DE19964012A1 - Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers - Google Patents

Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers

Info

Publication number
DE19964012A1
DE19964012A1 DE19964012A DE19964012A DE19964012A1 DE 19964012 A1 DE19964012 A1 DE 19964012A1 DE 19964012 A DE19964012 A DE 19964012A DE 19964012 A DE19964012 A DE 19964012A DE 19964012 A1 DE19964012 A1 DE 19964012A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory cell
memory
charge
read
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19964012A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Axel Aue
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19964012A priority Critical patent/DE19964012A1/de
Priority to JP2000394974A priority patent/JP2001236792A/ja
Priority to FR0017166A priority patent/FR2805654B1/fr
Priority to US09/750,666 priority patent/US6438056B2/en
Publication of DE19964012A1 publication Critical patent/DE19964012A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • G11C16/3431Circuits or methods to detect disturbed nonvolatile memory cells, e.g. which still read as programmed but with threshold less than the program verify threshold or read as erased but with threshold greater than the erase verify threshold, and to reverse the disturbance via a refreshing programming or erasing step
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Microcomputers (AREA)
DE19964012A 1999-12-30 1999-12-30 Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers Ceased DE19964012A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19964012A DE19964012A1 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers
JP2000394974A JP2001236792A (ja) 1999-12-30 2000-12-26 固定値メモリのリフレッシュ方法,そのリフレッシュ装置及びデジタル制御装置
FR0017166A FR2805654B1 (fr) 1999-12-30 2000-12-28 Procede et dispositif servant a rafraichir le contenu d'au moins une cellule de memoire d'une memoire morte
US09/750,666 US6438056B2 (en) 1999-12-30 2000-12-29 Method and device for refreshing the memory content of a memory cell of a read-only memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19964012A DE19964012A1 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19964012A1 true DE19964012A1 (de) 2001-07-12

Family

ID=7935145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19964012A Ceased DE19964012A1 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6438056B2 (enExample)
JP (1) JP2001236792A (enExample)
DE (1) DE19964012A1 (enExample)
FR (1) FR2805654B1 (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004070487A3 (de) * 2003-02-07 2004-10-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer elektronischen steuerung

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2383455B (en) * 2001-12-21 2004-02-25 Motorola Inc Non-volatile memory and method for operating a non-volatile memory
KR100782807B1 (ko) * 2003-02-11 2007-12-06 삼성전자주식회사 첵섬 기입 방법 및 그에 따른 첵섬 확인 장치
US7327612B2 (en) * 2005-01-31 2008-02-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and apparatus for providing the proper voltage to a memory
US7516395B2 (en) * 2005-10-12 2009-04-07 Nokia Corporation Memory checking apparatus and method
US8645793B2 (en) * 2008-06-03 2014-02-04 Marvell International Ltd. Statistical tracking for flash memory
US7808834B1 (en) * 2007-04-13 2010-10-05 Marvell International Ltd. Incremental memory refresh
JP5475942B2 (ja) * 2007-07-30 2014-04-16 株式会社メガチップス 不揮発性半導体記憶装置
US8031526B1 (en) 2007-08-23 2011-10-04 Marvell International Ltd. Write pre-compensation for nonvolatile memory
US8189381B1 (en) 2007-08-28 2012-05-29 Marvell International Ltd. System and method for reading flash memory cells
US8085605B2 (en) 2007-08-29 2011-12-27 Marvell World Trade Ltd. Sequence detection for flash memory with inter-cell interference
JP4525816B2 (ja) * 2007-09-28 2010-08-18 株式会社デンソー 電子機器及びプログラム
US7894254B2 (en) * 2009-07-15 2011-02-22 Macronix International Co., Ltd. Refresh circuitry for phase change memory
JP5271225B2 (ja) * 2009-09-28 2013-08-21 株式会社日立製作所 半導体装置、及び、記憶セルの記憶状態の補正方法
JP2010055746A (ja) * 2009-12-07 2010-03-11 Toshiba Corp 記憶媒体再生装置、記憶媒体再生方法および記憶媒体再生プログラム
JP2012190538A (ja) * 2012-05-25 2012-10-04 Toshiba Corp 記憶装置、記憶媒体再生方法および記憶媒体再生プログラム
DE102019203351A1 (de) * 2019-03-12 2020-09-17 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer nichtflüchtigen Speichereinrichtung

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4218764A (en) * 1978-10-03 1980-08-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Non-volatile memory refresh control circuit
US5239505A (en) * 1990-12-28 1993-08-24 Intel Corporation Floating gate non-volatile memory with blocks and memory refresh
US5479170A (en) * 1992-10-16 1995-12-26 California Institute Of Technology Method and apparatus for long-term multi-valued storage in dynamic analog memory
US5392251A (en) * 1993-07-13 1995-02-21 Micron Semiconductor, Inc. Controlling dynamic memory refresh cycle time
JP3644058B2 (ja) * 1994-11-29 2005-04-27 株式会社デンソー 車載エンジンの電子制御装置及びeepromのデータ再書込制御装置
JPH09320300A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP3596989B2 (ja) * 1996-10-03 2004-12-02 邦博 浅田 半導体記憶装置
JP3505331B2 (ja) * 1996-11-29 2004-03-08 三洋電機株式会社 不揮発性半導体メモリ装置
US5835413A (en) * 1996-12-20 1998-11-10 Intel Corporation Method for improved data retention in a nonvolatile writeable memory by sensing and reprogramming cell voltage levels
US5852582A (en) * 1997-02-18 1998-12-22 Advanced Micro Devices, Inc. Non-volatile storage device refresh time detector
JPH10255487A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
US6005824A (en) * 1998-06-30 1999-12-21 Lsi Logic Corporation Inherently compensated clocking circuit for dynamic random access memory
US6269039B1 (en) * 2000-04-04 2001-07-31 International Business Machines Corp. System and method for refreshing memory devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004070487A3 (de) * 2003-02-07 2004-10-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer elektronischen steuerung
CN100388220C (zh) * 2003-02-07 2008-05-14 罗伯特·博世有限公司 用于监控电子控制的方法和设备
US7484162B2 (en) 2003-02-07 2009-01-27 Robert Bosch Gmbh Method and apparatus for monitoring an electronic control system

Also Published As

Publication number Publication date
US6438056B2 (en) 2002-08-20
US20010019510A1 (en) 2001-09-06
JP2001236792A (ja) 2001-08-31
FR2805654A1 (fr) 2001-08-31
FR2805654B1 (fr) 2008-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19964012A1 (de) Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers
DE4110371C2 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung
DE69502169T2 (de) Verfahren zum Einschreiben von Daten in einen Speicher und entsprechender elektrisch-programmierbarer Speicher
DE69500143T2 (de) Schaltung zum Wählen von Redundanzspeicherbauelementen und diese enthaltende FLASH EEPROM
EP0195885B1 (de) Verfahren und Anordnung zum nichtflüchtigen Speichern des Zählerstandes einer elektronischen Zählschaltung
EP0129054A1 (de) Schaltungsanordnung mit einem Datenspeicher und einer Ansteuereinheit zum Auslesen, Schreiben und Löschen des Speichers
DE10308545A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aktualisieren eines verteilten Programms
DE4207934A1 (de) Elektrisch loesch- und programmierbares, nichtfluechtiges speichersystem mit schreib-pruef-einsteller unter verwendung zweier bezugspegel
DE3936676A1 (de) Pufferschaltkreis fuer eine mit verschiedenen versorgungspotentialen arbeitende halbleitereinrichtung und verfahren zu deren betrieb
DE102006000618A1 (de) Speichervorrichtung
EP0500973B1 (de) EEPROM und Verfahren zum Ändern einer Initialisierungsroutine im EEPROM
DE19638973C2 (de) Elektronisches Steuergerät, insbesondere für eine in einem Kraftfahrzeug vorgesehene Einrichtung
DE69602984T2 (de) Verfahren zum Schützen nichtflüchtiger Speicherbereiche
DE102012203713A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Verlängerung der Lebensdauer von Speichern
DE102007062674A1 (de) Integrierte Schaltkreise, Speicher-Steuerungseinheit und Speichermodule
DE69828669T2 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE19712731A1 (de) Verfahren zum Betreiben eines Steuerungssystems
DE69514449T2 (de) Speicheranordnung
DE4302553A1 (en) High security binary counting method for chip card - offsetting final state of binary number w.r.t. sequence such that contents of counter never represents number smaller than previous value
EP0086360A2 (de) Wortweise elektrisch umprogrammierbarer nichtflüchtiger Speicher sowie Verwendung eines solchen Speichers
DE102017103214A1 (de) Verfahren und Vorrichtungen zur Verwaltung eines nichtflüchtigen digitalen Informationsspeichers
DE102005052293B4 (de) Speicherschaltung und Verfahren zum Schreiben in einen Zielspeicherbereich
DE19619354A1 (de) Verfahren zum Betreiben eines eine Steuerfunktion aufweisenden Steuergerätes mit einer programmierbaren Speichereinrichtung
EP0960362A1 (de) Steuergerät, insbesondere für den einsatz in einem kraftfahrzeug
EP2003566B1 (de) Verfahren und Steuergerät zum Betreiben eines nichtflüchtigen Speichers, insbesondere zum Einsatz in Kraftfahrzeugen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8131 Rejection