DE2004683C - Leseregisterschaltung - Google Patents
LeseregisterschaltungInfo
- Publication number
- DE2004683C DE2004683C DE19702004683 DE2004683A DE2004683C DE 2004683 C DE2004683 C DE 2004683C DE 19702004683 DE19702004683 DE 19702004683 DE 2004683 A DE2004683 A DE 2004683A DE 2004683 C DE2004683 C DE 2004683C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit
- core
- data
- read
- reading
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
2. Schaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet die Lesewindungen rückgekoppelt wiri, während die
durch eine Einrichtung (D3, D 5) zum Rückstel- 20 Kerne noch oder insbesondere in einem folgenden
len des bistabilen Stromkreises (Ql, Q2) in Zyklus bereits wieder abgefragt werden.
seinen zweiten Zustand. Bisher hat die Lösung dieses Problems verschie-
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch dene komplizierte Systeme zum Abschirmen der
gekennzeichnet, daß der bistabile Stromkreis ein Lesewindungen od :r -wicklungen vom Geräusch not-Paar
Transistoren (ß I, Q2) von einander ent- 35 wendig gemacht, oder es hat die Verwendung eines
gegengesetztem Leitfähigkeitstyp aufweist, deren Paares von Ableseregistem notwendig gemacht, das
entsprechende Basen- und Kollektoranschlüsse eine zum Empfangen der Daten von den Kernen und
wechselweise in der Form zwischenverbunden das andere zum anschließenden Empfang der Daten
sind, daß der Kollektor der einen an die Basis aus dem er .ten Register, um in der Lage zu sein,
des anderen und der Kollektor des anderen an 30 Verwertungseinrichtungen zu betreiben.
die Basis des einen geschalt? ist und daß die Daher ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfin-
eine der Basis-Kollektor-Zwischenverbindungen dung, ein verbessertes Leseregister zum Empfangen
der Eingang (30) und die andere der Basis-Kol- von Daten von Magnetkernen und zum Antreiben
lektor-Zwischenverbindungen der Ausgang (31) von entfernten oder Starkstromverwertungsstromdes
Stromkreises ist. 35 kreisen vorzusehen, ohne Geräusche zu einem Zeit
punkt zu erzeugen, in welchem .> den Kern-Ablesevorgang
beeinflussen könnten.
In Übereinstimmung mit der Erfindung wird das
Ausblendsignal, welches zur zeitlichen Steuerung des ♦o Prüfens der Lesespannung in der Lesewicklung be-
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zum nutzt wird, angewendet, um zeitweilig die Ausgänge
Ablesen eines Magnetkernspeichers mit einer Vor- des Leseregisters von den Stromkreisen zu isolieren,
richtung zum Abfragen des Kernes, auf die ein bi- die zum Antreiben der Hilfseinrichtungen verwendet
stabiler Stromkreis anspricht, der ein Datensignal er- werden. Das verhindert das Entstehen von Schaltgezeugt
falls der Kern ein Datenbit enthält, mit einer 45 rausch zu unpassenden Zeitpunkten, d. h. so lange,
Einrichtung zum Erzeugen eir.es Ausblendimpulses bis der kritische Auswertevorgang vollendet ist. Demwährend
des Arbeitens der Datensignale erzeugen- gemäß kann kein Geräusch ά°ν Lt»evorgang beeinden
Vorrichtung und mit einem dem bistabilen Russen.
Stromkreis nachgeschalteten Ausgangsstromkreis, Die obengenannte Aufgabe wird also dadurch ge-
der für externe Verwertung ein den Zustand des 50 löst, daß eine Einrichtung vorgesehen ist, die im
Kernes wiedergebendes Signal liefert. Ansprechen auf den Ausblendimpuls das Arbeiten
In Übereinstimmung mit den bekannten Techniken des Ausgangsstromkreises verhindert,
zum Ablesen von Daten aus Magnetkernspeichervor- Die Erfindung wird an Hand folgender detaillierter
zum Ablesen von Daten aus Magnetkernspeichervor- Die Erfindung wird an Hand folgender detaillierter
richtungen wird jeder Kern durch einen Strom adres- Beschreibung nebst Zeichnung einer bevorzugten
siert oder befragt, der an eine oder an mehrere 55 Ausführungsform näher erläutert.
Adressenleitungen angelegt wird, die den Kern ver- F i g. 1 ist ein Schaltbild, das einen Abschnitt eint: ketten, Dieser Strom ist gepolt in einer Richtung, die Magnetkernspeichers zusammen mit den Stromkreiberechnet ist, um den magnetischen Zustand des stn zum Able-,en von Daten aus dem Speicher in Kerns in eine vorher bestimmte Richtung zu einem ein erfindungsgemäßes Leseregister darstellt;
Bezugszustand zu schalten. Einer Lesewindung, die 60 F i g. 2 ist ein detallierlcs Schaltbild einer binären ebenfalls mit dem Kern verkettet ist, wird eine indu- Registerttufe einer bevorzugten Ausführungsform des zierte Spannung von einer ersten Größe aufgedrückt, Leseregisters gemäß der Erfindung;
wenn der vorhergehende Zustand d;s Kernes entge- F i g. 3 ist ein Wellenformdiagramm, das die Ar-
Adressenleitungen angelegt wird, die den Kern ver- F i g. 1 ist ein Schaltbild, das einen Abschnitt eint: ketten, Dieser Strom ist gepolt in einer Richtung, die Magnetkernspeichers zusammen mit den Stromkreiberechnet ist, um den magnetischen Zustand des stn zum Able-,en von Daten aus dem Speicher in Kerns in eine vorher bestimmte Richtung zu einem ein erfindungsgemäßes Leseregister darstellt;
Bezugszustand zu schalten. Einer Lesewindung, die 60 F i g. 2 ist ein detallierlcs Schaltbild einer binären ebenfalls mit dem Kern verkettet ist, wird eine indu- Registerttufe einer bevorzugten Ausführungsform des zierte Spannung von einer ersten Größe aufgedrückt, Leseregisters gemäß der Erfindung;
wenn der vorhergehende Zustand d;s Kernes entge- F i g. 3 ist ein Wellenformdiagramm, das die Ar-
gengesetzt zum Bezugszustand war, und eine Span- beitsweise des Leseregisters darstellt,
nung von kleinerer Größe aufgedrückt, wenn der 65 F i g. 1 zeigt einen Teil einer Magnetkernspeichervorhergehende Zustand des Kernes mit dem Bezugs- matrix 1 für 100 Zeichen. Jede Zeichenspeicherstelle zustand übereinstimmte. Demgemäß kann der Infor- umfaßt sechs Magnetkerne zur Speicherung der Bits mationsinhalt, dargestellt durch den vorhergehenden eines binären 6-Bit-Zeichens. Die 100 Speicherstellen
nung von kleinerer Größe aufgedrückt, wenn der 65 F i g. 1 zeigt einen Teil einer Magnetkernspeichervorhergehende Zustand des Kernes mit dem Bezugs- matrix 1 für 100 Zeichen. Jede Zeichenspeicherstelle zustand übereinstimmte. Demgemäß kann der Infor- umfaßt sechs Magnetkerne zur Speicherung der Bits mationsinhalt, dargestellt durch den vorhergehenden eines binären 6-Bit-Zeichens. Die 100 Speicherstellen
3 l 4
der Matrix 1 haben jeweils die identifizierenden unter Steuerung eines Ausblendimpulses abgefragt,
Adressen von 00 bis 99. Nur die ersten beiden der in logischen Steuerstromkreisen 14 erzeugt wird,
Stellen 00 und 01 sind in Fig. 1 gezeigt. und die verschiedenen Registerstufen werden wäh-
Die 100 Speicherstellen werden zum Ablesen durch rend des Ausblendzeitabschnitts in Übereinstimmung
die Adressierstromkreise 12 adressiert, die arbeiten, 5 mit den binären Daten, die an den Ausgängen der
um Stromimpulse von einem Einspeicher-Treiber- Verstärker vorhanden sind, eingestellt. In der erläustromkreis
16 und einem Zehnerspeicher-Treiber- texten, bevorzugten Ausführungsform erzeugt jede
Stromkreis 18 zu verteilen. Der Stromkreis 12 schal- Stufe des Leseregisters ein Paar komplementärer
tet die Antriebsimpulse auf 20 Auswahlleitungen, AusgangssignaleN und 71 = z.B. Al und ZT, A2
bestehend aus zehn Einerauswahlleitungen von 0 io Z2 usw., die Daten anzeigen, die in der Stufe gebis
9 und zehn Zetinerauswahlleitungen von 0 bis 9. speichert sind, und zusätzlich ein Ausgangssignal
Um ein Zeichen aus der Speichermatrix 1 abzulesen, IND, welches verwendet wird, eine Anzeigevorrichschließt
der Stromkreis 12 gleichzeitig eine ausge- tung, wie z. B. eine Lampe, zn betreiben. Wie später
wählte der Einerleitungen und eine ausgewählte der in der detallierten Beschreibung der Registerstrom-Zehnerleitungen.
Wie in Fig. 1 gezeigt, ist jeder Satz. 15 kreise erläutert werden wird, werden diese Ausgangsvon
Zeichenkernen mittels einer Einerleitung und signale so lange nicht in einem hinsichtlich der Ineiner
Zehnerleitung aufgereiht. Die sechs Kerne auf formationen kennzeichner cn Zustand geschaltet,
der linken sind aufgereiht mittels der Eine'leitung 0 bis die Periode des Ausblendin pulses beendet ist, so
und der Zehnerleitung 0 und stellen demgemäß die daß die Geräuscheffekte, die durch derartiges Schalten
Zeichenspeicherstelle 00 zusammen. Um demgemäß 20 entstehen, nicht im unpassenden Augenblick an die
das Οθ-Zeichen auszulesen, adressiert der Stromkreis Lesewicklungen gekoppelt werden und dort fehler-12
zuerst die OO-Stelle, und dann senden oder liefern Laftes Ablesen verursachen. Wie weiterhin in F i g. 1
die Stromk eise 16 und 18 gleichzeitig Stromimpulse, ^ angezeigt ist, arbeiten die logischen Steuerstrornwodurch
die Stelle 00 ein ausreichendes Magnetfeld * kreise i4, um die adressierenden Stromkreise 12 und
empfängt, um sie in einen vorbestimmten Bezugs- 25 die Treiberstromkreise 16 und 18 in Übereinstimzustand
vor Remanenzmagnetismus zu schalten. Die mung mit dem gewünschten Speicheradressiermuster
zeitlich koinzidierenden Abfrageimpulse werden zu zu steuern, und sie erzeugen außerdem ein Löschunterschiedlichen
Zeiten eingeleitet, um das Schalt- Befehlsignal, das an alle Stufen des Leseregisters 20
geräusch möglichst gering zu halten. entweder am Beginn oder am Ende des Lesezyklus
Für die Zwecke dieser Beschreibung sind die 30 angelegt wird, um jede Stufe wieder in den NuII-
6 Bits jedes Datenzeichens jeweils identifiziert durch · Zustand rückzustelien.
das 1 -Bit, 2-Bit, 4-Bit, 8-Bit, A-Bit und B-Bit. Eine Fig. 2 zeigt Einzelheiten der Stromkreise der
Lesewicklung 2-1 verkettet die 1-Bit-Ker"e aller Leseregisterstufe A1. Da die Stromkreise der an-100
Zeichenstellen, und in ähnlicher Weise verketten deren fünf Stufen identisch zum Strorrkreis A 1 sind,
Lest wicklungen 2-2, 2-4, 2-8 2-/1, 2-ß jeweils alle 35 sind Einzelbeschreibungen davon nicht vorgesehen.
2-, 4-, 3-, A- und B-Bit-Kerne. Wenn demgemäß die Der Registerstromkreis umfaßt zwei Grundstufen,
00-Zeichenstel)e abgelesen wird, wird ein Satz von eine Verriegelungsstufe, die einen npn-Transistor Q1
S'analen in die bechs Lesewickluugen induziert in und einen pnp-Transistor Q 2 umfaßt, und eine AusÜbereinstimmung
mit dem Zeichen, das in der gangsstufe, die Transistoren Q 3, Q 4 und Q 5 umfaßt.
Stelle 00 3espeichert ist. 40 Der Eingang zur Verriegelungsstufe ist der Verbin-
Uin die Stelle 01 abzulesen, werden in der oben dungspunkt 30, den der Kollektor des Transistors
beschriebenen Weise Auswählströme an die 1-Einer- Ql und die Basis des Transistors Q2 gemeinsam
adressenleitung und die O-Zehneradressenleitung an- haben. Der Eingang 30 ist mit dem Ausgang des
gelegt. Jede der ersten zehn Speicherstellen ist ver- Verstärkers 3-1 über ein Paar gegensinnig in Reihe
kettet durch Jie O-Zehneradressenleitung und eine 45 geschaltete Dioden Dl und D4 verbunden. Der Aus-
verschieüene der Eineradressenleitungen. Die gang der Verriegelungsstufe wird an der Stelle 31
O-Eireradresser.leitung verkettet die Speicherstellen abgenommen, die der Kollektor des Transistors Q2
00, 10, 20, 30 usw., während die 1-Eineradressen- und die Basis des Transistors Ql gemeinsam
leitung die Speicherstellen 01, 11, 21, 31 usw. ver haben. Der Ausgang 31 ist mit der Basis des ersten
kettet. Auf diese Weise besteht das erforderliche 5° Ausgangstransistors Q 3 über eine Diode D 6 und
Muster zum Ablesen aller 100 Zeichenstellen in auf- einen 3,9-Kiloohm-Widerstand gekoppelt,
steigender Reihenfolge im Anlegen eines Stromes an Wie in F i g. 2 dargestellt ist, wird das Ausblend-
die O-Zehnerleitung, während aufeinanderfolgend die signal, das eine Amplitude von —10 Volt bat, über
1- bis 9-Einerleitungen mit Impulsen beliefert wer- eine Dioc*jD2 an die Verbindungsstelle zwischen
den, und danach im Anlegen eines Stromes an die 55 den Dioden D1 und D 4 und außerdem über eine
1-Zehnerleitung, wobei wiederum aufeinanderfolgend Diode D7 an die Verbindungsstelle zwischen der
Impulse auf die 0- bis 9-Einerleitungen abgegeben Diode D 6 und dem 3,9-Kiloohm-Widerstand im
werden. Diese Folge wird natürlich fortgesetzt, bis Basiskreis des Transistors Q 3 angelegt,
die Stelle 99 erreicht ist. Das Ausgangssignal A1 wird am Kollektor des
Jede Lesewicklung speist jeweils einen von sechs 60 Transistors Q3 abgenommen. Das gleiche Signal ist
die Polarität des Eingangssignals nicht umkehrenden über einen 3,9-Kiloohm-Widerstand mit der Basis
Leseverstärkern 3-1, 3-2, 3-4, 3-8, 3-A bzw. 3-ß. des Transistors Q 4 gekoppelt, und es steuert den
Die Ablesesignale werden durch die Verstärker ver- leitenden Zustand des Transistors Q 4 in ergänzender
stärkt, angepaßt bzw. umgeformt und den Eingängen Weise zu der Leitfähigkeit des Transistors Q 3. So
der verschiedenen Stufen Al bis AB des Lese- 65 wird das Ausgangssignal ZI vom Kollektor des
registers 20 dargeboten. Während der Abfrageope- Transistors Q 4 abgenommen. Das letztere Signal
ration werden zu einem vorher bestimmten Zeit- wird auch zum Antreiben der Basis des Transistors
punkt die Ausgänge der sechs Verstärker gleichzeitig QS über einen 1,2-Kiloohm-Widerstand verwendet,
und da der Transistor Q S ein npn-Transistor ist, im Gegensatz zur pnp-Chrakteristik des Transistors Q 4,
folgt der leitende Zustand des Transistors Q S dem Zustand des Transistors β 4. Der getrennte Kollektorausgang
des Transistors QS liefert das IND- S 1-Signal für die Anzeigelampe, welche eine visuelle
Darstellung des Dateninhalts der Stufe A 1 des Leseregisters schafft. Die Ausgangstransistoren β 3 und
β 4 haben beide ihre Emitter direkt geerdet, während der Emitter des Transistors QS rückgefiihrt ist auf
ein Potential von -10 Volt, und zwar über einen 180-Ohm-Widerstand.
Das Löschsignal wird über eine Diode D 3 in den Emitterkreis des Transistors Q1 eingespeist. Wie gezeigt,
ist der Emitter des Transistors β 1 über eine »5 Diode D 5 mit einem Spannungsteiler aus einem
10-Kiloohm- und 27-Kiloohm-Widerstand verbunden.
Der Emitter des Transistors Q 1 ist direkt geerdet.
Arbeitsweise
Mit Bezug auf die F i g. 2 und das Wellenformdiagramm
der Fig. 3 wird die Arbeitsweise des Leseregisters gemäß der Erfindung beschrieben. Im
Ausgangszustand oder rückgcstellten Zustand (Null- ^5
Zustand) des Registers sind die Transistoren Q1 und
Ql nichtleitend, β3 ist leitend und β4 und β5
sind nichtleitend. Dieser Zustand wird durch das Anlegen eines positiv gehenden Löschimpuises erreicht,
welcher die Diode DS rückwärts vorspannt und den Transistor ßl ausschaltet (angenommen,
daß er leitend war). Zu diesem Zeitpunkt sind die Kathoden der Dioden Dl, Dl und D4 positiver als
die Erde. Das Potential an der Stelle 30 wird so auf ungefähr + 5 Volt angehoben, woraufhin der Transistor
β 2 ebenfalls ausgeschaltet wird. Das Potential am Ausgang 31 fällt gegen -30VoIt und legt so
einen negativ gehenden Übergang an die Basis des Transistors β 3 an, wodurch dieser eingeschaltet
wird. Der Kollektor von β 3 wird so gegen Erdpotential angehoben, und dieser positiv gehende
Übergang wird der Basis von β 4 zugeführt, und der Transistor wird ausgeschaltet. Der Kollektor von β 4
fällt gegen —30 Volt, so daß der Transistor QS ausgeschaltet wird. Auf diese Weise ist im rückgestellt^n
Zustand A1 hoch, ~Ä\ ist niedrig, und der Stromkreis
der Anzeigelampe ist offen. Diese Einstellung von Ausgängen zeigt, daß in der Registerstufe keine
Informationen oder ein Null-Datenbit gespeichert ist.
Wenn Zugang zu einem Magnetkern zum Ablesen geschaffen ist (angenommen, der Magnetkern ist eingestellt,
um ein 1-Bit darzustellen), bewirkt die resultierende Umkehrung des magnetischen Zustandes
des Kerns, daß die Leseleitung 2-1 dem Eingang des Leseverstärkers 3-1 einen negativen Impuls darbietet,
wie in Fig. 3 dargestellt. Das resultiert in einem negativen Schwingen (von ungefähr + 5 Volt auf
— 10 Volt) am Ausgang des nicht umkehrenden Verstärkers, wenn das Lesesignal ein vorher bestimmtes
Niveau T erreicht (Fi g. 3). Die Diode Dl wird rückwärts
vorgespannt. Zu einer Zeit, die so berechnet ist, daß sie die Zeit einschließt, wenn der Ausgang
des Verstärkers seine negative Spitze erreicht, wird der — 10-Voit-Ausblendimpuls an die Anode der
Diode Dl angelegt, und auch diese Diode wird rückwärts vorgespannt. Mit den beiden rückwärts vorgespannten
Dioden Dl und Dl fällt die Spannung am Eingang 30 auf —10 Volt. Dies spannt die Basis-Emitter-Verbindung
von β 2 vorwärts vor und schaltet β 2 in leitenden Zustand, wodurch der Ausgang
31 im wesentlichen auf Erdpotential steigt. Das Vorhandensein des Erdpotentials an der Basis von ßl
spannt die Basis-Emitter-Verbindung dieses Transistors vorwärts vor, und er schaltet auch in den leitenden
Zustand. Wenn β 1 leitend ist, wird die Verbindung 30 auf einem negativen Spannungsniveau gehalten,
wodurch β 2 im leitenden Zustand verriegelt wird, unabhängig von nachfolgenden Spannungsänderungen am Ausgang des Leseverstärkers.
Sobald der Verriegelungsausgang 31 auf Erdpotential steigt, würde ein entsprechendes positiv
gehendes Signal auf die Basis von β 3 übertragen werden, ausgenommen, daß, solange der negative
Ausblendimpuls vorhanden ist, die Basis von β 3 ü^-er dien 3,9-Kiloohm-Widerstand und die Diode
Dl an ihr negatives Niveau geklemmt ist. Wenn demgemäß der Verriegelungsausgang 31 auf Erdpotential
steigt, die Speicherung des 1-Bits anzeigend, wird die Diode D 6 umgekehrt vorgespannt, und kein
Effekt wird an den Ausgangsir äi'iMMürcii β 3, β 4
und β S erhalten. Sobald jedoch der Ausblendimpuls weggenommen wird und der Ausblcndeingang auf
sein hohes Niveau zurückkehrt, wird eine positive Spannungsverschiebung auf die Basis von β 3 übertragen,
und β 3 wird demgemäß in den nichtleitender Zustand geschaltet. Der Kollektor von β 3 verschiebt
sich gegen -3OVoIt, und das A 1-Ausgangssignal
geht negativ, die Speicherung eines 1-Bits anzeigend. Gleichzeitig wird der Transistor β 4 eingeschaltet,
und der }TT-Ausgang wird positiv verschoben und bewirkt die Einschaltung von β 5, wodurch die Anzeigelampe
gezündet wird.
Der Stromkreis verbleibt in diesem Ausgangszustand geschaltet, bis ein positiver Löschimpuls angelegt
wird, um ßl und Ql auszuschalten und die Ausgangstransistoren rückzustellen, wie oben beschrieben.
Es ist bequem ersichtlich, daß, da die Ausgangssignale
A1, ~A~\ und WDl so lange nicht geschaltet
werden, bis der Ausblendimpuls weggenommen ist, das kräftige Geräusch, welches dem Eingangssignal
infolge des Schaltens dieser Ausgänge aufgedrückt ist (s. Fig. 3), verzögert ist bis zu einem Zeitpunkt,
der nicht mit der Auswerteperiode interferiert und demgemäß den Ablesevorgang nicht nachteilig beeinflußt
Wenn der Kern nicht eingestellt war, um ein 1-Bit darzustellen, wird selbstverständlich das Schwingen
am Ausgang des Verstärkers 3-1 nicht ausreichend sein, um β 2 einzuschalten, und die Registerstufe
würde im Null-Zustand oder rückgestellten Zustand
verbleiben.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Schaltung zum Ablesen eines Magnetkern- windung oder -wicklung zum Zeitpunkt des Abfraspeichers
mit einer Vorrichtung zum Abfragen 5 gens induziert winL
des Kernes, auf die ein bistabiler Stromkreis an- In p.-aktisch allen Anwendungsfällen von^ Magnei-
spricht, der ein Datensignal iTzeugt, falls der kernspeichern müssen die Daten beim Abi-sen aus
Kern ein Datenbit enthält, mit einer Einrichtung dem Speicher zeitweilig in einer Art Pufferspeicher-
zum Erzeugen eines Ausblendimpulses während register ' ,espeichert werden, das gewöhnlich Ein-
des Arbeitens der Datensignale erzeugenden Vor- io gangs-Ausgangs-Register oder Leseregister genannt
richtung und mit einem dem bistabilen Strom- wird, um den äußeren Gebrauch der Daten zu er-
kreis nachgeschalteten Ausgangsstromkreis, der möglichen. Kräftiges Geräusch wird erzeugt, wenn
für extreme Verwertung ein den Zustand des die Ausgänge des Leseregisters gebraucht werden,
Kernes wiedergebendes Signal liefert, gekenn- urn entfernt engeordnete Vorrichtungen zu schalten,
zeichnet durch eine Einrichtung(D7), die 15 oder wenn sie angewendet werden, Starkstromein-
im Ansprechen auf den Äusblendimpuls das Ar- richtungen zu schalten, wie z. B. Anzeigelampen,
beiten des Ausgangvstromkreises (Q3, Q4, QS) Dieses Geräusch kann zu fehlerhaftem Ablesen der
verhindert. Informationen von den Kernen führen, wenn es auf
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US79747269A | 1969-02-07 | 1969-02-07 | |
US79747269 | 1969-02-07 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2004683A1 DE2004683A1 (de) | 1971-04-01 |
DE2004683B2 DE2004683B2 (de) | 1972-08-03 |
DE2004683C true DE2004683C (de) | 1973-03-08 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1023613B (de) | Binaere Trigger- und Zaehlerkreise unter Verwendung magnetischer Speicher | |
DE1159025B (de) | Matrixspeicher und seine Verwendung in einem Informationswandler | |
DE2607868A1 (de) | Datentraeger | |
DE1038315B (de) | Anordnung zur Steuerung von Magnetkernspeichern mit in mehreren Ebenen in Form von Matrizen angeordneten Speicherkernen | |
DE1070225B (de) | ||
DE1058284B (de) | Magnetkernmatrix-Speicheranordnung mit mindestens einer Schaltkernmatrix | |
DE1233437B (de) | Magnetischer Speicher | |
DE1044467B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines nahezu konstanten Strom- bzw. Spannungsverlaufes auf der gesamten Laenge einer Leitung, insbesondere der Waehlleitung einerSpeichermatrix | |
DE2004683C (de) | Leseregisterschaltung | |
DE2114733C3 (de) | Vorrichtung zum Dekodieren eines Vierpegelsignals | |
DE2004683B2 (de) | Leseregisterschaltung | |
DE1098256B (de) | Informationsspeicher | |
DE1299035B (de) | Schaltung zum Einschreiben in einen Matrixspeicher oder zum Ablesen aus einem Matrixspeicher | |
DE1268676B (de) | Magnetkernspeicher | |
DE1068487B (de) | Schieberegister auls bistabilen Magnetkernen | |
DE1961692A1 (de) | Selektionsschaltung fuer einen Magnetkern | |
DE2245714A1 (de) | Ueberlaufwarnvorrichtung | |
DE1499720C (de) | Elektronisches Speicherelement | |
DE1449903C (de) | Speicheranordnung für zerstörungsfreie Abfragen | |
DE1149926B (de) | Binaerzaehler zur Verarbeitung von Daten | |
DE1244861B (de) | Schaltung zur Steuerung des Fuellungszustandes des Speicherwerkes einer datenverarbeitenden Maschine, insbesondere bei Radaranlagen | |
DE1474015A1 (de) | Adressenspeicher | |
DE1146111B (de) | Schaltungsanordnung zur Erregung einer von zehn Anzeigevorrichtungen entsprechend den binaeren Eingangssignalen eines binaer kodierten dezimalen Zaehlwerkes | |
DE1274649B (de) | Verfahren zum Einschreiben binaerer Information in ein Magnetschichtspeicherelement mit einachsiger Anisotropie | |
DE1295019B (de) | Wortorganisierter Magnetkernspeicher |