstromsignal ergibt sich aus der Glei-Trcnnkondensator 44 wird auch dieser Trennkonden- chung.1 VcbiMc, wobei bei einem gegebenen Emittersator 53 mit einer so großen Kapazität versehen, daß strom Ie der eingangsseitige Wechselstromwiderstand diese im wesentlichen weit über den übrigen Kapazi- durch der. Wert des Widerstände·; verändert werden täten der Schaltung liegt und somit keinen wesent- kann, der in Serie zur Basis des Transistors liegt. Das liehen Einfluß auf die Wechselstromsignale ausübt. 30 Ergebnis einer derartigen Änderung des Basiswider-
Mit der beschriebenen Schaltung ist es möglich, stands eines typischen Transistors ist in den Kurven den LC-Kreis, der im wesentlichen aus der Induk- A, B, C und D dargestellt. Der Wert des in Serie tivität 40 und dem Abstimmkondensator 41 besteht, zur Basis liegenden Widerstandes ist bei der Kurve A über einen verhältnismäßig großen Resonanzfre- Null, bei der Kurve B 1 k-Ohm, bei der Kurve C qucnzbereich abzustimmen, wobei die Signale über 35 10 k-Ohm und bei der Kurve D 27 k-Ohm, woraus den gesamten Bandbereich im wesentlichen konstant sich ein entsprechender Eingangswiderstand von bleiben und mit im wesentlichen konstanter Leistung Rt = 10, 20, 110 und 300 0hm ergibt. Man kann dem Transistor 12 zugeführt werden. Es wurde fest- aus Fig. 3 entnehmen, daß die Kurven A, B, C und gestellt, daß, wenn für den Abstimmkondensator 41 D im Aussteuerungsbereich durch den vom Emittereine Diode mit übersteilem Anstieg verwendet wird, 40 strom Ie bestimmten Arbeitspunkt linear verlaufen, ein Frequenzbereich von 435 bis 1620 kHz mit einen großen dynamischen Bereich für den Signaleiner konstanten 10-kHz-Bandbreite über den ge- pegel vorausgesetzt, wenn der Widerstand in Serie samten Bereich durchgestimmt werden kann. mit der Basis des Transistors geändert wird. Es wurde
Wenn an den aus einer Diode bestehenden Ab- festgestellt, daß der Eingangswiderstand R1 ungefähr Stimmkondensator 41 ein Wechselstromsignal mit 45 — RIß ist, wenn er den mit der Basis d~s Transistors großem Signalwert angelegt wird, besteht eine Ten- in Serie geschalteten Widerstand bezeichnet, denz, daß diese Wechselstromsignaie durch die Diode Die in F i g. 4 dargestellten Kurven E, F und G teilweise gleichgerichtet werden. Eine solche Gleich- ergeben sich aus dem über der Kollektor-Emitterrichtung der Wechselstromsignale vernsacht eine spannung Vcr aufgezeichneten Koltektorstrom /, Verschlechterung der Wirkungsweise der Schaltung, 50 eines Transistors bei unterschiedlichem Basisstrom in welcher spannungsabhängig veränderliche Kapa- Aus den Kurven ist zu entnehmen, wie sich die Nei zitätsdioden Verwendung finden, auf Grund der Ver- gung entsprechend der unterschiedlichen, an die Ba Stimmung des Abstimmkondensators durch den sis des Transistors angelegten Vorspannung ändert gleichgerichteten Signalanteil, der sich der normalen Der effektive Widerstand eines Transistors bei klei Gleichvorspannung überlagert. 55 nem Signalpegel ergibt sich aus der Steigung diese
Zur Kompensation der von der Antenne 9 gelie- Kurven mit .1 V„l.\lc bei der Kollektorspannung un<
ferten Wechselstromsignale mit hohem Signalpegel dem Strom auf Grund der an der Basis des Tran
ist die Emitter-Basisrtreckr des Transistors 12 im sistors wirksamen Vorspannung. Dieser eftektiv
HF-Verstärker und die Kollektor-Emitterstrecke des Widerstand ist proportional dem Strom lc und is
als veränderliche Impedanz wirksamen zweiten Tran- 60 im allgemeinen 6- bis lOmal größer als das Verhält
sistors 60 in Serie zur Koppelschaltung mit der Ka- nis Vce!Ir für Gleichstromsigiialpegel.
pazitätsdiode 41 geschaltet. Die Serienschaltung die- Auf diese Weise kann durch die Verwendung de
ser Impedanzen ergibt den Eingangswiderstand des zweiten Transistors 60 als veränderlicher Widerstan
HF-Verstärkers 11 für das eingangsseitige Wechsel- im Basiskreis des Transistors 12 die Eingangsimpe
Stromsignal. Es ist offensichtlich, daß. wenn mit an- 65 danz für Wechselstromsignaie derart verändert wei
steigendem Signalpegel der Eingangswiderstand grö- den. daß an der Eingangsimpedanz ein unterschiec
ßer vird, auch ein größerer Teil des wechselstrom- licher Spannungsabfall auftritt. Durch die Zwischer
maßten HF-Signals in dem Serienschaltkreis aus der schaltung des Koppelkondensators 59 wird der A
beitspunkt des Transistors 12 durch die Änderung der Arbeitspunktc des Transistors 60 nicht beeinflußt, so daß die Verstärkung des Transistors 12 unv · ändert bleibt.
Eine Verstärkungsregelung wird jedoch durch die Wirkungsweise des Transistors 60 ausgelöst, da, wenn der vom Kollektor des Transistors 12 abgegriffene verstärkte Signalpegel in der Mischstufe 25, dem ZF-Verstärker 28 und der Detektorstufe 29 des Empfängers weiterverarbeitet wird, eine positivere Regelipannung für die automatische Verstärkungsregelung für ansteigende Signalpegel über die AVR-Stufe 34 an die Basis des zweiten Transistors 60 angelegt wird und dieser dadurch weniger leitet. Damit kann der Transistor 60 z. B. entsprechend dem Verlauf der Kurve E gemäß Γ i g. 4 arbeiten. Der Wechselstrom-Eingangswiderstand ,1 Vcel \IC für kleine Signale, wie er sich aus der Kurve E gemäß F i g. 4 ergibt, ist verhältnismäßig groß. Folglich ergibt sich zwischen dem Emitter des Transistors 12 und Masse ein zunehmender Wechselstromwiderstand, der einen zunehmenden Spannungsabfall an diesem Widerstand bewirkt, wodurch das Wechselstromsignal für die automatische Verstärkungsregelung gedämpft wird. Gleichzeitig wird eine Verringerung des Wechselstromsignals an der Kapazitätsdiode 41 bewirkt und dadurch eine zumindest teilweise Gleichrichtung verhindert. Wenn die von der Antenne 9 gelieferten und an den Rest der Schaltung angelegten Wechselstromsignale in ihrem Pegelwert kleiner werden, wird die AVR-Regelspannung negativer, was bewirkt, daß der zweite Transistor 60 zunehmend leitend wird und eine abnehmende Wechselstromeingangsimpedanz für die Schaltung darstellt, da der Transistor entsprechend einer Kurve mit steilerem Anstieg, z. B. der Kurve G gemäß F i g. 4, arbeitet. Das bedeutet, daß ein zunehmendes Signal am HF-Verstärkerausgang zur Verfugung steht und von dem Kollektor des Transistors 12 abgreifbar ist. Auf diese Weise wird die automatische Verstärkungsregelung durch die Änderung der in Serie zur Eingangsschaltung des HF-Verstärkers liegenden Impedanz beeinflußt, da zur selben Zeit der Gleichstromarbeitspunkt des Transistors 12 unverändert bleibt, vorausgesetzt, daß uie Transistoren in dem gewünschten linearen Bereich arbeiten.
In F i g. 2 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Die Schaltung gemäß F i g. 2 entspricht größtenteils der Schaltung gemäß Fig. 1, so daß insoweit auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet werden kann. Die Unterschiede gegenüber der Schaltung gemäß F i g. 1 bestehen in der Art und Weise, in welcher die AVR-Regelspannung in der Schaltung angelegt wird. Bei dieser weiteren Ausführungsform ist die Basis des Transistors 12 über den Koppelkondensator 59 und die Kollektor-Emitterstrecke eines veränderlichen, aus einem zweiten Transistor 60' bestehenden Widerstand an Masse angeschlossen. Der zweite Transistor 60' ist ein NPN-Transistor, jedoch arbeitet er in derselben Weise wie der PNP-Transistor gemäß Fig. 1.
Die von der AVR-Stufe 34 gelieferte Regelspannung wird an die Basis des Transistors 12 angelegt, um die Betriebsspannung zu ändern und den Emitter-Basiswiderstand für eine ansteigende AVR-Regclspannung zu vergrößern. Die am Kollektor des Transistors 12 abgreifbaren Signale werden dem abgestimmten Resonanzschwingkreis 13 zugeführt, wie
ίο dies vorausstehend beschrieben ist, wobei die am Abgriff der Spule 14 des Resonanzschwingkreises 13 zur Verfugung stehenden Signale als Eingangssignale für die Mischstufe 25 Verwendung finden. Der Resonanzschwingkreis 13 ist über ein RC-Netzwerk aus einem Widerstand 63 und einem Kondensator 65 mit Masse verbunden, wobei dieses RC-Netzwerk ein Gleichstromsignal liefert, das dem verstärkten AVR-Signal entspricht, das am Kollektor des Transistors 12 zur Verfugung steht. Dieses am Verbindungspunkt
ao des Widerstandes 63 mit dem Kondensator 65 und dem Resonanzschwingkreis 13 zur Verfügung stehende Gleichstromsignal wird an die Basis des zweiten Transistors 60' zur Steuerung der Leitfähigkeit dieses Transistors angelegt. Wenn eine zunehmende
as AVR-Regelspannung an der Basis des Transistors 12 wirksam ist und somit dessen Leitfähigkeit kleiner wird, nimmt auch die Kollektorspannung des Transistors 12 ab, was seinerseits eine Verringerung der am Widerstand 63 sich ausbildenden Spannung be-
wirkt. Diese verringerte Spannung wird an die Basis des zweiten Transistors 60' angelegt und verursacht eine verminderte Stromführung, was sich weiter als Tmpedanzvergrößerung für die angelegten Wechselstromeingangssignale auswirkt, welche zwischen dem Emitter des Transistors 12 und Masse wirksam sind. Dadurch wird ein entsprechender Abfall des am LC-Kreis 10 wirksamen HF-Signalpegels bewirkt, so daß die Kapazitätsdiode 41 mit HF-Signalen mit verringertem Pegel beaufschlagt wird, obwohl das von der Antenne 9 gelieferte HF-Signal einen größer werdenden Pegel aufweist.
Die Wirkungsweise des zweiten Transistors 60'. der von einem verstärkten AVR-Signal vom Kollektor des Transistors 12 im HF-Verstärker angesteuert wird, ist somit regenerativ und trägt zur Kompensation bei, die durch die AVR-Regelung des Transistors 12 bewirkt wird. Die übrige Wirkungsweise der Schaltung gemäß F i g. 2 entspricht der der Schaltung gemäß F ig. 1.
In den beschriebenen Schaltungen gemäß der Erfindung erfüllt die AVR-Regelspannung eine zweifache Funktion, indem sie nämlich einmal die Verstärkung des HF-Verstärkers regelt und ferner ein« Vergrößerung der Serienimpedanz für HF-Signale mi ansteigendem Signalpegel auslöst. Als Folge davoi Averden die an der Kapazitätsdiode 41 von der An tenne 9 aus wirkramen HF-Signale unter einem Pe gelwert gehalten, bei welchem die Kapazitätsdiode 4! gleichzurichten anfangen würde.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
309 5Π/4-

Claims (2)

Wechselstromsignals an der Kapazitätsdiode wirksam Patentansprüche: ist. Dies kann in der Weise erf-jlgen, daß die Regel spannung zur automatischen Verstärkungsregelung
1. Eingangsschaltung für einen Empfänger für zur Änderung der Vorspannung des Transistors des hochfrequente elektrische Schwingungen mit 5 HF-Vcrstärkers verwendet wird. Da jedoch diese selbsttätiger Verstärkungsregelung und mit einem Regelung für bestimmte Fälle den Tram'.stor im nicht elektronisch abstimmbaren Schwingkreis zur linearen Bereich arbeiten läßt, ist es wünschenswert, Kopplung der Antenne auf die Eingangselektrode eine ι eränderliche Impedanz zu besitzen, welche den eines Transistors, dadurch gekennzeich- Glei;hstromarbeitspunkt des Transistors des HF-n e t, daß der Schwingkreis als Serienresonanz- io Verstärkers nicht verändert.
kreis ausgebildet und zwischen die Eingangs- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
elektrode und die Antenne geschaltet ist, daß die Antennenabstimmsystem zu schaben, bei dem eine Basis-Emitterstrecke des Eingangstransistcrs (12) Überlastung der Kapaziiätsdiode durch Einwirken an Masse über die Emitter-Kollektorstrecke eines hoher Eingangssignale kompensiert werden kann und Steuertransistors (60) angeschlossen ist, an dessen 15 eine vom Signalpegel abhängig veränJerliche Impe-Basis dk Verstärkungsregelspannung angeschal- danz vorgesehen ist, die die wirksame Amplitude des tet ist, derart, daß der Eingangswiderstand des Eingangssignals begrenzt.
Eingangstransistors der Amplitude folgt und da- Diese Aufgabe wird, ausgehend v">n dem eingangs
mit die Amplitude der an einer für die elektro erwähnten Antennenabstimmsystem. erfindungsgenische Abstimmung verwendeten Kapazitätsdiode 20 maß dadurch gelöst, daß der Schwingkreis als Serienauftretenden Hochfrequent pannung unterhalb resonanzkreis ausgebildet und zwischen die Eingangsdes Sch·. elKverts für eine Gleichrichtung bleibt. elektrode und die Antenne geschaltet ist. daß die
2. Eingangsschaltung nach Anspruch 1, da- Basis-Eniittersirecke des Eingangstransistors an durch gekennzeichnet, daß der Transistor (12) da- Masse über die Emitter-Kollektorstrecke eines durch als Verstärker für die Verstärkungsregel- 25 Steuertransistois angeschlossen ist, an dessen Basis spannung verwendet ist, daß sie seiner Basis zu- die Verstärkungsregelspannung angeschaltet ist. dergeführt und an einem Widerstand im Kollektor- art, daß der Eingangswiderstand des Eingangstranstromkr^is gegen Masse abgegriffen und der Basis sistors der Amplitude folgt und damit die Amplitude des Steuertran-iistors zugeführt ist. der an einer für die elektronische Abstimmung ver-
30 wendeten Kapazitätsdiode austretenden Hochfrequenzspannung unterhalb des Schwellwertes für eine
Gleichrichtung bleibt.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß der Transistor dadurch als Verstärker
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0021762A1 (de) * 1979-06-14 1981-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Elektronisch abgestimmtes Antennensystem

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3792359A (en) * 1971-04-14 1974-02-12 Rca Corp High frequency automatic gain control circuits
US3968438A (en) * 1975-02-27 1976-07-06 North American Philips Corporation Off channel gain control circuit
US3983490A (en) * 1975-08-05 1976-09-28 Zenith Radio Corporation Signal overload protection circuit for varactor tuner
US4158814A (en) * 1977-09-08 1979-06-19 General Research Of Electronics, Inc. Automatic overload protection system
US4313218A (en) * 1980-08-08 1982-01-26 Motorola, Inc. Extended AGC for a radio receiver
US4635297A (en) * 1984-03-15 1987-01-06 Litton Systems, Inc. Overload protector
DE3447282A1 (de) * 1984-12-24 1986-07-10 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Funkempfaenger
DE3447284A1 (de) * 1984-12-24 1986-07-10 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Funkempfaenger
DE3447283A1 (de) * 1984-12-24 1986-07-10 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Funkempfaenger
US5243356A (en) * 1988-08-05 1993-09-07 Seiko Epson Corporation Antenna circuit and wrist radio instrument
US6873212B2 (en) * 2001-05-17 2005-03-29 Sige Semiconductor Inc. Integrated circuit radio frequency amplifier with notch filter

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3029339A (en) * 1959-01-26 1962-04-10 Rca Corp Variable tuning circuit
US3490046A (en) * 1967-04-05 1970-01-13 Electrohome Ltd Automatic gain control and overload protection for signal receiving systems

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0021762A1 (de) * 1979-06-14 1981-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Elektronisch abgestimmtes Antennensystem

Also Published As

Publication number Publication date
FR2047734A5 (de) 1971-03-12
CA921561A (en) 1973-02-20
US3622887A (en) 1971-11-23
GB1267906A (en) 1972-03-22
DE2023906A1 (de) 1971-03-18

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