DE19909089A1 - Dielektrische keramische Zusammensetzungen - Google Patents
Dielektrische keramische ZusammensetzungenInfo
- Publication number
- DE19909089A1 DE19909089A1 DE19909089A DE19909089A DE19909089A1 DE 19909089 A1 DE19909089 A1 DE 19909089A1 DE 19909089 A DE19909089 A DE 19909089A DE 19909089 A DE19909089 A DE 19909089A DE 19909089 A1 DE19909089 A1 DE 19909089A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- dielectric
- compositions
- dielectric ceramic
- sintering
- ceramic composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 23
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 title abstract 2
- RPEUFVJJAJYJSS-UHFFFAOYSA-N zinc;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [Zn+2].[O-][Nb](=O)=O.[O-][Nb](=O)=O RPEUFVJJAJYJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 title description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 claims description 5
- -1 B 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Inorganic materials O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 33
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 4
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/66—Monolithic refractories or refractory mortars, including those whether or not containing clay
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft dielektrische keramische Zusammensetzungen für Mikrowellenanwendungen, die durch (1-x) ZnNb¶2¶O¶6¶-xTiO¶2¶ und mit Molanteilen von TiO¶2¶ (x = 0,2 bis 0,8) angegeben werden. CuO wird mit 0,5 bis 12 Gew.-% des Gesamtgewichts der Zusammensetzungen zu den Zusammensetzungen hinzugegeben. Zumindest ein zusätzlicher Stoff, der aus V¶2¶O¶5¶, Sb¶2¶O¶5¶, Bi¶2¶O¶3¶, B¶2¶O¶3¶, NiO, WO¶3¶, AgNO¶3¶, ZnO und MgO ausgewählt wird, wird mit 0,05 bis 5,0 Gew.-% des Gesamtgewichts zu den Zusammensetzungen hinzugegeben. Diese haben gute Sinter- und dielektrische Eigenschaften und werden durch einfache Herstellungsverfahren hergestellt und verringern die Herstellungskosten.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft dielektrische keramische
Zusammensetzungen für Mikrowellenanwendungen und insbesondere
dielektrische keramische Zusammensetzungen für
Mikrowellenvorrichtungen wie solche, die z. B. einen
dielektrischen Resonator aufweisen, der zum Betrieb im
Mikrowellenfrequenzbereich ausgelegt ist.
Seit kurzem hat sich ein wachsendes Interesse in
Telekommunikationsbereichen wie der Mobilkommunikation und der
Satellitenkommunikation auf dielektrische Keramikvorrichtungen
für Mikrowellenanwendungen gerichtet. Insbesondere mobile
Kommunikationsanlagen, einschließlich Autotelefone,
Mobiltelefone, Pager und globale Positionsbestimmungssysteme
(GPS) verwenden verschiedene dielektrische Materialien für
Mikrowellen, die eine Vielzahl verschiedener elektrischer und
physikalischer Eigenschaften wie beispielsweise eine hohe
absolute Dielektrizitätskonstante (ε), einen hohen
Qualitätsfaktor (Q), einen geringen Temperaturkoeffizienten
(τf) sowie gute Sintereigenschaften besitzen müssen.
Untersuchungen, die dielektrische Zusammensetzungen für
Mikrowellenanwendungen betreffen, sind auf dielektrische
Zusammensetzungen des TiO2-Typs gerichtet worden. Als Ergebnis
wurde ermittelt, dass dielektrische Zusammensetzungen auf TiO2-
Basis einschließlich Ba2Ti9O20, (Zr, Sn) TiO4, BaO-Re2O3-TiO2 (Re:
seltenes Erdmetall) und BaO-Nd2O3-TiO2 (BNT-Typ) zusammen mit
Dielektrika mit einer komplexen Perowskitstruktur wie
Ba (Mg1/3Ta2/3) O3, Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 und Ba(Mg1/3Nb2/3)O3 für den obigen
Anwendungstyp geeignet sind. Weiterhin sind Anstrengungen auf
die Entwicklung von neuen dielektrischen Materialien gerichtet
worden, die unter Verwendung von festen Lösungen von 2 oder
mehr keramischen Zusammensetzungen mit Perowskitstruktur
hergestellt werden.
Die Dielektrika des BNT-Typs weisen jedoch dahingehend
Probleme auf, dass sie einen Q-Faktor haben, der kleiner als
der anderer Dielektrika bezüglich hoher Frequenzen ist und eine
beschränkte Resonanzfrequenz unterhalb 1 GHz zeigen. Weiterhin
ist Nd2O3 ein Seltenerdmetall, das verglichen mit anderen
Elementen teuer ist.
Bei Dielektrika des (Zr, Sn) TiO4-Typs, die aufgrund ihres
hohen Q-Faktors und ihrer stabilen Temperatureigenschaften
häufig verwendet werden, liegt die absolute
Dielektrizitätskonstante im Bereich von 30 bis 40, der Q-Faktor
beträgt ungefähr 8.000 bei 4 GHz und der Temperaturkoeffizient
der Resonanzfrequenz liegt im Bereich von -30 bis +30 ppm/°C.
Diese Zusammensetzung, die durch eine allgemeine
Festphasenreaktion hergestellt wird, wird jedoch bei einer
Sintertemperatur oberhalb von 1.600°C gesintert und ist bei
niedrigen Temperaturen ohne die Zugabe von Sintermitteln wie
CuO, Co2O3, ZnO und dergleichen schwierig zu sintern. Die
Zugabe von Sintermitteln beeinträchtigt jedoch die
physikalischen Eigenschaften der keramischen Zusammensetzung.
Obwohl verschiedene Flüssigphasenverfahren für
Pulversynthesen verwendet werden (z. B. Sol-Gel-, Alkoxid- und
Copräzipitationsverfahren), sind diese Verfahren zu komplex, um
ökonomisch durchgeführt zu werden, und führen zu einem Anstieg
der Produktionskosten.
Dielektrika von keramischen Zusammensetzungen des komplexen
Perowskittyps, z. B. Ba(Zn1/3Ta2/3)O3, sind aufgrund einer
Sintertemperatur oberhalb 1.550°C ebenfalls schwierig zu
sintern. Weiterhin ist es schwierig, die zahlreichen
Verfahrensfaktoren zu kontrollieren, wenn Mittel wie BaZrO3 und
Mn hinzugegeben werden, um die Sintertemperatur zu erniedrigen.
Da die Größe von elektronischen Ausrüstungsgegenständen wie
dielektrischen Filtern kleiner wird, sind
Mehrschichtenvorrichtungen für die notwendige Miniaturisierung
in Betracht gezogen worden. Die Herstellung von solchen
Anordnungen erfordert jedoch, dass das dielektrische Material
und die Elektroden zusammen gebrannt werden müssen. Um
preiswerte Ag oder Cu Elektroden zu verwenden, muß das
dielektrische Material eine niedrige Sintertemperatur
aufweisen. Aus diesem Grund ist es weiterhin notwendig, neue
dielektrische keramische Zusammensetzungen zu entwickeln, die
gute Sintereigenschaften haben und einfache Zusammensetzungen
sowie zumindest immer noch die Eigenschaften von
konventionellen dielektrischen keramischen Zusammensetzungen
haben, die für Mikrowellenanwendungen notwendig sind.
Aus dieser Notwendigkeit heraus sind bislang verschiedene
dielektrische keramische Zusammensetzungen offenbart worden.
Zum Beispiel wurde Glas zu den dielektrischen keramischen
Zusammensetzungen des BaO-PbO-Nd2O3-TiO2-Typs (Sintertemperatur
von 1.300°C) hinzugegeben, was zu einem Absinken der
Sintertemperatur auf 900°C führt. Diese Zusammensetzungen
besitzen eine absolute Dielektrizitätskonstante von 67, einen
hohen Qualitäts Q Faktor von 570 bei 5,1 GHz und einen
Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz von 20 ppm/°C.
Daneben wird Glas zu dielektrischen Zusammensetzungen des
CaZrO3-Typs (Sintertemperatur von 1.350°C) hinzugegeben, um die
Sintertemperatur auf 980°C zu erniedrigen, und diese
dielektrischen Zusammensetzungen besitzen eine absolute
Dielektrizitätskonstante bis 25, einen Q Faktor von 700 bei 5,1
GHz und einen Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz von
10 ppm/°C.
Weiterhin offenbart das US-Patent 5,756,412 der Erfinder
hier dielektrische keramische Zusammensetzungen von ZnNb2O6, zu
denen ein Sintermittel wie CuO, V2O5, Bi2O3, Sb2O3 und
dergleichen hinzugegeben wird und daher die Sintertemperatur
auf unter 900°C erniedrigt wird.
Obwohl die keramischen Zusammensetzungen des ZnNb2O6-Typs
gute dielektrische Eigenschaften besitzen, ist der
Temperaturkoeffizient der Resonanzfrequenz relativ groß
(negativer Wert), so dass ein Limit für tatsächliche
Anwendungen für dielektrische Materialien besteht.
Die vorliegende Erfindung stellt eine Verbesserung des US-
Patents 5,756,412 dar, und, da TiO2 gute dielektrische
Eigenschaften wie eine hohe absolute Dielektrizitätskonstante
und einen hohen Q-Faktor sowie einen signifikant großen
positiven Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz besitzt,
wird ZnNb2O6 mit TiO2 in einem geeigneten Molverhältnis
gemischt, so dass die erfinderischen dielektrischen
Zusammensetzungen Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz
zeigen, die in einem geeigneten Bereich kontrolliert werden
können, und dabei werden gute Sintereigenschaften in einem
wünschenswerten Maß beibehalten.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, dielektrische
keramische Zusammensetzungen für Mikrowellenanwendungen
bereitzustellen, die gute Sinter- und dielektrische
Eigenschaften besitzen und durch ein einfaches
Herstellungsverfahren hergestellt werden, und die
Produktionskosten zu erniedrigen.
Als Lösung dieser Aufgabe offenbart die vorliegende
Erfindung eine dielektrische keramische Zusammensetzung für
Mikrowellenanwendungen, die durch (1-x) ZnNb2O6-x TiO2
beschrieben wird, wobei der Molanteil von TiO2, x, im Bereich
von 0,2 bis 0,8 liegt. Dazu wird CuO im Bereich von 0,5 bis
12,0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung,
zu den Zusammensetzungen hinzugefügt. Zumindest eine
zusätzliche Verbindung aus der Gruppe von V2O5, Sb2O5, Bi2O3,
B2O3, NiO, WO3, AgNO3, ZnO und MgO wird in einem Gehalt von 0,05
bis 5,0 Gew.-% des Gesamtgewichtes zu den Zusammensetzungen
hinzugegeben.
Es sollte selbstverständlich sein, dass sowohl die
vorhergehende allgemeine Beschreibung und die nachfolgende
ausführliche Beschreibung beispielhaft und erklärend sind und
die beanspruchte Erfindung näher erklären sollen.
Der Grund, warum der Molanteil x im Bereich von 0,2 bis 0,8
liegt, ist der folgende. Wenn x kleiner als 0,2 ist, wird der
Molanteil von TiO2 zu klein und der Temperaturkoeffizient der
Resonanzfrequenz nimmt einen zu stark negativen Wert an, was
nicht wünschenswert ist. Wenn x weiterhin größer als 0,8 ist,
nimmt der Temperaturkoeffizient einen zu großen positiven Wert
an, was ebenfalls nicht wünschenswert ist. Daher können gemäß
der vorliegenden Erfindung dielektrische keramische
Zusammensetzungen mit guten Dielektrizitäts- und
Sintereigenschaften erhalten werden, indem der Bereich von x
geeignet definiert wird.
Es können verschiedene Sintermittel zu den dielektrischen
keramischen Zusammensetzungen hinzugegeben werden, um die
Dielektrizitäts- und/oder Sintereigenschaften zu verbessern.
Insbesondere trägt CuO zu einer Abnahme der Sintertemperatur
der Zusammensetzungen bei, und die davon zugegebene Menge
beträgt vorzugsweise 0,5 bis 12,0 Gew.-% des Gewichts der
gesamten Zusammensetzung. Wenn die Menge von CuO kleiner als
0,5 Gew.-% ist, trägt CuO nicht mehr in befriedigender Weise zu
der Abnahme der Sintertemperatur bei. Wenn die Menge von CuO
größer als 12 Gew.-% ist, beeinträchtigt CuO die dielektrischen
Eigenschaften nachteilig (erniedrigt z. B. den Q-Faktor).
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird zumindest ein anderer
Stoff als CuO, der aus V2O5, Sb2O5, Bi2O3, B2O3, NiO, WO3, AgNO3,
ZnO und MgO ausgewählt wird, zu den dielektrischen keramischen
Zusammensetzungen hinzugegeben, um die Dielektrizitäts- und
Sintereigenschaften der Zusammensetzungen zu verbessern.
Vorzugsweise ist die Menge der Zusatzmittel auf 0,05 bis 5
Gew.-% begrenzt, um zu verhindern, dass die dielektrischen
Eigenschaften erniedrigt werden.
Pulverisiertes reines Nb2O5 und ZnO, die als
Ausgangsmaterialien verwendet werden, wurden quantitativ
eingewogen und zusammen mit gereinigtem Wasser in einer ZrO2-
Kugelmühle miteinander vermischt. Nachdem sie für 24 Stunden
nass vermahlen wurden, wurde die Mischung durch Aufsprühen auf
eine heiße Platte rasch getrocknet, um eine Aufteilung des
Pulvers gemäß dem spezifischen Gewicht zu verhindern. Um
ZnNb2O6-Pulver zu erhalten, wurden die getrockneten Pulver in
einem Aluminiumtiegel bei 1.000°C für 2 Stunden calciniert.
Danach wurden gereinigte TiO2-Pulver zu den ZNb2O6Pulvern hinzu
gegeben. Weiterhin wurde zumindest ein Stoff aus der Gruppe von
CuO, V2O5, Sb2O5, Bi2O3, B2O3, NiO, WO3, AgNO3, ZnO und MgO als
Additiv hinzugegeben, um bei niedriger Temperatur gesinterte
dielektrische Zusammensetzungen zu erhalten. Nach Trocknung bei
moderater Luftfeuchtigkeit in einem Ofen bei 100°C wurde das
vermischte Material unter einem Druck von 1.000 kg/cm zu einer.
Scheibe von 100 mm × 3 mm geformt und bei 1.000°C für zwei
Stunden gesintert. Die Temperatur wurde während des
Calcinierens oder des Sinterns um 5°C pro Minute erhöht, und
anschließend wurden die Pulver abgekühlt.
Auf diese Weise wurden Proben mit verschiedenen
Zusammensetzungen, wie in Tabellen 1 bis 4 gezeigt, erhalten.
Der Q-Faktor und die absolute Dielektrizitätskonstante (e) von
jeder Probe wurden mit dem Hakki-Coleman Post-
Resonatorverfahren unter Verwendung eines Netzwerkanalysators
(HP 8510) gemessen und der hohe Q-Faktor von einigen Proben
wurde unter Verwendung einer Kavitätsmethode gemessen.
Wie in Tabelle 1 gezeigt ist, werden die Zusammensetzungen
von (1-x) ZnNb2O6-xTiO2 zum Sintern bei 1.250 bis 1.300°C für 2
Stunden gehalten. Wenn der TiO2-Gehalt, x, mit einem positiven
Wert des Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz erhöht
wird, nimmt der Temperaturkoeffizient der Resonanzfrequenz auf
einen positiven Wert zu, und die absolute Dielektrizitäts
konstante wird ebenfalls erhöht, jedoch wird der
Qualitätsfaktor erniedrigt. Daher ist der Molanteil x von TiO2
ungefähr 0,55, die absolute Dielektrizitätskonstante beträgt 41
und der Qualitätsfaktor beträgt 23.300 oder mehr, um
sicherzustellen, dass der Temperaturkoeffizient der
Resonanzfrequenz im Bereich von Null liegt. Zusammensetzungen
mit guten dielektrischen Eigenschaften werden erhalten, wenn x
im Bereich von 0,4 bis 0,7 liegt.
Gemäß Tabelle 2 liegt x im Bereich von 0,4 bis 0,7 und wird CuO
zu den Zusammensetzungen hinzugegeben.
Tabelle 2 zeigt, dass das Sintern bei 900°C möglich ist,
wenn CuO zu den Zusammensetzungen von (1-x) ZnNb2O6-xTiO2
hinzugegeben wird. Wenn x ungefähr 0,55 beträgt, werden die
dielektrischen Eigenschaften durch die Menge von CuO (0,5 bis
12 Gew.-%) wenig verändert. Wenn CuO mit 2,0 Gew.-% zu den
Zusammensetzungen hinzugegeben wird, bei denen die
Sintereigenschaften am besten sind, ist die absolute
Dielektrizitätskonstante am höchsten und der Qualitätsfaktor
beträgt 20.000 oder mehr. Wenn allerdings die Menge von CuO
erhöht wird, wird der Qualitätsfaktor erniedrigt und der
Temperaturkoeffizient der Resonanzfrequenz wird auf einen
negativen Wert verändert. Demzufolge kann der Molanteil von
TiO2 erhöht werden, um die absolute Dielektrizitätskonstante zu
verbessern.
In Tabelle 3, wo × 0,55 ist (der Temperaturkoeffizient der
Resonanzfrequenz von (1-x) ZnNb2O6-xTiO2 = 0), wurde der
Zusatzstoff zur Verbesserung der Sintereigenschaften zusammen
mit 2 Gew.-% CuO mit jeweils 0,05 bis 5,0 Gew.-% einer aus
V2O5, Sb2O5, Bi2O3 und B2O3 ausgewählten Verbindung gemischt und
diese Komponenten wurden in die Zusammensetzung gegeben, und
dann die Sinter- und die elektrischen Eigenschaften der
dielektrischen Zusammensetzungen gemessen. Für jede der Zugaben
beträgt der Temperaturkoeffizient der Resonanzfrequenz ungefähr
± 10, und V2O5 und B2O3 erhöhen die Sintereigenschaften und die
absolute Dielektrizitätskonstante. Sb2O5 und Bi2O3 tragen zu
einem Anstieg des Qualitätsfaktors bei.
Tabelle 4 zeigt den Fall, wo 2 Gew.-% CuO und 2 Gew.-%
einer aus NiO, WO3, AgNO3, ZnO und MgO ausgewählten Verbindung
vermischt und zu den Zusammensetzungen hinzugegeben werden und
wo diese Zusätze zu einer Zunahme der dielektrischen
Eigenschaften beitragen können.
Gemäß den dielektrischen Eigenschaften der vorliegenden
dielektrischen Zusammensetzungen, die in Tabellen 2, 3 und 4
gezeigt sind, ist die Sintertemperatur 900°C oder niedriger.
Silber (Ag) kann als Elektrode bei dieser Temperatur verwendet
werden, und dies ist niedrigste Sintertemperatur von
dielektrischen Materialien, die gegenwärtig verfügbar sind. Die
absolute Dielektrizitätskonstante beträgt mehr als 40 und der
Q-Faktor beträgt 20.000 oder mehr und die vorliegenden
dielektrischen Zusammensetzungen sind anderen Dielektrika in
den elektrischen und physikalischen Eigenschaften überlegen.
Zusätzlich beträgt der Temperaturkoeffizient der Resonanz
frequenz ungefähr ± 10 und diese Temperatureigenschaften sind
wünschenswert.
Wie oben beschrieben, werden die dielektrischen
Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung mittels eines
einfachen Verfahrens hergestellt und mit preiswerten Ag-
Elektroden unterhalb 900°C gebrannt. Daher kann die vorliegende
Erfindung zur Herstellung eines stapelartigen (stack-type)
Dielektrikums, das für elektronische Stromkreisvorrichtungen
mit geringer Größe geeignet ist, verwendet werden.
Claims (3)
1. Eine dielektrische keramische Zusammensetzung für
Mikrowellenanwendungen mit der Formel, die durch
(1-x)ZnNb2O6-xTiO2 dargestellt wird, wobei der Molanteil von
TiO2x im Bereich von 0,2 bis 0,8 liegt.
2. Die dielektrische keramische Zusammensetzung gemäß
Anspruch 1, wobei CuO in einem Anteil von 0,5 bis 12,0 Gew.-%
des Gesamtgewichts der Zusammensetzung zu der Zusammensetzung
hinzugegeben wird.
3. Die dielektrische keramische Zusammensetzung gemäß
Anspruch 2, wobei zumindest ein Zusatzstoff aus der Gruppe von
V2O5, Sb2O5, Bi2O3, B2O3, NiO, WO3, AgNO3, ZnO und MgO in einem
Anteil von 0,05 bis 5,0 Gew.-% des Gesamtgewichts der
Zusammensetzung zu der Zusammensetzung hinzugegeben wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980029499A KR100292915B1 (ko) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | 유전체 세라믹 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19909089A1 true DE19909089A1 (de) | 2000-02-17 |
DE19909089C2 DE19909089C2 (de) | 2002-08-29 |
Family
ID=19544869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19909089A Expired - Fee Related DE19909089C2 (de) | 1998-07-22 | 1999-03-02 | Dielektrische keramische Zusammensetzungen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6242375B1 (de) |
JP (1) | JP2000044341A (de) |
KR (1) | KR100292915B1 (de) |
CN (1) | CN1152841C (de) |
DE (1) | DE19909089C2 (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100402469B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2003-10-22 | 안달 | 마이크로파 유전체 세라믹 조성물 |
KR100444223B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 유전체 세라믹 조성물 |
KR100454711B1 (ko) * | 2002-04-24 | 2004-11-05 | 주식회사 지믹스 | 마이크로파 유전체 세라믹 조성물 |
JP2007246340A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Yokowo Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
JP5128783B2 (ja) * | 2006-04-17 | 2013-01-23 | 株式会社ヨコオ | 高周波用誘電体材料 |
KR100806679B1 (ko) * | 2006-04-19 | 2008-02-26 | 한국과학기술연구원 | 온도특성 제어가 가능한 저온소성용 유전체 세라믹스조성물 |
CN101851091B (zh) * | 2010-04-14 | 2012-09-12 | 河北理工大学 | 抗温变复合高介电子材料及其制备方法 |
CN103492346B (zh) * | 2011-04-25 | 2015-05-27 | 京瓷株式会社 | 介电陶瓷及具备其的介质滤波器 |
CN102320825B (zh) * | 2011-08-16 | 2013-04-10 | 广西新未来信息产业股份有限公司 | 一种低温烧结微波介质陶瓷及其烧结方法 |
CN102603282B (zh) * | 2012-03-22 | 2013-06-19 | 桂林理工大学 | 超低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法 |
KR101994734B1 (ko) * | 2014-04-02 | 2019-07-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자부품 및 그 제조 방법 |
CN104291820B (zh) * | 2014-09-27 | 2016-01-13 | 桂林理工大学 | 近零谐振频率温度系数的低介电常数微波介质陶瓷AgNb5Bi2O16 |
CN104311026B (zh) * | 2014-10-21 | 2016-04-06 | 桂林理工大学 | 一种温度稳定型微波介电陶瓷ZnTi2V4O15及其制备方法 |
CN105000883A (zh) * | 2015-08-05 | 2015-10-28 | 天津大学 | 一种用于ltcc技术的中介温度稳定型微波介质陶瓷材料 |
CN107573056A (zh) * | 2017-09-24 | 2018-01-12 | 天津大学 | 谐振频率温度系数近零的微波介质材料及其制备方法 |
CN108341662A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-07-31 | 南京大学 | 一种低介电常数低损耗高频陶瓷基板材料的制备方法 |
CN110451959A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-11-15 | 哈尔滨工业大学 | 一种介电性能可调的高q微波介质陶瓷及其制备方法 |
CN113788676B (zh) * | 2021-11-03 | 2022-11-04 | 电子科技大学 | 一种低温共烧改性NiTa2O6基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN113860871B (zh) * | 2021-11-03 | 2022-12-13 | 电子科技大学 | 一种低温烧结改性NiO-Ta2O5基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60136103A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | 宇部興産株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
US5356843A (en) * | 1992-09-10 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions and dielectric resonators |
KR970001682B1 (ko) * | 1994-07-19 | 1997-02-13 | 한국과학기술연구원 | 고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법 |
KR100203515B1 (ko) | 1996-06-11 | 1999-06-15 | 김병규 | 고주파용 세라믹 유전체 조성물 |
KR100199301B1 (ko) * | 1997-04-09 | 1999-06-15 | 김병규 | 유전체 세라믹 조성물 |
-
1998
- 1998-07-22 KR KR1019980029499A patent/KR100292915B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-02-11 US US09/248,296 patent/US6242375B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-17 JP JP11038127A patent/JP2000044341A/ja active Pending
- 1999-03-02 DE DE19909089A patent/DE19909089C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-24 CN CNB991031733A patent/CN1152841C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100292915B1 (ko) | 2001-09-22 |
KR20000009225A (ko) | 2000-02-15 |
CN1152841C (zh) | 2004-06-09 |
US6242375B1 (en) | 2001-06-05 |
JP2000044341A (ja) | 2000-02-15 |
DE19909089C2 (de) | 2002-08-29 |
CN1242348A (zh) | 2000-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19909089C2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzungen | |
DE4028279C2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung | |
DE69212097T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung enthaltend Zinkoxid-Boroxid-Siliciumoxid Glass, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung als Resonator und Filter | |
DE60121386T2 (de) | Dielektrische Keramikzusammensetzung sowie Verfahren zu ihrer Herstellung und Vorrichtung für Kommunikationsgerät | |
DE69204621T2 (de) | Dielektrische, keramische Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung, und dielektrischer Resonator oder Filter. | |
DE19800353C2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung für Mikrowellenanwendungen | |
DE19622690B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Monolithischen Keramikkondensators | |
DE3615785C2 (de) | ||
EP2782881B1 (de) | Glaskeramik als dielektrikum im hochfrequenzbereich | |
DE19816138C2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung | |
DE3924563C2 (de) | Nicht-reduzierende dielektrische keramische Zusammensetzung | |
DE10035172B4 (de) | Keramikmasse und Kondensator mit der Keramikmasse | |
DE3331610C2 (de) | ||
EP1114007B1 (de) | Reduktionsstabile keramikmassen | |
DE102004010163A1 (de) | Dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei niedrigen Temperaturen und elektronische Teile | |
DE4005505A1 (de) | Monolithischer keramischer kondensator | |
DE69734047T2 (de) | Temperatur-unempfindliches kapazitives Element auf Basis von Tantaloxid und Aluminiumoxid | |
DE3444340C2 (de) | ||
DE3238858C2 (de) | In einem Bauteil eines Mikrowellenkreises einer Frequenz von bis zu 40 GHz zu verwendendes dielektrisches keramisches Material | |
DE4343029B4 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung für die Hochfrequenz | |
DE10042350C1 (de) | Keramikmaterial | |
DE3327768A1 (de) | Keramische zusammensetzungen mit hoher dielektrizitaetskonstante | |
DE3625463A1 (de) | Dielektrische keramische zusammensetzung | |
DE69113214T2 (de) | Sinterhilfsmittel. | |
DE3623152A1 (de) | Dielektrische keramische zusammensetzung fuer hohe frequenzen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |