DE10227832C1 - Brückenschaltung - Google Patents

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Brückenschaltung mit vier MOS-Transistoren (T1, T2, T3, T4), wobei die Drain-Source-Strecken von jeweils zwei der vier Transistoren in Reihe zwischen Eingangsklemmen (EK1, EK2) geschaltet sind, und wobei Ausgangsklemmen (AK1, AK2) jeweils durch Knoten gebildet sind, die den zwei in Reihe geschalteten Transistoren gemeinsam sind. Die Transistoren sind als MOSFET mit floatend angeordneter Body-Zone ausgebildet, wobei eine Gleichrichteranordnung zwischen einen von deren Laststreckenanschlüssen (S) und deren Gate-Anschluss (G) geschaltet ist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Brückenschaltung ge­ mäß den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1.

Derartige aus zwei Halbbrücken aufgebaute Brückenschaltungen sind zur Ansteuerung von zwischen die Ausgangsklemmen ge­ schalteten Lasten hinlänglich bekannt. Die Transistoren die­ nen zum Anschließen der Last an die Versorgungsspannung, wo­ bei die Auswahl der leitend angesteuerten Transistoren die Richtung des Stromflusses durch die Last bestimmt.

Derartige Brückenschaltungen dienen insbesondere zur Ansteue­ rung induktiver Lasten, wie beispielsweise Motoren. Ein wei­ terer Einsatzbereich derartiger Brückenschaltungen sind soge­ nannte ZVT-Vollbrückenwandler (ZVT = Zero Voltage Switching), bei denen zwischen die Ausgangsklemmen eine Anordnung mit ei­ nem Transformator geschaltet ist, wobei dem Transformator ei­ ne Gleichrichteranordnung nachgeschaltet ist, an deren Aus­ gangsklemmen eine Versorgungsspannung für eine Last bereit­ steht. Derartige Vollbrückenwandler finden insbesondere in Schweißgeräten Verwendung. Der Aufbau und die Funktionsweise derartiger ZVT-Vollbrückenwandler und die zeitliche Abfolge der Ansteuerung der Transistoren ist beispielsweise in fol­ genden Dokumenten beschrieben: Cho, Sabate, Hua, Lee:" Zero- Voltage and Zero-Current-Switching Full Bridge PWM Converter for High Power Applications" PESC '94, Seiten 175 bis 181, Saro, Dierberger, Redl: "High-Voltage MOSFET Bevavior in Soft-Switching Converters: Analysis and Reliability Improve­ ments", und Aigner, Dierberger, Grafham: "Improving the Full­ bridge Phase-shift ZVT Converter for Failure-free Operations under Extreme Conditions in Welding and Similar Applicati­ ons".

Als MOS-Transistoren für Brückenschaltungen zur Ansteuerung derartiger induktiver Lasten werden üblicherweise Transisto­ ren mit einer integrierten Body-Diode verwendet, die bei ei­ nem n-leitenden MOSFET so ausgebildet ist, dass sie bei Anle­ gen einer positiven Spannung in Source-Drain-Richtung leitet. Diese Body-Diode ist in hinlänglich bekannter Weise durch Kurzschließen der Source-Zone und der Body-Zone des MOSFET realisiert. Derartige MOSFET sperren nur in Drain-Source- Richtung.

Das Vorhandensein dieser Body-Dioden in MOS-Transistoren, die in Brückenschaltungen zur Ansteuerung induktiver Lasten ver­ wendet werden, ist bislang erwünscht. Diese internen Dioden dienen als sogenannte Freilaufdioden, die in der Lage sind, einen nach dem Abschalten der Stromzufuhr zu der induktiven Last während dem Abkommutieren auftretenden Strom zu überneh­ men und die Transistoren dadurch vor einer möglichen Über­ spannung zu schützen. In den oben erläuterten ZVT- Vollbrückenwandlern gewährleisten die Body-Dioden ein sanftes Schaltverhalten (Soft Switching), indem eine oder mehrere der Body-Dioden nach Unterbrechung der Stromzufuhr zu der Last zunächst den durch die induktive Last hervorgerufenen Strom übernehmen, bis der zugehörige Transistor leitend angesteuert wird, um im Weiteren die Schaltungsverluste zu reduzieren.

Integrierte Body-Dioden besitzen allerdings den Nachteil, dass sie in leitendem Zustand Ladung speichern, die vor dem Sperren erst wieder abfließen muss, was die Schaltverluste erhöht und die Schaltfrequenz begrenzt, wie dies unter ande­ rem in den oben zitierten Artikeln von Cho et al., Saro et al. und Aigner et al. beschrieben ist.

Die WO 01/80410 A1 beschreibt einen Tiefsetzsteller (buck converter) mit einer Freilaufschaltung, die einen MOSFET mit floatend angeordneter Body-Zone und einer zwischen den Sour­ ce-Anschluss und den Gate-Anschluss des MOSFET geschalteten Diode aufweist.

Die DE 101 17 360 A1 (Fig. 4) beschreibt eine Brückenschaltung mit vier MOSFET, die jeweils eine floatend angeordnete Body-Zone aufweisen und die mittels einer Ansteuerschaltung angesteuert sind.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Brückenschaltung zur Verfügung zu stellen, die insbesondere in ZVT- Vollbrückenwandlern mit sanftem Schaltverhalten einsetzbar ist, bei der keine Probleme durch Speicherladung in den MOS- Transistoren auftreten.

Dieses Ziel wird durch eine Brückenschaltung gemäß der Merk­ male des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Die erfindungsgemäße Brückenschaltung umfasst einen ersten, zweiten, dritten und vierten MOS-Transistor, die jeweils ei­ nen Gate-Anschluss und jeweils eine zwischen einem Drain- Anschluss und einem Source-Anschluss verlaufende Laststrecke aufweisen, wobei die Laststrecken des ersten und zweiten Transistors und die Laststrecken des dritten und vierten Transistors in Reihe zwischen Klemmen für eine Versorgungs­ spannung geschaltet sind. Durch einen der Laststrecke des ersten und zweiten Transistors gemeinsamen Knoten ist dabei eine erste Anschlussklemme und durch einen der Laststrecke des dritten und vierten Transistors gemeinsamen Knoten ist dabei eine zweite Anschlussklemme für eine Last gebildet. Er­ findungsgemäß ist wenigstens der erste oder zweite Transistor und wenigstens der dritte oder vierte Transistor ein MOS- Transistor mit floatend angeordneter oder hochohmig an ein vorgegebenes Potential, insbesondere Source-Potential, ange­ schlossener Body-Zone. Derartige MOS-Transistoren mit floa­ tend angeordneter oder hochohmig angeschlossener Body-Zone sperren abhängig von einem an den Gate-Anschluss angelegten Ansteuerpotential sowohl bei Anlegen einer Spannung in Drain- Source-Richtung als auch bei Anlegen einer Spannung in Sour­ ce-Drain-Richtung. Die Bezeichnung MOS-Transistor mit floa­ tend angeordneter Body-Zone umfasst im Folgenden auch MOS- Transistoren, bei denen die Body-Diode hochohmig an einen der Laststreckenanschlüsse, insbesondere den Source-Anschluss, angeschlossen ist.

Da also kein Kurzschluss zwischen der Source-Zone und der Bo­ dy-Zone des Transistors vorhanden ist, besitzen derartige Transistoren keine Body-Diode, wodurch keine Ladungsspeicher­ effekte auftreten. Um dennoch eine Freilauffunktion der Tran­ sistoren in der Brückenschaltung zu gewährleisten ist erfin­ dungsgemäß vorgesehen, zwischen einen der Laststreckenan­ schlüsse, üblicherweise den Source-Anschluss, und den Gate- Anschluss der MOS-Transistoren mit floatend angeordneter Bo­ dy-Zone eine Gleichrichteranordnung zu schalten. Diese Gleichrichteranordnung steuert das Gate des Transistors lei­ tend an, wenn das Potential an dem Laststreckenanschluss über den Potentialwert an dem der Gleichrichteranordnung abgewand­ ten Laststreckenanschluss ansteigt, um dadurch eine Freilauf­ funktion des MOS-Transistors zu gewährleisten.

Welche der MOS-Transistoren in der Brückenschaltung als MOS- Transistoren mit floatend angeordneter Body-Zone und einer zwischen einen Laststreckenanschluss und den Gate-Anschluss geschalteten Gleichrichteranordnung ausgebildet sind, ist ab­ hängig von der angeschlossenen Last und der zeitlichen Abfol­ ge, mit welcher die Transistoren leitend und sperrend ange­ steuert werden. Von dieser Abfolge der zeitlichen Ansteuerung ist abhängig, durch welche der MOS-Transistoren ein Freilauf­ strom fließen soll.

Die Gleichrichteranordnung, die zwischen den jeweiligen Last­ streckenanschluss und den Gate-Anschluss des Transistors mit floatender Body-Zone geschaltet ist, ist vorzugsweise eine Diode.

Die MOS-Transistoren der Brückenschaltung sind insbesondere vertikale Leistungs-MOSFET.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand eines Aus­ führungsbeispiels der Figuren näher erläutert. In den Figuren zeigt

Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbbrückenschaltung,

Fig. 2 ein elektrisches Ersatzschaltbild eines MOS- Transistors mit floatend angeordneter Body-Zone,

Fig. 3 ein elektrisches Ersatzschaltbild eines MOS- Transistors mit hochohmig angeschlossener Body- Zone.

Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Brückenschaltung. Diese Brückenschaltung umfasst Eingangs­ klemmen EK1, EK2 zum Anlegen einer Eingangsspannung Uin und vier MOSFET T1, T2, T3, T4. Die MOSFET weisen jeweils einen Gate-Anschluss G sowie einen Drain-Anschluss D und einen Source-Anschluss S auf, wobei Laststrecken der MOSFET zwi­ schen dem jeweiligen Drain-Anschluss D und Source-Anschluss S verlaufen.

Die Drain-Source-Strecken von jeweils zwei der MOSFET, einem ersten MOSFET T1 und einem zweiten MOSFET T2 sowie einem dritten MOSFET T3 und einem vierten MOSFET T4, sind in Reihe zwischen die Eingangsklemmen EK1, EK2 geschaltet. Der Source- Anschluss S des ersten MOSFET T1 und der Drain-Anschluss des zweiten MOSFET T2 bilden eine erste Anschlussklemme AK1 für eine Last und der Source-Anschluss des dritten MOSFET T3 und der Drain-Anschluss des vierten MOSFET T4, die miteinander verbunden sind, bilden eine zweite Anschlussklemme AK2 für eine Last.

Zur Ansteuerung der MOSFET T1-T4 sind zwei Ansteuerschaltun­ gen IC12 und IC34 vorgesehen, die jeweils an die Gate- Anschlüsse der MOSFET T1-T4 angeschlossen sind. Die Ansteuer­ schaltungen IC12, IC34 sind in nicht näher dargestellter Wei­ se miteinander gekoppelt, um die MOSFET T1-T4 aufeinander ab­ gestimmt anzusteuern. Die Ansteuerschaltungen stellen insbe­ sondere sicher, dass die beiden jeweils in Reihe geschalteten MOSFET T1, T2 bzw. T3, T4 nie gleichzeitig leiten und die Eingangsklemmen EK1, EK2 damit nicht kurzschließen. Zur Puf­ ferung der Eingangsspannung Uin ist zwischen diese Eingangs­ klemmen EK1, EK2 ein Eingangskondensator Cin geschaltet.

Die MOSFET T1-T4 sind als MOSFET mit floatend angeordneter Body-Zone ausgebildet. Bei derartigen MOSFET, ist keine in­ tegrierte, in Source-Drain-Richtung in Durchlassrichtung ge­ polte Body-Diode vorhanden. Der Aufbau und die Funktionsweise derartiger MOSFET mit floatend angeordneter Body-Zone ist beispielsweise in der DE 100 01 869 A1, der WO 01/43200 oder der DE 100 01 871 A1 beschrieben, auf welche bezüglich des Aufbaus und der Funktionsweise der MOSFET T1-T4 Bezug genom­ men wird.

Bei solchen MOSFET mit einer floatend angeordneten oder hoch­ ohmig an ein vorgegebenes Potential, beispielsweise das Sour­ ce-Potential, angeschlossenen Body-Zone ist in hinlänglich bekannter Weise durch die Abfolge der Source-Zone, der Body- Zone und der Drift-Zone bzw. Drain-Zone - wobei benachbarte Zonen jeweils komplementär dotiert sind - ein parasitärer Bi­ polartransistor gebildet, der bei herkömmlichen MOSFET durch Kurzschließen der Source-Zone und der Body-Zone vermieden ist. Dieser parasitäre Transistor, dessen Basis durch die Bo­ dy-Zone gebildet ist, ist bei n-Kanal-MOSFET ein npn- Bipolartransistor und bei p-Kanal-MOSFET ein pnp- Bipolartransistor.

Um zu verhindern, dass durch das Vorhandensein dieses Bipo­ lartransistors die maximale Sperrspannung des jeweiligen MOS- FET reduziert ist, sind vorzugsweise geeignete Maßnahmen ge­ troffen, um die Stromverstärkung dieses parasitären Bipo­ lartransistors zu reduzieren. Solche Maßnahmen umfassen bei­ spielsweise das Einbringen einer Rekombinationszone, bei­ spielsweise aus einem Metall oder einem Silizid, in die Body- Zone, was hinlänglich bekannt und beispielsweise in der DE 199 58 694 A1 beschrieben ist, auf die bezüglich der Redukti­ on der Stromverstärkung des parasitären Bipolartransistors Bezug genommen wird.

Fig. 2 zeigt das elektrische Ersatzschaltbild eines n-Kanal- MOSFET mit floatend angeordneter Body-Zone. Wie hinlänglich bekannt ist, ist in einem n-Kanal-MOSFET eine Abfolge einer n-dotierten Source-Zone, einer p-dotierten Body-Zone und ei­ ner n-dotierten Drain-Zone vorhanden, wobei eine Gate- Elektrode dazu dient, bei Anlegen eines geeigneten Ansteuer­ potentials einen leitenden Kanal in der Body-Zone zwischen der Source-Zone und der Drain-Zone auszubilden. Ist die Body- Zone floatend angeordnet, d. h. liegt sie auf keinem definier­ ten Potential und ist sie insbesondere nicht mit der Source- Zone kurzgeschlossen, so resultiert aus der Abfolge der Sour­ ce-Zone, der Body-Zone und der Drain-Zone ein parasitärer Bi­ polartransistor BT, dessen Kollektor durch die Drain-Zone des MOSFET FT, dessen Emitter durch die Source-Zone des MOSFET FT und dessen Basis durch die Body-Zone gebildet ist. Vorzugs­ weise sind in der Body-Zone Rekombinationszentren, beispiels­ weise aus einem Metall oder einem Silizid, ausgebildet, um die Stromverstärkung dieses parasitären Bipolartransistors zu verringern und dadurch die Durchbruchspannung des MOSFET trotz floatend angeordneter Body-Zone nicht negativ zu beein­ flussen. Derartige MOSFET mit floatend angeordneter Body-Zone werden auch als in Rückwärtsrichtung sperrende MOSFET oder Reverse-Blocking-MOSFET (RB-MOSFET) bezeichnet.

Anstelle von MOS-Transistoren mit floatend angeordneter Body- Zonen können auch MOS-Transistoren verwendet werden, bei de­ nen die Body-Zone hochohmig über einen Widerstand R an die Source-Zone angeschlossen ist. Das Ersatzschaltbild eines solchen MOS-Transistors ist in Fig. 3 dargestellt.

Um bei den MOS-Transistoren gemäß Fig. 1 eine Freilauffunk­ tion in Source-Drain-Richtung zu gewährleisten, d. h. einen Stromfluss von Source S nach Drain D zu ermöglichen, wenn das Source-Potential das Drain-Potential übersteigt, sind bei den Transistoren gemäß Fig. 1 Dioden D1-D4 zwischen die Source- Anschlüsse S und die Gate-Anschlüsse G der Transistoren ge­ schaltet. Übersteigt das Source-Potential den Wert des Drain- Potentials um den Wert der Einsatzspannung der jeweiligen Transistoren T1-T4 plus dem Wert der Durchlassspannung der Dioden D1-D4, so wird der jeweilige Transistor leitend ange­ steuert und ein Stromfluss in Source-Drain-Richtung wird er­ möglicht. Bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 wird da­ von ausgegangen, dass die MOS-Transistoren unsymmetrisch sind, d. h. in Drain-Source-Richtung eine größere Spannungs­ festigkeit als in Source-Drain-Richtung aufweisen. Bei Anle­ gen einer Sperrspannung in Source-Drain-Richtung gewährleis­ ten die Dioden D1-D4 die Freilauffunktion des entsprechenden Transistors T1-T4, so dass in dieser Richtung keine sehr hohe Sperrspannung anliegen kann. Bei Anlegen einer Spannung in Drain-Source-Richtung steht keine derartige Freilauffunktion zur Verfügung, so dass die Transistoren T1-T4 dazu ausgebil­ det sind, entsprechende Sperrspannungen aufzunehmen.

Die Funktionsweise der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 wird nachfolgend kurz erläutert:
Werden beispielsweise die Transistoren T1 und T2 über die An­ steuerschaltung IC12 und IC34 leitend angesteuert, während die Transistoren T2, T3 sperren, so fließt ein Laststrom über den Transistor T1, die Last und den Transistor T4. Die zwi­ schen die Anschlussklemmen AK1, AK2 geschaltete Last ist in dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine Primärspule Lp ei­ nes Transformators TR. Einer Sekundärspule Ls des Transforma­ tors TR ist ein Brückengleichrichter GL nachgeschaltet, an dessen Ausgangsklemmen eine Reihenschaltung mit einem induk­ tiven Energiespeicher, im vorliegenden Fall einer Spule L, und einem kapazitiven Energiespeicher, im vorliegenden Fall einem Kondensator Cout, angeschlossen ist, wobei an dem Kon­ densator Cout eine Ausgangsspannung Uout abgreifbar ist. Die­ se Topologie entspricht einem sogenannten ZVT- Vollbrückenwandler, der grundsätzlich in den eingangs erwähn­ ten Artikeln von Cho et al., Saro et al., und Aigner et al., beschrieben ist.

Über den ersten und vierten leitend angesteuerten Transistor T1, T4 nimmt die Primärspule des Transformators TR Strom auf.

Sperrt anschließend der Transistor T4 so wird die Stromauf­ nahme der Primärspule des Transformators TR unterbrochen. Be­ dingt durch die in der Primärspule gespeicherte Energie steigt das Potential an der Ausgangsklemme AK2 an, bis es ei­ nen Wert erreicht, der um den Wert der Durchlassspannung der Diode D3 plus der Einsatzspannung des Transistors T3 über dem Wert des positiven Versorgungspotentials Uin liegt. Der Tran­ sistor T3 beginnt dann zu leiten und es fließt ein Freilauf­ strom von der Primärspule über den Transistor T3 und den über die Ansteuerschaltung IC12 noch leitend angesteuerten Tran­ sistor T1. Die Ansteuerung durch die Ansteuerschaltungen IC12 und IC34 der Transistoren erfolgt derart, dass der Transistor T3 durch die Ansteuerschaltung IC34 vollständig leitend ange­ steuert wird, kurz nachdem der Transistor T3 über die Diode D2 bereits angesteuert wurde, um den Einschaltwiderstand des Transistors T3 weiter zu reduzieren und die Verluste zu ver­ ringern. Dadurch, dass der Transistor T3 zunächst über die Diode D3 leitend angesteuert und danach vollständig durch die Ansteuerschaltung IC34 angesteuert wird, wird ein sanftes Schaltverhalten erreicht, welches insbesondere bei ZVT- Vollbrückenwandlern erwünscht ist.

Werden während eines zweiten Ansteuerzyklusses die Transisto­ ren T3 und T2 angesteuert, um die Primärspule in umgekehrter Richtung zu bestromen, so funktioniert nach dem Sperren des Transistors T2 der Transistor T1 angesteuert durch die Diode D1 als Freilaufelement.

Die dargestellte Brückenschaltung ist selbstverständlich nicht auf eine Anwendung in ZVT-Vollbrückenwandlern be­ schränkt. Selbstverständlich kann die Brückenschaltung zur Ansteuerung beliebiger induktiver Lasten verwendet werden, wobei die zwischen die Source-Anschlüsse und die Gate- Anschlüsse geschalteten Dioden D1-D4 eine Freilauffunktion der Transistoren T1-T4 gewährleisten und die Transistoren T1-­ T4, die über keine Body-Diode verfügen, vor Überspannungen beim Abkommutieren der induktiven Last schützen.

Bezugszeichenliste

AK1, AK2 Ausgangsklemmen
B Basis
BT Bipolartransistor
Cout Kondensator
D Drain-Anschluss
D1, D2, D3, D4 Dioden
E Emitter
EK1, EK2 Eingangklemmen
FT Feldeffekttransistor
G Gate-Anschluss
GL Brückengleichrichter
IC12, IC34 Ansteuerschaltungen
K Kollektor
L Spule
S Source-Anschluss
T1, T2, T3, T4 MOSFET
TR Transformator
Uin Eingangsspannung
Uout Ausgangsspannung

Claims (1)

1. • - einen ersten, zweiten, dritten und vierten MOS-Transistor (T1, T2, T3, T4), die jeweils einen Gate-Anschluss (G) und jeweils eine zwischen einem Drain-Anschluss (D) und einem Source-Anschluss (S) verlaufende Laststrecke aufweisen, wobei die Lastrecken des ersten und zweiten Transistors (T1, T2) und die Laststrecken des dritten und vierten Transistors (T3, T4) in Reihe zwischen Klemmen (EK1, EK2) für eine Versor­ gungsspannung (Uin) geschaltet sind,
   • - eine erste Anschlussklemme (AK1) für eine Last, die durch einen der Laststrecke des ersten und zweiten Transistors (T1, T2) gemeinsamen Knoten gebildet ist, und eine zweite An­ schlussklemme (AK2) für eine Last, die durch einen der Last­ strecke des dritten und vierten Transistors (T3, T4) gemein­ samen Knoten gebildet ist,

   gekennzeichnet durch folgende weitere Merkmale,

   • - wenigstens der erste oder zweite Transistor (T1, T2) und wenigstens der dritte oder vierte Transistor (T3, T4) sind MOS-Transistoren mit floatend angeordneter oder hochohmig an­ geschlossener Body-Zone,
   • - zwischen einen der Laststreckenanschlüsse (S) und den Gate- Anschluss (G) der MOS-Transistoren (T1, T2, T3, T4) mit floa­ tend angeordneter Body-Zone ist eine Gleichrichteranordnung (D1, D2, D2, D4) geschaltet.
     • 1. Brückenschaltung nach Anspruch 1, bei der die Stromver­ stärkung eines durch die Abfolge einer an den Source- Anschluss (5) angeschlossenen Source-Zone, der Body-Zone und einer an den Drain-Anschluss angeschlossenen Drain-Zone ge­ bildeten parasitären Bipolartransistor reduziert ist.
     • 2. Brückenschaltung nach Anspruch 1 oder 2, bei der alle vier MOS-Transistoren (T1, T2, T3, T4) als MOS-Transistoren mit floatend angeordneter Body-Zone ausgebildet sind und bei de­ nen eine Gleichrichteranordnung (D1, D2, D3, D4) zwischen ei­ nen der Laststreckenanschlüsse (S) und den Gate-Anschluss ge­ schaltet ist.
     • 3. Brückenanschaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei der die Gleichrichteranordnung (D1, D2, D3, D4) eine Diode ist.
     • 4. Brückenschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die MOS-Transistoren als vertikale Leistungstransis­ toren ausgebildet sind.
     • 5. Brückenschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, die we­ nigstens eine Ansteuerschaltung (IC12, IC34) zur Ansteuerung der MOS-Transistoren (T1, T2, T3, T4) aufweist.
     • 6. Verwendung einer Brückenschaltung nach einem der vorange­ henden Ansprüche zur Ansteuerung einer zwischen die An­ schlussklemmen (AK1, AK2) geschalteten Last, die folgende Merkmale aufweist:
     • 7. einen Transformator (TR) mit einer Primärspule und einer Sekundärspule, dessen Primärspule zwischen die Anschlussklem­ men (AK1, AK2) geschaltet ist,
     • 8. eine Gleichrichteranordnung (GL) mit Eingangsklemmen, die an die Sekundärspule gekoppelt sind, und Ausgangsklemmen, an die eine Reihenschaltung mit einem induktiven Energiespeicher (L) und einem kapazitiven Energiespeicher (Cout) angeschlos­ sen ist, wobei über dem kapazitiven Energiespeicher (Cout) eine Ausgangsspannung (Uout) für eine Last abgreifbar ist.