DE19910889A1 - Oberflächenwellenvorrichtung - Google Patents

Abstract

Eine Oberflächenakustikwellenvorrichtung, welche folgende Merkmale aufweist: eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern, die auf einem Oberflächenakustikwellensubstrat angeordnet sind; und eine Mehrzahl von Dünnfilmelektroden, die zwischen den Interdigitalwandlern und einer Stirn- bzw. Randoberfläche von dem Oberflächenakustikwellensubstrat getrennt bzw. unabhängig von besagten Interdigitalwandlern angeordnet sind, wobei wenigstens einer der Abstände zwischen benachbarten Dünnfilmelektroden geringer ausgelegt ist als der Abstand zwischen besagten Dünnfilmelektroden und besagten Interdigitalwandlern, so daß sowohl die elektrische Leistungsfähigkeit als auch der Isolationswiderstand nicht beeinträchtigt werden und die Interdigitalwandler davor bewahrt werden können, elektrostatisch zerstört zu werden.

Description

Hintergrund der Erfindung Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Oberflächenakustikwellenvorrichtung bzw. SAW- Vorrichtung nachfolgend immer Oberflächenwellenvorrichtung genannt, und speziell eine Oberflächenwellenvorrichtung zur Verwendung in einem relativ hochfrequenten Bereich in einem Radiokommunikationssystem bzw. Funkverkehrssystem oder ähnlichem.

Beschreibung der verwandten Technik

Bei einem Fertigungsprozeß einer solchen Oberflächenwellenvorrichtung kann es vorkom­ men, daß Interdigitalwandler elektrostatisch durch Hitze zerstört werden, welche angewendet wird, wenn ein piezoelektrisches Substrat mit einem Gehäuse verbunden bzw. gebondet wird, oder durch Temperaturerhöhung, die entsteht wenn eine Abdeckung oder Kappe ge­ schweißt wird, oder dergleichen. Diese elektrostatische Zerstörung wird durch die Pyroelek­ trizität des piezoelektrischen Substrats hervorgerufen. Um dies zu verhindern, gibt es einen Vorschlag, wie er beispielsweise aus der JP-A-6-224682 hervorgeht.

In diesem Vorschlag sind elektrostatisch zerstörbare Opferelektroden als Teil der Ein- und Ausgangselektroden vorgesehen, so daß diese Opferelektroden aktiv elektrostatisch zerstört werden, um dadurch zu verhindern, daß die Anregungsteile bzw. -bereiche der Ein- und Ausgangselektroden zerstört werden.

Es ist außerdem wohlbekannt, daß ein möglichst vollständiges Abdecken der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats mit einer Dünnfilmelektrode effektiv ist, da sich Ladungen, die durch Pyroelektrizität hervorgerufene spontane Polarisation erzeugt werden, in einer freien Oberfläche, wo die Substratoberfläche nicht kurzgeschlossen ist, ansammeln.

Da jedoch die elektrostatisch zerstörbaren Opferelektroden gemäß der zuvorgenannten Publi­ kation als Teil von Ein- und Ausgangselektroden vorgesehen sind, entsteht das Problem, daß sich die Frequenzcharakteristik aufgrund der elektrostatischen Kapazität der elektrostatisch zerstörbaren Opferelektroden verschlechtert, insbesondere, wenn sie bei einer hohen Fre­ quenz betrieben werden.

Zusätzlich entsteht das Problem, daß sich, wenn die elektrostatisch zerstörbaren Opferelek­ troden durch statische Elektrizität zerstört werden, geschmolzenes Elektrodenmaterial zwi­ schen den Opferelektroden, die elektrostatisch zerstört werden, absetzt, wodurch der Isola­ tionswiderstand an der betreffenden Stelle reduziert wird. Weiterhin können, wenn auch sel­ ten, die elektrostatisch zerstörbaren Opferelektroden durch das geschmolzene Elektrodenma­ terial kurzgeschlossen werden. Da in diesem Falle entweder eine der Eingangs- oder Aus­ gangselektroden kurzgeschlossen wird, entsteht die sehr schwerwiegende Fehlfunktion, daß hochfrequente Signale diese Stelle nicht passieren können. Zusätzlich kann der Fall eintre­ ten, daß, selbst wenn die Oberfläche des piezoelektrischen Substrats so weitgehend wie möglich mit einer Dünnfilmelektrode abgedeckt ist, eine elektrostatische Zerstörung der In­ terdigitalwandler nicht verhindert werden kann.

Fig. 5 zeigt schematisch eine Oberflächenwellenvorrichtung gemäß der Hintergrundtechnik. Die Ein- und Ausgangsinterdigitalwandler 2 sind auf dem piezoelektrischen Substrat 1 aus­ gebildet. Diese Elektroden sind mit der/dem Eingangsdrahtverbindungsfläche bzw. -pad 3 und der/dem Ausgangsdrahtverbindungsfläche bzw. -pad 4 durch gemeinsame Elektroden 6 verbunden. Zusätzlich ist eine Erdungsverbindungsfläche bzw. -pad 5 an jeden der Interdigi­ talwandler 2 angeschlossen. Die Dünnfilmelektroden 7i und 7j zur Kurzschließung von La­ dungen, die durch spontane Polarisation hervorgerufen werden, sind zwischen diesen Elek­ troden und der Chiprandoberfläche angeordnet.

Die Dünnfilmelektroden 7i und 7j sind nicht bis zur Randoberfläche des piezoelektrischen Substrats 1 ausgebildet, sondern es befindet sich ein Zerteilungs-Randteilstück 9 zwischen der Randoberfläche des piezoelektrischen Substrats 1 und den Kanten der Dünnfilmelektro­ den 7i und 7j. Dies ist so vorgesehen, da dadurch verhindert wird, daß die Interdigitalwand­ ler 2 wegen eines gebrochenes Stücks, welches durch das Zerteilen des Wafers zum Aus­ schneiden des piezoelektrischen Substrats 1 entsteht, kurzgeschlossen werden.

Obwohl die so ausgebildete Oberflächenakustikwellenvorrichtung die Eigenschaft besitzt, daß die Ansammlung von elektrischen Ladungen, infolge spontaner Polarisation mit Hilfe der Dünnfilmelektroden 7i und 7j eingedämmt werden kann, werden die Interdigitalwandler 2 dennoch elektrostatisch zerstört. Dies geschieht, weil die durch spontane Polarisation, die in dem Zerteilungs-Rand-Teilstück 9 erzeugt wird, das die größte freie Oberfläche auf dem piezoelektrischen Substrat 1 darstellt, erzeugten elektrischen Ladungen in die Interdigital­ wandler 2 mittels der Dünnfilmelektroden 7i und 7j entladen werden.

Um dies zu verhindern, können, wie in Fig. 6 gezeigt ist, Abstände 52 und 53 zwischen den Dünnfilmelektroden 7i und 7j und den Interdigitalwandlern 2 vorgesehen werden, um da­ durch zu verhindern, daß diese jeweils miteinander elektrisch in Verbindung kommen. Hohe statische Elektrizität, die Werte von mehreren kV erreicht, kann die Isolation der Abstände S2 und S3 durchbrechen und somit zu einem elektrostatischen Durchbruch führen. Obwohl die Isolation nicht gebrochen wird, wenn die Abstände S2 und S3 genügend erweitert wer­ den, wird dadurch die freie Oberfläche durch die Abstände S2 und S3 so erweitert, daß die ursprüngliche Aufgabe nicht erreicht werden kann.

Zusammenfassung der Erfindung

Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Oberflächenakustikwellenvor­ richtung vorzusehen, in der sich die elektrische Funktionsfähigkeit der Vorrichtung sowie ihr Isolationswiderstand nicht verschlechtert, und in der verhindert werden kann, daß Inter­ digitalwandler elektrostatisch zerstört werden.

Um die zuvorgenannte Aufgabe zu erfüllen, ist, gemäß eines Aspekts der vorliegenden Er­ findung, eine Oberflächenwellenvorrichtung vorgesehen, die folgende Merkmale aufweist: eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern, die auf der Oberfläche eines Akustikwellensubstrats angeordnet sind; und eine Mehrzahl von Dünnfilmelektroden, die zwischen den Interdigitalwandlern und einer Stirn- bzw. Randoberfläche des Oberflächenakustikwellensub­ strats elektrisch unabhängig von den Interdigitalwandlern angeordnet sind, wobei wenigstens einer der Abstände zwischen benachbarten der Dünnfilmelektroden geringer ausgelegt ist als der Abstand zwischen den Dünnfilmelektroden und den Interdigitalwandlern.

Vorzugsweise sind die Dünnfilmelektroden flächenförmig bzw. eben ausgelegt.

Vorzugsweise, weist jede der Dünnfilmelektroden einen flächigen bzw. ebenen Bereich auf, und wenigstens ein Paar von Entladungsinterdigitalwandlern ist zwischen den Dünnfilmelek­ troden angeordnet.

Vorzugsweise, ist wenigstens eine der Dünnfilmelektroden zu einem Gehäuse mittels eines Verbindungsdrahts bzw. -bands oder einer Verbindungswölbung geerdet.

Mithilfe der zuvorgenannten Konfiguration wird statische Elektrizität, die in dem Zertei­ lungsrandstück, in dem leicht spontane Polarisation hervorgerufen wird, erzeugt wird, nicht an die Interdigitalwandler weitergeleitet, sondern zwischen den Dünnfilmelektroden entla­ den. Es ist deshalb möglich, die Ein- und Ausgangsinterdigitalenwandler vor Zerstörung zu schützen.

Kurze Beschreibung der Zeichnungsfiguren

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die die Anordnung einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung illustriert;

Fig. 2 ist eine Draufsicht, die die Anordnung einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung illustriert;

Fig. 3 ist eine Draufsicht, die die Anordnung einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung illustriert;

Fig. 4 ist eine Draufsicht, die die Anordnung einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung illustriert;

Fig. 5 ist eine Draufsicht, die die Anordnung einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß der Hintergrundtechnik illustriert;

Fig. 6 ist eine Draufsicht, die die Konfiguration der Oberflächenwellenvorrichtung gemäß der Hintergrundtechnik illustriert; und

Fig. 7 ist eine Draufsicht, die die Anordnung einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung illustriert.

Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im folgenden mit Bezug auf die bei­ liegenden Figuren beschrieben. Fig. 1 zeigt eine Konfiguration der Elektroden gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform. Ein 64-grad rotierter Lithiumniobat-Kristall, der in Richtung der y-Achse geschnitten ist und die x-Achse als Ausbreitungsrichtung hat, wird für das piezoelektrische Substrat 1 verwendet. Interdigitalwandler 2, eine Eingangsdrahtverbin­ dungs- bzw. -bondingfläche 3, eine Ausgangsdrahtverbindungs- bzw. -bondingfläche 4, Erdungsdrahtverbindungs- bzw. -bondingflächen 5, gemeinsame Elektroden 6, und Dünnfilm­ elektroden 7a, 7b, 7c und 7d sind, wie in Fig. 1 gezeigt ist, auf dem piezoelektrischen Sub­ strat 1 angeordnet.

Die Dünnfilmelektroden 7a, 7b, 7c und 7d sind nicht mit irgendeinem der Interdigitalwand­ ler 2, der Eingangsdrahtverbindungsfläche 3, der Ausgangsdrahtverbindungsfläche 4, der Erdungsdrahtverbindungsflächen 5, und der gemeinsamen Elektroden 6 verbunden. Das heißt, die Dünnfilmelektroden 7a, 7b, 7c und 7d sind elektrisch getrennt bzw. unabhängig von den anderen Bestandteilen. Zusätzlich ist jeder der Abstände S1 zwischen den Dünn­ filmelektroden 7a und 7b und zwischen 7c und 7d als 5 Mikrometer (µm) ausgewählt, während jeder der Abstände S2 und S3 zwischen den Dünnfilmelektroden 7a, 7b, 7c und 7d und den Interdigitalwandlern 2 als 30 Mikrometer (µm) ausgewählt ist. Die Breite des Zer­ teilungs-Randteilstücks ist 100 Mikrometer (µm).

Als nächstes wird der Mechanismus zur Verhinderung der elektrostatischen Zerstörung in der vorliegenden Erfindung beschrieben. Auf dem piezoelektrischen Substrat 1 erfolgt die Erzeugung von elektrischen Ladungen aufgrund von spontaner Polarisation nicht gleich­ mäßig, und die Stärke der Ladungserzeugung ist am größten in dem Zerteilungs-Randteil­ stück, welches das größte freie Oberflächenteilstück darstellt. Die in dem Zerteilungs-Rand­ teilstück erzeugten elektrischen Ladungen wechselwirken mit Ionen in der Luft und werden stetig entladen, wenn sich die Temperatur leicht ändert. Falls die elektrischen Ladungen plötzlich erzeugt werden, werden die elektrischen Ladungen durch die Metallbereiche in der Nähe des Zerteilungs-Randteilstücks entladen.

In dieser Ausführungsform ist der Abstand S1 ausreichend geringer als jeweils die Abstände S2 und S3 so ausgelegt, daß statische Elektrizität wahlweise zwischen den Elektroden 7a, 7b, 7c und 7d entladen wird. Demgemäß besteht keine Gefahr, daß die Interdigitalwandler 2 elektrostatisch zerstört werden.

Auf diese Weise sind die Dünnfilmelektroden 7a, 7b, 7c und 7d, die aktiv die elektrische Entladung hervorrufen, elektrisch getrennt von den Interdigitalwandlern 2 und anderen damit verbundenen Bestandteilen angeordnet. Deshalb besteht keine Gefahr, daß die Dünnfilmelek­ troden 7a, 7b, 7c und 7d einen Einfluß auf die Hochfrequenzeigenschaften und die Isola­ tionswiderstandseigenschaften der Vorrichtung haben.

Als nächstes wird eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf Fig. 2 beschrieben. Zusätzlich zu der Konfiguration in Fig. 1 sind in Fig. 2 Entladungs-In­ terdigitalwandler 8 jeweils zwischen den Dünnfilmelektroden 7a und 7b sowie zwischen 7c und 7d angeordnet. Die anderen Bestandteile sind ansonsten dieselben wie die in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Breite der Elektroden der Entladungs-In­ terdigitalwandler 8 und der Abstand zwischen den Elektroden der Entladungs-Interdigital­ wandler 8 sind jeweils als 1.0 und 0.7 Mikrometer (µm) ausgewählt, was dasselbe ist wie bei dem Interdigitalwandler 2. Die Anzahl der Elektrodenpaare ist als drei ausgewählt.

In dieser Ausführungsform erfolgt die elektrische Entladung gleichmäßiger, da die Entla­ dungs-Interdigitalwandler 8 vorgesehen sind. Das heißt, mit der selben Anordnung, wie die der Interdigitalwandler 2, können die Entladungs-Interdigitalwandler 8 die Entladung auch bei relativ geringer Spannung durchführen. Daher ist es möglich, einen wirksamen Schutz der Interdigitalwandler 2 zu erzielen.

Weiterhin sind in dieser Ausführungsform die Dünnfilmelektroden 7a, 7b, 7c und 7d und die Entladungs-Interdigitalwandler 8 elektrisch getrennt bzw. unabhängig von den Interdigi­ talwandlern 2 und anderen Bestandteilen, die mit den Interdigitalwandlern 2 verbunden sind, angeordnet. Deshalb ist es offensichtlich, daß die Dünnfilmelektroden 7a, 7b, 7c und 7d und die Entladungs-Interdigitalwandler 8 keinen Einfluß auf das Hochfrequenzverhalten und das Isolationswiderstandsverhalten der Vorrichtung haben.

Obwohl die Breite der Elektroden und die Abstände zwischen den Elektroden der Entla­ dungs-Interdigitalwandler 8 in dieser Ausführungsform dieselben sind wie die der Interdigi­ talwandler 2, ist es offensichtlich, daß die ersteren kleiner gewählt werden können als die letzteren. Selbst wenn die Breite der Elektroden und die Abstände zwischen den Elektroden der Entladungs-Interdigitalwandler 8 größer gewählt ist als die der Interdigitalwandler 2, kann ein ähnlicher Effekt erzielt werden, solange die Aperturlänge der Elektroden gering ge­ wählt ist. Weiterhin ist es nicht immer notwendig, die Elektroden interdigitierend auszufüh­ ren, sondern diese können keilförmig mit scharfen Spitzen ausgeführt sein.

Als nächstes wird eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf Fig. 3 beschrieben. In Fig. 3 ist jede der Elektroden 7a, 7b, 7c und 7d in zwei geteilt, so daß zusätzlich zu der in Fig. 1 gezeigten Anordnung die Elektroden 7e, 7f, 7g und 7h gebil­ det werden. Die anderen Bestandteile sind dieselben wie die in der ersten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung.

Diese Ausführungsform hat das Merkmal, daß zwei Arten vor Dünnfilmelektroden zwischen den Interdigitalwandlern 2 und dem Zerteilungs-Randteilstück 9 angeordnet sind. Demgemäß werden elektrische Ladungen, die in dem Zerteilungs-Randteilstück 9 erzeugt werden, durch die Dünnfilmelektroden 7a, 7b, 7c, 7d, 7e, 7f, 7g und 7h entladen. Es ist deshalb möglich, wirksam elektrostatischem Zerstörung bzw. Durchbruch vorzubeugen.

Das heißt, auch wenn die Entladung zwischen den Dünnfilmelektroden 7a und 7b nicht voll­ ständig stattfinden kann, so wird eine Entladung weiterhin zwischen den Elektroden 7a und 7e sowie 7b und 7f bewirkt. Demgemäß wird der Schutzeffekt für die Interdigitalwandler verbessert. Weiterhin ist es offensichtlich, daß der Effekt weiterhin verbessert werden kann, wenn die Anzahl der Unterteilungen der Dünnfilmelektroden erhöht wird.

Als nächstes wird eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf Fig. 4 beschrieben. In Fig. 4 sind Dünnfilmelektroden 7e, 7f, 7g und 7h der in Fig. 1 ge­ zeigten Konfiguration hinzugefügt. Die weiteren Bestandteile sind die selben wie in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Obwohl zwei Arten von Dünnfilmelektroden zwischen den Interdigitalwandlern 2 und den Zerteilungs-Randteilstücken in der selben Weise wie in der dritten Ausführungsform ange­ ordnet sind, hat diese vierte Ausführungsform die Eigenschaft, daß die Dünnfilmelektroden 7e, 7f, 7g und 7h zu den Teilstücken nahe der Ränder des piezoelektrischen Substrats 1 hin­ zugefügt sind. Die Betriebsweise dieser vierten Ausführungsform ist dieselbe wie die der dritten Ausführungsform. In dieser Ausführungsform wird jedoch die elektrische Entladung in einem Teilbereich nahe des Randbereiches des piezoelektrischen Substrats 1 durchgeführt, welcher sich genügend weit entfernt von den Interdigitalwandlern 2 befindet. Demgemäß sammelt sich durch die Entladung zerstreutes Elektrodenmaterial in der Nähe der Randberei­ che des piezoelektrischen Substrats an, auch wenn sich das Elektrodenmaterial dort wieder festsetzt, so daß keine Gefahr besteht, daß das Elektrodenmaterial die Interdigitalwandler 2 negativ beeinflusst.

Als nächstes wird eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf Fig. 7 beschrieben. In Fig. 7 sind ein Gehäuse 10 und Verbindungsdrähte bzw. Bonding­ drähte 13 der Anordnung in Fig. 1 hinzugefügt. Die anderen Bestandteile sind dieselben wie die in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

In dieser Ausführungsform ist das piezoelektrische Substrat 1 mittels eines Verbindungs- bzw. Bondingmittels mit dem Gehäuse 10 verbunden (nicht gezeigt). Zur elektrischen Ver­ bindung mit dem Gehäuses 10 ist ein Eingangsanschluß bzw. -terminal 12a mit der Ein­ gangs-Verbindungs- bzw. -bondingfläche 3 mittels eines Verbindungs- bzw. Bondingdrahts 13 verbunden, während ein Ausgangsanschluß 12b mit der Ausgangsverbindungs- bzw. Bon­ dingfläche 4 mittels eines Verbindungs- bzw. Bondingdrahts 13 verbunden ist. Auf die selbe Weise sind die Erdungsanschlüsse bzw. -terminals 11 mit der Erdungs-Verbindungs- bzw. Bondingfläche 5 mittels der Verbindungs- bzw. Bondingdrähte 13, und die Dünnfilmelektro­ den 7a, 7b, 7c und 7d mit den Erdungsanschlüssen bzw. -terminals 11 mittels der Verbin­ dungs- bzw. Bondingdrähte 13 verbunden.

Gemäß dieser Ausführungsform "schwimmen" die Dünnfilmelektroden 7a, 7b, 7c und 7d nicht elektrisch, so daß das elektrostatische Potential stabilisiert ist. Demgemäß existiert ein Effekt der die Zuverlässigkeit der Vorrichtung auch in einem Hochfrequenzbereich garan­ tiert.

Weiterhin sind in diesem Fall die Ein- und Ausgangs-Verbindungs- bzw. -bondingflächen 3 und 4 für die Interdigitalwandler 2 und die Dünnfilmelektroden 7a, 7b, 7c und 7d nicht mit­ einander elektrisch verbunden, das heißt sie sind unabhängig voneinander. Auf die selbe Weise wie in der ersten Ausführungsform ist es daher offensichtlich, daß der Effekt zur Vorbeugung eines elektrostatischen Durchbruches nicht verloren geht und die elektrische Funktionsfähigkeit der Vorrichtung nicht gemindert wird. Es ist nicht immer notwendig, das piezoelektrische Substrat 1 mittels der Verbindungs- bzw. Bondingdrähte 13 mit dem Ge­ häuse 10 zu verbinden, sondern die Verbindung kann mittels einer Verbindungswölbung oder Bondinghügel oder ähnlichem erzielt werden.

Wie zuvor beschrieben sind in der vorliegenden Erfindung in einer Oberflächenakustikwel­ lenvorrichtung eine Mehrzahl von Dünnfilmelektroden zwischen einer Mehrzahl von Interdi­ gitalwandlern und einer Randoberfläche eines Oberflächenakustikwellensubstrats und ge­ trennt bzw. unabhängig von den Interdigitalwandlern angeordnet, wobei wenigstens einer der Abstände zwischen nebeneinanderliegenden Dünnfilmelektroden kleiner ausgewählt ist als der Abstand zwischen den Dünnfilmelektroden und den Interdigitalwandlern.

Eine Oberflächenakustikwellenvorrichtung, welche folgende Merkmale aufweist: eine Mehr­ zahl von Interdigitalwandlern, die auf einem Oberflächenakustikwellensubstrat angeordnet sind; und eine Mehrzahl von Dünnfilmelektroden, die zwischen den Interdigitalwandlern und einer Stirn- bzw. Randoberfläche von dem Oberflächenakustikwellensubstrat getrennt bzw. unabhängig von besagten Interdigitalwandlern angeordnet sind, wobei wenigstens einer der Abstände zwischen benachbarten Dünnfilmelektroden geringer ausgelegt ist als der Abstand zwischen besagten Dünnfilmelektroden und besagten Interdigitalwandlern, so daß sowohl die elektrische Leistungsfähigkeit der Vorrichtung als auch der Isolationswiderstand nicht beein­ trächtigt werden und die Interdigitalwandler davor bewahrt werden können, elektrostatisch zerstört zu werden.

Claims (4)

1. Eine Oberflächenwellenvorrichtung, welche folgende Merkmale aufweist:
eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern, die auf einem Oberflächenakustikwellensubstrat angeordnet bzw. ausgebildet sind; und eine Mehrzahl von Dünnfilmelektroden, die zwischen besagten Interdigitalwandlern und einer Stirn- bzw. Randoberfläche von besagtem Oberflächenakustikwellensubstrat elektrisch unabhängig bzw. getrennt von besagten Interdigitalwandlern angeordnet sind, wobei wenigstens einer der Abstände zwischen benachbarten der besagten Dünnfilmelektroden geringer ausgelegt ist als der Abstand zwischen besagten Dünnfilmelektroden und besagten Interdigitalwandlern.

2. Eine Oberflächenwellenvorrichtung gemäß Anspruch 1, worin besagte Dünnfilmelektroden eben- bzw. flächenförmig ausgebildet sind.

3. Eine Oberflächenwellenvorrichtung nach Anspruch 1, worin jede der Dünnfilmelektroden einen ebenen bzw. flächenförmigen Bereich aufweist, und wenigstens ein Paar von Entladungsinterdigitalwandlern zwischen besagten Dünnfilmelektroden angeordnet ist.

4. Eine Oberflächenwellenvorrichtung gemäß Anspruch 1, worin wenigstens eine der besagten Dünnfilmelektroden zu einem Gehäuse mittels eines Bonding- bzw. Verbindungsdrahts oder einer Verbindungswölbung bzw. Bondinghügel geerdet ist.