DE19925880A1 - Avalanchefeste MOS-Transistorstruktur - Google Patents

Avalanchefeste MOS-Transistorstruktur

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Abstract

Beschrieben wird eine MOS-Transistorstruktur mit DOLLAR A - einer hochdotierten ersten Region (1, 9) ersten Leitungstyps, DOLLAR A - einer niedriger dotierten Driftregion (2) ersten Leitungstyps, die an die erste Region (1, 9) angrenzt, DOLLAR A - mindestens einer Bodyregion (3) zweiten Leitungstyps, die an die Driftregion (2) angrenzt, DOLLAR A - mindestens einer Sourceregion (4) ersten Leitungstyps, die in eine Bodyregion (3) eingebettet ist, DOLLAR A - einer Gate-Elektrode (6), die durch ein Gateoxid (7) von mindestens einer Bodyregion (3) und mindestens einer Sourceregion (4) getrennt ist. Ausgehend von der ersten Region (1, 9) erstreckt sich ein hochdotiertes Gebiet (8) ersten Leitungstyps in Richtung der Bodyregion (3) in die Driftregion (2).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine avalanchefeste MOS- Transistorstruktur, die eine hochdotierte erste Region ersten Leitungstyps aufweist, wobei eine niedriger dotierte Driftre­ gion ersten Leitungstyps an diese erste, hochdotierte Region angrenzt. Weiterhin grenzt mindestens eine Bodyregion zweiten Leitungstyps an die Driftregion an, wobei mindestens eine Sourceregion ersten Leitungstyps in eine Bodyregion eingebet­ tet ist. Eine Gate-Elektrode ist durch ein Gateoxid von min­ destens einer Bodyregion und mindestens einer Sourceregion getrennt angeordnet.
Ein besonderes Problem bei solchen Anordnungen ist das Auf­ treten eines Avalanche-Durchbruchs im Sperrfall der MOS- Transistoranordnung, insbesondere dann, wenn die MOS- Transistorstruktur für relativ hohe Sperrspannungen ausgelegt ist. Je nach Bauart der MOS-Transistorstruktur kann der Ava­ lanche-Durchbruch an einer ungünstigen oder unerwünschten Stelle innerhalb der MOS-Transistorstruktur auftreten, wobei es zu einer Beschädigung oder Zerstörung der MOS- Transistorstruktur kommen kann. Sind beispielsweise die Gate- Elektroden der MOS-Transistorstruktur in Gräben angeordnet, die an die Bodyregion angrenzen, so besteht bei einem Avalan­ che-Durchbruch die Gefahr, daß der Durchbruch aufgrund von Feldspitzen im Bereich der Gategräben auftritt und es so zu einer Beschädigung oder Zerstörung des Gateoxids und damit der Gate-Elektrode kommen kann.
Eine Möglichkeit zur Vermeidung dieses Problems ist in US 5,689,128 offenbart, die eine MOS-Transistorstruktur mit gra­ benförmigen Gateelektroden betrifft, wobei die Bodyregion zwischen zwei Gate-Elektroden eine hochdotierte Ausstülpung in Richtung der Drainregion der MOS-Transistorstruktur auf­ weist. Eine solche Struktur ist schematisch in Fig. 1 darge­ stellt. Es ist dabei über der Drainregion 1 eine p+- Tiefdiffusion 5 vorgesehen, die sich aus der Bodyregion 3 in die Driftregion 2 der MOS-Transistorstruktur erstreckt. Diese Tiefdiffusion legt jedoch einen gewissen Mindestabstand der Gate-Elektroden 6 und damit eine Mindestgröße der MOS- Transistorstruktur fest. Diese ergibt sich durch die Ausdeh­ nung der Unterdiffusion a des p+-Gebietes 5, der Justiertole­ ranzen und Ätztoleranzen b und der Ausdehnung c der Raumla­ dungszone im Kanalgebiet, in die sich das p+-Gebiet 5 nicht erstrecken darf. Eine Anordnung nach US 5,689,128 weist damit den Nachteil auf, daß eine weitergehende Verringerung der Strukturgröße und damit eine Verringerung des Einschaltwider­ standes der MOS-Transistorstruktur unter einer Beibehaltung der Avalanchefestigkeit der MOS-Transistorstruktur nicht er­ zielt werden kann.
Es wird nun zwar beispielsweise in R.K. Williams: "High- Density Trench FET Features Distributed Voltage Clamping", PCIM Europe, Issue 2/1998, Seiten 58 bis 64 und R. K. Wil­ liams; "A 20-V P-channel with 750 µΩ-cm2 at VGS = 2.7 V: Over­ coming FPI Breakdown in High-Channel-Conductance Low-Vt TrenchFETs", ISPSD 1998, S. 115 vorgeschlagen, bei einer ge­ samten Anordnung aus mehreren MOS-Transistorzellen nur je­ weils in einer von n Transistorzellen eine p+-Tiefdiffusion 5 vorzusehen. Damit kann zwar die Strukturgröße der n-1 übrigen Zellen, die keine p+-Tiefdiffusion aufweisen, und damit die Größe der gesamten Anordnung verringert werden und somit auch der Einschaltwiderstand der gesamten Anordnung aus mehreren Transistorzellen abgesenkt werden, gleichzeitig sinkt jedoch auch die Avalanchefestigkeit bzw. Robustheit der gesamten An­ ordnung, so daß die Gefahr einer Zerstörung der gesamten An­ ordnung bereits bei einer Avalancheenergie auftritt, die nur 1/n mal so groß ist wie die Avalancheenergie bei einer Tran­ sistoranordnung, die in jeder Transistorzelle eine p+- Tiefdiffusion aufweist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine MOS- Transistorstruktur bereitzustellen, die eine weitergehende Verringerung der Strukturgröße bei gleichbleibender Festig­ keit erlaubt.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale des vorliegenden Anspruchs 1. Ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Struktur wird offenbart durch die Merkmale des Anspruchs 6 bzw. 8.
Bei der erfindungsgemäßen MOS-Transistorstruktur ist vorgese­ hen, daß sich ausgehend von der ersten, hochdotierten Region ein hochdotiertes Gebiet ersten Leitungstyps in Richtung der Bodyregion in die Driftregion erstreckt. Es weist somit die erste Region eine Ausstülpung auf, wobei die Dotierung dieser Ausstülpung bzw. dieses hochdotierten Gebietes nicht iden­ tisch sein muß mit der Dotierung der ersten Region. Die Do­ tierung des hochdotierten Gebietes bzw. der Ausstülpung kann beispielsweise auch höher gewählt werden als die Dotierung der ersten Region.
Die erste Region kann beispielsweise als Draingebiet ausge­ bildet sein. Dies trifft insbesondere auf MOS- Transistorstrukturen zu, die als vertikale Transistorstruktur oder als Up-Drain-Transistorstruktur ausgebildet sind. Die erste Region kann jedoch auch als Substratregion ausgebildet sein. In diesem Fall weist die MOS-Transistorstruktur noch mindestens eine weitere, hochdotierte Region auf, die als Drainregion ausgebildet ist. Eine solche Anordnung ist insbe­ sondere bei lateralen Transistorstrukturen vorgesehen.
Die erfindungsgemäße Anordnung weist den Vorteil auf, daß die laterale Unterdiffusion der Ausstülpung bzw. des hochdotier­ ten Gebietes herstellungsbedingt wesentlich geringer ausfällt als die Unterdiffusion der p+-Tiefdiffusion im Bodygebiet. Dies ist dadurch bedingt, daß die Ausstülpung bzw. das hoch­ dotierte Gebiet direkt an die erste Region angrenzt und somit direkt auf dieser bzw. aus dieser Region, beispielsweise durch einen Aufbau oder Diffusionsschritt, erzeugt werden kann. Im Gegensatz hierzu muß die p+-Tiefdiffusion durch die gesamte Bodyregion bis in die Driftregion eindiffundiert wer­ den, wobei eine solch tiefe Eindiffusion automatisch eine sehr weite Unterdiffusion mit sich bringt. Die erfindungsge­ mäße Anordnung weist weiterhin den Vorteil auf, daß Justier­ toleranzen und Ätztoleranzen b und die Ausdehnung c der Raum­ ladungszone nicht mehr berücksichtigt werden müssen. Es ist somit eine wesentliche Verringerung der Strukturgröße der MOS-Transistorstruktur möglich, wobei gleichzeitig die Ava­ lanchefestigkeit der MOS-Transistorstruktur erhalten bleibt. Die Strukturgröße der MOS-Transistorstruktur kann somit ent­ koppelt von der Avalanchefestigkeit der MOS- Transistorstruktur eingestellt werden.
Ein erstes erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer solchen MOS-Transistorstruktur ist im vorliegenden Anspruch 6 dargestellt, wobei nach einer Herstellung der ersten Region die Bildung der Driftregion, der mindestens einen Bodyregion sowie der mindestens einen Sourceregion und der Gate- Elektrode erfolgt. Es wird dabei eine Implantation von Do­ tiermaterial ersten Leitungstyps in die erste Region in den­ jenigen Bereichen durchgeführt, über denen in einem späteren Verfahrensschritt die Bildung einer Bodyregion erfolgt. Diese Implantation wird sinnvollerweise vor der Bildung der Drift­ region auf der ersten Region durchgeführt. Die hochdotierten Gebiete bzw. Ausstülpungen ersten Leitungstyps können nach der Herstellung der Driftregion in einem separaten Ausdiffu­ sionsschritt gebildet werden, es kann jedoch auch auf einen separaten Ausdiffusionsschritt verzichtet werden, wenn die weiteren Verfahrensschritte zur Bildung der MOS- Transistorstruktur ohnehin Temperaturschritte umfassen, die auch eine Ausdiffusion des implantierten Dotiermaterials aus den Bereichen unterhalb der Bodyregion bewirken.
Die Implantation kann in dem Bereich unterhalb der Bodyregion auf eine relativ geringe Ausdehnung beschränkt werden, bei­ spielsweise durch eine maskierte Implantation. Es wird damit erreicht, daß die späteren hochdotierten Gebiete bzw. Aus­ stülpungen eine geringere laterale Ausdehnung aufweisen als die Bodyregionen. Es kann hierzu insbesondere vorgesehen sein, daß die Implantation so durchgeführt wird, daß die Aus­ dehnung der Implantation in der ersten Region maximal 50% der Ausdehnung der Bodyregion beträgt.
Die Merkmale des Anspruchs 8 umfassen ein alternatives Ver­ fahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen MOS- Transistorstruktur. Es erfolgt hierbei ebenfalls die Herstel­ lung einer ersten, hochdotierten Region ersten Leitungstyps, anschließend erfolgt die Bildung der Driftregion, der minde­ stens einen Bodyregion sowie der mindestens einen Sourceregi­ on und der Gate-Elektroden. Es wird hierbei erfindungsgemäß vor der Bildung der Driftregion ein Aufbau von hochdotierten Stufen ersten Leitungstyps auf der ersten Region in denjeni­ gen Bereichen durchgeführt, über denen in einem späteren Ver­ fahrensschritt die Bildung einer Bodyregion erfolgt. In die­ sen Bereichen kann beispielsweise nur eine einzige Stufe auf der ersten Region gebildet werden, es können jedoch auch meh­ rere Stufen übereinander angeordnet werden. Bei einer nach­ folgenden Bildung der Driftregion auf der ersten Region, bei­ spielsweise in einem Epitaxieschritt, wird die Struktur der Stufen verwaschen, so daß ein hochdotiertes Gebiet bzw. eine Ausstülpung mit einer im wesentlichen glatten Oberfläche ent­ steht. Durch einen separaten oder ohnehin im weiteren Verfah­ rensablauf vorgesehenen Temperaturschritt erfolgt außerdem eine weitere Ausdiffusion des Dotiermaterials aus den Stufen, was zu einem zusätzlichen Verwaschen der stufenförmigen Struktur beiträgt.
Spezielle Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der Fig. 1 bis 7 beschrieben.
Es zeigen:
Fig. 1 Avalanchefeste MOS-Transistorstruktur nach dem Stand der Technik.
Fig. 2 Avalanchefeste MOS-Transistorstruktur mit Gategräben und Ausstülpung der Drainregion.
Fig. 3 Avalanchefeste laterale MOS-Transistorstruktur mit Ausstülpung der Substratregion.
Fig. 4 Avalanchefeste vertikale MOS-Transistorstruktur mit Ausstülpung der Drainregion.
Fig. 5 Avalanchefeste Up-Drain-Transistorstruktur mit Aus­ stülpung der Drainregion.
Fig. 6 Herstellung der Ausstülpung einer Drainregion oder Substratregion durch Implantation.
Fig. 7 Herstellung der Ausstülpung einer Drainregion oder Substratregion durch Aufbau von Stufen.
Fig. 2 stellt eine erfindungsgemäße Verbesserung einer MOS- Transistorstruktur nach Fig. 1 dar, wobei auch ein direkter Vergleich der Strukturgrößen der beiden Transistorstrukturen durch Gegenüberstellung der beiden Strukturen dargestellt ist. In der erfindungsgemäßen Struktur nach Fig. 2 weist ei­ ne n+-dotierte Drainregion 1 eine n+-Ausstülpung 8 auf, die sich als hochdotiertes Gebiet in Richtung der p-dotierten Bo­ dyregion 3 in die n--dotierte Driftregion 2 erstreckt. In die Bodyregion 3 sind n+-dotierte Sourceregionen 4 eingebettet. An jede Bodyregion 3 und jede Sourceregion 4 grenzt eine gra­ benförmige Gate-Elektrode 6 an, die von einem Gateoxid 7 um­ geben ist. Das hochdotierte Gebiet bzw. die Ausstülpung 8 weist eine wesentlich geringere laterale Breite auf als die p+-Tiefdiffusion 5 nach Fig. 1. Die Unterdiffusion a der Ausstülpung 8 fällt somit wesentlich geringer aus. Auch müs­ sen die Justier- und Ätztoleranzen b sowie die Ausdehnung der Raumladungszone c bei der Struktur nach Fig. 2 nicht mehr berücksichtigt werden, wodurch die Struktur nach Fig. 2 eine wesentlich geringere Größe aufweisen kann als die Struktur nach Fig. 1. Dies ist durch den direkten Vergleich der Strukturgrößen in Fig. 1 und Fig. 2 dargestellt. Ebenso wie bei einer Struktur nach Fig. 1 wird jedoch trotzdem er­ reicht, daß ein Avalanchedurchbruch nicht im Bereich der gra­ benförmigen Gate-Elektroden 6 stattfindet, sondern jeweils auf die Mitte der Bodyregion 3 konzentriert wird, wie die Pfeile in Fig. 1 und Fig. 2 andeuten. Eine Beschädigung oder Zerstörung der MOS-Transistorstruktur, insbesondere des Gateoxides 7, durch einen solchen Avalanchedurchbruch wird somit effektiv verhindert.
Fig. 3 zeigt eine alternative Bauform zu Fig. 2, wobei hier die MOS-Transistorstruktur als Lateralstruktur ausgebildet ist. Hierbei weist eine Substratregion 9 eine n+-dotierte Ausstülpung 8 auf, die sich in Richtung der Bodyregion 3 in die Driftregion 2 erstreckt. Weiterhin sind in der Driftregi­ on 2 separate Drainregionen 1 angeordnet. In die Bodyregion 3 sind n+-Sourceregionen eingebettet. Eine Gate-Elektrode 6 ist jeweils über einer Sourceregion 4 und einer Bodyregion 3 an­ geordnet. Der Pfeil im rechten Teil der Fig. 3 symbolisiert die Stromflußrichtung in der lateralen MOS- Transistoranordnung.
Fig. 4 zeigt eine weitere alternative Ausführungsform zu der Transistorstruktur nach Fig. 3 oder Fig. 2, wobei hier eine vertikale MOS-Transistorstruktur vorliegt. Es weist wiederum eine n+-Drainregion 1 hochdotierte n+-Ausstülpungen 8 auf, die sich als hochdotierte Gebiete in Richtung der Bodyregio­ nen 3 in die Driftregion 2 erstrecken. Die Driftregion 2 be­ sitzt eine Dotierung vom Typ n, die Bodyregionen eine Dotie­ rung vom Typ p. In die Bodyregionen 3 sind n+-Sourceregionen 4 eingebettet. Eine Gate-Elektrode 6 ist nun so angeordnet, daß sie sich über zwei Bodyregionen 3 und zwei Sourceregionen 4 erstreckt. Der Pfeil im rechten Teil der Fig. 4 stellt wiederum die Stromflußrichtung in der MOS-Transistoranordnung dar.
Fig. 5 zeigt eine weitere alternative Ausführungsform einer MOS-Transistorstruktur, die hier als Up-Drain- Transistorstruktur ausgebildet ist. In ein p--Substrat 13 ist hierbei eine n+-Drainzone 1 eingebettet, die zum Teil aus ei­ ner vergrabenen n+-Schicht besteht, von der aus ein n+- dotiertes Gebiet zur Oberfläche der MOS-Transistorstruktur führt, auf der der Drainanschluß angeordnet ist. Die vergra­ bene n+-dotierte Schicht der Drainregion 1 weist n+-dotierte Ausstülpungen 8 auf, die sich in eine über der vergrabenen Schicht angeordnete Driftregion 2 in Richtung der Bodyregio­ nen 3 erstrecken. Die Bodyregionen 3 weisen wiederum eine Do­ tierung vom Typ p auf, die Sourceregionen 4, die in die Body­ regionen 3 eingebettet sind, eine Dotierung vom Typ n+. Wie­ derum ist eine Gate-Elektrode 6 über jeweils zwei Bodyregio­ nen 3 und zwei Sourceregionen 4 angeordnet. Die Stromfluß­ richtung in der Anordnung nach Fig. 5 ist wiederum im rech­ ten Teil der Fig. 5 durch einen Pfeil angedeutet.
In den Fig. 3, 4 und 5 wurde der Einfachheit halber auf die Darstellung des Gateoxids 7 zwischen der Gate-Elektrode 6 und den Sourceregionen 4 bzw. Bodyregionen 3 verzichtet. Bei allen Anordnungen nach den Fig. 3, 4, 5 sorgen die hochdo­ tierten Gebiete 8 dafür, daß im Sperrfall ein Avalanchedurch­ bruch auf den Bereich zwischen den Bodyregionen 3 und den hochdotierten Gebieten 8 konzentriert wird. Somit kann auch bei diesen MOS-Transistorstrukturen der Ort des Avalanche­ durchbruches gezielt gesteuert werden und in unkritische Be­ reiche der MOS-Transistorstruktur verlagert werden.
Fig. 6 zeigt einen Verfahrensschritt zur Herstellung der hochdotierten Gebiete 8 auf einer Drainregion 1 oder einer Substratregion 9. Es erfolgt hierbei eine Implantation von n+-Dotiermaterial in die Drainregion 1 bzw. Substratregion 9 durch deren Oberfläche, wobei die Implantation in denjenigen Bereichen 10 dieser Region erfolgt, über denen in einem spä­ teren Verfahrensschritt die Bildung von Bodyregionen 3 er­ folgt, wie durch gestrichelte Linien in Fig. 6 angedeutet wurde. Um eine gezielte Implantation in dem Bereich 10 zu er­ reichen, kann beispielsweise eine Maske 12 verwendet werden, die nur einen Ausschnitt der Oberfläche der Drainregion 1 bzw. Substratregion 9 für die Implantation zugänglich läßt. Um eine relativ geringe laterale Ausdehnung der späteren hochdotierten Gebiete 8 bzw. Ausstülpungen 8 zu erzielen, wird der für die Implantation zugänglich Bereich der Oberflä­ che der Drainregion 1 bzw. Substratregion 9 idealerweise so gewählt, daß dessen laterale Ausdehnung maximal 50% der Aus­ dehnung der späteren Bodyregion 3 beträgt. Der Rest der Struktur kann durch übliche Verfahren hergestellt werden, wie sie hinlänglich aus dem Stand der Technik bekannt sind.
Fig. 7 zeigt eine Alternative zum Herstellungsverfahren nach Fig. 6, wobei nunmehr ein hochdotiertes Gebiet bzw. eine Ausstülpung 8 auf einer Drainregion 1 bzw. Substratregion 9 durch den Aufbau von n+-dotierten Stufen 11 auf der Oberflä­ che dieser Region erfolgt. Es kann dabei lediglich eine Stufe 11 auf der Oberfläche vorgesehen sein, es können jedoch auch mehrere Stufen 11 übereinander angeordnet werden. Diese Stu­ fen 11 werden wiederum in demjenigen Bereich 10 der Drainre­ gion 1 bzw. Substratregion 9 angeordnet, über dem später die Anordnung der Bodyregion 3 in der fertigen MOS- Transistorstruktur erfolgt. Um wiederum eine relativ geringe laterale Ausdehnung der späteren hochdotierten Gebiete bzw. Ausstülpungen 8 zu garantieren, wodurch relativ geringe Strukturgrößen der gesamten MOS-Transistorstruktur erzielt werden können, wird die laterale Größe der Stufen 11 so ge­ wählt, daß deren laterale Ausdehnung in der Region 10 maximal 50% der Ausdehnung der späteren Bodyregion 3 beträgt.

Claims (9)

1. MOS-Transistorstruktur mit
  • - einer hochdotierten ersten Region (1, 9) ersten Lei­ tungstyps,
  • - einer niedriger dotierten Driftregion (2) ersten Lei­ tungstyps, die an die erste Region (1, 9) angrenzt,
  • - mindestens einer Bodyregion (3) zweiten Leitungstyps, die an die Driftregion (2) angrenzt,
  • - mindestens einer Sourceregion (4) ersten Leitungstyps, die in eine Bodyregion (3) eingebettet ist,
  • - einer Gate-Elektrode (6), die durch ein Gateoxid (7) von mindestens einer Bodyregion (3) und mindestens einer Sour­ ceregion (4) getrennt ist,
dadurch gekennzeichnet, daß sich ausgehend von der ersten Region (1, 9) ein hochdo­ tiertes Gebiet (8) ersten Leitungstyps in Richtung der Body­ region (3) in die Driftregion (2) erstreckt.
2. MOS-Transistorstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Region (1, 9) als Drainregion (1) ausgebildet ist.
3. MOS-Transistorstruktur nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die MOS-Transistorstruktur als vertikale Transistorstruk­ tur oder als Up-Drain-Transistorstruktur ausgebildet ist.
4. MOS-Transistorstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Region (1, 9) als Substratregion (9) ausgebil­ det ist.
5. MOS-Transistorstruktur nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die MOS-Transistorstruktur als laterale Transistorstruk­ tur ausgebildet ist.
6. Verfahren zur Herstellung einer MOS-Transistorstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei nach einer Herstellung der ersten Region (1, 9) die Bildung der Driftregion (2), der mindestens einen Bodyregion (3) sowie der mindestens einen Sourceregion (4) und der Gate- Elektrode (6) erfolgt, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Implantation von Dotiermaterial ersten Leitungstyps in die erste Region (1, 9) in denjenigen Bereichen (10) er­ folgt, über denen in einem späteren Verfahrensschritt die Bildung einer Bodyregion (3) erfolgt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Implantation so durchgeführt wird, daß Ausdehnung der Implantation in der ersten Region (1, 9) maximal 50% der Ausdehnung der Bodyregion (3) beträgt.
8. Verfahren zur Herstellung einer MOS-Transistorstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei nach einer Herstellung der ersten Region (1, 9) die Bildung der Driftregion (2), der mindestens einen Bodyregion (3) sowie der mindestens einen Sourceregion (4) und der Gate- Elektrode (6) erfolgt, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Aufbau von hochdotierten Stufen (11) ersten Lei­ tungstyps auf der ersten Region (1, 9) in denjenigen Berei­ chen (10) erfolgt, über denen in einem späteren Verfahrens­ schritt die Bildung einer Bodyregion (3) erfolgt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Stufen (11) so gebildet werden, daß die laterale Aus­ dehnung der Stufen in der ersten Region (1, 9) maximal 50% der Ausdehnung der Bodyregion (3) beträgt.
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