JPH04371009A - 弾性表面波フィルタの製造方法 - Google Patents
弾性表面波フィルタの製造方法Info
- Publication number
- JPH04371009A JPH04371009A JP14770291A JP14770291A JPH04371009A JP H04371009 A JPH04371009 A JP H04371009A JP 14770291 A JP14770291 A JP 14770291A JP 14770291 A JP14770291 A JP 14770291A JP H04371009 A JPH04371009 A JP H04371009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ground
- terminal
- input
- electrode
- protective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 31
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧電基板にトランスジュ
ーサ等を形成した弾性表面波フィルタ、特に、それぞれ
複数の入力トランスジューサと出力トランスジューサと
を有する、弾性表面波フィルタの製造方法に関する。
ーサ等を形成した弾性表面波フィルタ、特に、それぞれ
複数の入力トランスジューサと出力トランスジューサと
を有する、弾性表面波フィルタの製造方法に関する。
【０００２】近年、自動車電話機や携帯電話機に対する
需要が増大し、一層の小型，軽量化が要求されており、
その一環として高周波の弾性表面波フィルタが注目され
ている。
需要が増大し、一層の小型，軽量化が要求されており、
その一環として高周波の弾性表面波フィルタが注目され
ている。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来の多電極タイプ弾性表面波フ
ィルタの導体パターンを示す模式平面図（イ） と、そ
の導体パターンを保護層で覆った平面図（ロ） と、そ
のＡ−Ａ断面図（ハ） である。
ィルタの導体パターンを示す模式平面図（イ） と、そ
の導体パターンを保護層で覆った平面図（ロ） と、そ
のＡ−Ａ断面図（ハ） である。
【０００４】図４において、弾性表面波フィルタ素子１
は、例えば３６度Ｙ−Ｘリチウムタンタレート（ＬｉＴ
ａＯ３）単結晶の基板２の表面に、例えばアルミニウム
の薄膜（導体膜）より導体パターン３を形成する。導体
パターン３は、それぞれ複数の入力トランスジューサ４
と出力トランスジューサ５，入力端子６，出力端子７，
それぞれ複数の接地端子８と９等にて構成する。
は、例えば３６度Ｙ−Ｘリチウムタンタレート（ＬｉＴ
ａＯ３）単結晶の基板２の表面に、例えばアルミニウム
の薄膜（導体膜）より導体パターン３を形成する。導体
パターン３は、それぞれ複数の入力トランスジューサ４
と出力トランスジューサ５，入力端子６，出力端子７，
それぞれ複数の接地端子８と９等にて構成する。
【０００５】入力トランスジューサ４は、櫛歯状入力電
極１２と第１の櫛歯状接地電極１４とを組合せた構成で
あり、各入力トランスジューサ４の入力電極１２は第１
の引出し線１０によって入力端子６に接続し、各入力ト
ランスジューサ４の接地電極１４は第１の接地端子８に
接続する。
極１２と第１の櫛歯状接地電極１４とを組合せた構成で
あり、各入力トランスジューサ４の入力電極１２は第１
の引出し線１０によって入力端子６に接続し、各入力ト
ランスジューサ４の接地電極１４は第１の接地端子８に
接続する。
【０００６】出力トランスジューサ５は、櫛歯状出力電
極１３と第２の櫛歯状接地電極１５とを組合せた構成で
あり、各出力トランスジューサ５の出力電極１３は第２
の引出し線１１によって出力端子７に接続し、各出力ト
ランスジューサ５の接地電極１５は第２の接地端子９に
接続する。
極１３と第２の櫛歯状接地電極１５とを組合せた構成で
あり、各出力トランスジューサ５の出力電極１３は第２
の引出し線１１によって出力端子７に接続し、各出力ト
ランスジューサ５の接地電極１５は第２の接地端子９に
接続する。
【０００７】入力端子６と出力端子７および複数の接地
端子８と９の各外部接続部（ワイヤボンディング面）は
、例えばＳｉＯ２にてなる保護層１８に設けた窓１９内
に表呈するようになる。
端子８と９の各外部接続部（ワイヤボンディング面）は
、例えばＳｉＯ２にてなる保護層１８に設けた窓１９内
に表呈するようになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
ワイヤボンディングによって外部接続される導体パター
ン３の接地端子１５と１７は、電気的に独立したパター
ンであり、保護層１８は導体パターン３を形成したのち
、導体パターン３を覆う保護膜（ＳｉＯ２ 膜） をス
パッタリング等によって被着し、入力端子６と出力端子
７および接地端子１５，１７の接続面表呈用窓１９をフ
ォトリソグラフィ技術によって形成する。
ワイヤボンディングによって外部接続される導体パター
ン３の接地端子１５と１７は、電気的に独立したパター
ンであり、保護層１８は導体パターン３を形成したのち
、導体パターン３を覆う保護膜（ＳｉＯ２ 膜） をス
パッタリング等によって被着し、入力端子６と出力端子
７および接地端子１５，１７の接続面表呈用窓１９をフ
ォトリソグラフィ技術によって形成する。
【０００９】ところが、導体パターン３を形成した圧電
基板２は焦電性を有するため、保護膜の被着およびその
窓あけ時の加熱によって電位差が生じ易く、特に、自動
車電話機や携帯電話機用として ８００ＭＨｚ 程度の
高周波数用導体パターン３は、入力電極１２，出力電極
１３，接地電極１４， 接地電極１６の各櫛歯幅および
その間隔が１．２μｍ 程度になる。そのため、入力電
極１２，出力電極１３，接地電極１４， 接地電極１６
の一部が、基板２の焦電性，絶縁層の形成に伴う温度変
化，電気的独立パターンの形成に起因する放電によって
切断され易く、そのことで製造歩留りが低下するという
問題点があった。
基板２は焦電性を有するため、保護膜の被着およびその
窓あけ時の加熱によって電位差が生じ易く、特に、自動
車電話機や携帯電話機用として ８００ＭＨｚ 程度の
高周波数用導体パターン３は、入力電極１２，出力電極
１３，接地電極１４， 接地電極１６の各櫛歯幅および
その間隔が１．２μｍ 程度になる。そのため、入力電
極１２，出力電極１３，接地電極１４， 接地電極１６
の一部が、基板２の焦電性，絶縁層の形成に伴う温度変
化，電気的独立パターンの形成に起因する放電によって
切断され易く、そのことで製造歩留りが低下するという
問題点があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】弾性表面波フィルタの製
造歩留り改善を目的とした本発明は、その実施例を図１
によれば、圧電基板 （ウエーハ） ２１の表面に被着
した導体膜より外部接続用入力端子６，櫛歯状の入力電
極１２と櫛歯状の第１の接地電極１４とを組み合わせた
複数の入力トランスジューサ４，入力端子６と複数の該
入力電極１２とを接続する第１の引出し線１０， 第１
の接地電極１４が接続する複数の第１の接地端子８，外
部接続用出力端子７，櫛歯状の出力電極１３と櫛歯状の
第２の接地電極１５とを組み合わせた複数の出力トラン
スジューサ５，出力端子７と複数の該出力電極１３とを
接続する第２の引出し線１１， 第２の接地電極１５が
接続する複数の第２の接地端子９，第１の接地端子８と
第２の引出し線１１とを接続する第１の接続線２７，
第２の接地端子９と第１の引出し線１０とを接続する第
２の接続線２６を具えた導体パターン２２を形成し、入
力端子６，出力端子７，複数の第１の接地端子８，複数
の第２の接地端子９の外部接続面および、該第１の接続
線２７と第２の接続線２６の中間部を表呈せしめて導体
パターン２２を覆う保護層２９を形成したのち、表呈す
る接続線２６，２７ の中間部を切断することを特徴と
する。
造歩留り改善を目的とした本発明は、その実施例を図１
によれば、圧電基板 （ウエーハ） ２１の表面に被着
した導体膜より外部接続用入力端子６，櫛歯状の入力電
極１２と櫛歯状の第１の接地電極１４とを組み合わせた
複数の入力トランスジューサ４，入力端子６と複数の該
入力電極１２とを接続する第１の引出し線１０， 第１
の接地電極１４が接続する複数の第１の接地端子８，外
部接続用出力端子７，櫛歯状の出力電極１３と櫛歯状の
第２の接地電極１５とを組み合わせた複数の出力トラン
スジューサ５，出力端子７と複数の該出力電極１３とを
接続する第２の引出し線１１， 第２の接地電極１５が
接続する複数の第２の接地端子９，第１の接地端子８と
第２の引出し線１１とを接続する第１の接続線２７，
第２の接地端子９と第１の引出し線１０とを接続する第
２の接続線２６を具えた導体パターン２２を形成し、入
力端子６，出力端子７，複数の第１の接地端子８，複数
の第２の接地端子９の外部接続面および、該第１の接続
線２７と第２の接続線２６の中間部を表呈せしめて導体
パターン２２を覆う保護層２９を形成したのち、表呈す
る接続線２６，２７ の中間部を切断することを特徴と
する。
【００１１】
【作用】上記手段によれば、保護層形成時点において接
地端子および接地電極は、引出し線に接続している。従
って、焦電性を有する基板に形成した導体パターンは、
保護層の形成に伴う温度変化が生じても電位差が発生せ
ず、焦電破壊が起こらないようになる。
地端子および接地電極は、引出し線に接続している。従
って、焦電性を有する基板に形成した導体パターンは、
保護層の形成に伴う温度変化が生じても電位差が発生せ
ず、焦電破壊が起こらないようになる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の実施例に係わる導体パターン
の説明図、図２は図１に示す導体パターンの接続線の切
断方法の説明図、図３は図１に示す導体パターンおよび
その保護層の主要製造工程の説明図である。
の説明図、図２は図１に示す導体パターンの接続線の切
断方法の説明図、図３は図１に示す導体パターンおよび
その保護層の主要製造工程の説明図である。
【００１３】図１（イ） において、例えば３６度Ｙ−
Ｘリチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）単結晶より切
り出したウエーハ（基板）２１の表面にアルミニウム膜
（導電膜） を被着し、フォトリソグラフィ技術によ
って該アルミニウム膜を選択的に除去し、多数 （図は
２１個） の導体パターン２２を形成する。多数の導体
パターン２２は、多数の接続線２４によってＸ−Ｙ方向
の隣接間およびウエーハ２１の外周部に残るアルミニウ
ム層２５に接続する。
Ｘリチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）単結晶より切
り出したウエーハ（基板）２１の表面にアルミニウム膜
（導電膜） を被着し、フォトリソグラフィ技術によ
って該アルミニウム膜を選択的に除去し、多数 （図は
２１個） の導体パターン２２を形成する。多数の導体
パターン２２は、多数の接続線２４によってＸ−Ｙ方向
の隣接間およびウエーハ２１の外周部に残るアルミニウ
ム層２５に接続する。
【００１４】導体パターン２２の詳細を示す図１（ロ）
において、ウエーハ２１の複数の各導体パターン領域
２８に形成した導体パターン２２は、外部接続用入力端
子６，櫛歯状の入力電極１２と櫛歯状の第１の接地電極
１４とを組み合わせた複数の入力トランスジューサ４，
入力端子６と複数の入力電極１２とを接続する第１の引
出し線１０，複数の第１の接地端子１４が接続する第１
の接地電極８，外部接続用出力端子７，櫛歯状の出力電
極１３と櫛歯状の第２の接地電極１５とを組み合わせた
複数の出力トランスジューサ５，出力端子７と複数の出
力電極１３とを接続する第２の引出し線１１，複数の第
２の接地電極１５が接続する第２の接地端子９，第２の
接地端子９と第１の引出し線１０とを接続する第２の接
続線２６，第１の接地端子８と第２の引出し線１１とを
接続する第１の接続線２７にて構成する。
において、ウエーハ２１の複数の各導体パターン領域
２８に形成した導体パターン２２は、外部接続用入力端
子６，櫛歯状の入力電極１２と櫛歯状の第１の接地電極
１４とを組み合わせた複数の入力トランスジューサ４，
入力端子６と複数の入力電極１２とを接続する第１の引
出し線１０，複数の第１の接地端子１４が接続する第１
の接地電極８，外部接続用出力端子７，櫛歯状の出力電
極１３と櫛歯状の第２の接地電極１５とを組み合わせた
複数の出力トランスジューサ５，出力端子７と複数の出
力電極１３とを接続する第２の引出し線１１，複数の第
２の接地電極１５が接続する第２の接地端子９，第２の
接地端子９と第１の引出し線１０とを接続する第２の接
続線２６，第１の接地端子８と第２の引出し線１１とを
接続する第１の接続線２７にて構成する。
【００１５】そして、入力端子６，出力端子７，最端部
の接地端子８および引出し線１０の左右方向端部からは
、隣接する導体パターン２２に接続する接続線２４が延
在する。次いで、導体パターン２２を覆う保護層を形成
したのち、該保護層より表呈する接続線２６，２７ お
よび２４の中間部を、例えばエッチングによって図１（
ハ） に示す如く切断したのち、それぞれが導体パター
ン２２を含むようにウエーハ２１を分割し、弾性表面波
フィルタ素子が完成する。
の接地端子８および引出し線１０の左右方向端部からは
、隣接する導体パターン２２に接続する接続線２４が延
在する。次いで、導体パターン２２を覆う保護層を形成
したのち、該保護層より表呈する接続線２６，２７ お
よび２４の中間部を、例えばエッチングによって図１（
ハ） に示す如く切断したのち、それぞれが導体パター
ン２２を含むようにウエーハ２１を分割し、弾性表面波
フィルタ素子が完成する。
【００１６】図２において、ウエーハ２１の表面の各導
体パターン領域２８に導体パターン２２を形成したのち
、その上に形成した保護層２９には、図２（イ） に示
す如く接続線２６，２７ の中間部を表呈させる透孔３
０と、端子６，７，８，９ を表呈させる透孔３１およ
び接続線２４の中間部を表呈させる透孔３２を設ける。 そして、透孔３０内に表呈する接続線２６，２７ の中
間部および透孔３２内に表呈する接続線２４の中間部を
、例えばエッチングによって切断 （溶断） すると、
図２（ロ） および（ハ） に示す如く、透孔３１内に
端子６，７，８，９ の外部接続部が表呈する導体パタ
ーン２２が完成する。
体パターン領域２８に導体パターン２２を形成したのち
、その上に形成した保護層２９には、図２（イ） に示
す如く接続線２６，２７ の中間部を表呈させる透孔３
０と、端子６，７，８，９ を表呈させる透孔３１およ
び接続線２４の中間部を表呈させる透孔３２を設ける。 そして、透孔３０内に表呈する接続線２６，２７ の中
間部および透孔３２内に表呈する接続線２４の中間部を
、例えばエッチングによって切断 （溶断） すると、
図２（ロ） および（ハ） に示す如く、透孔３１内に
端子６，７，８，９ の外部接続部が表呈する導体パタ
ーン２２が完成する。
【００１７】以下に、図３を用いて保護層と接続線２４
の切断工程を説明する。図３（イ） において、接続線
２４，２６，２７で所要間が接続された多数の導体パタ
ーン２２をウエーハ２１の表面に形成したのち、図３（
ロ） に示す如くそれらの上に保護膜３３を被着させる
。次いで、エッチングによっで図３（ハ） に示す如く
、保護膜３３に透孔３０，３１，３２を形成し、各種端
子６，７，８，９ の中央部および接続線２４，２６，
２７の中間部を表呈させたのち、図３（ニ） に示す如
く、透孔３０と３２が表呈するレジストマスク３４を形
成する。次いで図３（ホ） に示す如く、透孔３０内に
表呈する接続線２６，２７ の中間部および、透孔３２
内に表呈する接続線２４の中間部を溶去し、レジストマ
スク３４を除去すると導体パターン２２が完成する。
の切断工程を説明する。図３（イ） において、接続線
２４，２６，２７で所要間が接続された多数の導体パタ
ーン２２をウエーハ２１の表面に形成したのち、図３（
ロ） に示す如くそれらの上に保護膜３３を被着させる
。次いで、エッチングによっで図３（ハ） に示す如く
、保護膜３３に透孔３０，３１，３２を形成し、各種端
子６，７，８，９ の中央部および接続線２４，２６，
２７の中間部を表呈させたのち、図３（ニ） に示す如
く、透孔３０と３２が表呈するレジストマスク３４を形
成する。次いで図３（ホ） に示す如く、透孔３０内に
表呈する接続線２６，２７ の中間部および、透孔３２
内に表呈する接続線２４の中間部を溶去し、レジストマ
スク３４を除去すると導体パターン２２が完成する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明方法によれば
、保護層形成時点において接地端子および接地電極は、
引出し線に接続している。従って、焦電性を有する基板
に形成した導体パターンは、保護層の形成に伴う温度変
化が生じても、電位差が発生せず焦電破壊が起こらない
ようになり、弾性表面波フィルタの製造歩留りが向上す
る。
、保護層形成時点において接地端子および接地電極は、
引出し線に接続している。従って、焦電性を有する基板
に形成した導体パターンは、保護層の形成に伴う温度変
化が生じても、電位差が発生せず焦電破壊が起こらない
ようになり、弾性表面波フィルタの製造歩留りが向上す
る。
【図１】 本発明の実施例に係わる導体パターンの説
明図である。
明図である。
【図２】 図１に示す導体パターンの接続線の切断方
法の説明図である。
法の説明図である。
【図３】 図１に示す導体パターンとその保護層の主
要製造工程の説明図である。
要製造工程の説明図である。
【図４】 従来の多電極タイプ弾性表面波フィルタの
説明図である。
説明図である。
４は入力トランスジューサ
５は出力トランスジューサ
６は外部接続用入力端子
７は外部接続用出力端子
８は第１の接地端子
９は第２の接地端子
１０は第１の引出し線
１１は第２の引出し線
１２は櫛歯状入力電極
１３は櫛歯状出力電極
１４は櫛歯状の第１の接地電極
１５は櫛歯状の第２の接地電極
２１は圧電基板 （ウエーハ）
２２は圧電基板に形成した導体パターン２４，２６，２
７は接続線 ２８は圧電基板の導体パターン形成領域２９は保護層
７は接続線 ２８は圧電基板の導体パターン形成領域２９は保護層
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板（２１）の表面に被着した導
体膜より外部接続用入力端子（６），櫛歯状の入力電極
（１２）と櫛歯状の第１の接地電極（１４）とを組み合
わせた複数の入力トランスジューサ（４），該入力端子
（６） と複数の該入力電極（１２）とを接続する第１
の引出し線（１０）， 該第１の接地電極（１４）が接
続する複数の第１の接地端子（８），外部接続用出力端
子（７），櫛歯状の出力電極（１３）と櫛歯状の第２の
接地電極（１５）とを組み合わせた複数の出力トランス
ジューサ（５），該出力端子（７） と複数の該出力電
極（１３）とを接続する第２の引出し線（１１）， 該
第２の接地電極（１５）が接続する複数の第２の接地端
子（９），該第１の接地端子（８） と該第２の引出し
線（１１）とを接続する第１の接続線（２７）， 該第
２の接地端子（９） と該第１の引出し線（１０）とを
接続する第２の接続線（２６）を具えた導体パターン（
２２）を形成し、該入力端子（６），出力端子（７），
複数の第１の接地端子（８），複数の第２の接地端子（
９） の外部接続面および該第１，第２の接続線（２７
，２６） の中間部を表呈せしめて該導体パターン（２
２）を覆う保護層（２９）を形成したのち、表呈する該
第１，第２の接続線（２７，２６） の中間部を切断す
ることを特徴とした弾性表面波フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14770291A JPH04371009A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 弾性表面波フィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14770291A JPH04371009A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 弾性表面波フィルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04371009A true JPH04371009A (ja) | 1992-12-24 |
Family
ID=15436320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14770291A Pending JPH04371009A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 弾性表面波フィルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04371009A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034578A (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-07 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with closely spaced discharge electrodes electrically independent of the interdigital transducers |
| US6557225B2 (en) * | 2000-04-13 | 2003-05-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing surface acoustic wave device |
| US6722951B2 (en) | 2000-05-22 | 2004-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for lapping and a lapping apparatus |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP14770291A patent/JPH04371009A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034578A (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-07 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with closely spaced discharge electrodes electrically independent of the interdigital transducers |
| US6557225B2 (en) * | 2000-04-13 | 2003-05-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing surface acoustic wave device |
| DE10118408B4 (de) * | 2000-04-13 | 2012-03-01 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements |
| US6722951B2 (en) | 2000-05-22 | 2004-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for lapping and a lapping apparatus |
| US6835119B2 (en) | 2000-05-22 | 2004-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for lapping and a lapping apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4008264B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP4451587B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP3703437B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP4008265B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| US7479852B2 (en) | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device | |
| JP3368885B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| KR20020052958A (ko) | 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP5275153B2 (ja) | 弾性波デバイスの製造方法 | |
| JP2005117151A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 | |
| JPH04371009A (ja) | 弾性表面波フィルタの製造方法 | |
| JP3189719B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| TWI740741B (zh) | 藍姆波諧振器及其製作方法 | |
| JPH0491508A (ja) | 弾性表面波デバイスとその製造方法 | |
| JP3398631B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ用圧電体ウエハおよび弾性表面波フィルタの製造方法 | |
| JP2000077967A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH05160664A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法及び弾性表面波デバイス | |
| JPH0251284B2 (ja) | ||
| JP2000013165A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| JPH11312942A (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
| JP2000059165A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| JPS6120409A (ja) | 表面弾性波素子の製造方法 | |
| KR100484078B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법과 이것을 이용한 전자부품 | |
| JPH06132758A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JPH0955574A (ja) | 電極形成方法 | |
| CN114614787A (zh) | 兰姆波谐振器及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000711 |