DE202023105704U1 - Filter - Google Patents

Abstract

Filter, mit:einem Träger,einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der am Träger befestigt ist; undeiner Beschichtung auf Übergangsmetallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen,wobei der Film aus HARM-Strukturen eine Größe von 10 - 200 cm2hat und eine Dicke der ausgebildeten Beschichtung auf Übergangsmetallbasis 1 - 500 nm beträgt.

Description

• Erfindungsgebiet
• Die vorliegende Erfindung betrifft einen Filter, der einen Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen) aufweist. Andere Aspekte der Offenbarung betreffen ein Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der an einem Träger befestigt ist. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner eine Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus HARM-Strukturen, der an einem Träger befestigt ist. Die vorliegende Offenbarung betrifft ferner die Verwendung einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus HARM-Strukturen, der an einem Träger befestigt ist.
• Hintergrund der Erfindung
• Elektroabscheidung oder Galvanisierung, wie sie auch genannt werden kann, ist ein Verfahren zur kontrollierten Abscheidung von Material auf leitenden Oberflächen unter Verwendung von elektrischem Strom aus einer Lösung, die ionische Spezies enthält. Elektroabscheidung ist also ein Verfahren, bei dem elektrischer Strom verwendet wird, um gelöste Metallkationen zu reduzieren, so dass sie eine zusammenhängende Beschichtung auf Metallbasis auf einer Elektrode bilden. Elektroabscheidung wird in großem Umfang zum Herstellen einer Vielzahl von zwei- und dreidimensionalen Materialien wie Beschichtungen und Filmen eingesetzt. Es besteht jedoch nach wie vor ein Bedarf an Verfahren zum Beschichten großflächiger Filme aus HARM-Strukturen und an einem verbesserten Filter basierend auf einem Film aus HARM-Strukturen.
• Kurzbeschreibung der Erfindung
• Die Erfindung richtet sich auf einen Filter. Der Filter weist einen Träger, einen Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der am Träger befestigt ist, und eine Beschichtung auf einer Übergangsmetallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen auf, wobei der Film aus HARM-Strukturen eine Größe von 10 - 200 cm² hat und die Dicke der gebildeten Beschichtung auf Übergangsmetallbasis 1 - 500 nm beträgt.
• Es wird ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der an einen Träger befestigt ist, offenbart. Das Verfahren weist die Schritte auf:
• - Bereitstellen einer Elektrode, die einen Film aus HARM-Strukturen aufweist, der an einem Träger befestigt ist, wobei der Träger einen Stromkollektor aufweist;
• - Unterziehen der Elektrode einem Elektroabscheidungsprozess in einem wässrigen Abscheidungsbad eines Metallkomplexes und/oder eines Salzes davon, wobei der Elektroabscheidungsprozess aufweist:
• - zunächst Ausführen der Elektroabscheidung bei einem ersten Potentialwert, der im Bereich von 0,2 bis 5 V liegt, zum Ausbilden der Beschichtung auf Metallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen, der am Träger befestigt ist; und
• - anschließendes Ausführen der Elektroabscheidung bei einem zweiten Potentialwert im Bereich von 0 bis -4 V zum Ätzen der ausgebildeten Beschichtung auf Metallbasis.
• Ferner wird eine Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der an einen Träger befestigt ist und durch das in der vorliegenden Gebrauchsmusterschrift beschriebene Verfahren erhalten werden kann, offenbart.
• Ferner wird die Verwendung einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der an einem Träger befestigt ist, wie in der vorliegenden Gebrauchsmusterschrift beschrieben, als ein Sensor oder Filter offenbart.
• Kurze Beschreibung der Zeichnungen
• Die beigefügten Zeichnungen, die zum besseren Verständnis des Verfahrens und des Substrats dienen und einen Teil dieser Gebrauchsmusterschrift darstellen, zeigen Ausführungsformen und tragen zusammen mit der Beschreibung dazu bei, die vorstehenden Prinzipien zu erläutern. Es zeigen:
• 1a ein Beispiel für ein Zweielektrodensystem des Elektroabscheidungsprozesses;
• 1b ein Beispiel für ein Dreielektrodensystem des Elektroabscheidungsprozesses; und
• 2 ein TEM-Bild einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus HARM-Strukturen, der auf einem Träger befestigt ist, gemäß einer Ausführungsform.
• Ausführliche Beschreibung
• Die Erfindung richtet sich auf einen Filter. Der Filter weist einen Träger, einen Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der am Träger befestigt ist, und eine Beschichtung auf Übergangsmetallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen auf, wobei der Film aus HARM-Strukturen eine Größe bzw. Fläche von 10 - 200 cm² hat und die Dicke der ausgebildeten Beschichtung auf Übergangsmetallbasis 1 - 500 nm beträgt.
• Es wird ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der an einem Träger befestigt ist, offenbart. Das Verfahren weist die Schritte auf:
• - Bereitstellen einer Elektrode, die einen Film aus HARM-Strukturen aufweist, der an einem Träger befestigt ist, wobei der Träger einen Stromkollektor aufweist;
• - Unterziehen der Elektrode einem Elektroabscheidungsprozess in einem wässrigen Abscheidungsbad eines Metallkomplexes und/oder eines Salzes davon, wobei der Elektroabscheidungsprozess aufweist:
• - zunächst Ausführen der Elektroabscheidung bei einem ersten Potentialwert, der im Bereich von 0,2 bis 5 V liegt, zum Ausbilden der Beschichtung auf Metallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen, der am Träger befestigt ist; und
• - anschließendes Ausführen der Elektroabscheidung bei einem zweiten Potentialwert im Bereich von 0 bis -4 V zum Ätzen der ausgebildeten Beschichtung auf Metallbasis.
• Ferner wird eine Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen) offenbart, der an einem Träger befestigt ist und durch das in der vorliegenden Gebrauchsmusterschrift beschriebene Verfahren erhalten werden kann.
• Ferner wird die Verwendung einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus HARM-Strukturen, der an einem Träger befestigt ist, wie in der vorliegenden Gebrauchsmusterschrift offenbart, als Sensor, Filter oder Pellikel offenbart. Der Sensor kann ein elektrochemischer Sensor oder ein Biosensor sein. Der Filter kann ein optisches Filter, ein Debris-Filter oder ein Membranfilter sein. Das Pellikel kann ein Extrem-Ultraviolett-Lithographie-Pellikel sein.
• Elektroabscheidung, auch als Galvanisierung bezeichnet, ist ein Verfahren zum kontrollierten Abscheiden von Material auf leitenden Oberflächen unter Verwendung von elektrischem Strom aus einer Lösung, die ionische Spezies enthält. Elektroabscheidung ist also ein Verfahren, bei dem elektrischer Strom verwendet wird, um gelöste ionische Spezies zu reduzieren/oxidieren, so dass sie eine kohärente Beschichtung auf Metallbasis auf einer Elektrode bilden.
• Das Verfahren weist das Bereitstellen einer Elektrode auf, die einen Film aus HARM-Strukturen aufweist, der auf einem Träger befestigt ist, wobei der Träger einen Stromkollektor aufweist. Bei der Elektroabscheidung kann ein Stromkollektor verwendet werden, um Elektronen aus dem Elektroabscheidungsprozess zu sammeln. Der Stromkollektor kann typischerweise aus einem leitfähigen Material, wie z.B. Metall, hergestellt sein. Die Verwendung des Stromkollektors hat den zusätzlichen Nutzen, dass er eine gleichmäßige Abscheidung gewährleistet und die Abscheidungsrate während des Galvanisierungsprozesses kontrolliert.
• In der vorliegenden Erfindung weist die bereitgestellte Elektrode einen Film aus HARM-Strukturen auf, der an einem Träger befestigt ist. Die Elektrode kann also aus einem Film aus HARM-Strukturen gebildet werden, der an einem Träger befestigt ist. Darüber hinaus kann der Träger einen Stromkollektor entlang mindestens eines Teils des Trägers aufweisen. Der Stromkollektor kann z.B. an mindestens einem Rand des Trägers bereitgestellt sein. Der Stromkollektor kann z.B. aus Ag, Au, Cu, Fe, Pt, C oder einer Kombination oder Mischung davon bestehen.
• Der Ausdruck „HARM-Struktur“ oder „HARMS“ ist in dieser Gebrauchsmusterschrift, sofern nicht anders angegeben, als Bezugnahme auf „Nanostrukturen“ zu verstehen, d.h. Strukturen mit einer oder mehreren charakteristischen Abmessungen im Nanometerbereich, d.h. kleiner oder gleich etwa 100 Nanometern. Ein „hohes Aspektverhältnis“ bezieht sich auf Abmessungen der leitenden Strukturen in zwei senkrechten Richtungen, die sich in der Größenordnung deutlich unterscheiden. Beispielsweise kann eine Nanostruktur eine Länge haben, die mindestens zehn- oder mindestens hundertmal, bevorzugt mehrere zehnmal oder mehrere hundertmal größer ist als ihre Dicke und/oder Breite. In einem Film aus HARM-Strukturen sind eine große Anzahl dieser Nanostrukturen miteinander verbunden, um ein Netzwerk aus miteinander verbundenen Molekülen zu bilden. Im makroskopischen Maßstab betrachtet, bildet ein HARMS-Netzwerk ein festes, monolithisches Material, in dem die einzelnen molekularen Strukturen desorientiert oder nicht orientiert sind, d.h. im Wesentlichen zufällig ausgerichtet oder orientiert sind. Verschiedene Arten von HARM-Strukturnetzwerken können in Form von dünnen transparenten Schichten mit geeignetem Widerstand hergestellt werden. In einer Ausführungsform sind die HARM-Strukturen elektrisch leitfähige HARM-Strukturen.
• In einer Ausführungsform sind die HARM-Strukturen Kohlenstoffnanostrukturen. In einer Ausführungsform weisen die Kohlenstoffnanostrukturen Kohlenstoffnanoröhrchen (CNT), Kohlenstoff-Nanobuds (CNB), Kohlenstoffnanobänder oder eine beliebige Kombination davon auf. In einer Ausführungsform weisen die Kohlenstoffnanostrukturen Kohlenstoffnanoröhrchen und/oder Kohlenstoff-Nanobuds auf. Die Kohlenstoff-Nanobuds oder die Kohlenstoff-Nanobud-Moleküle, wie sie auch genannt werden können, weisen Fulleren oder Fulleren-ähnliche Moleküle auf, die kovalent an die Seite eines röhrenförmigen Kohlenstoffmoleküls gebunden sind.
• Der Träger kann eine beliebige Art von Träger sein, der geeignet ist, an einem Film aus HARM-Strukturen befestigt zu werden. Der Träger kann aus einem Polymer, einem Metall, Silizium, Glas, einem keramischen Material oder einer Kombination davon ausgebildet sein.
• Die Form des Trägers kann variieren. Der Träger kann die Form eines Rahmens haben. In einer Ausführungsform hat der Träger die Form eines Rahmens und ist der Film aus HARM-Strukturen ein freistehender Film aus HARM-Strukturen, der am Rahmen befestigt ist. Der Rahmen kann den freistehenden Film aus HARM-Strukturen an seinen Außenrändern stützen, so dass ein ungestützter eigenständiger Bereich des freistehenden Films aus HARM-Strukturen gebildet wird. Die Stützstellen können sich an einer beliebigen Stelle in der Struktur befinden, solange sie eine ausreichende Stütze für den freistehenden Film aus HARM-Strukturen bieten. Sie können sich beispielsweise an den Seiten des freistehenden Films aus HARM-Strukturen oder in Bereichen in der Nähe von Ecken oder nebeneinander entlang der Seiten befinden. Jeder größere Bereich, der eine Vielzahl von Stützstellen enthält, fällt ebenfalls unter diesen Aspekt, beispielsweise wenn der Rahmen eine ununterbrochene Kreisform hat, bei der der freistehende Bereich innerhalb des Kreises liegt. Der Rahmen kann auch jede andere verlängerte, ununterbrochene Form haben. In einer Ausführungsform hat der Rahmen die Form eines Kreises, eines Quadrats, eines Dreiecks, eines Rechtecks, eines Ovals oder eines Polygons.
• Der Träger kann eine Netzwerkstruktur, wie z.B. ein Netz oder ein Gitter, aufweisen, die aus miteinander verbundenen Knoten, Scheitelpunkten oder Rändern zusammengesetzt sein kann. Die Netzwerkstruktur kann Zellen mit regelmäßigen oder unregelmäßigen Formen aufweisen. Die Knoten, Scheitelpunkte, Ränder der Netzwerkstruktur oder die Zellen können in einem regelmäßigen oder unregelmäßigen Muster angeordnet sein. Die Zellen können kreisförmig, dreieckig, rechteckig, quadratisch, sechseckig, achteckig oder anderweitig polygonal geformt sein. Der Träger kann auch die Form einer Netzwerkstruktur haben, die in einem Rahmen angeordnet ist, wobei die Netzwerkstruktur und der Rahmen wie vorstehend beschrieben sein können.
• Der Film aus HARM-Strukturen kann eine Größe von 0,1 - 10.000 cm², 1 - 7.000 cm², 10 - 5.000 cm², 100 - 3.000 cm², 500 - 2.500 cm² oder 1.000 - 2.000 cm² haben. Der Film aus HARM-Strukturen kann eine Größe von 0,1 - 1.000 cm², 1 - 500 cm², 10 - 200 cm² oder 50 - 150 cm² haben. Der Erfinder hat überraschenderweise herausgefunden, dass mit dem offenbarten Verfahren eine Beschichtung auf Metallbasis durch Elektroabscheidung auf z.B. einem freistehenden Film aus HARM-Strukturen von einer bisher nicht erreichten großen Größe erzeugt werden kann.
• Der Erfinder hat überraschenderweise herausgefunden, dass es möglich ist, eine Beschichtung auf Metallbasis auf einem großflächigen freistehenden Film aus HARM-Strukturen zu bilden, wenn der Elektroabscheidungsprozess ausgeführt wird, wie er in der vorliegenden Gebrauchsmusterschrift offenbart ist, d.h. indem der zweistufige Prozess mit unterschiedlichen Potentialwerten und einer vorgegebenen Differenz dazwischen verwendet wird. Während der Elektroabscheidung beim ersten Potentialwert werden alle HARM-Strukturen der Oberfläche des Films mit dem darauf abzuscheidenden Metallkomplex abgedeckt. Während der Elektroabscheidung beim zweiten Potentialwert wird die gebildete Beschichtung auf Metallbasis geätzt und eventuelle Defekte darin werden mit weiterem Material abgedeckt, um eine einheitliche Beschichtung auf Metallbasis auszubilden.
• Der Begriff „Ätzen“ kann sich auf den Prozess beziehen, der während der Elektroabscheidung beim zweiten Potenzialwert stattfindet und dazu führt, dass dickere Teile der auf dem Film aus HARM-Strukturen ausgebildeten Beschichtung auf Metallbasis aufgrund einer höheren Verfügbarkeit entfernt oder abgeschabt werden. Das Ausführen der Elektroabscheidung beim zweiten Potentialwert kann dazu führen, dass eine gleichmäßige Beschichtung auf Metallbasis ausgebildet wird.
• Der erste Potenzialwert kann im Bereich von 0,2 bis 5 V, 0,3 bis 3 V, 0,5 bis 2 V oder 1 bis 1,5 V liegen. Der zweite Potentialwert kann im Bereich von 0 bis -4 V, -0,1 bis -3 V, -0,3 bis -2 V oder -0,5 bis -1 V liegen. Die Differenz zwischen dem ersten und dem zweiten Potentialwert kann 0,2 bis 9 V, 0,4 bis 6 V, 0,8 bis 4 V oder 1,5 bis 2 V betragen.
• Der Elektroabscheidungsprozess kann mit einem Zweielektrodensystem oder mit einem Dreielektrodensystem ausgeführt werden. Das Zweielektrodensystem kann aus zwei Elektroden bestehen, d.h. einer Arbeitselektrode und einer Gegenelektrode, die auch als die Referenzelektrode dient. Ein Beispiel für ein Zweielektrodensystem ist in 1a dargestellt. Das Dreielektrodensystem kann so betrachtet werden, dass es aus drei Elektroden besteht, d.h. aus einer Arbeitselektrode, einer Gegenelektrode und einer Referenzelektrode. Die Referenzelektrode hat die Aufgabe, als Referenz für eine Messung und Steuerung des Potentials der Arbeitselektrode zu dienen, ohne dass ein Strom fließt. Ein Beispiel für ein Dreielektrodensystem ist in 1b dargestellt.
• Zwischen der Schicht aus HARM-Strukturen und dem Träger kann eine Polymergrundierung vorgesehen sein, um die Haftung des Films aus HARM-Strukturen am Träger und/oder die elektrische Leitfähigkeit zu verbessern. Die Polymergrundierung kann unter Verwendung einer Dispersion eines halogenierten und/oder sulfonierten Polymers gebildet werden, das aus Polyvinylidenchlorid (PVDC), Polyvinylidenfluorid (PVDF), sulfoniertem Fluorpolymer-Copolymer auf Tetrafluorethylenbasis (Nafion), Polystyrolsulfonat (PSS) oder einer beliebigen Kombination davon ausgewählt ist. Die Polymergrundierung kann daher ein halogeniertes und/oder sulfoniertes Polymer aufweisen oder daraus bestehen, das aus Polyvinylidenchlorid (PVDC), Polyvinylidenfluorid (PVDF), sulfoniertem Fluorpolymer-Copolymer auf Tetrafluorethylenbasis (Nafion), Polystyrolsulfonat (PSS) oder einer beliebigen Kombination davon ausgewählt ist.
• Der Elektroabscheidungsprozess kann für 1 - 5000 Sekunden, 5 - 500 Sekunden, 10 - 300 Sekunden oder 20 - 100 Sekunden ausgeführt werden.
• Die Elektroabscheidung beim ersten Potentialwert kann für 1 - 30 Sekunden, 30 - 300 Sekunden oder 300 - 5000 Sekunden ausgeführt werden. Die Elektroabscheidung beim ersten Potentialwert kann für 1 - 1000 Sekunden, 10 - 600 Sekunden, 20 - 200 Sekunden oder 30 - 150 Sekunden ausgeführt werden.
• Die Elektroabscheidung beim zweiten Potentialwert kann für 1 - 30 Sekunden, 30 - 300 Sekunden oder 300 - 5000 Sekunden ausgeführt werden. Die Elektroabscheidung beim zweiten Potentialwert kann für 1 - 1000 Sekunden, 50 - 600 Sekunden, 100 - 400 Sekunden oder 150 - 350 Sekunden ausgeführt werden.
• Der Elektroabscheidungsprozess kann fortgesetzt werden, bis die Dicke der ausgebildeten Beschichtung auf Metallbasis 1 - 500 nm, 1 - 300 nm, 1 - 100 nm, 1 - 50 nm, 1 - 30 nm, 1 - 20 nm oder 1 - 10 nm beträgt. Die Dicke kann z. B. mit der Technik der Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), der Rasterelektronenmikroskopie (SEM) oder einer beliebigen anderen geeigneten Technik gemessen werden.
• Die Elektrode wird in einem wässrigen Abscheidungsbad eines Metallkomplexes und/oder eines Salzes davon einem Elektroabscheidungsprozess unterzogen. Für das wässrige Abscheidungsbad ist kein Trägerelektrolyt erforderlich. Ein Film aus HARM-Strukturen, wie z.B. Kohlenstoffnanoröhrchen, ist bekanntlich stark hydrophob, weshalb bisher nichtwässrige Abscheidungsbäder verwendet worden sind. Der Erfinder hat überraschenderweise herausgefunden, dass ein wässriges Abscheidungsbad für den Elektroabscheidungsprozess verwendet werden kann. Die Verwendung eines wässrigen Abscheidungsbades hat den zusätzlichen Nutzen, dass es ein umweltfreundliches und sicher zu verwendendes Abscheidungsbad ist. Darüber hinaus hat die Verwendung eines wässrigen Abscheidungsbades den zusätzlichen Vorteil, dass es eine hohe Abscheidungsrate und damit einen schnellen Prozess ermöglicht. Das wässrige Abscheidungsbad bietet außerdem ein hohes HARMS/Elektrolyt-Leitfähigkeitsverhältnis und vermindert die Notwendigkeit der Verwendung eines Trägerelektrolyten. Die Zugabe eines Trägerelektrolyten in das Abscheidungsbad kann das Risiko einer Partikelkontamination auf den HARMS aufgrund von Oberflächenkristallisation erhöhen.
• Das Verfahren kann das Entgasen des wässrigen Abscheidungsbades durch Vakuumzyklen und/oder durch Spülen des wässrigen Abscheidungsbades mit Inertgas aufweisen.
• Der im wässrigen Abscheidungsbad zu verwendende Metallkomplex kann so gewählt werden, dass der Widerstand der gebildeten Beschichtung auf Metallbasis höher ist als der Widerstand des Films aus HARM-Strukturen. Der Widerstand des Films aus HARM-Strukturen kann vor der Beschichtung unter Verwendung einer Vier-Punkt-Sonde, einer Zwei-Punkt-Sonde, von Wirbelstrom oder Terahertz gemessen werden.
• Der Widerstand der Kombination aus der ausgebildeten Beschichtung auf Metallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen kann 10 Ω - 1 kS2, 1 - 100 kS2 oder 100 - 1000 kS2 betragen. Der Widerstand des Films aus HARM-Strukturen beträgt 10 S2 - 10 kS2, 10 S2 - 1 kS2, 20 - 500 S2, 30 - 350 Ω, 40 - 250 S2, 50 - 200 S2 oder 60 - 150 Ω. Für die Messung des Widerstands der Kombination aus der Beschichtung auf Metallbasis und dem Film aus HARM-Strukturen kann eine Vierpunktsonde, eine Zweipunktsonde, Wirbelstrom oder Terahertz verwendet werden.
• Der Metallkomplex kann derart gewählt werden, dass der Widerstand der ausgebildeten Beschichtung auf Metallbasis höher ist als der Widerstand des Films aus HARM-Strukturen. Der höhere Widerstand der Beschichtung auf Metallbasis im Vergleich zum Film der HARM-Strukturen lässt sich an der Zunahme des Widerstands der ausgebildeten Struktur nach der Abscheidung der Beschichtung auf Metallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen ablesen.
• Der Ausdruck „Metallkomplex“ ist in dieser Gebrauchsmusterschrift, sofern nicht anders angegeben, so zu verstehen, dass er sich auf eine Verbindung bezieht, die ein an einen oder mehrere Liganden gebundenes Metallion aufweist oder daraus besteht. Das Metallion wirkt als Zentralatom, und die Liganden sind in der Regel neutrale Moleküle oder Anionen, die über koordinative kovalente Bindungen an das Metall gebunden sind. Die Eigenschaften von Metallkomplexen sind durch die Art des Metallions und die Beschaffenheit der Liganden sowie durch deren Oxidationszustand und Koordinationszahl bestimmt.
• Der Metallkomplex kann ein Übergangsmetallkomplex sein. Der Metallkomplex kann ein Metallkomplex auf Schwefelbasis, ein Metallkomplex auf Sauerstoffbasis oder ein Metallkomplex auf Oxysulfurbasis sein. Der Metallkomplex kann ein Übergangsmetallkomplex auf Schwefelbasis, ein Übergangsmetallkomplex auf Sauerstoffbasis oder ein Übergangsmetallkomplex auf Oxyschwefelbasis sein. Das Übergangsmetall kann aus einer Gruppe bestehend aus Mo, W, Cu, Zr, Ti, Nb, V, Hf, Cr, Zn, Fe, Ni und Co ausgewählt werden. In einer Ausführungsform ist das Übergangsmetall Mo oder W.
• Neben dem (Übergangs-)Metall kann der Metallkomplex auch Schwefel, Sauerstoff, Wasserstoff, Kohlenstoff, Stickstoff oder eine beliebige Kombination oder Mischung davon enthalten.
• Der Metallkomplex kann als [M_αC_ßH_γN_δO_εS_ζ] bezeichnet werden, wobei
  Mein Übergangsmetallion ist,
  α ein Wert von 1 - 20 ist, und
  β, γ, δ, ε, ζ, jeweils unabhängig voneinander einen Wert von 0 - 50 haben.
• In einer Ausführungsform wird der Metallkomplex als [M_αS_ξ], [M_αO_ε [M_αO_εS_ζ], [M_αC_ßH_γS_ζ], [M_αC_βH_γO_ζ] oder [M_αC_βH_yO_εS_ξ], [M_αC_βH_γN_δO_εS_ζ] bezeichnet, wobei
  Mein Übergangsmetallion ist,
  α ein Wert von 1 - 20 ist, und
  β, γ, δ, ε, ζ, jeweils unabhängig voneinander einen Wert von 1 - 50 haben.
• Das Übergangsmetallion kann ein Ion von Mo, W, Cu, Zr, Ti, Nb, V, Hf, Cr, Zn, Fe, Ni oder Co sein.
• Der Metallkomplex kann in Form eines Salzes vorliegen. Beispiele für ein solches Salz sind ein Ammoniumsalz oder ein Natriumsalz des Metallkomplexes.
• Das wässrige Abscheidungsbad kann daher ein Abscheidungsbad sein, das aus Wasser und einem Metallkomplex und/oder einem Salz davon gebildet wird. Das wässrige Abscheidungsbad kann ferner Additive wie organische Aufheller, Streukraftverstärker und Haftvermittler enthalten. In einer Ausführungsform besteht das wässrige Abscheidungsbad aus Wasser und einem Metallkomplex und/oder einem Salz davon. Die Konzentration des Metallkomplexes im wässrigen Abscheidungsbad kann 0,001 mM - 3 M, 0,1 mM - 1 M, 0,2 - 500 mM, 0,3 - 100 mM, 0,4 - 50 mM, 0,5 - 10 mM, 0,6 - 5 mM oder 0,7 - 3 mM betragen. Die Verwendung einer niedrigen Konzentration des Metallkomplexes im Abscheidungsbad hat den zusätzlichen Vorteil, dass die Gleichmäßigkeit des erzeugten Films kontrollierbar ist, da es einfacher ist, das Materialgleichgewicht und die Massendiffusion zu steuern.
• Die ausgebildete Beschichtung auf Metallbasis kann eine Beschichtung aus einem Übergangsmetall, z.B. einem Übergangsmetalldichalcogenid, sein. Das Übergangsmetall kann Mo, W, Cu, Zr, Ti, Nb, V, Hf, Cr, Zn, Fe, Ni oder Co sein.
• Das in der vorliegenden Gebrauchsmusterschrift beschriebene Verfahren hat den zusätzlichen Nutzen, dass es eine ultraschnelle Herstellung gleichmäßiger und großflächiger Abscheidungen auf freistehenden oder gestützten Filmen aus HARM-Strukturen ermöglicht. Das in der vorliegenden Gebrauchsmusterschrift beschriebene Verfahren kann in verschiedenen Anwendungen wie EUV-Pellikeln, elektrochromen Displays und elektrochemischen Sensoren zum Einsatz kommen.
• Beispiele
• Es wird nun im Detail auf die beschriebenen Ausführungsformen verwiesen, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.
• In der folgenden Beschreibung werden einige Ausführungsformen so detailliert dargestellt, dass Fachleute in der Lage sind, das Verfahren auf der Grundlage der Offenbarung anzuwenden. Es werden nicht alle Schritte der Ausführungsformen im Detail besprochen, da viele der Schritte für Fachleute auf der Grundlage dieser Gebrauchsmusteranmeldung offensichtlich sind.
• 1a zeigt ein Beispiel eines Zweielektrodensystems, das zum Herstellen einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus HARM-Strukturen verwendet werden kann, der auf einem Träger befestigt ist. Das Zweielektrodensystem in 1a besteht aus zwei Elektroden, d.h. einer Arbeitselektrode (102) und einer Gegenelektrode (104), die auch als Referenzelektrode dient.
• 1b zeigt ein Beispiel eines Dreielektrodensystems, das zum Herstellen einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus HARM-Strukturen verwendet werden kann, der an einem Träger befestigt ist. Das Dreielektrodensystem von 1a besteht aus drei Elektroden, d.h. einer Arbeitselektrode (102), einer Gegenelektrode (104) und einer Referenzelektrode (106). Die Referenzelektrode (106) hat die Aufgabe, als Referenz für die Messung und Kontrolle des Potentials der Arbeitselektrode (102) zu dienen, ohne dass ein Strom fließt.
• BEISPIEL 1 - Ausbilden einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus HARM-Strukturen, der an einem Träger befestigt ist
• In diesem Beispiel wurden Beschichtungen auf Metallbasis auf Filmen aus HARM-Strukturen ausgebildet, die an einem Träger befestigt waren. Zunächst wurde eine Elektrode bereitgestellt, indem ein vorbereiteter Film aus HARM-Strukturen an einem Träger mit einem Stromkollektor befestigt wurde, der in diesen Proben eine Ag-Leitung war. Die gebildeten Elektroden wurden dann dem Elektroabscheidungsprozess in einem wässrigen Abscheidungsbad unterzogen, das unter Verwendung eines Salzes eines Metallkomplexes gebildet wurde, und dann wurde der Elektroabscheidungsprozess wie in der vorliegenden Gebrauchsmusterschrift beschrieben ausgeführt.
• Die folgenden Materialien und Parameter wurden in den Beispielen verwendet:

  	Probe 1	Probe 2	Probe 3	Probe 4
  HARM-Strukturen	CNT	CNT	CNT	CNT
  Material des Trägers	PMMA	Quarz	Si	Stahl
  Form des Trägers	Rahmen	Rahmen	Rahmen	Rahmen
  Fläche des Films aus HARM-Strukturen	49 cm2	162 cm2	49 cm2	160,5 cm2
  Polymergrundierung	PVDC	NA	PVDC	NA
  Metallkomplex im Abscheidungsbad	(NH4)2[MOS4]	(NH4)2[WS4]	Na2[MoO4]	N(C2H5)4[ MoS4]
  Konzentration des Metallkomplexes im Abscheidungsbad	2 mM	1 mM	2 mM	0,5 mM
  Erster Potentialwert	1,0 V	1,0 V	0,9 V	0,8 V
  Zweiter Potentialwert	-1,0 V	-1,2 V	-1,0 V	-1,0 V
  Differenz zwischen erstem und zweitem Potentialwert	2,0 V	2,2 V	1,9 V	1,8 V
  Zeit zum Ausführen der Abscheidung	360 s	460 s	250 s	260 s
  Zeit zum Ausführen der Elektroabscheidung beim ersten Potentialwert	60 s	120 s	60 s	30 s
  Zeit zum Ausführen der Elektroabscheidung beim zweiten Potentialwert	300 s	340 s	190 s	230 s
  Widerstand des Films aus HARM-Strukturen	150 Ohm	15 Ohm	150 Ohm	350 Ohm
  Widerstand der Kombination aus der Beschichtung auf Metallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen	1000 Ohm	2000 Ohm	3500 Ohm	500 Ohm
  Dicke der Beschichtung auf Metallbasis	-10 nm	-20 nm	-10-50 nm	∼1-5 nm
  CNT = Kohlenstoffnanoröhrchen
  PMMA = Polymethylmethacrylat
  PVDC = Polyvinylidenchlorid
  NA = nicht angewendet

• Aus den vorstehenden Ergebnissen ist ersichtlich, dass mit dem angewandten Verfahren eine Beschichtung auf Metallbasis auf einem freistehenden Film aus HARM-Strukturen herstellbar ist. Ferner kann eine Beschichtung auf Metallbasis hergestellt werden, deren Widerstand höher ist als der Widerstand des freistehenden Films aus HARM-Strukturen. Aus 2 geht ferner hervor, dass durch den zweistufigen Elektroabscheidungsprozess eine sehr gleichmäßige Beschichtung auf Metallbasis auf dem freistehenden Film aus HARM-Strukturen ausgebildet werden kann.
• Es ist für Fachleute offensichtlich, dass die Grundidee mit dem Fortschritt der Technik auf verschiedene Weise umgesetzt werden kann. Die Ausführungsformen sind daher nicht auf die vorstehend beschriebenen Beispiele beschränkt, sondern können innerhalb des Umfangs der Ansprüche variieren.
• Die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen können in beliebiger Kombination miteinander verwendet werden. Mehrere der Ausführungsformen können miteinander kombiniert werden, um eine weitere Ausführungsform zu bilden. Ein Filter, ein Verfahren, eine Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus HARM-Strukturen, der an einem Träger befestigt ist, oder eine Verwendung, wie sie hierin offenbart sind, können mindestens eine der hierin beschriebenen Ausführungsformen aufweisen. Es versteht sich, dass die vorstehend beschriebenen Nutzen und Vorteile sich auf eine Ausführungsform oder auf mehrere Ausführungsformen beziehen können. Die Ausführungsformen sind nicht auf diejenigen beschränkt, die eines oder alle der genannten Probleme lösen oder die einen oder alle der genannten Nutzen und Vorteile enthalten. Es versteht sich ferner, dass sich der Verweis auf „ein“ Element auf ein oder mehrere dieser Elemente bezieht. Der Begriff „aufweisen“ wird in dieser Gebrauchsmusterschrift derart verwendet, dass das/die danach folgende(n) Merkmal(e) oder Vorgang (Vorgänge) eingeschlossen sind, ohne das Vorhandensein eines oder mehrerer zusätzlicher Merkmale oder Vorgänge auszuschließen.
• Aspekte der Offenbarung (wobei die Verfahrensaspekte nicht vom Schutzumfang umfasst sind)
1. 1. Filter, mit:
   • einem Träger;
   • einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der am Träger befestigt ist; und
   • einer Beschichtung auf Übergangsmetallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen,
   • wobei der Film aus HARM-Strukturen eine Größe von 10 - 200 cm² hat und eine Dicke der ausgebildeten Beschichtung auf Übergangsmetallbasis 1 - 500 nm beträgt.
2. 2. Filter des vorhergehenden Aspekts, der ein Debris-Filter, ein optisches Filter oder eine Kombination davon ist.
3. 3. Filter nach einem der vorangehenden Aspekte, der ein Debris-Filter, ein optisches Filter oder eine Kombination davon in einer EUV-Vorrichtung ist.
4. 4. Filter nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei der Träger die Form eines Rahmens hat und der Film aus HARM-Strukturen ein freistehender Film aus HARM-Strukturen ist, der am Rahmen befestigt ist.
5. 5. Filter nach Aspekt 4, wobei der Rahmen den freistehenden Film aus HARM-Strukturen an seinen Außenrändern so abstützt, dass ein ungestützter, freistehender Bereich des freistehenden Films aus HARM-Strukturen gebildet wird.
6. 6. Filter nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei der Rahmen die Form eines Kreises, eines Quadrats, eines Dreiecks, eines Rechtecks, eines Ovals oder eines Polygons hat.
7. 7. Filter nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei der Träger aus einem Polymer, einem Metall, Silizium, Glas, einem keramischen Material oder einer beliebigen Kombination davon ausgebildet ist.
8. 8. Filter nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei die HARM-Strukturen Nanostrukturen mit einer oder mehreren charakteristischen Abmessungen von kleiner oder gleich 100 Nanometern sind, wobei die Nanostrukturen jeweils eine Länge aufweisen, die mindestens zehn- oder mindestens hundertmal größer ist als ihre Dicke und/oder Breite.
9. 9. Filter nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei die HARM-Strukturen Kohlenstoffnanostrukturen sind.
10. 10. Filter nach Aspekt 9, wobei die Kohlenstoffnanostrukturen Kohlenstoffnanoröhrchen (CNT), Kohlenstoff-Nanobuds (CNB), Kohlenstoffnanobänder oder eine beliebige Kombination davon aufweisen.
11. 11. Filter nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei eine Polymergrundierung zwischen dem Film aus HARM-Strukturen und dem Träger bereitgestellt ist.
12. 12. Filter nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei die Dicke der ausgebildeten Beschichtung auf Übergangsmetallbasis 10 - 500 nm, 10 - 300 nm, 10 - 100 nm, 10 - 50 nm, 10 - 30 nm oder 10 - 20 nm beträgt.
13. 13. Filter nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei der Widerstand der ausgebildeten Beschichtung auf Übergangsmetallbasis höher ist als der Widerstand des Films aus HARM-Strukturen.
14. 14. Filter nach einem der vorangehenden Aspekte, wobei das Übergangsmetall Mo, W, Cu, Zr, Ti, Nb, V, Hf, Cr, Zn, Fe, Ni oder Co aufweist.
15. 15. Filter nach einem der vorangehenden Aspekte, wobei die ausgebildete Beschichtung auf Übergangsmetallbasis ein Übergangsmetalldichalcogenid aufweist.
16. 16. Filter nach einem der vorangehenden Aspekte, wobei der Träger einen Stromkollektor aufweist.
17. 17. Filter nach einem der vorangehenden Aspekte, wobei der Träger einen Stromkollektor entlang mindestens eines Teils des Trägers aufweist.
18. 18. Filter nach Aspekt 16, wobei der Stromkollektor an mindestens einem Rand des Trägers vorgesehen ist.
19. 19. Filter nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei der Träger eine Netzwerkstruktur, wie z.B. ein Netz oder ein Gitter, aufweist, die optional in einem Rahmen angeordnet ist, wobei die Zellen des Netzes oder des Gitters kreisförmig, dreieckig, rechteckig, quadratisch, sechseckig, achteckig oder anderweitig polygonal geformt sein können.
20. 20. Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der an einem Träger befestigt ist, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
    • - Bereitstellen einer Elektrode, die einen an einem Träger befestigten Film aus HARM-Strukturen aufweist, wobei der Träger einen Stromkollektor aufweist;
    • - Unterziehen der Elektrode einem Elektroabscheidungsprozess in einem wässrigen Abscheidungsbad eines Metallkomplexes und/oder eines Salzes davon, wobei der Elektroabscheidungsprozess aufweist:
    • - zunächst Ausführen der Elektroabscheidung bei einem ersten Potentialwert, der im Bereich von 0,2 bis 5 V liegt, zum Ausbilden der Beschichtung auf Metallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen, der am Träger befestigt ist; und
    • - anschließendes Ausführen der Elektroabscheidung bei einem zweiten Potentialwert, der im Bereich von 0 bis -4 V liegt, zum Ätzen der ausgebildeten Beschichtung auf Metallbasis.
21. 21. Verfahren nach Aspekt 20, wobei der Träger die Form eines Rahmens hat und der Film aus HARM-Strukturen ein freistehender Film aus HARM-Strukturen ist, der am Rahmen befestigt ist.
22. 22. Verfahren nach einem der Aspekte 20-21, wobei der Film aus HARM-Strukturen eine Größe von 0,1 - 1000 cm², 1 - 500 cm², 10 - 200 cm² oder 50 - 150 cm² hat.
23. 23. Verfahren nach einem der Aspekte 20-22, wobei der erste Potentialwert im Bereich von 0,3 bis 3 V, 0,5 bis 2 V, oder 1 bis 1,5 V liegt.
24. 24. Verfahren nach einem der Aspekte 20-23, wobei der zweite Potentialwert im Bereich von 0 bis -4 V, -0,1 bis -3 V, -0,3 bis -2 V oder -0,5 bis -1 V liegt.
25. 25. Verfahren nach einem der Aspekte 20-24, wobei die Differenz zwischen dem ersten Potentialwert und dem zweiten Potentialwert 0,2 - 9 V, 0,4 - 6 V, 0,8 - 4 V oder 1,5 - 2 V beträgt.
26. 26. Verfahren nach einem der Aspekte 20-25, wobei zwischen der Schicht aus HARM-Strukturen und dem Träger eine Polymergrundierung vorgesehen ist, um die Haftung der Schicht aus HARM-Strukturen am Träger zu erhöhen und/oder die elektrische Leitfähigkeit zu verbessern.
27. 27. Verfahren nach einem der Aspekte 20-26, wobei der Träger aus einem Polymer, einem Metall, Silizium, Glas, einem keramischen Material oder einer beliebigen Kombination davon ausgebildet ist.
28. 28. Verfahren nach einem der Aspekte 20-27, wobei die Elektroabscheidung beim ersten Potentialwert für 1 - 1000 Sekunden, 10 - 600 Sekunden, 20 - 200 Sekunden oder 30 - 150 Sekunden ausgeführt wird.
29. 29. Verfahren nach einem der Aspekte 20-28, wobei die Elektroabscheidung beim zweiten Potentialwert für 1 - 1000 Sekunden, 50 - 600 Sekunden, 100 - 400 Sekunden oder 150 - 350 Sekunden ausgeführt wird.
30. 30. Verfahren nach einem der Aspekte 20-29, wobei der Metallkomplex derart ausgewählt wird, dass der Widerstand der ausgebildeten Beschichtung auf Metallbasis höher ist als der Widerstand des Films aus HARM-Strukturen allein.
31. 31. Verfahren nach einem der Aspekte 20-30, wobei der Metallkomplex ein Metallkomplex auf Schwefelbasis, ein Metallkomplex auf Sauerstoffbasis oder ein Metallkomplex auf Oxyschwefelbasis ist.
32. 32. Verfahren nach einem der Aspekte 20-31, wobei der Metallkomplex zusätzlich zu Metall Schwefel, Sauerstoff, Wasserstoff, Kohlenstoff, Stickstoff oder eine beliebige Kombination oder Mischung davon enthält.
33. 33. Verfahren nach einem der Aspekte 20-32, wobei in dem wässrigen Abscheidungsbad kein Trägerelektrolyt verwendet wird.
34. 34. Verfahren nach einem der Aspekte 20-33, wobei das Verfahren das Unterziehen des wässrigen Abscheidungsbades einer Entgasung aufweist, die durch Vakuumzyklen und/oder durch Spülen mit Inertgas durch das wässrige Abscheidungsbad ausgeführt wird.
35. 35. Verfahren nach einem der Aspekte 20-34, wobei der Elektroabscheidungsprozess fortgesetzt wird, bis die Dicke der ausgebildeten Beschichtung auf Metallbasis 1 - 500 nm, 1 - 300 nm, 1 - 100 nm, 1 - 50 nm, 1 - 30 nm, 1 - 20 nm oder 1 - 10 nm beträgt.
36. 36. Verfahren nach einem der Aspekte 20-35, wobei der Widerstand der Kombination aus der ausgebildeten Beschichtung auf Metallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen 10 Ω - 1 kS2, 1 - 100 kS2 oder 100 - 1000 kS2 beträgt.
37. 37. Verfahren nach einem der Aspekte 20-36, wobei der Widerstand des Films aus HARM-Strukturen 10 Ω - 10 kS2, 10 Ω - 1 kΩ, 20 - 500 Ω, 30 - 350 Ω, 40 - 250 Ω, 50 - 200 Ω oder 60 - 150 Ω beträgt.
38. 38. Verfahren nach einem der Aspekte 20-37, wobei der Elektroabscheidungsprozess mit einem Zweielektrodensystem oder mit einem Dreielektrodensystem ausgeführt wird.
39. 39. Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der an einem Träger befestigt ist und durch das Verfahren nach einem der Aspekte 1 bis 19 erhalten werden kann.
40. 40. Verwendung einer Beschichtung auf Metallbasis auf einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der an einem Träger befestigt ist, nach Aspekt 20 als Sensor, Filter oder Pellikel.
41. 41. Verwendung nach Aspekt 40, wobei der Sensor ein elektrochemischer Sensor oder ein Biosensor ist.
42. 42. Verwendung nach Aspekt 41, wobei der Filter ein optisches Filter, ein Debris-Filter oder ein Membranfilter ist.
43. 43. Verwendung nach Aspekt 41, wobei das Pellikel ein Extrem-Ultraviolett-Lithographie-Pellikel ist.
• Bezugszeichenliste:

100

Stromversorgung

102

Arbeitselektrode

104

Gegenelektrode

106

Referenzelektrode

110

Abscheidungsbad

Claims (19)

1. Filter, mit: einem Träger, einem Film aus molekularen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis (HARM-Strukturen), der am Träger befestigt ist; und einer Beschichtung auf Übergangsmetallbasis auf dem Film aus HARM-Strukturen, wobei der Film aus HARM-Strukturen eine Größe von 10 - 200 cm² hat und eine Dicke der ausgebildeten Beschichtung auf Übergangsmetallbasis 1 - 500 nm beträgt.
2. Filter nach Anspruch 1, der ein Debris-Filter, ein optisches Filter oder eine Kombination davon ist.
3. Filter nach Anspruch 1, der ein Debris-Filter, ein optisches Filter oder eine Kombination davon in einer EUV-Vorrichtung ist.
4. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei der Träger die Form eines Rahmens hat und der Film aus HARM-Strukturen ein freistehender Film aus HARM-Strukturen ist, der am Rahmen befestigt ist.
5. Filter nach Anspruch 4, wobei der Rahmen den freistehenden Film aus HARM-Strukturen an seinen Außenrändern so stützt, dass ein ungestützter, freistehender Bereich des freistehenden Films aus HARM-Strukturen gebildet wird.
6. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei der Rahmen die Form eines Kreises, eines Quadrats, eines Dreiecks, eines Rechtecks, eines Ovals oder eines Polygons hat.
7. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei der Träger aus einem Polymer, einem Metall, Silizium, Glas, einem keramischen Material oder einer beliebigen Kombination davon ausgebildet ist.
8. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die HARM-Strukturen Nanostrukturen mit einer oder mehreren charakteristischen Abmessungen von kleiner oder gleich 100 Nanometern sind, wobei die Nanostrukturen jeweils eine Länge aufweisen, die mindestens zehn- oder mindestens hundertmal größer ist als ihre Dicke und/oder Breite.
9. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die HARM-Strukturen Kohlenstoffnanostrukturen sind.
10. Filter nach Anspruch 9, wobei die Kohlenstoffnanostrukturen Kohlenstoffnanoröhrchen (CNT), Kohlenstoff-Nanobuds (CNB), Kohlenstoffnanobänder oder eine beliebige Kombination davon aufweisen.
11. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei eine Polymergrundierung zwischen dem Film aus HARM-Strukturen und dem Träger vorgesehen ist.
12. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die Dicke der ausgebildeten Beschichtung auf Übergangsmetallbasis 10 - 500 nm, 10 - 300 nm, 10 - 100 nm, 10 - 50 nm, 10 - 30 nm oder 10 - 20 nm beträgt.
13. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei ein Widerstand der ausgebildeten Beschichtung auf Übergangsmetallbasis höher ist als ein Widerstand des Films aus HARM-Strukturen.
14. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei das Übergangsmetall Mo, W, Cu, Zr, Ti, Nb, V, Hf, Cr, Zn, Fe, Ni oder Co aufweist.
15. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die ausgebildete Beschichtung auf Übergangsmetallbasis ein Übergangsmetalldichalcogenid aufweist.
16. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei der Träger einen Stromkollektor aufweist.
17. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei der Träger einen Stromkollektor entlang mindestens eines Teils des Trägers aufweist.
18. Filter nach Anspruch 16, wobei der Stromkollektor an mindestens einem Rand des Trägers vorgesehen ist.
19. Filter nach einem der vorigen Ansprüche, wobei der Träger ein Netz aufweist.

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