JPH04243311A - Ｓａｗデバイス - Google Patents
ＳａｗデバイスInfo
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- JPH04243311A JPH04243311A JP422391A JP422391A JPH04243311A JP H04243311 A JPH04243311 A JP H04243311A JP 422391 A JP422391 A JP 422391A JP 422391 A JP422391 A JP 422391A JP H04243311 A JPH04243311 A JP H04243311A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳＡＷデバイスに係わり
、特に製造工程中に、圧電基板の表面に焦電気が局部的
に集中して蓄積されないように、反射電極から導出して
短絡電極に接続される短絡バーで基板の露出している表
面を最大限覆い、駆動電極から導出する短絡バーを設け
なくてもよいように電極パターンを構成してなるＳＡＷ
デバイスに関する。
、特に製造工程中に、圧電基板の表面に焦電気が局部的
に集中して蓄積されないように、反射電極から導出して
短絡電極に接続される短絡バーで基板の露出している表
面を最大限覆い、駆動電極から導出する短絡バーを設け
なくてもよいように電極パターンを構成してなるＳＡＷ
デバイスに関する。
【０００２】ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔ
ｉｃ Ｗａｖｅ）デバイスは、表面波デバイスと略称さ
れる電気音響変換素子の一種で、圧電性をもつ単結晶や
セラミック材料の電気振動と力学振動の相互変換を利用
して、時計やマイクロプロセッサのクロック周波数を得
るための振動子とか無線通信などでフィルタとして多用
されている。
ｉｃ Ｗａｖｅ）デバイスは、表面波デバイスと略称さ
れる電気音響変換素子の一種で、圧電性をもつ単結晶や
セラミック材料の電気振動と力学振動の相互変換を利用
して、時計やマイクロプロセッサのクロック周波数を得
るための振動子とか無線通信などでフィルタとして多用
されている。
【０００３】ＳＡＷデバイスは、その目的と用途に応じ
て材料の表面方向や厚み方向のいろいろな振動様式が利
用して作られている。しかし、何れの振動様式を用いる
場合にも、電気振動と力学振動の遣り取りは、導体から
なる駆動電極を通して行われる。そして、取り扱う振動
の周波数が高くなるにつれて、駆動電極の形状も細かい
パターンになってきており、微細パターニング技術がＳ
ＡＷデバイスの重要な製造技術となっている。
て材料の表面方向や厚み方向のいろいろな振動様式が利
用して作られている。しかし、何れの振動様式を用いる
場合にも、電気振動と力学振動の遣り取りは、導体から
なる駆動電極を通して行われる。そして、取り扱う振動
の周波数が高くなるにつれて、駆動電極の形状も細かい
パターンになってきており、微細パターニング技術がＳ
ＡＷデバイスの重要な製造技術となっている。
【０００４】
【従来の技術】図３は従来のＳＡＷデバイスの一例の電
極パターンの構成図である。図において、１は圧電基板
、２は駆動電極、３は反射電極、４は短絡電極、５ａ、
５ｂは短絡バー、６はウェーハである。
極パターンの構成図である。図において、１は圧電基板
、２は駆動電極、３は反射電極、４は短絡電極、５ａ、
５ｂは短絡バー、６はウェーハである。
【０００５】圧電基板１は、例えばＬｉＴａＯ３ とか
ＬｉＮｂＯ３ などの圧電単結晶のインゴットを数百μ
ｍの厚さにスライスしたウェーハ６をチップ状にダイシ
ングしたもので、このウェーハ６には多数のＳＡＷデバ
イスが一括して形成されたあとダイシングされる。
ＬｉＮｂＯ３ などの圧電単結晶のインゴットを数百μ
ｍの厚さにスライスしたウェーハ６をチップ状にダイシ
ングしたもので、このウェーハ６には多数のＳＡＷデバ
イスが一括して形成されたあとダイシングされる。
【０００６】駆動電極２は電気振動と力学振動の遣り取
りを行わせるもので、櫛歯状のパターンが対向して互い
に噛み合った構成になっている。また、反射電極３は駆
動電極２で生じた音響波を反射させて定在波を生じさせ
るために設けられる梯子状のパターンで、駆動電極２を
両側から挟むようにして配設されている。
りを行わせるもので、櫛歯状のパターンが対向して互い
に噛み合った構成になっている。また、反射電極３は駆
動電極２で生じた音響波を反射させて定在波を生じさせ
るために設けられる梯子状のパターンで、駆動電極２を
両側から挟むようにして配設されている。
【０００７】ところで、強誘電性を有する圧電基板１は
、焦電効果つまり温度変化によって表面に電荷（焦電気
）が現れる性質をもっている。そして、駆動電極２や反
射電極３をパターン形成する過程で圧電基板１の表面に
この焦電気が蓄積し、電極間で放電を起こして電極パタ
ーンを損傷してしまうことが間々起こる。そこで、この
放電を防ぐために短絡電極４が設けられている。
、焦電効果つまり温度変化によって表面に電荷（焦電気
）が現れる性質をもっている。そして、駆動電極２や反
射電極３をパターン形成する過程で圧電基板１の表面に
この焦電気が蓄積し、電極間で放電を起こして電極パタ
ーンを損傷してしまうことが間々起こる。そこで、この
放電を防ぐために短絡電極４が設けられている。
【０００８】この短絡電極４はウェーハ６の上に多数並
べられたＳＡＷデバイスのそれぞれを取り囲むように格
子状に設けられており、この短絡電極４に短絡バー５ａ
を介して駆動電極２が、短絡バー５ｂを介して反射電極
３がそれぞれ接続されて、駆動電極２や反射電極３など
の電極間が同電位になるように配慮されている。こうし
て、電極パターンを形成する過程で生じた焦電気が局部
的に集中して蓄積することを防ぎ、放電が起こらないよ
うにしている。
べられたＳＡＷデバイスのそれぞれを取り囲むように格
子状に設けられており、この短絡電極４に短絡バー５ａ
を介して駆動電極２が、短絡バー５ｂを介して反射電極
３がそれぞれ接続されて、駆動電極２や反射電極３など
の電極間が同電位になるように配慮されている。こうし
て、電極パターンを形成する過程で生じた焦電気が局部
的に集中して蓄積することを防ぎ、放電が起こらないよ
うにしている。
【０００９】短絡電極４は、ウェーハ６の上に圧電基板
１や反射電極３などとともに一括してパターニングされ
たあと、チップ状にダイシングして分割する際の切断線
にもなっている。こうしてチップ状に切断された圧電基
板１は、実装してＳＡＷデバイスに仕上げられる。
１や反射電極３などとともに一括してパターニングされ
たあと、チップ状にダイシングして分割する際の切断線
にもなっている。こうしてチップ状に切断された圧電基
板１は、実装してＳＡＷデバイスに仕上げられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図４はＳＡＷデバイス
の一例の一部切欠き斜視図である。図において、同一番
号は図３に示した名称と同じであり、１ａは切断面、７
はパッケージ、８は導電塗膜、９はキャップ、１０はＳ
ＡＷデバイスである。
の一例の一部切欠き斜視図である。図において、同一番
号は図３に示した名称と同じであり、１ａは切断面、７
はパッケージ、８は導電塗膜、９はキャップ、１０はＳ
ＡＷデバイスである。
【００１１】チップ状に切断された圧電基板１は、接着
材によってパッケージ７の上に固着される。また、圧電
基板１の切断面１ａには、例えば導電塗料とか金属薄膜
などからなる導電塗膜８が被着される。そして、例えば
セラミックや金属などからなるキャップ９が被せられて
実装され、ＳＡＷデバイス１０が完成する。
材によってパッケージ７の上に固着される。また、圧電
基板１の切断面１ａには、例えば導電塗料とか金属薄膜
などからなる導電塗膜８が被着される。そして、例えば
セラミックや金属などからなるキャップ９が被せられて
実装され、ＳＡＷデバイス１０が完成する。
【００１２】ところで、圧電基板１の切断面１ａに被着
する導電塗膜８は、露出した切断面１ａに焦電気が蓄積
して悪さをすることを防ぐために欠かせない。ところが
、切断面１ａには駆動電極２と反射電極３のそれぞれか
ら導出された短絡バー５ａ、５ｂが露出している。その
中で、駆動電極２から導出された短絡バー５ａは導電塗
膜８に電気的に接触することを避ける必要がある。
する導電塗膜８は、露出した切断面１ａに焦電気が蓄積
して悪さをすることを防ぐために欠かせない。ところが
、切断面１ａには駆動電極２と反射電極３のそれぞれか
ら導出された短絡バー５ａ、５ｂが露出している。その
中で、駆動電極２から導出された短絡バー５ａは導電塗
膜８に電気的に接触することを避ける必要がある。
【００１３】そこで、チップ状にダイシングしたあと、
短絡バー５ａが切断面１ａに引っ掛からないように取り
除くことが行われる。しかも、この短絡バー５ａの除去
は数十μｍ単位の細かい作業なので厄介であり、例えば
レーザトリミングなどの手段を用いる必要がある。その
ために、ＳＡＷデバイス１０の製造工程の合理化を阻害
している問題があった。
短絡バー５ａが切断面１ａに引っ掛からないように取り
除くことが行われる。しかも、この短絡バー５ａの除去
は数十μｍ単位の細かい作業なので厄介であり、例えば
レーザトリミングなどの手段を用いる必要がある。その
ために、ＳＡＷデバイス１０の製造工程の合理化を阻害
している問題があった。
【００１４】そこで本発明は、反射電極と短絡電極を接
続する短絡バーの面積を大きくして基板の露出している
表面を最大限覆い、駆動電極から導出する短絡バーを設
けなくても焦電気が局部的に集中した蓄積が起こらない
ようにしてなるＳＡＷデバイスを提供することを目的と
している。
続する短絡バーの面積を大きくして基板の露出している
表面を最大限覆い、駆動電極から導出する短絡バーを設
けなくても焦電気が局部的に集中した蓄積が起こらない
ようにしてなるＳＡＷデバイスを提供することを目的と
している。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上で述べた課題は、圧電
基板と、該圧電基板の上に設けられた駆動電極と、該駆
動電極の両側に設けられた対をなす反射電極と、圧電基
板をチップ状にダイシングする経路上に格子状に設けら
れた短絡電極を有し、 前記反射電極は、圧電基板の
露出部分を覆うようになした短絡バーによって短絡電極
に接続されており、かつダイシングされると該短絡電極
との接続が断たれるように構成されたＳＡＷデバイスに
よって解決される。
基板と、該圧電基板の上に設けられた駆動電極と、該駆
動電極の両側に設けられた対をなす反射電極と、圧電基
板をチップ状にダイシングする経路上に格子状に設けら
れた短絡電極を有し、 前記反射電極は、圧電基板の
露出部分を覆うようになした短絡バーによって短絡電極
に接続されており、かつダイシングされると該短絡電極
との接続が断たれるように構成されたＳＡＷデバイスに
よって解決される。
【００１６】
【作用】圧電基板の表面に局部的に蓄積した焦電気に起
因して放電が起こることを避けるために、駆動電極も短
絡バーを介して短絡電極に接続していた従来の電極構成
に対して、本発明において、駆動電極を短絡電極と接続
しなくても放電が起こらないようにしている。
因して放電が起こることを避けるために、駆動電極も短
絡バーを介して短絡電極に接続していた従来の電極構成
に対して、本発明において、駆動電極を短絡電極と接続
しなくても放電が起こらないようにしている。
【００１７】すなわち、反射電極と短絡電極を接続する
短絡バーのパターン幅を広げて、圧電基板の露出部分を
できるだけ覆うようにしている。そして、ダイシングの
経路にもなっている短絡電極に沿ってダイシングしたと
き、反射電極と短絡電極の接続が断たれるようにしてい
る。
短絡バーのパターン幅を広げて、圧電基板の露出部分を
できるだけ覆うようにしている。そして、ダイシングの
経路にもなっている短絡電極に沿ってダイシングしたと
き、反射電極と短絡電極の接続が断たれるようにしてい
る。
【００１８】そうすると、電極のパターニング工程中は
反射電極が短絡バーを介して短絡電極と同電位になって
おり、しかも圧電基板の大半を覆っているので、焦電気
の蓄積が局部的な集中することを防ぐことができる。そ
して、ダイシングを行ったあとは、反射電極と短絡電極
の接続が断たれるようにしている。
反射電極が短絡バーを介して短絡電極と同電位になって
おり、しかも圧電基板の大半を覆っているので、焦電気
の蓄積が局部的な集中することを防ぐことができる。そ
して、ダイシングを行ったあとは、反射電極と短絡電極
の接続が断たれるようにしている。
【００１９】こうして、駆動電極を短絡電極に接続しな
くてもよいので、短絡バーを除去する厄介な工程が不要
になり、ＳＡＷデバイスの製造工程の合理化が実現でき
る。
くてもよいので、短絡バーを除去する厄介な工程が不要
になり、ＳＡＷデバイスの製造工程の合理化が実現でき
る。
【００２０】
【実施例】図１は本発明の実施例を説明する平面図、図
２は図１の要部の拡大斜視図である。図において、１は
圧電基板、１ａは切断面、２は駆動電極、３は反射電極
、４は短絡電極、５は短絡バー、６はウェーハ、７はパ
ッケージ、８は導電塗膜、１０はＳＡＷデバイスである
。
２は図１の要部の拡大斜視図である。図において、１は
圧電基板、１ａは切断面、２は駆動電極、３は反射電極
、４は短絡電極、５は短絡バー、６はウェーハ、７はパ
ッケージ、８は導電塗膜、１０はＳＡＷデバイスである
。
【００２１】図１において、圧電基板１は、例えばＬｉ
ＴａＯ３ などの圧電単結晶のウェーハ６から切り出し
たもので、このウェーハ６の上には予め多数のＳＡＷデ
バイス１０が一括して形成される。
ＴａＯ３ などの圧電単結晶のウェーハ６から切り出し
たもので、このウェーハ６の上には予め多数のＳＡＷデ
バイス１０が一括して形成される。
【００２２】駆動電極２や反射電極３、短絡電極４、短
絡バー５などは、例えばＡｕなどの薄膜からなり、ホト
リソグラフィによって同時に形成される。短絡電極４は
ウェーハ６を個々のＳＡＷデバイス１０にダイシングす
る際の切断線を兼ねて格子状に設けられ、この短絡電極
４に短絡バー５を介して反射電極３が接続されている。 そして、この短絡バー５は面積をできるだけ大きくして
、圧電基板１の露出している表面を最大限覆うように設
けられている。こうして、ウェーハ６に多数並べて設け
られた圧電基板１は、短絡電極４に沿ってチップ状にダ
イシングされる。
絡バー５などは、例えばＡｕなどの薄膜からなり、ホト
リソグラフィによって同時に形成される。短絡電極４は
ウェーハ６を個々のＳＡＷデバイス１０にダイシングす
る際の切断線を兼ねて格子状に設けられ、この短絡電極
４に短絡バー５を介して反射電極３が接続されている。 そして、この短絡バー５は面積をできるだけ大きくして
、圧電基板１の露出している表面を最大限覆うように設
けられている。こうして、ウェーハ６に多数並べて設け
られた圧電基板１は、短絡電極４に沿ってチップ状にダ
イシングされる。
【００２３】ところで、短絡電極４のパターン幅は、ダ
イシングする際に用いられるダイシングソー（鋸）やワ
イヤソーなどの幅よりも狭く高々数十μｍにする。こう
すると、短絡電極４はダイシングの際の切り代の中に含
まれてしまい切断すると消え去ってしまう。
イシングする際に用いられるダイシングソー（鋸）やワ
イヤソーなどの幅よりも狭く高々数十μｍにする。こう
すると、短絡電極４はダイシングの際の切り代の中に含
まれてしまい切断すると消え去ってしまう。
【００２４】図２において、チップ状にダイシングされ
た圧電基板１の切断面１ａには、反射電極３から導出さ
れた短絡バー５が露出しているが、駆動電極２は切断面
１ａから内輪に設けられている。従って、圧電基板１を
パッケージ７に固着し、切断面１ａに導電塗膜８を被着
する際、導電塗膜８が駆動電極２に接続されることを懸
念せずに被着作業を行うことができる。
た圧電基板１の切断面１ａには、反射電極３から導出さ
れた短絡バー５が露出しているが、駆動電極２は切断面
１ａから内輪に設けられている。従って、圧電基板１を
パッケージ７に固着し、切断面１ａに導電塗膜８を被着
する際、導電塗膜８が駆動電極２に接続されることを懸
念せずに被着作業を行うことができる。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明になるＳＡＷ
デバイスにおいては、各種電極がパターニングされた圧
電基板をウェーハに搭載して基板の切断面に導電塗膜を
被着する際、短絡バーの除去する厄介な作業を行ったり
導電塗膜が駆動電極に接触することを懸念したりするこ
とが不要である。
デバイスにおいては、各種電極がパターニングされた圧
電基板をウェーハに搭載して基板の切断面に導電塗膜を
被着する際、短絡バーの除去する厄介な作業を行ったり
導電塗膜が駆動電極に接触することを懸念したりするこ
とが不要である。
【００２６】従って、本発明はＳＡＷデバイスの製造工
程の合理化に対して、寄与するところが大である。
程の合理化に対して、寄与するところが大である。
【図１】 本発明の実施例を説明する平面図である。
【図２】 図１の要部の拡大斜視図である。
【図３】 従来のＳＡＷデバイスの一例の電極パター
ンの構成図である。
ンの構成図である。
【図４】 ＳＡＷデバイスの一例の一部切欠き斜視図
である。
である。
１ 圧電基板 ２ 駆動電
極 ３ 反射電極
極 ３ 反射電極
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板（１） と、該圧電基板（１
） の上に設けられた駆動電極（２） と、該駆動電極
（２） の両側に設けられた対をなす反射電極（３）
と、該圧電基板（１） をチップ状にダイシングする経
路上に格子状に設けられた短絡電極（４） を有し、前
記反射電極（３） は、前記圧電基板（１） の露出部
分を覆うようになした短絡バー（５） によって前記短
絡電極（４） に接続されており、かつダイシングされ
ると該短絡電極（４） との接続が断たれることを特徴
とするＳＡＷデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP422391A JPH04243311A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | Ｓａｗデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP422391A JPH04243311A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | Ｓａｗデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243311A true JPH04243311A (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=11578596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP422391A Withdrawn JPH04243311A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | Ｓａｗデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04243311A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034578A (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-07 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with closely spaced discharge electrodes electrically independent of the interdigital transducers |
| WO2002087080A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and its manufacture method, and electronic part using it |
| JP2005331885A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Fujitsu Ltd | 音響光学デバイスおよび音響光学デバイスの製造方法 |
-
1991
- 1991-01-18 JP JP422391A patent/JPH04243311A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034578A (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-07 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with closely spaced discharge electrodes electrically independent of the interdigital transducers |
| WO2002087080A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and its manufacture method, and electronic part using it |
| EP1381156A1 (en) * | 2001-04-19 | 2004-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND ITS MANUFACTURE METHOD, AND ELECTRONIC PART USING IT |
| EP1381156A4 (en) * | 2001-04-19 | 2004-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | SURFACE ACOUSTIC WAVE PROCESSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC COMPONENT USING THE SAME |
| US6972509B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-12-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device method of manufacturing the same, and electronic component using the same |
| JP2005331885A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Fujitsu Ltd | 音響光学デバイスおよび音響光学デバイスの製造方法 |
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