DE2013829A1 - Gegentakt-B-Endstufe - Google Patents
Gegentakt-B-EndstufeInfo
- Publication number
- DE2013829A1 DE2013829A1 DE19702013829 DE2013829A DE2013829A1 DE 2013829 A1 DE2013829 A1 DE 2013829A1 DE 19702013829 DE19702013829 DE 19702013829 DE 2013829 A DE2013829 A DE 2013829A DE 2013829 A1 DE2013829 A1 DE 2013829A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- output stage
- pull
- push
- transistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/307—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in push-pull amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3083—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type
- H03F3/3086—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal
- H03F3/3088—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal with asymmetric control, i.e. one control branch containing a supplementary phase inverting transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Licentia Patent~Verwaltungs~GmbH
Frankfurt/Main, Theodor~Stern=Kai 1
Heilbronn, den l8o 3„ 1970
PT~Ma/kf = HN 69/92
"Gegentakt-B~Endstufe"
Die Erfindung betrifft eine Gegentakt-B«Endstufe eines Ver=
3tärkers mit einer Treiberstufe zur Ansteuerung der Endstufe, bei der Mittel für die Konstanthaltung des Kollektorruhestromes gegenüber Temperatur Schwankungen in den Endstufentransistoren vorgesehen sind*
Die Transistoren einer Endstufe in 'einem Gegentakt-B Verstärker werden mit einem sehr kleinen Kollektorruhestrom
betrieben» Dieser Kollektorruhestrom muß zur Vermeidung
von Verzerrungen des Ausgangssιgaa 1 s., insbesondere zur Ver
meldung der soganannten Öbernahmeverzerrungeri ,oder B=Ver -
BAD ORlGlNAL 109840/1483
Zerrungen, konstant gehalten werden, Es muß also dafür ge»
sorgt werden, daß der Kollektorruhestrom von Temperaturschwankungen und von Änderungen der Versorgungsspannung
unabhängig ist ο
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde,
eine Schaltung anzugeben, bei der der Koilektorruhestrom
in den Transistoren einer Endstufe bei einem Gegentakt-B-Verstärker
von Schwankungen der Batteriespannung und
von Temperaturschwankungen unabhängig sind» Ferner ist es
Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Schaltung anzugeben, die ohne Schwierigkeiten in einem allen Bauelementen
gemeinsamen Halbleiterkörper integriert werden kann«
Die Erfindung besteht bei einer Gegentakt-B-Endstufe der
eingangs beschriebenen Art. darin, daß der in Serie zu der
Kollektor-Emitterstrecke des Treibertransistors T ge=
schaltete Außenwiderstand aus der KoIlektor-Emitterstrecke
eines zusatzlichen Transistors T besteht, dessen Basis
elektrode über eine KonstantstromqueJle K angesteuert wird,
so daß sich der Auß^nwidprstand des Treibertransistors T
BAD ORIGINAL
109840/1483
proportional mit der KoI lektor"=Emi tterspannung des zusätzlichen
Transistors und damit annähernd proportional mit der" Versorgungsspannung ändert«
Bei bekannten Gegentakt schaltungen ist in die Kollektorzuleitung
des Treibertransistors ein mit der Versorgungsspannung verbuttdenet ohinscher Widerstand geschaltet= Dies
hat zur Folge, daß sich bei ändernder Versorgungsspannung
auch df»r Koilcktorstrom durch den Treibertransistor ver=·
ändert« Bei diesen bekannten Schaltungen ist. in Reihe zum
Kollektorwiderstand des Treibertransistors wenigstens eine
Diode in Flußrichtung geschaltet, deren Spannungsabfall zur Ansteuerung der Endstufentransistoren verwendet
wird. Wenn sich nun aber die Batteriespannung bei dieser
Schaltung stark ändert, läßt sich auch eine Änderung des
KoIlektorruhes.troms in den Endstufentransistoren, verur=
sacht durch die geänderte Flußspannung der Diode, nicht vermeiden^
Dxe erfindungsgemäße Schaltung weist diesen Nachteil nicht
mehr auf. Bei der erfindungsgemäßen Schaltung ward auch
■ ■ n BAD ORIGINAL
109840/1483
2D13829
der Kollektorgleichstrom des Treibertransistors unabhängig
von der Versorgungsspannung konstant gehalten» Der vorliegende Gegentakt-=B=Verstärker läßt sich auch sehr leicht
in integrierte Festkörper-Schaltungstechnik aufbaueno Hierbei ist in einer vorteilhaften Weiterbildung der vorgeschlagen
Schaltung vorgesehen* daß die beiden Endstufentransistoren T und T aus Transistoren der gleichen Zonenfolge bestehen,
In diesem F,all muß jedoch zur Phasenumkehr einem der beiden Endstufentransistören ein Komplementartransistor
T. vorgeschaltet 'werden. Um dxe Integrierung der Schaltung,
beispielsweise in einem allen Bauelementen gemeinsamen
SiIi zium-Halbl *»i terkorper , zu erleichtern« werden die Endstufentransistoren
den npn Leitungstyp aufweisen« während der Komplementärtransistor ein pnp Lateraltransistor ist0
Der Lateraltransistor ist ein Oberilachentransistor, bei
dem die Emitter und die Kollektorzone nebeneinander an
einer Ober f 1 ««.henseit e in einem Basisgrundkörper angeordnet sind» Die Stromverstärkung dieser Transistoren ist
sehr klein und hat in der Regel df*n Wert Β^Ί.
BAD ORIGINAL
10984Π/1483
Um eine Ansteuerung der. Endstufe mit sehr geringen Strömen
zu ermöglichen und um auf diese Weise die Verlustleistung
in der Treiberstufe zu reduzieren, wird zwischen den
Treibertransistor T und die Transistoren T und T der
1 d J
Endstufe in vorteilhafter Weise „ jeweils ein weiterer
Transistor T,_ und T/- in Emitterschaltung zur Stromver-Stärkung
geschalteto .
Die Konstantstromquelle besteht vorzugsweise aus einem
xn Emitterschaltung betriebenen Transistor To, dessen KollektoreJektrode mit der Basiselektrode des zusätzlichen
Transistors T verbunden, ist,, Die Basisvorspannung dieses
Transistors Tn wird von der konstanten, an in Flußrichtung
beanspruchten Dioden abfallenden Spannung bestimmt ο
Die erfindungsgemaße Gegentakt-B Endstufe und ihre weitere
vorteilhafte Ausgestaltung soll anhand von zwei Ausführungs·=
bei spielen naher erläutert werdenο
Einfache Gegentakt-B-Endstufen lassen sich mit komplementären Endstufentransistoren herstellen« Da Jedoch die Strom
BAD ORIGINAL 109840/1483
verstärkung von in integrierter Technik hergestellter Komplementärtransistoren stark voneinander abweichen würde,
muß eine realisierbare Ersatzlösung gefunden werden^ Dies
geschieht gemäß Figur 1 dadurch, daß die beiden Endstufentransistoren
T und T Transistoren gleicher Zonenfolge sind, deren Kollektor-Emitterstrecken in Reihe geschaltet
sind» Einem dieser Endstufentransistoren (T ) wird ein
Komplementärtransistor T. vorgeschaltet, 'dessen Stromverstärkung B etwa gleich 1 ist -. Hierfür eignet sich der besonders in integrierter Technik leicht herstellbare Lateral
transistor- Durch diese Maßnahme erhalt man Endstuient ran ■
sistoren mit gleicher Stromverstärkung, da die Stromver
Stärkung der Transistoren T0 und T0 gleich groß ist, wo
bei die Kombination dfr Transistoren T. und T, wie em
Komplementärtransistor zu T mit der dem Transistor T
entsprechenden Stromverstärkung wirkt.
Die Emitterelektrode des Lateral transistors T. ist mit
der Kollektorelektrode des Transistors T verbunden, während die Basiselektrode des Lateraltransistors die
BAD ORIGINAL
1098A0/U83
Signalspannung von der Kollektorelektrode des Treibertran=
sistors T, beziehte Um mit sehr kleinen Steuerströmen die
Endstufentransistören betreiben zu können, wird vorteil=
häfterweise den beiden Endstufentransistoren jeweils ein Transistor T^ bzw, T zur Stromverstärkung in Emitter=
schaltung vorgeschaltete Der Kollektor des Lateraltransistors T. fuhrt somit beispielsweise direkt zur Basis
des Verstärkungstransistors T^, dessen Emitterelektrode
wiederum an die Basiselektrode des.nachfolgenden End=
Stufentransistors T angeschlossen ist. In gleicher Weise
ist dem anderen Endstufentransistor T ein Verstarkungs=·
transistor T_. vorgeschaltet-, Da die Transistoren T , T .
T. und T, vorzugsweise npn-Transistoren sind, wird die
Kollektorelektrode des Transistors T direkt und die Kollek=
torelektrode des Transistors T_ direkt oder über einen
Kollektorwiderstand mit dem positiven Pol der Versorgüngs= spannung (Ug) verbunden, während die KollektorelektrOden
der Transistoren T und T-, über einen Trennkondensator
3 ο
C und den Lastwiderstand, beispielsweise einem Lautsprecher,
gleichfalls mit d»em positiven Pol der Versorgungsspannungs=
quelle verbunden sind»
109840/1A83
In der Kollektorzuleitung des Treibertransistors T. ist die Kol.lektor~Emitterstrecke eines zusätzlichen Transistors
T geschaltet, wobei der Kollektor des zusätzlichen Transistors T über in Flußrichtung gepolte Dioden D , D. und
D mit dem Kollektor des Treibertransistors verbunden ist£
Die Dioden D -D_ und die Basis-Emitterstrecken der Transistoren T , T und T. bilden somit einen geschlossenen
Stromkreis» Die Dioden D bis D werden so ausgewählt, daß
das Temperaturverhalten jeweils einer Diode möglichst genau
dem Temperaturverhalten jeweils einer Basis-Emitterstrecke
eines Transistors entspricht Durch diese Maßnahme werden TemperaturSchwankungen ausgeglι eben ■■>
Die Basiselektrode des zusatzlichen Transistors T_, wird
von einer Konstant stromquelle K angesteuert, Diese Konstante*,
romque 1 1 e besteht aus einem in Emitterschaltung be
triebenen Transistor Tn, dessen Basispotentι al zum Beispiel durch einen Spannungsteiler aus dem Widerstand R
und den in Durchlaßrichtung beanspruchten Dioden D und D
bestimmt wird. Der Transistor Tn kann außerdem einen
109840/1483
Emitterwiderstand R aufweisen» Die Schaltung funktioniert"
wie folgt, ο
An den Dioden D und D", die auch durch eine einzige Diode
oder durch mehr als zwei Dioden ersetzt werden können, fällt auch bei sich verändernder Batteriespannung eine
relativ konstante Fluß&pannung ab, die das,Basispotential
des Transistors Tn bestimmte Damit ist auch der Kollektor"
gleichstrom durch den Transistor Tq und der Basisstrom
des zusätzlichen Transistors T konstante Dies hat wiederum
einen konstanten KollektorgLeichstrom durch den Transistor
T zur Foigeo Fur den Gleichstromwiderstand des zusätzlichen
Transistors T_ gilt ,jedoch R - ϋ,,-,/Ι,^ο Eine in der Schal-'
tung, gemäß Figur 1 nicht dargestellte Regelschaltung sorgt
dafür, daß an der Kollektorelektrode des Transistors T
die halbe Batten espatinung gegen Masse abfall to Diese»
Spannung liegt nur um die Basis Emitterspannung des Transistors
T, geringfügig reduziert auch an der KoI Jektor = "
Emitterstrecke des Transistors T und aus Symmetrιegrun-■
den auch an der KoI Vektor -Emitterstr ecke des Transistors
To Wenn also die Batteriespannung sinkt, sinkt ziv
BAD ORIGINAL 10984n/U8 3
läufig auch in entsprechender Weise die Kollektor- Emitter spannung
am Transistor T und T , Wenn sich nun die Kollek
tor-Emitterspannung am Transistor aufgrund einer sinkenden
Batteriespannung gleichfalls absenkt, wird auch der Wider k
stand der Basis-Emitterstrecke proportional mit der
Spannungsanderung abnehmen» Für den Kollektorstrom durch
den Treibertransistor T gilt aber;
1CT " —R— mit U l'cET + ÜD hierbei bedeutet
U_. die Summe der an den Dioden D bis DZ. abfallenden
D j 5
Spannungen= Aus diesen Gleichungen sieht man, daß bei
einem Abfall dr-r Bat t er lespannung auch der Widerstand
R kleiner werden muß, damit der Gleichstrom durch den Trsibertranäistor annähernd konstant- bleibt. Dies wird
bei der erfindungsgemaßon Anordnung ei reicht, weil sich
die KoIlektor-Fmitterspannung am Transistor T annähernd
proportional mit der Batteriespannung verändert, Der
Gleichst roniwi der s t and in de-r Kollektorstreckt1 des Treiber
transistors wird dah^r in der gewünschten Weis« gesteuert,
Der Ko11ektorgleLthstrom im Treιbertrans ιstor und in den
Dioden D , D^ und Dr und damit auch der Ko 1 1 t'kt orgle ich ·
BAD ORIGINAL
1 0984Π/1483
13829
strom in den Endstufentransistoren wird somit unabhängig von
der Batteriespannungα
Die Schaltung gemäß Figur 2 zeigt eine geringfügige Ab=
änderung der Schaltung nach Figur 1, die besonders der besseren Integrierbarkeit der Schaltung diente Der zu=
sätzliche Transistor T^ gemäß Figur 1 ist ein pnp=Tran- ,"
■sistory der in integrierter Technik nicht mit der not=
■wendigen Stromverstärkung hergestellt werden kann, so
daß im Transistor Tg der Konstantstromquelle eine relativ
große Verlustleistung in Kauf genommen werden muß, Dieser
Nachteil wird gemäß der Schaltung nach Figur 2 dadurch beseitigt« daß einem pnp^Lateraltransistör T mit der
Stromverstärkung B /^J 1 ein npn«Transistör Tq zur Strom=
verstärkung in Emitterschaltung nachgeschaltet wird= In
diesem Fall ist dann der Emitter des Transistors TQ über
die Dioden D bis D mit dem Kollektor des Treibertran=·
sistors T verbunden, während der Kollektor des Tran=
sistors T an den Emitter des Lateraltransistors T ange«
schlossen ist.
1 09840/U83
In den Schaltungen nach den Figuren V und 2 ist ein Treibertransistor
mit der Zonenfolge npn dargestellt» Dieser Transistor kann auch durch einen pnp-Transistor ersetzt
werden, wenn dann die Emitterelektrode dieses pnp~Treibertransrstors
mit dem positiven Pol der Versorgungsspannungsquelle
verbunden ist und die anderen Bauelemente der Schaltung dieser Änderung entsprechend angepaßt werden.
Bei der vorliegenden Erfindung ist wesentlich, daß der
Außenwiderstand des Treibertransistors von der Kollektor-Emitterstrecke
exnes Transistors gebildet wird, um auf diese Weise einen sich proportional mit der Batteriespannung
ändernden Widerstand zu erhalten» Die Zahl der Verstärkertransistoren
zwischen der Treiberstufe und den Endstufentransistoren kann dagegen variiert werden.
109840/1483'
Claims (1)
- ■204 3829Pat ent an SprücheGegentakt~B~Endstufe eines Verstärkers mit einer Treiber= stufe zur Ansteuerung der Endstufe, bei der Mittel für die Konstanthaltung des Kollektorruhestromes gegenüber Temperaturschwankungen in den Endstufentransistoren vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der in Serie zu der Kollektor-Emitterstrecke des Treibertransistors T geschaltete Außenwiderstand aus der Kollektor-Emitterstrecke eines zusätzlichen Transistors T besteht, dessen Basiselektrode über eine Konstantstromquelle K angesteuert wird, so daß sich der Außenwiderstand des Treibertransistors T proportional mit der Kollektor-Emitterspannung des zusätzlichen Transistors T_ und damit annähernd proportional mit der Versorgungsspannung änderte2) Gegentakt-B-Endstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden, Endstufentransistören T und T,10 9 8 40/1483aus Transistoren der gleichen Zonenfolge bestehen, daß einem dieser Endstufentransistoren zur Phasenumkehr ein diesem Transistor komplementären Transistor T, vorgeschaltet ist.3) Gegentakt~B-Endstufe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren der Endstufe aus npn~ Transistoren bestehen, während der Komplementärtransistor T, ein pnp~Lateraltransistor ist,(l·) Gegentakt=B Endstufe nach einem der vorangehenden Ansprüche,, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Treibertransistor T und die Transistoren T und T1 der Endstufe 1 <-· Sjeweils ein weiterer Transistor T„ bzw. T^ m Emitterschaltung zur Stromverstärkung geschaltet ist ο5) Gegentakt B Endstufe nach einem der vorangehenden Ansprüche» dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu den hintereinandergeschalteten Basis-Emitterstrecken des Verstärkertransistors T , des Endstufentransistors T und des10984Π/1483Komplementärtransistors T. Dioden D bis D in Flußrichtung geschaltet sind, die zur Stabilisierung des Kollektorruhestromes in den Endstufentransistoren bei Temperaturänderungen dienenQ6) Gegentakt<=B=Endstufe nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Transistor T_ ein pnp-Transistor ist, dessen Emitterelektrode über den Lastwiderstand Ii mit dem positiven Pol der Versörgungsspannung verbunden ist ο7) Gegentakt-B-Endstufe nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Transistor T ein lateraltransistor ist, und daß zur Stromverstärkung diesem Lateraltransistor ein Komplementärtransistor T in Emitterschaltung nachgeschaltet ist.8) Gegentakt~B~Endstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Konstantstromquelle aus einem in Emitter= schaltung betriebenen Transistor Tq besteht, dessen Kollek-9 840/1483torelektrode mit der Basiselektrode des zusätzlichen Tran= sistors T verbunden ist, und daß die Basisvorspannung dieses Transistors durch die konstante, an in Flußrichtung beanspruchten Dioden D , D abfallende Spannung bestimmt ist»9) Gegentakt-B-Endstufe nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Bauelemente der Schaltung in integrierter Form in einem gemeinsamen Halbleiterkörper untergebracht sind.10 9840/1A83
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19702013829 DE2013829B2 (de) | 1970-03-23 | 1970-03-23 | Gegentakt-b-endstufe mit transistoren |
FR7047193A FR2083860A5 (de) | 1970-03-23 | 1970-12-30 | |
US00123769A US3753137A (en) | 1970-03-23 | 1971-03-12 | Amplifier |
GB23283/71A GB1278907A (en) | 1970-03-23 | 1971-04-19 | Class-b push-pull output stage |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19702012829 DE2012829A1 (de) | 1969-03-20 | 1970-03-23 | |
DE19702013829 DE2013829B2 (de) | 1970-03-23 | 1970-03-23 | Gegentakt-b-endstufe mit transistoren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2013829A1 true DE2013829A1 (de) | 1971-09-30 |
DE2013829B2 DE2013829B2 (de) | 1972-04-20 |
Family
ID=25758839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702013829 Withdrawn DE2013829B2 (de) | 1970-03-23 | 1970-03-23 | Gegentakt-b-endstufe mit transistoren |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3753137A (de) |
DE (1) | DE2013829B2 (de) |
FR (1) | FR2083860A5 (de) |
GB (1) | GB1278907A (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2252666C3 (de) * | 1972-10-27 | 1981-01-22 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Gegentakt-B-Endstufe eines Verstärkers |
NL8304312A (nl) * | 1983-12-15 | 1985-07-01 | Philips Nv | Telefooncircuit met klasse-b versterker. |
US5451903A (en) * | 1994-06-24 | 1995-09-19 | Motorola, Inc. | Low supply voltage output driver |
US11387787B2 (en) | 2017-04-28 | 2022-07-12 | Burmester Audiosysteme Gmbh | Signal amplifier circuit, voltage converter and system |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3480835A (en) * | 1967-03-10 | 1969-11-25 | Weston Instruments Inc | Thermal rms limiter and semiconductor driving circuit means |
US3500218A (en) * | 1967-06-01 | 1970-03-10 | Analog Devices Inc | Transistor complementary pair power amplifier with active current limiting means |
US3512097A (en) * | 1967-11-09 | 1970-05-12 | Heath Co | Power amplifier having overload protection means |
US3486124A (en) * | 1968-06-04 | 1969-12-23 | Hewlett Packard Co | Power supply amplifier having means for protecting the output transistors |
-
1970
- 1970-03-23 DE DE19702013829 patent/DE2013829B2/de not_active Withdrawn
- 1970-12-30 FR FR7047193A patent/FR2083860A5/fr not_active Expired
-
1971
- 1971-03-12 US US00123769A patent/US3753137A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-04-19 GB GB23283/71A patent/GB1278907A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2083860A5 (de) | 1971-12-17 |
DE2013829B2 (de) | 1972-04-20 |
US3753137A (en) | 1973-08-14 |
GB1278907A (en) | 1972-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3523400C2 (de) | Schaltungsanordnung für eine Ausgangsstufe der Klasse AB mit großer Schwingungsweite | |
DE68926201T2 (de) | Operationsverstärkerschaltung | |
DE68927535T2 (de) | Verstärker | |
DE2160432C3 (de) | Konstantspannungsschaltung | |
DE1901804B2 (de) | Stabilisierter differentialverstaerker | |
DE69230395T2 (de) | Treiberschaltung für eine kapazitive last | |
DE4237122A1 (de) | Schaltungsanordnung zur Überwachung des Drainstromes eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors | |
DE3035272A1 (de) | Operations-transkonduktanzverstaerker mit einer nichtlineare komponente aufweisenden stromverstaerkern | |
DE2430126A1 (de) | Hybride transistorschaltung | |
DE2639790A1 (de) | Schaltungsanordnung zur lieferung konstanten stroms | |
DE2705276A1 (de) | Konstantstromschaltung | |
DE2501407B2 (de) | Verstaerker | |
DE2462423C3 (de) | Operationsverstärker | |
DE2849216B2 (de) | Schaltungsanordnung zum Regeln der Drehzahl eines Gleichstrommotors | |
DE2429310A1 (de) | Monolithisch integrierbare serienregelschaltung | |
DE2520890A1 (de) | Transistorverstaerker der darlington- bauart mit interner vorspannung | |
DE2328402A1 (de) | Konstantstromkreis | |
DE2013829A1 (de) | Gegentakt-B-Endstufe | |
DE3545392A1 (de) | Stromspiegelschaltung | |
DE3874293T2 (de) | Ruhestromeinstellung fuer eine verstaerkerschaltung. | |
EP0541164A1 (de) | Verstärker | |
DE69215995T2 (de) | Verstärkerschaltung | |
DE69315976T2 (de) | Pegelverschiebungsschaltung | |
DE2252666A1 (de) | Gegentakt-b-endstufe eines verstaerkers | |
DE3032675A1 (de) | Tonfrequenz-leistungsverstaerker-schaltung. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |