EP1095408A1 - Vertikales halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem oberflachenfeld - Google Patents

Vertikales halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem oberflachenfeld

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EP1095408A1
EP1095408A1 EP99944266A EP99944266A EP1095408A1 EP 1095408 A1 EP1095408 A1 EP 1095408A1 EP 99944266 A EP99944266 A EP 99944266A EP 99944266 A EP99944266 A EP 99944266A EP 1095408 A1 EP1095408 A1 EP 1095408A1
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semiconductor body
regions
vertical
semiconductor
zone
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Withdrawn
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EP99944266A
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Gerald Deboy
Heinz Mitlehner
Jenö Tihanyi
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Infineon Technologies AG
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Definitions

  • the invention relates to a vertical semiconductor component with a semiconductor body of the one conduction type, in the surface area of which at least one zone of the opposite conduction type is embedded, the other conduction type, and to regions of the other conduction type which are in the semiconductor body in a substantially parallel to the surface of the surface area trending level are provided.
  • Such semiconductor components can in particular be n- or p-channel MOSFETs (MOS field effect transistors), IGBTs (bipolar transistors with insulated gate),
  • a Schottky diode in whose semiconductor bodies of one line type are embedded floating regions of the other line type to increase the reverse voltage, is known from US Pat. No. 4,134,123.
  • MOSFETs made of SiC with a high breakdown field strength and a low on resistance are known.
  • This object is achieved according to the invention in the case of a vertical semiconductor component of the type mentioned at the outset in that the regions are so highly doped that they are formed in the reverse direction and in the forward direction when the voltage is applied, by the semiconductor body with the zone of the other conductivity type.
  • the pn junction on charge carriers cannot be cleared.
  • the regions can be floating or partially or all can be at a fixed potential.
  • An effective reduction of the electrical surface field can be achieved by installing the non-clearable, preferably floating regions with dopants with a conductivity type opposite to the semiconductor body, for example by installing p-type regions in an n-type semiconductor body.
  • This is particularly advantageous in the case of a semiconductor body made of SiC, since with this semiconductor material, due to its very high volume breakthrough field strength (approx. 2 MV / cm compared to approx. 250 kV / cm for Si), a reduction in the surface field in the area of thermal oxides (Silicon dioxide about 8 MV / cm) is necessary in order to be able to utilize the maximum blocking capability of semiconductor components, for example transistors, produced therefrom even with small oxide thicknesses.
  • the vertical distance between the zone of the other line type and the preferably floating areas is selected such that the vertical line integral between the lower edge of this zone facing away from the surface of the zone of the other line type and that of this zone the upper edge of the preferably floating regions facing the doping remains below the specific breakdown charge (charge carrier "cm -2 ) which is dependent on the material of the semiconductor body.
  • charge carrier "cm -2 ) which is dependent on the material of the semiconductor body.
  • the line integral therefore remains below 2" 10 12 charge carriers cm -2 .
  • Other possible semiconductor materials are Ge, GaAs and - as already mentioned - especially SiC.
  • the line integral is thus formed perpendicular to the pn junction between the zone of the other conductivity type and the semiconductor body via the doping in it.
  • the preferably floating areas are formed in a point, strip or lattice shape.
  • the majority charge carrier current is influenced as little as possible, for example in the drift path of a vertical power MOSFET.
  • these regions can optionally also be connected at some points to the well of the transistor which is at source potential. This allows a significant reduction in the electrical surface field in the areas between the respective troughs to be achieved.
  • the invention enables a significant increase in the doping concentration “above” the preferred floating regions, that is to say between these and the surface of the semiconductor body. This increase in doping results in a homogeneous current distribution and a reduction in the on-resistance.
  • thermal SiO can readily be used as gate insulation as a result of the reduced surface field.
  • the semiconductor component according to the invention can be produced, for example, by implantation of the preferably floating regions and subsequent deposition of an epitaxial cover layer or by etching a trench (trench), implantation and filling with monocrystalline semiconductor material.
  • a trench trench
  • the doping is already to be defined for the semiconductor body during the manufacturing process.
  • FIG. 1 shows a sectional illustration of a robust n-channel MOSFET as an exemplary embodiment of the semiconductor component according to the invention
  • the n-channel MOSFET consists of a silicon semiconductor body with an n + -type semiconductor substrate 2 and an n-type semiconductor layer 1 thereon, a metallization 3 made of, for example, aluminum and with a drain electrode D, a p-type well 4, an n conductive source zone 5, a source metallization 6 made of, for example, aluminum, an insulating layer 7 made of, for example, silicon dioxide and a gate electrode 10 made of, for example, doped polycrystalline silicon.
  • p-type regions 8 are provided at such a vertical distance from the source zone 5 that the vertical line integral via the doping of the semiconductor layer 1 remains below approximately 2 "10 12 charge carriers cm -2 .
  • the areas 8 are point, strip or lattice-shaped and have dimensions which are approximately 1-3 ⁇ m. In some places, the areas 8 can also be connected to the tub 4. The areas 8, however, can also all be floating.
  • the doping concentration in the regions 8 is approximately 10 17 charge carriers cm "3 and is so high that these regions with the voltage applied in the reverse direction and in the forward direction of that formed between the trough 4 and the semiconductor layer 1 pn transition on charge carriers cannot be cleared.
  • the regions 8 ensure a homogeneous distribution of the current, as indicated by arrows 9, and bring about a reduction in the on-resistance.
  • the reduction in the surface field achieved by the regions 8 permits a significant increase in the doping in the semiconductor layer 2 above these regions 8, which is particularly advantageous in the case of SiC.
  • the invention is also applicable to other semiconductor materials, as explained above.
  • the semiconductor component according to the invention can be, for example, n- or p-channel MOS power transistors, IGBTs, JFETs, GTOs or diodes.
  • FIG. 2 and 3 show top views of cell structures with a grid-like (FIG. 2) or strip-like (FIG. 3) configuration of the regions 8.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein vertikales Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1, 2) des einen Leitungstyps, in dessen Oberflächenbereich wenigstens eine Zone (4) des zum einen Leitungstyp entgegengesetzten, anderen Leitungstyps eingebettet ist, und mit Gebieten (8) des anderen Leitungstyps, die im Halbleiterkörper (1, 2) in einer im wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Oberflächenbereichs verlaufenden Ebene vorgesehen sind. Die Gebiete (8) sind dabei so hoch dotiert, daß sie bei anliegender Spannung an Ladungsträgern nicht ausräumbar sind.

Description

VERTIKALES HALBLEITERBAUELEMENT MIT REDUZIERTEM ELEKTRISCHEM OBERFLÄCHENFELD
Die Erfindung betrifft ein vertikales Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkorper des einen Leitungstyps, in dessen Oberflächenbereich wenigstens eine Zone des zum einen Leitungstyp entgegengesetzten, anderen Leitungstyps eingebettet ist, und mit Gebieten des anderen Leitungstyps, die im Halbleiterkorper in einer im wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Oberflächenbereiches verlaufenden Ebene vorgesehen sind. Bei derartigen Halbleiterbauelementen kann es sich insbesondere um n- oder p-Kanal-MOSFETs (MOS-Feldeffekttransi- stören) , IGBTs (Bipolartransistoren mit isoliertem Gate) ,
JFETs (Junction- bzw. Übergangs-Feldeffekttransistoren) , GTOs oder Dioden handeln.
Eine Schottky-Diode, in deren Halbleiterkorper des einen Lei- tungstyps zur Erhöhung der Sperrspannung floatende Gebiete des anderen Leitungstyps eingebettet sind, ist aus US 4 134 123 bekannt. Außerdem sind aus IEEE Electron Device Letters, Bd. 18, Nr. 12, Dezember 1997, Seiten 589 bis 591, MOSFETs aus SiC mit hoher Durchbruchfeidstärke und niedrigem Einschaltwiderstand bekannt.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein vertikales Halbleiterbauelement zu schaffen, das sich durch eine deutliche Reduktion des elektrischen Oberflächenfeldes bei gleich- zeitiger Verbesserung der lateralen Stromverteilung und der
Widerstands- bzw. Durchlaßcharakteristik auszeichnet.
Diese Aufgabe wird bei einem vertikalen Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Gebiete so hoch dotiert sind, daß sie bei anliegender Spannung in Sperrichtung und in Durchlaßrichtung des von dem Halbleiterkorper mit der Zone des anderen Leitungstyps gebil- deten pn-Überganges an Ladungsträgern nicht ausräumbar sind. Die Gebiete können dabei floatend sein oder teilweise bzw. alle auf festem Potential liegen.
Durch den Einbau der nicht ausräumbaren, vorzugsweise floatenden Gebiete mit Dotierstoffen mit einem zum Halbleiterkorper entgegengesetztem Leitungstyp, also beispielsweise durch den Einbau von p-leitenden Gebieten in einen n-leitenden Halbleiterkorper, läßt sich eine wirksame Reduktion des elek- trischen Oberflächenfeldes erzielen. Dies ist besonders bei einem aus SiC bestehenden Halbleiterkorper von Vorteil, da bei diesem Halbleitermaterial infolge dessen sehr hoher Volumendurchbruchsfeidstärke (ca. 2 MV/cm im Vergleich zu ca. 250 kV/cm bei Si) eine Reduktion des Oberflächenfeldes im Be- reich thermischer Oxide (Siliziumdioxid etwa 8 MV/cm) notwendig ist, um auch bei geringen Oxiddicken die maximale Blok- kierfähigkeit von hieraus hergestellten Halbleiterbauelementen, beispielsweise Transistoren, ausnutzen zu können.
In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß der vertikale Abstand zwischen der Zone des anderen Leitungstyps und den vorzugsweise floatenden Gebieten derart gewählt ist, daß das vertikale Linienintegral zwischen dem von der Oberfläche der Zone des anderen Leitungstyps abgewandten unteren Rand dieser Zone und dem dieser Zone zugewandten oberen Rand der vorzugsweise floatenden Gebiete über der Dotierung unterhalb der vom Material des Halbleiterkörpers abhängigen spezifischen Durchbruchsladung (Ladungsträger " cm-2) bleibt. Bei einem aus Si bestehenden Halbleiterkorper bleibt das Linien- integral also unterhalb 2 " 1012 Ladungsträgern cm-2. Andere mögliche Halbleitermaterialien sind z.B. Ge, GaAs und - wie bereits erwähnt wurde - vor allem SiC.
Das Linienintegral wird also senkrecht zu dem pn-Übergang zwischen der Zone des anderen Leitungstyps und dem Halbleiterkorper über die Dotierung in diesem gebildet. Die Durchbruchsladung ist dabei über die 3. Maxwellsche Gleichung VE=-4πpmit der Durchbruchsfeldstärke verknüpft (E = elektrische Feldstärke; p = Ladungsdichte) .
Eine andere Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß die vorzugsweise floatenden Gebiete punkt-, streifen- oder gitterförmig ausgebildet sind. Dadurch wird der Majoritätsladungsträgerstrom beispielsweise in der Driftstrecke eines vertikalen Leistungs-MOSFETs möglichst wenig beeinflußt. Bei einem solchen Transistor können diese Gebiete gegebenenfalls auch an einigen Stellen mit der auf Source-Potential liegenden Wanne des Transistors verbunden werden. Dadurch läßt sich eine deutliche Reduktion des elektrischen Oberflächenfeldes in den zwischen den jeweiligen Wannen liegenden Bereichen erreichen.
Die Erfindung ermöglicht eine deutliche Erhöhung der Dotierungskonzentration "oberhalb" der bevorzugten floatenden Gebiete, also zwischen diesen und der Oberfläche des Halbleiterkörpers. Diese Erhöhung der Dotierung bedingt eine homo- gene Stromverteilung und eine Reduktion des Einschaltwiderstandes. Bei einem aus SiC bestehenden Halbleiterkorper kann ohne weiteres thermisches Si0 als Gateisolation infolge des verringerten Oberflächenfeldes eingesetzt werden.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement ist beispielsweise durch Implantation der vorzugsweise floatenden Gebiete und anschließende Abscheidung einer epitaktischen Deckschicht oder durch Ätzen eines Trenchs (Grabens) , Implantation und Auffüllung mit monokristallinem Halbleitermaterial herstell- bar. Bei dem zuerst genannten Verfahren besteht die Möglichkeit, die Dotierung in der Deckschicht oberhalb der vorzugsweise floatenden Gebiete frei einzustellen, während bei dem zweitgenannten Verfahren die Dotierung bereits während des Herstellungsprozesses für den Halbleiterkorper festzulegen ist. Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittdarstellung eines robusten n-Ka- nal-MOSFET als einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements, und
Fig. 2 und 3 Draufsichten auf zwei verschiedene Zellenfelder.
Fig. 1 zeigt einen n-Kanal-MOSFET, wobei zur Vereinfachung und besseren Übersichtlichkeit nur einzelne Bereiche schraffiert sind. Der n-Kanal-MOSFET besteht aus einem Silizium- Halbleiterkörper mit einem n+-leitenden Halbleitersubstrat 2 und einer darauf n-leitenden Halbleiterschicht 1, einer Metallisierung 3 aus beispielsweise Aluminium und mit einer Drainelektrode D, einer p-leitenden Wanne 4, einer n-leitenden Sourcezone 5, einer Source-Metallisierung 6 aus beispielsweise Aluminium, einer Isolierschicht 7 aus beispiels- weise Siliziumdioxid und einer Gateelektrode 10 aus beispielsweise dotiertem polykristallinem Silizium.
Erfindungsgemäß sind p-leitende Gebiete 8 in einem solchen vertikalen Abstand von der Sourcezone 5 vorgesehen, daß das vertikale Linienintegral über die Dotierung der Halbleiterschicht 1 unterhalb von etwa 2 " 1012 Ladungsträger cm-2 bleibt. In einem p-leitenden Halbleiterkorper sind in entsprechender Weise n-leitende Gebiete eingebettet. Die Gebiete 8 sind punkt-, streifen- oder gitterförmig und weisen Abmes- sungen auf, die etwa 1 - 3 μm betragen. An einigen Stellen können die Gebiete 8 auch mit der Wanne 4 verbunden sein. Die Gebiete 8 können aber auch alle floatend sein. Die Dotierungskonzentration in den Gebieten 8 beträgt etwa 1017 Ladungsträger cm"3 und ist so hoch, daß diese Gebiete bei an- liegender Spannung in Sperrichtung und in Durchlaßrichtung des zwischen der Wanne 4 und der Halbleiterschicht 1 gebildeten pn-Übergang an Ladungsträgern nicht ausgeräumt werden. Die Gebiete 8 sorgen für eine homogene Verteilung des Stromes, wie dies durch Pfeile 9 angedeutet ist, und bewirken eine Reduktion des Einschaltwiderstandes.
Die durch die Gebiete 8 erzielte Reduktion des Oberflächenfeldes erlaubt eine deutliche Erhöhung der Dotierung in der Halbleiterschicht 2 oberhalb dieser Gebiete 8, was besonders bei SiC von Vorteil ist. Jedoch ist die Erfindung auch auf andere Halbleitermaterialien anwendbar, wie dies oben erläutert wurde .
Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement kann es sich beispielsweise um n- oder p-Kanal-MOS-Leistungstransistoren, IGBTs, JFETs, GTOs oder Dioden handeln.
Die Fig. 2 und 3 zeigen Draufsichten auf Zellenstrukturen mit einer gitterartigen (Fig. 2) bzw. streifenartigen (Fig. 3) Gestaltung der Gebiete 8.
Bezugszeichenliste
1 Halbleiterschicht
2 Halbleitersubstrat 3 Metallisierung
4 p-leitende Wanne
5 Sourcezone
6 Sourcemetallisierung
7 Isolierschicht 8 floatende Gebiete
9 Pfeile für Stromfluß
10 Gateelektrode
D Drainelektrode

Claims

Patentansprüche
1. Vertikales Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkorper (1, 2) des einen Leitungstyps, in dessen Oberflächen- bereich wenigstens eine Zone (4) des zum einen Leitungstyp entgegengesetzten anderen Leitungstyps eingebettet ist, und mit Gebieten (8) des anderen Leitungstyps, die im Halbleiterkorper (1, 2) in einer im wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Oberflächenbereiches verlau- fenden Ebene vorgesehen sind, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Gebiete (8) so hoch dotiert sind, daß sie bei anliegender Spannung in Sperrichtung und in Durchlaßrichtung des von dem Halbleiterkorper (1, 2) mit der Zone (4) des anderen Leitungstyps gebildeten pn-Übergangs an Ladungsträgern nicht ausräumbar sind.
2. Vertikales Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der vertikale Abstand zwischen der Zone (4) des anderen
Leitungstyps und den Gebieten (8) derart gewählt ist, daß das vertikale Linienintegral zwischen dem von der Oberfläche der Zone (4) des anderen Leitungstyps abgewandten unteren Rand dieser Gebiete (8) über der Dotierung des Halbleiterkörpers (1, 2) unterhalb der vom Material des Halbleiterkörpers (1, 2) abhängigen spezifischen Durchbruchsladung (Ladungsträger ' cm"2) bleibt.
3. Vertikales Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Halbleiterkorper (1, 2) aus SiC, Si, Ge oder GaAs besteht.
4. Vertikales Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 2 und 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß bei einem aus Si bestehenden Halbleiterkorper (1, 2) das Linienintegral unterhalb von 2 1012 Ladungsträgern cm-2 bleibt.
5. Vertikales Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Gebiete (8) punkt-, streifen- oder gitterförmig ausgebildet sind.
6. Vertikales Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Gebiete (8) floatend sind.
EP99944266A 1998-07-07 1999-07-02 Vertikales halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem oberflachenfeld Withdrawn EP1095408A1 (de)

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