DE19830332C2 - Vertikales Halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem Oberflächenfeld - Google Patents

Vertikales Halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem Oberflächenfeld

Info

Publication number
DE19830332C2
DE19830332C2 DE19830332A DE19830332A DE19830332C2 DE 19830332 C2 DE19830332 C2 DE 19830332C2 DE 19830332 A DE19830332 A DE 19830332A DE 19830332 A DE19830332 A DE 19830332A DE 19830332 C2 DE19830332 C2 DE 19830332C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor body
zone
vertical
regions
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19830332A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19830332A1 (de
Inventor
Gerald Deboy
Heinz Mitlehner
Jenoe Tihanyi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE19830332A priority Critical patent/DE19830332C2/de
Priority to JP2000558555A priority patent/JP2002520816A/ja
Priority to EP99944266A priority patent/EP1095408A1/de
Priority to PCT/DE1999/002039 priority patent/WO2000002250A1/de
Priority to KR1020017000132A priority patent/KR20010074650A/ko
Publication of DE19830332A1 publication Critical patent/DE19830332A1/de
Priority to US09/756,539 priority patent/US6847091B2/en
Application granted granted Critical
Publication of DE19830332C2 publication Critical patent/DE19830332C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
    • H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
    • H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
    • H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
    • H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
    • H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
    • H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
    • H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

Die Erfindung betrifft ein vertikales Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper des einen Leitungstyps, in dessen Oberflächenbereich wenigstens eine Zone des zum einen Lei­ tungstyp entgegengesetzten, anderen Leitungstyps eingebettet ist, und mit Gebieten des anderen Leitungstyps, die im Halb­ leiterkörper in einer im wesentlichen parallel zu der Ober­ fläche des Oberflächenbereiches verlaufenden Ebene vorgesehen sind, wobei die Gebiete so hoch dotiert sind, daß sie bei an­ liegender Spannung in Sperrichtung und in Durchlaßrichtung des von dem Halbleiterkörper mit der Zone des anderen Lei­ tungstyps gebildeten pn-Überganges an Ladungsträgern nicht ausräumbar sind. Unabhängig vom Stand der Technik können die Gebiete dabei floatend sein oder teilweise bzw. alle auf fe­ stem Potential liegen. Bei derartigen Halbleiterbauelementen kann es sich insbesondere um n- oder p-Kanal-MOSFETs (MOS- Feldeffekttransistoren), IGBTs (Bipolartransistoren mit iso­ lierten Gate), JFETs (Junction- bzw. Übergangs- Feldeffekttransistoren), GTOs oder Dioden handeln.
Eine Universal-Halbleiterscheibe für ein vertikales Halblei­ terbauelement der eingangs genannten Art ist in dem älteren Patent gemäß DE 198 16 448 C1 beschrieben.
Eine Schottky-Diode, in deren Halbleiterkörper des einen Lei­ tungstyps zur Erhöhung der Sperrspannung floatende Gebiete des anderen Leitungstyps eingebettet sind, ist aus US 4,134,123 bekannt. Außerdem sind aus IEEE Electronic Device Letters, Bd. 18, Nr. 12, Dezember 1997, Seiten 589 bis 591, MOSFETs aus SiC mit hoher Durchbruchfeldstärke und niedrigem Einschaltwiderstand bekannt.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein vertikales Halbleiterbauelement zu schaffen, das sich durch eine deutli­ che Reduktion des elektrischen Oberflächenfeldes bei gleich­ zeitiger Verbesserung der lateralen Stromverteilung und der Widerstands- bzw. Durchlaßcharakteristik auszeichnet.
Diese Aufgabe wird bei einem vertikalen Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der vertikale Abstand zwischen der Zone des anderen Lei­ tungstyps und den Gebieten derart gewählt ist, daß das verti­ kale Linienintegral zwischen dem von der Oberfläche der Zone des anderen Leitungstyps abgewandten unteren Rand dieser Zone und dem dieser Zone zugewandten oberen Rand der Gebiete über der Dotierungskonzentration des Halbleiterkörpers unterhalb der vom Material des Halbleiterkörpers abhängigen spezifi­ schen Durchbruchsladung (Ladungsträger.cm-2) bleibt. Bei ei­ nem aus Si bestehenden Halbleiterkörper bleibt das Linienin­ tegral also unterhalb 2.1012 Ladungsträgern cm-2. Andere mög­ liche Halbleitermaterialien sind z. B. Ge, GaAs und - wie be­ reits erwähnt wurde - vor allem SiC.
Das Linienintegral wird dabei senkrecht zu dem pn-Übergang zwischen der Zone des anderen Leitungstyps und dem Halblei­ terkörper über die Dotierung in diesem gebildet. Die Durch­ bruchsladung ist über die 3. Maxwellsche Gleichung
mit der Durchbruchsfeldstärke verknüpft (E = elektrische Feldstärke; ρ = spezifische Ladung).
Durch den Einbau der nicht ausräumbaren, vorzugsweise floa­ tenden Gebiete mit Dotierstoffen mit einem zum Halbleiterkör­ per entgegengesetztem Leitungstyp, also beispielsweise durch den Einbau von p-leitenden Gebieten in einen n-leitenden Halbleiterkörper, läßt sich eine wirksame Reduktion des elek­ trischen Oberflächenfeldes erzielen. Dies ist besonders bei einem aus SiC bestehenden Halbleiterkörper von Vorteil, da bei diesem Halbleitermaterial infolge dessen sehr hoher Volu­ mendurchbruchsfeldstärke (ca. 2 MV/cm im Vergleich zu ca. 250 kV/cm bei Si) eine Reduktion des Oberflächenfeldes im Bereich thermischer Oxide (Siliziumdioxid etwa 8 MV/cm) notwendig ist, um auch bei geringen Oxiddicken die maximale Blockierfä­ higkeit von hieraus hergestellten Halbleiterbauelementen, beispielsweise Transistoren, ausnutzen zu können.
Eine andere Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß die vorzugsweise floatenden Gebiete punkt-, streifen- oder gitterförmig ausgebildet sind. Dadurch wird der Majoritätsla­ dungsträgerstrom beispielsweise in der Driftstrecke eines vertikalen Leistungs-MOSFETs möglichst wenig beeinflußt. Bei einem solchen Transistor können diese Gebiete gegebenenfalls auch an einigen Stellen mit der auf Source-Potential liegen­ den Wanne des Transistors verbunden werden. Dadurch läßt sich eine deutliche Reduktion des elektrischen Oberflächenfeldes in den zwischen den jeweiligen Wannen liegenden Bereichen er­ reichen.
Die Erfindung ermöglicht eine deutliche Erhöhung der Dotie­ rungskonzentration "oberhalb" der bevorzugten floatenden Ge­ biete, also zwischen diesen und der Oberfläche des Halblei­ terkörpers. Diese Erhöhung der Dotierung bedingt eine homoge­ ne Stromverteilung und eine Reduktion des Einschaltwiderstan­ des. Bei einem aus SiC bestehenden Halbleiterkörper kann ohne weiteres thermisches SiO2 als Gateisolation infolge des ver­ ringerten Oberflächenfeldes eingesetzt werden.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement ist beispielsweise durch Implantation der vorzugsweise floatenden Gebiete und anschließende Abscheidung einer epitaktischen Deckschicht oder durch Ätzen eines Trenchs (Grabens), Implantation und Auffüllung mit monokristallinem Halbleitermaterial herstell­ bar. Bei dem zuerst genannten Verfahren besteht die Möglich­ keit, die Dotierung in der Deckschicht oberhalb der vorzugs­ weise floatenden Gebiete frei einzustellen, während bei dem zweitgenannten Verfahren die Dotierung bereits während des Herstellungsprozesses für den Halbleiterkörper festzulegen ist.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittdarstellung eines robusten n-Ka­ nal-MOSFET als einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements, und
Fig. 2 und 3 Draufsichten auf zwei verschiedene Zellenfel­ der.
Fig. 1 zeigt einen n-Kanal-MOSFET, wobei zur Vereinfachung und besseren Übersichtlichkeit nur einzelne Bereiche schraf­ fiert sind. Der n-Kanal-MOSFET besteht aus einem Silizium- Halbleiterkörper mit einem n+-leitenden Halbleitersubstrat 2 und einer darauf n-leitenden Halbleiterschicht 1, einer Me­ tallisierung 3 aus beispielsweise Aluminium und mit einer Drainelektrode D, einer p-leitenden Wanne 4, einer n-leiten­ den Sourcezone 5, einer Source-Metallisierung 6 aus bei­ spielsweise Aluminium, einer Isolierschicht 7 aus beispiels­ weise Siliziumdioxid und einer Gateelektrode 10 aus bei­ spielsweise dotiertem polykristallinem Silizium.
Erfindungsgemäß sind p-leitende Gebiete 8 in einem solchen vertikalen Abstand von der Sourcezone 5 vorgesehen, daß das vertikale Linienintegral über die Dotierung der Halbleiter­ schicht 1 unterhalb von etwa 2.1012. Ladungsträger cm-2 bleibt. In einem p-leitenden Halbleiterkörper sind in ent­ sprechender Weise n-leitende Gebiete eingebettet. Die Gebiete 8 sind punkt-, streifen- oder gitterförmig und weisen Abmes­ sungen auf, die etwa 1-3 µm betragen. An einigen Stellen können die Gebiete 8 auch mit der Wanne 4 verbunden sein. Die Gebiete 8 können aber auch alle floatend sein. Die Dotie­ rungskonzentration in den Gebieten 8 beträgt etwa 1017 La­ dungsträger cm-3 und ist so hoch, daß diese Gebiete bei an­ liegender Spannung in Sperrichtung und in Durchlaßrichtung des zwischen der Wanne 4 und der Halbleiterschicht 1 gebilde­ ten pn-Übergang an Ladungsträgern nicht ausgeräumt werden.
Die Gebiete 8 sorgen für eine homogene Verteilung des Stro­ mes, wie dies durch Pfeile 9 angedeutet ist, und bewirken ei­ ne Reduktion des Einschaltwiderstandes.
Die durch die Gebiete 8 erzielte Reduktion des Oberflächen­ feldes erlaubt eine deutliche Erhöhung der Dotierung in der Halbleiterschicht 2 oberhalb dieser Gebiete 8, was besonders bei SiC von Vorteil ist. Jedoch ist die Erfindung auch auf andere Halbleitermaterialien anwendbar, wie dies oben erläu­ tert wurde.
Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement kann es sich beispielsweise um n- oder p-Kanal-MOS-Leistungstransistoren, IGBTs, JFETs, GTOs oder Dioden handeln.
Die Fig. 2 und 3 zeigen Draufsichten auf Zellenstrukturen mit einer gitterartigen (Fig. 2) bzw. streifenartigen (Fig. 3) Gestaltung der Gebiete 8.

Claims (5)

1. Vertikales Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1, 2) des ei­ nen Leitungstyps, in dessen Oberflächenbereich wenigstens eine Zone (4) des zum einen Leitungstyp entgegengesetzten anderen Leitungstyps eingebettet ist, und mit Gebieten (8) des anderen Leitungstyps, die im Halbleiterkörper (1, 2) in einer im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Oberflächenbereiches ver­ laufenden Ebene vorgesehen sind, wobei die Gebiete (8) so hoch dotiert sind, dass sie bei anliegender Spannung in Sperrrichtung und in Durchlassrichtung des von dem Halbleiterkörper (1, 2) mit der Zone (4) des anderen Leitungstyps gebildeten pn-Übergangs an Ladungsträgern nicht ausräumbar sind, dadurch gekennzeichnet, dass der vertikale Abstand zwischen der Zone (4) des anderen Leitungstyps und den Gebieten (8) derart gewählt ist, dass das vertikale Linienintegral zwischen dem von der Oberfläche der Zone (4) des anderen Leitungstyps abgewandten unteren Rand dieser Zone (4) und dem dieser Zone (4) zugewandten oberen Rand der Ge­ biete (8) über der Dotierungskonzentration des Halbleiterkörpers (1, 2) unter­ halb der vom Material des Halbleiterkörpers (1, 2) abhängigen spezifischen Durchbruchsladung (Ladungsträger × cm-2) bleibt.
2. Vertikales Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (1) aus SiC, Si, Ge oder GaAs besteht.
3. Vertikales Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem aus Si bestehenden Halbleiterkörper (1, 2) das Linienintegral unter­ halb von 2.1012 Ladungsträgern × cm-2 bleibt.
4. Vertikales Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gebiete (8) punkt-, streifen- oder gitterförmig ausgebildet sind.
5. Vertikales Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Gebiete (8) floatend sind.
DE19830332A 1998-07-07 1998-07-07 Vertikales Halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem Oberflächenfeld Expired - Fee Related DE19830332C2 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19830332A DE19830332C2 (de) 1998-07-07 1998-07-07 Vertikales Halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem Oberflächenfeld
JP2000558555A JP2002520816A (ja) 1998-07-07 1999-07-02 表面電界の低減されたバーティカル半導体素子
EP99944266A EP1095408A1 (de) 1998-07-07 1999-07-02 Vertikales halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem oberflachenfeld
PCT/DE1999/002039 WO2000002250A1 (de) 1998-07-07 1999-07-02 Vertikales halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem oberflächenfeld
KR1020017000132A KR20010074650A (ko) 1998-07-07 1999-07-02 감소된 표면 전계를 가진 수직 반도체 부품
US09/756,539 US6847091B2 (en) 1998-07-07 2001-01-08 Vertical semiconductor component having a reduced electrical surface field

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19830332A DE19830332C2 (de) 1998-07-07 1998-07-07 Vertikales Halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem Oberflächenfeld

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19830332A1 DE19830332A1 (de) 2000-01-20
DE19830332C2 true DE19830332C2 (de) 2003-04-17

Family

ID=7873234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19830332A Expired - Fee Related DE19830332C2 (de) 1998-07-07 1998-07-07 Vertikales Halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem Oberflächenfeld

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6847091B2 (de)
EP (1) EP1095408A1 (de)
JP (1) JP2002520816A (de)
KR (1) KR20010074650A (de)
DE (1) DE19830332C2 (de)
WO (1) WO2000002250A1 (de)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19840032C1 (de) 1998-09-02 1999-11-18 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dazu
DE10145723A1 (de) * 2001-09-17 2003-04-10 Infineon Technologies Ag Halbleiterstruktur
US6649477B2 (en) * 2001-10-04 2003-11-18 General Semiconductor, Inc. Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands
US6465304B1 (en) * 2001-10-04 2002-10-15 General Semiconductor, Inc. Method for fabricating a power semiconductor device having a floating island voltage sustaining layer
US6819089B2 (en) 2001-11-09 2004-11-16 Infineon Technologies Ag Power factor correction circuit with high-voltage semiconductor component
US6828609B2 (en) 2001-11-09 2004-12-07 Infineon Technologies Ag High-voltage semiconductor component
DE10214176B4 (de) * 2002-03-28 2010-09-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einer vergrabenen Stoppzone und Verfahren zur Herstellung einer Stoppzone in einem Halbleiterbauelement
DE10243758A1 (de) * 2002-09-20 2004-04-01 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Stoppzone in einem Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement mit einer vergrabenen Stoppzone
US8004049B2 (en) * 2004-08-31 2011-08-23 Freescale Semiconductor, Inc. Power semiconductor device
US7687841B2 (en) * 2005-08-02 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Scalable high performance carbon nanotube field effect transistor
JP5723595B2 (ja) 2008-09-01 2015-05-27 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8154078B2 (en) * 2010-02-17 2012-04-10 Vanguard International Semiconductor Corporation Semiconductor structure and fabrication method thereof
US8373449B2 (en) 2010-12-30 2013-02-12 Infineon Technologies Ag Circuit arrangement including a common source sense-FET
US9076805B2 (en) 2012-07-14 2015-07-07 Infineon Technologies Ag Current sense transistor with embedding of sense transistor cells
JP6111673B2 (ja) * 2012-07-25 2017-04-12 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置
US10115815B2 (en) 2012-12-28 2018-10-30 Cree, Inc. Transistor structures having a deep recessed P+ junction and methods for making same
US9530844B2 (en) * 2012-12-28 2016-12-27 Cree, Inc. Transistor structures having reduced electrical field at the gate oxide and methods for making same
JP6148070B2 (ja) 2013-05-27 2017-06-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 縦チャネル型ジャンクションＳｉＣパワーＦＥＴおよびその製造方法
EP2889915A1 (de) * 2013-12-30 2015-07-01 ABB Technology AG Leistungshalbleiterbauelement
US9360879B2 (en) 2014-04-28 2016-06-07 Microsemi Corp.-Analog Mixed Signal Group, Ltd. Sense current generation apparatus and method
CN107742646A (zh) * 2017-09-21 2018-02-27 北京世纪金光半导体有限公司 一种具有掩埋悬浮结的碳化硅平面栅mosfet器件元胞结构
US11489069B2 (en) 2017-12-21 2022-11-01 Wolfspeed, Inc. Vertical semiconductor device with improved ruggedness
US10615274B2 (en) 2017-12-21 2020-04-07 Cree, Inc. Vertical semiconductor device with improved ruggedness
DE102018112109A1 (de) * 2018-05-18 2019-11-21 Infineon Technologies Ag Siliziumcarbid halbleiterbauelement
US10516372B1 (en) * 2018-07-03 2019-12-24 Nxp B.V. Low cost LF driver current sense topology
CN110224017A (zh) * 2019-04-30 2019-09-10 上海功成半导体科技有限公司 超结器件结构及其制备方法
KR102369048B1 (ko) * 2020-07-02 2022-03-02 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19816448C1 (de) * 1998-04-14 1999-09-30 Siemens Ag Universal-Halbleiterscheibe für Hochspannungs-Halbleiterbauelemente, ihr Herstellungsverfahren und ihre Verwendung

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1558506A (en) * 1976-08-09 1980-01-03 Mullard Ltd Semiconductor devices having a rectifying metalto-semicondductor junction
JPS5368086A (en) * 1976-11-29 1978-06-17 Fujitsu Ltd Semiconductor device
JPS5737879A (en) * 1980-08-18 1982-03-02 Nec Corp Field effect transistor
US4654679A (en) * 1983-10-05 1987-03-31 Toyo Denki Seizo Kabushiki Kaisha Static induction thyristor with stepped-doping gate region
JPS63186475A (ja) * 1987-01-29 1988-08-02 Nissan Motor Co Ltd 電導度変調形ｍｏｓｆｅｔ
US4821095A (en) * 1987-03-12 1989-04-11 General Electric Company Insulated gate semiconductor device with extra short grid and method of fabrication
JP2632322B2 (ja) * 1987-10-02 1997-07-23 財団法人 半導体研究振興会 電力用半導体素子
GB2237930A (en) * 1989-11-01 1991-05-15 Philips Electronic Associated A semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
US5218226A (en) * 1989-11-01 1993-06-08 U.S. Philips Corp. Semiconductor device having high breakdown voltage
US5608244A (en) * 1992-04-28 1997-03-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor diode with reduced recovery current
DE4309764C2 (de) * 1993-03-25 1997-01-30 Siemens Ag Leistungs-MOSFET
DE19707513A1 (de) * 1997-02-25 1998-09-24 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
SE9704149D0 (sv) * 1997-11-13 1997-11-13 Abb Research Ltd A semiconductor device of SiC and a transistor of SiC having an insulated gate

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19816448C1 (de) * 1998-04-14 1999-09-30 Siemens Ag Universal-Halbleiterscheibe für Hochspannungs-Halbleiterbauelemente, ihr Herstellungsverfahren und ihre Verwendung

Also Published As

Publication number Publication date
EP1095408A1 (de) 2001-05-02
US6847091B2 (en) 2005-01-25
DE19830332A1 (de) 2000-01-20
JP2002520816A (ja) 2002-07-09
KR20010074650A (ko) 2001-08-04
WO2000002250A1 (de) 2000-01-13
US20010020732A1 (en) 2001-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19830332C2 (de) Vertikales Halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem Oberflächenfeld
DE102013022598B3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19638439C2 (de) Durch Feldeffekt steuerbares, vertikales Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
DE102007024113B4 (de) Halbleitervorrichtung mit isoliertem Gate und Verfahren zur Herstellung derselben
EP0833386B1 (de) Durch Feldeffekt steuerbares, vertikales Halbleiterbauelement
DE19539541B4 (de) Lateraler Trench-MISFET und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10297021B4 (de) Grabenstruktur für Halbleiterbauelemente
DE202012013723U1 (de) Halbleiterbauteil
DE112016006380B4 (de) Halbleiterbauelement
DE10120030A1 (de) Lateralhalbleiterbauelement
DE19811297A1 (de) MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung
DE102018103849B4 (de) Siliziumcarbid-Halbleiterbauelement mit einer in einer Grabenstruktur ausgebildeten Gateelektrode
DE19533956A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102014107295B4 (de) Halbleitervorrichtung, verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung und integrierte schaltung
DE112014006692B4 (de) Halbleiteranordnung
EP1018163A1 (de) Halbleiterbauelement mit einer driftzone
DE102014119395B4 (de) Transistorbauelement mit Feldelektrode
DE112017004153T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE102019202117A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE112021002169T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE102017118121B4 (de) Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP0750351B1 (de) MOS-Halbleiterbauelement mit verbesserten Durchlasseigenschaften
WO1998038681A1 (de) Durch feldeffekt steuerbares halbleiterbauelement
DE19833214C1 (de) J-FET-Halbleiteranordnung
WO1999053549A1 (de) Universal-halbleiterscheibe für hochvolt-halbleiterbauelemente

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE

8304 Grant after examination procedure
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee