DE2022025C3 - Vorrichtung zum Herstellen eines Hohlkörpers aus Halbleitermaterial - Google Patents
Vorrichtung zum Herstellen eines Hohlkörpers aus HalbleitermaterialInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-VVKOMZTBSA-N Dideuterium Chemical compound [2H][2H] UFHFLCQGNIYNRP-VVKOMZTBSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702022025 DE2022025C3 (de) | 1970-05-05 | 1970-05-05 | Vorrichtung zum Herstellen eines Hohlkörpers aus Halbleitermaterial |
| SE1429670A SE368912B (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1970-05-05 | 1970-10-22 | |
| AT954370A AT306105B (de) | 1970-05-05 | 1970-10-22 | Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial |
| CH1566470A CH561079A5 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1970-05-05 | 1970-10-23 | |
| IT8966570A IT951574B (it) | 1970-05-05 | 1970-10-31 | Procedimento per fabbricare corpi cavi di materiali semiconduttore |
| FR7039638A FR2092930B2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1970-05-05 | 1970-11-04 | |
| GB5236670A GB1315167A (en) | 1970-05-05 | 1970-11-04 | Production of hollow bodies of semiconductor material |
| CS745670A CS163774B2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1970-05-05 | 1970-11-05 | |
| NL7017481A NL7017481A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1970-05-05 | 1970-11-30 | |
| JP2593773A JPS4918917B1 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1970-05-05 | 1973-03-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702022025 DE2022025C3 (de) | 1970-05-05 | 1970-05-05 | Vorrichtung zum Herstellen eines Hohlkörpers aus Halbleitermaterial |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2022025A1 DE2022025A1 (de) | 1971-11-18 |
| DE2022025B2 DE2022025B2 (de) | 1979-06-28 |
| DE2022025C3 true DE2022025C3 (de) | 1980-03-20 |
Family
ID=5770320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702022025 Expired DE2022025C3 (de) | 1970-05-05 | 1970-05-05 | Vorrichtung zum Herstellen eines Hohlkörpers aus Halbleitermaterial |
Country Status (10)
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE789719A (fr) * | 1972-05-16 | 1973-02-01 | Siemens Ag | Procede et dispositif de fabrication de corps creux en matiere semi-conductrice, en particulier des tubes en silicium |
| DE2618273C3 (de) * | 1976-04-27 | 1984-04-19 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
| JPH0166340U (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * | 1987-10-21 | 1989-04-27 |
-
1970
- 1970-05-05 DE DE19702022025 patent/DE2022025C3/de not_active Expired
- 1970-10-22 SE SE1429670A patent/SE368912B/xx unknown
- 1970-10-22 AT AT954370A patent/AT306105B/de not_active IP Right Cessation
- 1970-10-23 CH CH1566470A patent/CH561079A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1970-10-31 IT IT8966570A patent/IT951574B/it active
- 1970-11-04 FR FR7039638A patent/FR2092930B2/fr not_active Expired
- 1970-11-04 GB GB5236670A patent/GB1315167A/en not_active Expired
- 1970-11-05 CS CS745670A patent/CS163774B2/cs unknown
- 1970-11-30 NL NL7017481A patent/NL7017481A/xx unknown
-
1973
- 1973-03-05 JP JP2593773A patent/JPS4918917B1/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2092930B2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1973-02-02 |
| IT951574B (it) | 1973-07-10 |
| DE2022025B2 (de) | 1979-06-28 |
| AT306105B (de) | 1973-03-26 |
| CH561079A5 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1975-04-30 |
| SE368912B (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1974-07-29 |
| GB1315167A (en) | 1973-04-26 |
| FR2092930A2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1972-01-28 |
| NL7017481A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1971-11-09 |
| CS163774B2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1975-11-07 |
| DE2022025A1 (de) | 1971-11-18 |
| JPS4918917B1 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1974-05-14 |
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