DE2019797C3 - Halterung für eine Halbleiter-Lumineszenzdiode - Google Patents

Halterung für eine Halbleiter-Lumineszenzdiode

Info

Publication number
DE2019797C3
DE2019797C3 DE2019797A DE2019797A DE2019797C3 DE 2019797 C3 DE2019797 C3 DE 2019797C3 DE 2019797 A DE2019797 A DE 2019797A DE 2019797 A DE2019797 A DE 2019797A DE 2019797 C3 DE2019797 C3 DE 2019797C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitting diode
metal
semiconductor light
junction
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2019797A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2019797B2 (de
DE2019797A1 (de
Inventor
Andrew George Somerville N.J. Zourides
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE2019797A1 publication Critical patent/DE2019797A1/de
Publication of DE2019797B2 publication Critical patent/DE2019797B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2019797C3 publication Critical patent/DE2019797C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
DE2019797A 1969-04-23 1970-04-23 Halterung für eine Halbleiter-Lumineszenzdiode Expired DE2019797C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US81866269A 1969-04-23 1969-04-23

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2019797A1 DE2019797A1 (de) 1971-01-14
DE2019797B2 DE2019797B2 (de) 1980-11-13
DE2019797C3 true DE2019797C3 (de) 1985-01-31

Family

ID=25226093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2019797A Expired DE2019797C3 (de) 1969-04-23 1970-04-23 Halterung für eine Halbleiter-Lumineszenzdiode

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS5038476B1 (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE2019797C3 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR2046238A5 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1295306A (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1403801A (en) * 1973-01-30 1975-08-28 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor device stud mount
GB1487010A (en) * 1975-04-01 1977-09-28 Standard Telephones Cables Ltd Laser stud mounts
DE2741700A1 (de) * 1977-09-16 1979-03-22 Siemens Ag Einrichtung zum ueberwachen der emission eines halbleiterstrahlers
GB8420103D0 (en) * 1984-08-07 1984-09-12 Alam Aftab Multiple liquids flow control device
GB2164789B (en) * 1984-09-19 1987-11-11 Philips Electronic Associated Pyroelectric infra-red detector
DE4141978A1 (de) * 1991-12-19 1993-06-24 Sel Alcatel Ag Leuchtdiode mit einer umhuellung
DE9202608U1 (de) * 1992-02-28 1992-09-17 EBT Licht-Technik GmbH, 6702 Bad Dürkheim Anzeigeelement
JP2002223007A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光源ユニット及びこれを用いた半導体発光照明装置
JP4701565B2 (ja) * 2001-09-05 2011-06-15 パナソニック株式会社 光源ユニットの装着構造

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1429704A (fr) * 1965-04-01 1966-02-25 Gen Electric Perfectionnements aux sources de rayonnement cohérent
US3421203A (en) * 1965-04-06 1969-01-14 Fairchild Camera Instr Co Photodevice enclosure
US3303432A (en) * 1966-04-18 1967-02-07 Gen Electric High power semiconductor laser devices
FR1503716A (fr) * 1966-10-11 1967-12-01 Radiotechnique Coprim Rtc Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs à jonction electroluminescente
FR1542702A (fr) * 1967-09-05 1968-10-18 Procédé de fabrication de diodes électroluminescentes au phosphure de gallium à jonction alliée et diodes obtenues par ce procédé

Also Published As

Publication number Publication date
FR2046238A5 (enrdf_load_stackoverflow) 1971-03-05
DE2019797B2 (de) 1980-11-13
JPS5038476B1 (enrdf_load_stackoverflow) 1975-12-10
DE2019797A1 (de) 1971-01-14
GB1295306A (enrdf_load_stackoverflow) 1972-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2019797C3 (de) Halterung für eine Halbleiter-Lumineszenzdiode
DE102020202701A1 (de) Zündkerze
DE2808531A1 (de) Lichtgetriggertes hochleistungs-halbleiterbauelement
DE1039645B (de) In ein Metallgehaeuse mit isolierten Leitungsdurchfuehrungen eingeschlossene Halbleiter-Kristallode
DE1789193A1 (de) Steuerbarer halbleitergleichrichter
DE1241536B (de) In ein Gehaeuse eingeschlossene Halbleiteranordnung
DE2711776A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement
DE1589854A1 (de) Loetstellenfreier Halbleitergleichrichter
DE1048358B (enrdf_load_stackoverflow)
DE1013010B (de) Gehaeuse fuer einen Flaechengleichrichter
DE2012440C3 (de) Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente
DE10158529B4 (de) Temperaturfühler
DE1916399A1 (de) Halbleitergleichrichter
DE2608813C3 (de) Niedrigsperrende Zenerdiode
DE102015205354A1 (de) Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
WO2016074891A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und vorrichtung mit einem optoelektronischen halbleiterbauelement
DE1800192A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
AT232131B (de) In ein Gehäuse eingeschlossene Halbleiteranordnung
DE745632C (de) Anordnung zur Abstuetzung des Elektrodensystems einer Elektronenroehre
DE102016123963A1 (de) Vorkammer-Koronazündeinrichtung
DE1764801A1 (de) Halbleitergeraet
DE1044281B (de) Halbleiteranordnung mit Waermeableiter und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2300630C3 (de) Kathodenanordnung fur eine Hochspannungsvakuumröhre
DE1047948B (de) Anordnung mit einem Flaechengleichrichterelement mit p-n-UEbergang
DE1439882A1 (de) Halbleiteranordnung,insbesondere Spitzen-und Kleinflaechendioden

Legal Events

Date Code Title Description
8263 Opposition against grant of a patent
8281 Inventor (new situation)

Free format text: KRAUTTER, HENRY JOHN, BERKELEY HEIGHTS, N.J., US ZOURIDES, ANDREW GEORGE, SOMERVILLE, N.J., US

C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee