DE19958694A1 - Steuerbares Halbleiterschaltelement - Google Patents

Steuerbares Halbleiterschaltelement

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DE19958694A1
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Abstract

Steuerbares Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist: DOLLAR A - eine erste Leitungszone (12) und eine zweite Leitungszone (14, 16) eines ersten Leitungstyps (n, n+); DOLLAR A - eine zwischen der ersten und zweiten Leitungszone (12, 14, 16) angeordnete Sperrzone (18; 58) eines zweiten Leitungstyps (p); DOLLAR A - eine isoliert gegenüber der Sperrzone (18; 58) angeordnete Steuerelektrode (20); DOLLAR A - wenigstens ein in der Sperrzone (18) ausgebildeter Rekombinationsbereich (19) aus einem eine Rekombination von Ladungsträgern des ersten und zweiten Leitungstyps fördernden Material.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein steuerbares Halblei­ terschaltelement, insbesondere ein durch Feldeffekt steuerba­ res Halbleiterschaltelement, das folgende Merkmale aufweist:
  • - eine erste Leitungszone und eine zweite Leitungszone eines ersten Leitungstyps;
  • - eine zwischen der ersten und zweiten Leitungszone angeord­ nete Sperrzone eines zweiten Leitungstyps;
  • - eine isoliert gegenüber der Sperrzone angeordnete Steuere­ lektrode.
Derartige Halbleiterschaltelemente sind beispielsweise nach dem Stand der Technik bekannte MOSFET. Eine Ausführungsform eines vertikalen Leistungs-MOSFET nach dem Stand der Technik ist in Fig. 1a ausschnittsweise im Querschnitt dargestellt. Der MOSFET weist eine Source-Zone als erste Leitungszone 12 eines ersten Leitungstyps (n) auf, die in eine als Sperrzone wirkende Wanne 18 eines zweiten Leitungstyps eingebracht ist. Die Source-Zone 18 ist über eine Source-Elektrode 40 von au­ ßen kontaktierbar. Die Sperrzone 18 ist in eine zweite Lei­ tungszone 14, 16 des ersten Leitungstyps (n) - die Drain-Zone - des MOSFET eingebracht, wobei die zweite Leitungszone eine normal dotierte, die Sperrzone 18 umgebende Zone 14 und eine stark dotierte Zone 16 zum Anschließen einer Drain-Elektrode aufweist. Isoliert gegenüber der Sperrzone 18 und den Source- und Drain-Zonen 12, 14 ist eine Gate-Elektrode als Steuere­ lektrode 20 des MOSFET angeordnet.
Ein Ersatzschaltbild des Vertikal-MOSFET nach Fig. 1a ist in Fig. 1b dargestellt, das sich als eine Kombination aus einem idealen MOSFET T1 und einem parasitären Bipolartransistor B1 darstellt. Die Kollektor-Emitter-Strecke C-E des Bipolartran­ sistors B1 ist parallel zur Drain-Source-Strecke D-S des MOSFET T1 geschaltet. Die Basis-Zone des parasitären Bipolar­ transistors B1 wird durch die Sperrzone 18, die Emitter-Zone durch die erste Leitungszone 12 und die Kollektor-Zone durch die zweite Leitungszone 14, 16 des Vertikal-MOSFET nach Fig. 1a gebildet.
Der parasitäre Bipolartransistor B1 beeinflußt die Spannungs­ festigkeit des Halbleiterschaltelements, wie dessen Kennlini­ enfeld in Fig. 1c zeigt. Bei einer Drain-Source-Spannung UDS vom Wert UCEO ist die Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung des parasitären Bipolartransistors B1 und damit die maximale Sperrspannung des Bauteils erreicht. Mit zunehmender Gate- Source-Spannung steigt die Spannungsfestigkeit leicht an, wie dem Kennlinienfeld zu entnehmen ist. Bis zum Erreichen dieser Durchbruchspannung entspricht das Verhalten des Halbleiter­ schaltelements dem eines idealen MOSFET.
Zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit derartiger MOSFET mit parasitärem Bipolartransistor ist beispielsweise aus der Eu­ ropäischen Patentschrift EP 656 661 B1 bekannt, Basis und Emitter des parasitären Bipolartransistors kurzuschließen. Das Ersatzschaltbild eines solchen Halbleiterschaltelements, bei dem von dem Bipolartransistor nur noch die Basis- Kollektor-Diode wirksam ist, ist in Fig. 1d dargestellt. In diesem Fall wird die Spannungsfestigkeit des Bauteils durch die Kollektor-Basis-Durchbruchspannung des Transistors be­ stimmt, die größer als dessen Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung ist. Das Kennlinienfeld eines solchen Bau­ teils ist in Fig. 1c durch die gestrichelten Kurven angedeu­ tet. Der MOSFET geht dabei erst bei Erreichen der größeren Kollektor-Basis-Sperrspannung UCB0 des parasitären Bipolar­ transistors in Durchbruch.
Nachteilig beim Kurzschließen von Basis und Emitter des para­ sitären Bipolartransistors, was ein Kurzschließen der ersten Leitungszone 12 und der Sperrzone 18 in Fig. 1a bedeutet, ist, daß der MOSFET in Rückwärtsrichtung leitet. Dies bedeu­ tet, daß ein n-Kanal-MOSFET bei Anlegen eines positiven Po­ tentials an die Source-Elektrode, bzw. bei Anlegen einer po­ sitiven Spannung zwischen der Source-Elektrode und der Drain- Elektrode, bereits bei geringen Spannungen leitet. Dies ist bedingt durch die in dieser Richtung leitende Kollektor- Basis-Diode DCB. Ein p-Kanal-MOSFET leitet in Rückwärtsrich­ tung entsprechend bei Anlegen einer negativen Spannung zwi­ schen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes steuerbares Halbleiterschaltelement zur Verfügung zu stellen, welches in einer Haupt-Spannungsrichtung eine erhöhte Span­ nungsfestigkeit aufweist und auch in Rückwärtsrichtung bis zum Erreichen einer Durchbruchspannung sperrt.
Diese Aufgabe wird durch das eingangs genannte Halbleiter­ schaltelement gelöst, welches zusätzlich wenigstens einen in der Sperrzone ausgebildeten Rekombinationsbereich aus einem eine Rekombination von Ladungsträgern des ersten und zweiten Leitungstyps fördernden Materials aufweist.
Das Vorsehen des Rekombinationsbereichs in der Sperrzone des Halbleiterschaltelements bzw. in der Sperrzone des parasitä­ ren Bipolartransistors verändert das elektrische Verhalten des parasitären Bipolartransistors. Ladungsträger des ersten Leitungstyps können an der Grenze zum Rekombinationsbereich, bzw. an dessen Oberfläche, leicht mit Ladungsträgern des zweiten Leitungstyps rekombinieren. Der parasitäre Bipolar­ transistor weist dadurch eine sehr geringe Stromverstärkung β auf, die das Verhältnis von Kollektorstrom zu Basisstrom wie­ dergibt. Gleichzeitig steigt dadurch die Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung des parasitären Bipolartransistors und da­ mit die Durchbruchspannung des Halbleiterschaltelements an. Durch Vorsehen eines ausreichend großen Rekombinationsberei­ ches ist eine Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung erreich­ bar, die der Kollektor-Basis-Durchbruchspannung des parasitä­ ren Bipolartransistors entspricht. Die Spannungsfestigkeit des Halbleiterschaltelements ist somit in einer Haupt- Spannungsrichtung erhöht. Gleichzeitig bewirkt die Basis- Emitter-Diode des parasitären Bipolartransistors, bzw. der pn-Übergang zwischen der ersten Leitungszone und der Sperrzo­ ne, daß das Halbleiterschaltelement auch in Rückwärtsrichtung sperrt.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Das Material des Rekombinationsbereiches ist vorzugsweise ein Metall. Gemäß weiterer Ausführungsformen ist vorgesehen, den Rekombinationsbereich aus Polysilizium, oder einem anderen Halbleitermaterial, oder aus Silizid oder einer anderen ent­ sprechenden Halbleiterverbindung auszubilden.
Der Rekombinationsbereich ist gemäß einer Ausführungsform plattenförmig ausgebildet, um bei geringem Volumen eine mög­ lichst große Oberfläche zur Rekombination der Ladungsträger zur Verfügung zu stellen.
Es können mehrere, insbesondere platten- oder streifenförmig ausgebildete Rekombinationsbereiche beabstandet zueinander in der Sperrzone ausgebildet sein. Vorzugsweise sind die einzel­ nen Rekombinationsbereiche dabei durch stark dotierte Berei­ che des zweiten Leitungstyps miteinander verbunden, um einen leichten Austausch von Ladungsträgern zwischen den Rekombina­ tionsbereichen, bzw. den verschiedenen getrennt voneinander angeordneten Unterbereichen des Rekombinationsbereiches, zu ermöglichen.
Neben Ausführungsformen, bei denen die Rekombinationsbereiche vollständig von der Sperrzone, also einer Zone aus Material des zweiten Leitungstyps umgeben ist, ist gemäß weiteren Aus­ führungsformen der Erfindung vorgesehen, die Rekombinations­ bereiche durch Zonen aus Material des ersten Leitungstyps mit der ersten Leitungszone zu verbinden. Zwischen der Sperrzone, die bei MOSFET auch als Body-Bereich bezeichnet wird, und der ersten Leitungszone entsteht bei Verwendung eines Metalls oder eines Silizids in dem Rekombinationsbereich ein Schott­ ky-Kontakt, der die Spannungsfestigkeit des Bauelements in Rückwärtsrichtung bestimmt.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbei­ spielen anhand von Figuren näher erläutert. In den Figuren zeigt:
Fig. 2 einen Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Halbleiter­ schaltelements gemäß einer ersten Ausführungsform im Quer­ schnitt;
Fig. 3 einen Querschnitt durch das Halbleiterschaltelement gemäß Fig. 2 entlang einer Linie a-a';
Fig. 4 einen Querschnitt durch das Halbleiterschaltelement gemäß Fig. 2 und 3 entlang einer Linie b-b';
Fig. 5 einen Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Halbleiter­ schaltelements gemäß einer zweiten Ausführungsform im Quer­ schnitt;
Fig. 6 ein Ersatzschaltbild des Halbleiterschaltelements gemäß Fig. 5;
Fig. 7 einen Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Halbleiter­ schaltelements gemäß einer dritten Ausführungsform im Quer­ schnitt;
Fig. 8 einen Querschnitt durch das Halbleiterschaltelement gemäß Fig. 7 entlang einer Linie c-c';
Fig. 9 einen Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Halbleiter­ schaltelements gemäß einer vierten Ausführungsform im Quer­ schnitt;
Fig. 10 ein erfindungsgemäßes Halbleiterschaltelement in lateraler Ausbildung.
In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Teile und Bereiche mit gleicher Bedeutung.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines Halbleiterschaltelements gemäß einer ersten Ausführungsform. Das dargestellte Halbleiterschaltelements besitzt den Aufbau eines vertikalen n-Kanal-MOSFET. In einem n-leitenden Halb­ leiterkörper 10 ist dabei eine p-leitende Zone als Sperrzone 18 eingebracht, in die wiederum eine hochdotierte n-leitende Zone 12 eingebracht ist, die als erste Leitungszone, oder Source-Zone, des MOSFET dient. Der Halbleiterkörper 10 weist einen n-leitenden Bereich 14 und im Bereich einer der Source- Zone abgewandten Seite einen hochdotierten n-leitenden Be­ reich 16 auf, die zusammen den zweiten Leitungsbereich, oder Drain-Bereich, bilden. Der stark dotierte Bereich 16 dient zum Anschluß an eine Drain-Elektrode D.
Die Source-Zone 12 ist mit einer Source-Elektrode 40, S, bei­ spielsweise aus Aluminium, verbunden. Gate-Elektroden 20, die als Steuerelektroden des MOSFET dienen, sind über der Sperr­ zone 12 und von dieser durch eine Isolationsschicht 30 ge­ trennt angeordnet. Die Gate-Elektrode 20 besteht beispiels­ weise aus Polysilizium, die Isolationsschicht 30 beispiels­ weise aus einem Siliziumoxid. Die dargestellte Struktur wie­ derholt sich vorzugsweise nach links und rechts und senkrecht zur Zeichenebene mehrmals, wodurch eine zellenartige Struktur des MOSFET entsteht. Die Belastbarkeit des MOSFET steigt mit der Anzahl der Zellen.
Der dargestellte MOSFET weist einen parasitären Bipolartran­ sistor auf, wobei dessen Emitter-Zone durch die Source-Zone 12, dessen Basis-Zone durch die Sperrzone 18 und dessen Kol­ lektor-Zone durch die Drain-Zone 14, 16 des Vertikal-MOSFET gebildet wird.
In der Sperrzone 18 des MOSFET, bzw. der Basis-Zone 19 des parasitären Bipolartransistors, ist ein Rekombinationsbereich 19 aus einem die Rekombination von n-Ladungsträgern und p- Ladungsträgern in dieser Zone fördernden Material angeordnet. Dieser Rekombinationsbereich besteht vorzugsweise aus einem Metall, einem Polysilizium oder einem Silizid. An der Ober­ fläche des Rekombinationsbereichs 19 findet verstärkt eine Rekombination von n- und p-Ladungsträgern statt, wodurch die Spannungsfestigkeit des MOSFET für positive Spannungen zwi­ schen Drain- und Source-Zone, ansteigt. Mit anderen Worten: die gute Rekombinationsmöglichkeit von n- und p- Ladungsträgern in der Basis-Zone des parasitären Bipolartran­ sistors senkt dessen Stromverstärkung β und steigert dadurch dessen Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, die die Spa­ nungsfestigkeit des MOSFET über der Drain-Source-Strecke mit­ bestimmt.
Durch geeignete Wahl des Materials und der geometrischen Struktur des Rekombinationsbereiches kann die Durchbruchspan­ nung des MOSFET so weit gesteigert werden, wie sie sich bei einem Kurzschluß zwischen dem ersten Leitungsbereich 12 und der Sperrzone 18, d. h. bei kurzgeschlossener Basis-Emitter- Strecke des parasitären Bipolartransistors, ergeben würde, ohne jedoch die nachteilige Wirkung eines solchen Kurzschlus­ ses, nämlich die mangelnde Spannungsfestigkeit in Rück­ wärtsrichtung, in Kauf nehmen zu müssen. Der dargestellte MOSFET sperrt auch bei Anlegen einer positiven Spannung zwi­ schen der Source-Elektrode 40, bzw. der Source-Zone 12, und der Drain-Zone 14, 16 bedingt durch den pn-Übergang zwischen der Sperrzone 18 und der Source-Zone 12.
Wie in Fig. 2 angedeutet ist, kann der Bereich 16 stark p- dotiert anstatt stark n-dotiert sein. Das Halbleiterschalte­ lement funktioniert dann als IGBT (Insulated Gate Bipolar­ transistor).
Der Rekombinationsbereich ist vorzugsweise so ausgebildet, daß er eine große Fläche bei geringem Volumenbedarf aufweist.
Der Rekombinationsbereich ist daher vorzugsweise plattenför­ mig, oder, wie in Fig. 3 anhand eines Querschnitts entlang der Linie a-a' von Fig. 2 dargestellt ist, aus mehreren im wesentlichen parallel verlaufenden Streifen ausgebildet. Die strichpunktierten Linien in Fig. 3 veranschaulichen die Lage der darüberliegenden Gate-Elektrode 20. Die gestrichelten Li­ nien veranschaulichen die Lage der darüberliegenden Source- Elektrode 40, S.
Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch das Halbleiterschalte­ lement entlang einer in Fig. 3 eingezeichneten Schnittlinie c-c', aus dem die parallele Lage der den Rekombinationsbe­ reich 19 bildenden Streifen deutlich wird. Die einzelnen Un­ terbereiche des Rekombinationsbereiches 19 sind vorzugsweise durch stark p-dotierte Bereiche 181 miteinander verbunden, um den Ladungsaustausch zwischen den Unterbereichen des Rekombi­ nationsbereichs 19 zu fördern.
Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungsge­ mäßen Halbleiterschaltelements, wobei der Rekombinationsbe­ reich 19 und die stark n-dotierte Source-Zone 12 durch eine n-leitende Zone 13 miteinander verbunden sind. Das Material des Rekombinationsbereichs 19 ist bei dieser Ausführungsform vorzugsweise ein Metall oder ein Silizid.
Fig. 6 zeigt das Ersatzschaltbild des Halbleiterschaltele­ ments nach Fig. 5. Zwischen dem n-leitenden Bereich 13, der Teil der Source-Zone ist, und dem Rekombinationsbereich ist ein Schottky-Übergang gebildet, der als Schottky-Diode DS zwischen dem Source-Anschluß S und dem Substrat-Anschluß des MOSFET eingezeichnet ist. Die Diode D2 zwischen dem Drain- Anschluß D und dem Substrat-Anschluß wird durch den pn- Übergang zwischen der Drain-Zone 14, 16 und der Sperrzone 18 (auch bezeichnet als p-Body-Bereich) gebildet. Die Schottky- Diode DS bestimmt die Sperrspannung des Halbleiterschaltele­ ments in Rückwärtsrichtung (Source-Drain-Richtung), die Diode D2, bzw. der pn-Übergang zwischen der Drain-Zone 14, 16 und der Sperrzone 18 die Spannungsfestigkeit des MOSFET in Drain- Source-Richtung.
In Fig. 7 ist ausschnittsweise ein Querschnitt durch ein Halbleiterschaltelement gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Fig. 8 zeigt einen Querschnitt durch dieses Halbleiterschaltelement entlang der in Fig. 7 eingezeichneten Schnittlinie. c-c'. Eine Gate-Elektrode 60 ist bei dieser Ausführungsform "vergraben" in einem Halbleiter­ körper 105 angeordnet und von einer Isolationsschicht 70 um­ geben. Eine Source-Elektrode 80 schließt den Halbleiterkörper 101 nach oben hin ab. Erste stark n-dotierte Leitungszonen oder Source-Zonen 52 sind unterhalb der Source-Elektrode 80 und zwischen der Grabenstruktur der Gate-Elektrode 60 ange­ ordnet. An die Source-Zonen 52 schließen sich p-dotierte Sperrzonen 58 an, in denen Rekombinationsbereiche 59 aus ei­ nem, die Rekombination von n- und p-Ladungsträgern fördernden Material angeordnet sind. Die Struktur aus Gate-Elektrode 60 und umgebender Isolationsschicht 70 erstreckt sich nach unten bis an eine n-dotierte Zone 54, die zusammen mit einer daran anschließenden stark n-dotierten Zone 56 eine zweite Lei­ tungszone oder Drain-Zone des dargestellten MOSFET bildet.
Neben ein Ausführungsbeispiel eines Rekombinationsbereiches 19, der vollständig von der p-leitenden Sperrzone umgeben ist, zeigt Fig. 7 ein Ausführungsbeispiel eines Rekombinati­ onsbereichs 59', der durch eine Isolationsschicht 90 gegen­ über der Source-Elektrode 80, S und der Source-Zone 52 iso­ liert ist. Dies resultiert aus einem möglichen Herstellungs­ verfahren der Rekombinationszone 59' in der Sperrzone. Dabei werden vor dem Abscheiden der Source-Elektrode 80 Löcher, beispielsweise durch Ätzen, in die Sperrzone 58 eingebracht und anschließend bis auf eine Höhe unterhalb der Source-Zone 52 mit einem die Rekombination fördernden Material aufge­ füllt. Anschließend wird die Isolationsschicht 90 in dem Loch über dem die Rekombination fördernden Material aufgebracht.
Fig. 9 zeigt ausschnittsweise im Querschnitt eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Halbleiterschaltele­ ments mit einer grabenförmigen Struktur aus Gate-Elektrode 60 und Isolationsschicht 70. Die Source-Zone besteht bei dieser Ausführungsform aus einer benachbart zu der Gate-Elektrode 60 und der Source-Elektrode 80 angeordneten stark n-dotierten Zone 52 und aus einer die stark dotierte Zone 52 in den übri­ gen Bereichen umgebenden normal n-dotierten Zone 53. Der Re­ kombinationsbereich 59 erstreckt sich bei dieser Ausführungs­ form von der unterhalb der Zone 53 angeordneten p-dotierten Sperrzone 58 bis in die n-dotierte Zone 53 und ist nach oben gegenüber der Source-Elektrode 80 durch eine Isolations­ schicht 90 isoliert. Der Rekombinationsbereich 59 besteht bei dieser Ausführungsform vorzugsweise aus einem Metall oder ei­ nem Silizid und bildet mit der n-dotierten Zone 53 einen Schottky-Kontakt. Das Ersatzschaltbild des Halbleiterschalte­ lements nach Fig. 9 entspricht dem in Fig. 6 dargestellten.
Während sich bei den in den Fig. 2 bis 6 dargestellten Halbleiter­ schaltelementen bei Anlegen einer positiven Spannung zwischen der Gate- und Source-Elektrode G, S und Anlegen einer positi­ ven Spannung zwischen der Drain- und Source-Elektrode D, S ein leitender Kanal in lateraler Richtung in der Sperrzone 18 ausbildet, bildet sich bei dem Ausführungsbeispiel nach den Fig. 7 und 8 ein leitender Kanal in vertikaler Richtung aus. Diese Ausführungsform ist gegenüber den in den Fig. 2 bis 6 dargestellten Ausführungsformen platzsparender.
Ersetzt man die stark n-dotierte Zone 56 durch eine stark p- dotierte Zone funktionieren die in den Fig. 7 bis 9 darge­ stellten Bauelemente als IGBT.
Fig. 10 zeigt eine weitere Ausführungsform eines erfindungs­ gemäßen Halbleiterschaltelements, das als Lateral-MOSFET aus­ gebildet ist. Stark n-dotierte Drain- und Source-Zonen 216, 212 sind dabei in einer p-dotierten Sperrzone 218 des Halb­ leiterkörpers 200 angeordnet und mittels Source- und Drain- Elektroden S, G von derselben Seite des Halbleiterkörpers 200 kontaktierbar. Eine Gate-Elektrode G ist durch eine Isolati­ onsschicht 230 isoliert auf dem Halbleiterkörper 200 angeord­ net. In der Sperrzone 218 ist ein Rekombinationsbereich aus einem die Rekombination von n- und p-Ladungsträgern fördern­ den Material angeordnet.

Claims (9)

1. Steuerbares Halbleiterschaltelement, das folgende Merkmale aufweist:
  • - eine erste Leitungszone (12; 52; 212) und eine zweite Lei­ tungszone (14, 16; 54, 56; 216) eines ersten Leitungstyps (n,n+);
  • - eine zwischen der ersten und zweiten Leitungszone (12, 14, 16; 52, 54, 56; 212, 216) angeordnete Sperrzone (18; 58; 218) eines zweiten Leitungstyps (p);
  • - eine isoliert gegenüber der Sperrzone (18; 58; 218) ange­ ordnete Steuerelektrode (20; 60; 220);
gekennzeichnet durch folgendes weiteres Merk­ mal:
wenigstens ein in der Sperrzone (18; 58; 218) ausgebildeter Rekombinationsbereich (19; 59; 219) aus einem eine Rekombina­ tion von Ladungsträgern des ersten und zweiten Leitungstyps (n, p) fördernden Material.
2. Halbleiterschaltelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Rekombinationsbereichs (19; 59; 219) ein Me­ tall ist.
3. Halbleiterschaltelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Rekombinationsbereichs (19; 59; 219) ein Si­ lizid oder Polysilizium ist.
4. Halbleiterschaltelement nach einem der vorangehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Rekombinationsbereich (19; 59; 219) plattenförmig ausge­ bildet ist.
5. Halbleiterschaltelement nach einem der vorangehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Rekombinationsbereiche (19) in der Sperrzone (18) ausgebildet sind.
6. Halbleiterschaltelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Rekombinationsbereiche (19) im wesentlichen streifenför­ mig ausgebildet und im wesentlichen parallel zueinander ange­ ordnet sind.
7. Halbleiterschaltelement nach einem der vorangehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Rekombinationsbereich (19; 59; 219) von der Sperrzone (18; 58; 218) umgeben ist.
8. Halbleiterschaltelement, nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Zone (13; 53) des ersten Leitungstyps (n) zwischen dem Rekombinationsbereich (19; 59) und der ersten Leitungszone (12; 52) angeordnet ist.
9. Halbleiterschaltelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Zone (13; 53) schwächer als die erste Leitungszone (12; 52) dotiert ist.
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