DE2011893C - Abstimmeinrichtung - Google Patents

Description

täten (11, 12) die Eingangselektrode (15) einer Fig. 1 zeigt ein Diagramm Rp₀ = /(/) für einen

nachfolgenden Verstärkerstufe angekoppelt ist. A/4- und einen λ/2-Leitungskreis,

35 Fig. 2a, 2b, 3a und 3b die schematische Darstellung eines λ/2- bzw. A/4-Kreises und die

F i g. 4 ein Schaltbild für eine zweckmäßige Ausgestaltung des Vorkreises.

In F i g. 1 ist mit 1 die Kurve Rp₀ = f (/) für einen

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine 30 kapazitiv durchstimmbaren/l/2-Leitungskreis im Fre-Abstimmeinrichtung mit Bandfilter- und Oszillator- quenzbereich 470-790 MHz dargestellt. Anfangs- und Kreisen, die in A/2-Technik als Leitungskreise, ins- Endwert betragen etwa 2 ki2 bei der in Fig. 2a anbesondere in Form einer gedruckten Schaltung auf gegebenen Dimensionierung. Die Fig. 2b zeigt das eine metallkaschierte Isolierstoff platte aufgebracht, Ersatzschaltbild der Schaltung gemäß F i g. 2 a. Die vorgesehen sind und bei der zusätzlich ein abstimm- 35 mit 2 bezeichnete Kurve zeigt die gleichen Verhältbarer Vorkreis vorgesehen ist. nisse für einen Λ/4-Leitungskreis, der nach F i g. 3 a Bei derartigen bekannten Abstimmeinrichtungen aufgebaut ist. Der Anfangswert von Rp₀ ist bereits für den Frequenzbereich UHF Band IV und V ist der in der Größenordnung desjenigen des ί/2-Leitungs-Vorkreis in gleicher Technik aufgebaut wie die ande- kreises, während er zur höchsten Abstimmfrequenz ren Kreise, d.h. alle Kreise sind entweder in λ/2- 4o hin bis etwa 10k£2 ansteigt. Fig. 3b zeigt das der oder in A/4-Technik aufgebaut, eine derartige aus F i g. 3 a entsprechende Ersatzschaltbild.
Möhring (Empfangstechnik im UHF-Bereich), Bei dem in F i g. 4 gezeigten Schaltbild eines Aus-2. verbesserte Auflage, 1965, bekannte Abstimmein- führungsbeispiels ist links von einem Vorstufenrichtung besteht z. B. aus einem abstimmbaren, kurz- transistor 10 der als λ/4-Leitungskreis ausgebildete geschlossenen A/4-Vorkreis und nachfolgenden λ/4- 45 Vorkreis, der aus der Abstimmdiode 4 und der in Bandfilterkreis. zwei bifilar zueinander verlaufende Teilinduktivitäten Gegenüber in Λ/4-Technik aufgebauten Oszillatoren 11,12 bestehenden Leitungsinduktivität besteht. Die zeigen jene in Λ/2-Technik bessere Eigenschaften hin- Teilinduktivitäten 11,12 bilden die gesamte oder sichtlich ihrer Frequenzstabilität gegen Speisespan- einen Teil der Schwingkreisinduktivität. Ihr Umkehrnungs- und Temperaturschwankungen. Darüber hin- 50 punkt 13 ist über einen Koppelkondensator 14 mit aus sind λ/2-Kreise in teilweise gedruckter Technik der Eingangselektrode 15 des Vorstufentransistors 10 gut reproduzierbar und einfach abzugleichen, wenn verbunden. Die Teilinduktivitäten 11,12 sfrid in ihren ein Trimmerkondensator dort angeordnet ist, wo sich Werten so gewählt, daß am Umkehrpunkt günstigste der Spannungsknoten des A/2-Kreises bei der hoch- Rauschanpassung des Vorkreises an den Vorstufensten Abstimmfrequenz befindet; (2-Punkt-Abgleich 55 transistor 10 besteht.

möglich). Gemäß der Erfindung ist die Gegeninduktivität der Mit der vorliegenden Erfindung soll die Aufgabe Teilinduktivität 11,12 einstellbar, wodurch die Leigelöst werden, eine Abstimmeinrichtung in Λ/2-Tech- tungsinduktivität veränderbar ist. Im einfachsten Fall nik so mit abstimmbarem Vorkreis auszustatten, daß geschieht dies dadurch, daß die Teilinduktivitäten als eine möglichst große Kreuzmodulationsfestigkeit bei 60 verbiegbare Leiterteile ausgebildet sind, so daß sich möglichst geringem Eigenrauschen der Empfangs- ihr gegenseitiger Abstand in einfacher Weise durch einheit erzielt wird. Biegen verändern läßt. Es ist jedoch auch möglich, Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß die Gegeninduktivität der Teilinduktivitäten 11, 12 der Vorkreis als ein an sich bekannter, an einem durch Annähern oder Eindrehen eines Metallplätt-Ende kurzgeschlossener, abstimbarer Λ/4-Leitungs- 65 chens, insbesondere gegebenenfalls aus ferromagnekreis ausgebildet ist. tischem Material, zu verändern, indem dieses z. B. Durch diese Lösung wird ein minimales Rauschen die beiden Teilinduktivitäten 11,12 mehr oder wenierzielt, da der Frequenzgang der Güte eines λ/4- ger überdeckt. Letzere Möglichkeit ist besonders

dann vorteilhaft, wenn auch die Teilinduktivitäten 11, 12 als gedruckte Leitungsteile ausgebildet werden sollen.

Das Eingangssignal gelangt über einen Koppelkondensator 16 an die Abstunmdiode 4. Zwischen diesen ist ein Trimmerkondensator 17 nach Maase geschaltet Gleichzeitig wird hier die Abstimmspannung U_D über einen Entkoppelungskondensator 18 und einen Widerstand 19 eingespeist

Der Vorstufentransistor 10 erhalt seine Betriebsspannung U über die Widerstände 20,21. Rechts vom Vorstufentransistor 10 ist der erste HF-Bandfilterkreis gezeichnet, der wie die übrigen, nicht gezeichneten Schwingkreise, als λ/2-Leitungskreis mit unterteiltem Wellenwiderstand ausgebildet ist Er ist über einen Kondensator 22 an den Ausgang ues Vorstufentransistors 10 angekoppelt und besteht im wesentlichen aus einem gedruckten Teil 23 mit kleinem Wellenwiderstand, dem nach Masse geschalteten Kn₀-enSnerkondensator 24, der Trimmennduküvnat 25! undder nach Masse geschalteten Absümmoiode 9. Der Gleichlauf der Leitungskreise wird am unteren Frequenzbereichsende, also beim Fernsehbereich IV, etwa bei 470MHz, durch die Trmunkondensatoren 17 bzw. 24 eingestellt Am oberen Bereichsende (z. B. 790MHz) wird der Abgleich mit der einstellbaren Induktivität der Teilinduktivitäten11 und 12 des A/4-Leitungskreises und der Tnmminduktivitat 25 des l/2-Leitungskreises vorgenommen.

Wie an Hand von Fig.4 leicht zu ersehen, wird auch bei Änderung der aus den Teihnduktivrtaten 11, 12 gebildeten Leitungsinduktmtat bzw. eines Teils X₅ derselben die Ankopplung an den Vorshifcntransistor 10 wenig verändert, da das Verhältnis der Teihnduktivitäten11,12 und damit das Teilungsverhaltnis annähernd erhalten bleibt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Kreises für den Einsatz als Vorkreis günstiger ist als Patentansprüche: def eines ^-Kreises. Zusätzliche Verluste im dielek-

1. Abstimmeinrichtung mit Bandfiltej- und Os- taschen Trägermaterial des teilweise gedruckten Ulzillator-Kreisen, die in jl/2-Technik als Leitungs- Kreises entfallen beim A/4-Kreis, wodurch dieser eine kreise, insbesondere in Form einer gedruckten 5 geringere Eigendämpfung aufweist

Schaltung auf eine metallkaschierte Isolierstoff- Bei geeigneter Dimensionierung kann der λ/4-Vorplatte aufgebracht, vorgesehen sind und bei der kreis so abgestimmt werden, daß er mit den übrigen zusätzlich ein abstimmbarer Vorkreis vorgesehen a/2-Kreisen im Gleichlauf ist. Um das Ankoppelverist, dadurch gekennzeichnet, daß der hältnis für eine einmal eingestellte oder bekannte Vorkreis als ein an sich bekannter, an einem »o optimale Rauschanpassung des Vorkreises beispiels-Ende kurzgeschlossener ^-Leitungskreis ausge- weise an dem Vorstufentransistor nicht wesentlich zu bildet ist. ändern, wird gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung

2, Abstünjnbarer Leitungskreis nach An- der Erfindung vorgeschlagen, die Schwingkreisindukspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kreis- tivität des Vorkreises oder einen Teil derselben in induktivität oder ein Teil derselben des oder der 15 an sich bekannter Weise derart bifilar anzuordnen, Schwingkreise (4, 11, 12 und 23, 24, 25, 9 usw.) daß die bifilaren TeiJinduktivitäten in ihrem gegenin an sich bekannter Weise in zwei Teilindukti- seitigen Abstand variierbar sind und der Umkehrvitäten (11,12) unterteilt ist, die derart angeord- punkt den Ankoppelpunkt für den Vorstufentrannet sind, daß in den einander benachbarten Teilen sistor bildet.

die Ströme in umgekehrter Richtung fließen, daß ao Weitere vorteilhafte Einzelheiten der Erfindung

deren Gegeninduktivität einstellbar ist und daß sind nachfolgend an Hand eines in der Zeichnung

im Bereich zwischen den beiden Teilinduktivi- veranschaulichten Ausführungsbeispiels beschrieben,