DE3623152A1 - Dielektrische keramische zusammensetzung fuer hohe frequenzen - Google Patents
Dielektrische keramische zusammensetzung fuer hohe frequenzenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine dielektrische
keramische Zusammensetzung für hohe Frequenzen und insbesondere
eine dielektrische keramische Zusammensetzung,
die als Material für Schaltkreisplatten und Trägerelemente
nützlich ist, die in elektronischen Einrichtungen,
die für einen Betrieb im Bereich der Mikrowellen-
Frequenzen vorgesehen sind, eingesetzt werden beispielsweise
etwa integrierte Mikrowellenschaltungen, dielektrische
Resonatoren, Mikrowellenfilter und dergleichen.
In Hochfrequenz-Schaltkreiselementen, einschließlich
Mikrowellen-Einrichtungen, werden häufig schwach dielektrische
Materialien als Isolierung für Schaltkreis-
Komponenten verwendet. Beispielsweise besteht ein Mikrowellenfilter,
wie es in Fig. 2 dargestellt ist, aus
einem dielektrischen Resonator 1, einem schwach dielektrischen
Trägerglied 2 und einem keramischen Substrat 3,
das mit Streifenleitungen 4 versehen ist, die mittels
des von dem Resonator entweichenden elektromagnetischen
Feldes H mit dem Resonator elektromagnetisch gekoppelt
sind, und die ganze Einheit ist in einem Metall-Gehäuse
5 eingekapselt.
Je kleiner in solchen Mikrowellen-Einrichtungen das Herausdringen
des elektrischen Feldes durch das Trägerglied
ist, desto größer ist der ungeladene Q-Wert seines resonanten
Systems. Infolgedessen ist es erforderlich, daß
ein Material für die Trägerelemente eine niedrige Dielelektrizitätskonstante
und einen niedrigen dielektrischen
Verlustfaktor (tan δ) hat. Bisher wird Forsterit
am weitesten verbreitet als Material für Trägerelemente
verwendet, da er eine niedrige Dielektrizitätskonstante
von 6,5 hat. Wenngleich der Q-Wert von Forsterit etwa
3000 bei 10 GHz beträgt, besteht zunehmender Bedarf für
die Entwicklung dielektrischer Materialien mit höherem
Q-Wert.
Andererseits haben Aluminiumoxid-Keramiken, die hauptsächlich
als Material für Hochfrequenzschaltkreis-
Platten verwendet werden, eine hohe Biegefestigkeit von
etwa 294 N/mm2 (3000 kg/cm2), jedoch ist ihre Dielektrizitätskonstante
relativ hoch und liegt bei etwa 9,0 bis
90,5. In dem Fall, in dem Streifenleistungen mit hoher
Impedanz auf der Aluminiumoxid-Platte benötigt werden,
ist es erforderlich, die Breite der Streifenleitungen
klein zu machen (im allgemeinen weniger als 1 µm). Dies
bewirkt einen Bruch der Streifenleitungen, woraus eine
Zunahme schlechter Mikrowellen-Einrichtungen resultiert.
Die Impedanz der auf der keramischen Platte gebildeten
Streifenleitungen mit gegebener Dicke ist, grob gesagt,
der Breite der Streifenleitungen und der Dielektrizitätskonstante
des Substrats umgekehrt proportional.
Dementsprechend kann die Impedanz der Streifenleitungen
durch den Einsatz von Stoffen mit einer niedrigen
Dielektrizitätskonstante an Stelle einer Verringerung
der Breite der Streifenleitungen erhöht werden. Jedoch
können die schwach dielektrischen Materialien des Standes
der Technik wie beispielsweise Forsterit (ε: 6,5) und
Steatit (ε: 5,5-7,5) zu einer Verringerung der Zuverlässigkeit
der Mikrowellen-Einrichtungen führen, da ihre
Biegefestigkeit kleiner als 147 N/mm2 (1500 kg/cm2)
sind, was etwa weniger als die Hälfter derjenigen der
Aluminiumoxid-Keramiken ist.
Demgemäß ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung,
eine dielektrische keramische Zusammensetzung für hohe
Frequenzen verfügbar zu machen, die eine kleinere Dielektrizitätskonstante
als Aluminiumoxid-Keramiken und
eine größere Biegefestigkeit als Forsterit besitzt.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es,
eine dielektrische keramische Zusammensetzung für hohe
Frequenzen verfügbar zu machen, die einen beträchtlich
höheren Q-Wert als Forsterit hat.
Gemäß der vorliegenden Erfingung werden diese und andere
Ziele dadurch erreicht, daß eine dielektrische keramische
Zusammensetzung für hohe Frequenzen bereitgestellt
wird, die durch die allgemeine Formel
xMgO-yAl2O3-zSiO2
bezeichnet wird, in der x, y und z die prozentualen
Stoffmengen-Anteile ("Molprozente") der betreffenden
Komponenten sind, x + y + z = 100, 55 x 92,
1 y 15 und 7 z 44, wobei die Zusammensetzung
einen Satz Werte für x, y und z umfaßt, die in eine
Fläche fallen, die durch ein Polygon ABCD umschlossen
ist, das durch die Punkte A, B, C und D in Fig. 1
definiert ist, wobei die Sätze von x, y und z an den
Eckpunkten A, B, C und D des Polygons die folgenden
Werte haben:
Gemäß der vorliegenden Erfindung können die dielektrischen
Kennwerte, insbesondere der Q-Wert der obigen
Zusammensetzung, dadurch noch weiter verbessert werden,
daß 0,1 bis 10,0 Gew.-% LiO2 in die durch die vorstehende
allgemeine Formel bezeichnete Zusammensetzung eingearbeitet
werden.
Die Gründe für die Begrenzung der prozentualen Stoffmengen-
Anteile der drei Komponenten, d. h. x, y und z
auf die Bereiche innerhalb der oben bezeichneten Grenzen
sind folgende: Wenn der MgO-Gehalt kleiner als 55 Mol-%
ist, wird der Q-Wert kleiner, und gut gesinterte Körper
sind nur schwer erhältlich. Wenn der MgO-Gehalt 92 Mol-%
überschreitet, wird die Dielektrizitätskonstante hoch.
Infolgedessen ist der MgO-Gehalt auf einen Wert im Bereich
von 55 bis 92 Mol-% begrenzt. Wenn der Al2O3-
Gehalt kleiner als 1 Mol-% ist, wird der Q-Wert erniedrigt.
Wenn der Al2O3-Gehalt 15 Mol-% überschreitet,
können gut gesinterte Körper nicht erhalten werden, und
der Q-Wert wird erniedrigt. Aus diesen Gründen ist der
Al2O3-Gehalt auf einen Wert im Bereich von 1 bis
15 Mol-% begrenzt. Wenn der SiO2-Gehalt kleiner als
7 Mol-% ist, wird die Dielektrizitätskonstante groß.
Wenn der Gehalt 44 Mol-% überschreitet, wird der Q-Wert
gesenkt. Demgemäß ist der SiO2-Gehalt auf einen Wert im
Bereich von 7 bis 44 Mol-% beschränkt.
Der Zusatz von Lithiumoxid trägt zu einer Verbesserung
der elektrischen Charakteristika der Zusammensetzungen bei
und ermöglicht die Herstellung von Mikrowellen-Einrichtungen
mit höheren Q-Werten bei hohen Frequenzen. Die
zugesetzte Menge Lithiumoxid wird aus folgenden Gründen
auf den Bereich von 0,1 bis 10,0 Gew.-% begrenzt. Wenn
die Lithiumoxid-Menge kleiner als 0,1 Gew.-% ist, wird
der Q-Wert kaum verbessert. Wenn die Lithiumoxid-Menge
10 Gew.-% übersteigt, besteht die Gefahr, daß die Zusammensetzung
während des Sinterns schmilzt.
Die dielektrische keramische Zusammensetzung der vorliegenden
Erfindung hat einen hohen Q-Wert und eine hohe
Biegefestigkeit, die den entsprechenden Werten der
Aluminiumoxid-Keramiken vergleichbar sind, und sie hat
eine niedrige Dielektrizitätskonstante, die denjenigen
von Forsterit- und Steatit-Keramiken vergleichbar ist.
Dementsprechend macht es die Zusammensetzung der vorliegenden
Erfindung möglich, Hochfrequenz-Schaltkreis-
Elemente wie, beispielsweise, integrierte Mikrowellen-
Schaltkreise, mit hoher Impedanz und hoher Zuverlässigkeit
herzustellen.
Diese und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden
Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung
unter Bezugnahme auf mehrere erfindungsgemäße Beispiele
noch weiter hervor.
Fig. 1 zeigt ein ternäres Phasendiagramm, das die Fläche
der Zusammensetzung der dielektrischen keramischen Zusammensetzung
gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.
Fig. 2 zeigt eine schematische Schnittansicht eines
Mikrowellen-Oszillators, die durch einen dielektrischen
Resonator gesteuert wird.
Fig. 3 zeigt eine graphische Darstellung eines Röntgenbeugungsmusters
einer dielektrischen keramischen Zusammensetzung
der vorliegenden Erfindung.
Unter Einsatz von MgO, Al2O3 und SiO2 als Rohstoffe
wurden Mischungen mit den Verhältnissen der Zusammensetzung
hergestellt, die in Tabelle 1 angegeben sind. Die
erhaltenen Mischungen wurden 2 h nach dem Naßverfahren
vermahlen, entwässert, getrocknet, 2 h bei 1100°C calciniert
und dann pulverisiert. Das erhaltene Pulver wurde
mit einer geeigneten Menge Bindemittel granuliert und
dann unter einem Druck von 1962 bar (2000 kg/cm2) zu
Scheiben mit einem Durchmesser von 18 mm und einer Dicke
von 7 mm verpreßt. Die Scheiben wurden an der Luft 3 h
bei einer Temperatur im Bereich von 1400°C bis 1550°C
gebrannt, wodurch dielektrische keramische Probekörper
hergestellt wurden.
Für jede Probe wurden dielektrische Kennwerte im
Frequenzbereich von 8 bis 10 GHz in Resonanz-Schaltungen
gemessen. Die Biegefestigkeit wurde nach der Methode der
Dreipunkt-Aufhängung gemessen. Die Ergebnisse sind in
Tabelle 1 aufgeführt.
In Tabelle 1 sind mit einem Sternchen (*) gekennzeichnete
Proben solche mit einer Zusammensetzung, die außerhalb
des Umfangs der vorliegenden Erfindung liegt, während
die anderen Proben im Bereich der vorliegenden
Erfindung enthalten sind.
Wie aus den in Tabelle 1 aufgeführten Ergebnisse zu
entnehmen ist, hat die dielektrische keramische Zusammensetzung
gemäß der vorliegenden Erfindung eine niedrige
Dielektrizitätskonstante im Bereich von 6,4 bis 8,4
und hat einen hohen Q-Wert im Bereich von 3400 bis 15300
bei 10 GHz und eine hohe Biegefestigkeit im Bereich von
196 bis 265 N/mm2 (2000 bis 2700 kg/cm2), die den Werten
der Aluminiumoxid-Keramiken vergleichbar ist.
Für Probe Nr. 6 wurde die Kristallstruktur mittels
Röntgenbeugungsuntersuchung bestimmt. Wie in Fig. 3 gezeigt
ist, umfaßt die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung
Forsterit, Spinell und Magnesiumoxid. Die Zusammensetzung
der vorliegenden Erfindung besitzt selbst dann
einen hohen Q-Wert, wenn der größte Teil der Zusammensetzung
aus Forsterit besteht. Dies rührt von der Tatsache
her, daß die Keramiken im Bereich der vorliegenden
Erfindung ohne flüssige Phase gesintert werden, während
reiner Forsterit mit einem Q-Wert von 3000 in flüssiger
Phase gesintert wird.
Unter Einsatz von Mgo, Al2O3, SiO2 und LiCo3 als Rohstoffe
wurden Mischungen mit den Verhältnissen der Zusammensetzung
hergestellt, die in Tabelle 2 angegeben
sind. Die erhaltenen Mischungen wurden 2 h nach dem
Naßverfahren vermahlen, entwässert, getrocknet, 2 h bei
1100°C calciniert und dann pulverisiert. Das erhaltene
Pulver wurde mit einer geeigneten Menge Bindemittel
ganuliert und dann unter einem Druck von 1962 bar
(2000 kg/cm2) zu Scheiben mit einem Durchmesser von
18 mm und einer Dicke von 7 mm verpreßt. Die Scheiben
wurden an der Luft 3 h bei einer Temperatur im Bereich
von 1400°C bis 1550°C gebrannt, wodurch dielektrische
keramische Probekörper hergestellt wurden.
Für jede Probe wurden dielektrische Kennwerte und die
Biegefestigkeit in der gleichen Weise wie in Beispiel 1
gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 aufgeführt.
In Tabelle 2 sind mit einem Sternchen (*) gekennzeichnete
Proben solche mit einer Zusammensetzung, die außerhalb
des Umfangs der vorliegenden Erfindung liegt, während
die anderen Proben die im Bereich der vorliegenden
Erfindung enthaltenen sind.
Wie aus den in Tabelle 2 aufgeführten Ergebnissen zu
entnehmen ist, hat die Lithiumoxid enthaltende dielektrische
keramische Zusammensetzung eine niedrige Dielektrizitätskonstante
im Bereich von 6,3 bis 8,4 und eine
hohe Biegefestigkeit im Bereich von 196 bis 245 N/mm2
(2000 bis 2700 kg/cm2). Außerdem besitzt die Zusammensetzung
gemäß der vorliegenden Erfindung einen hohen
Q-Wert im Bereich von 4800 bis 21300 bei 10 GHz. Aus dem
Vergleich der Proben Nr. 16 bis 18 wird deutlich, daß
durch den Zusatz von LiO2 der Q-Wert beträchtlich
verbessert werden kann.
Claims (2)
1. Dielektrische keramische Zusammensetzung für hohe Frequenzen
der allgemeinen Formel
xMgO-yAl2O3-zSiO2,in der x, y und z die prozentualen Stoffmengen-Anteile
("Molprozente") der betreffenden Komponenten sind,
x + y + z = 100, 55 x 92, 1 y 15 und 7 z 44,
wobei die Zusammensetzung einen Satz Werte für x, y und
z umfaßt, die in eine Fläche fallen, die durch ein Polygon
ABCD umschlossen ist, das durch die Punkte A, B, C
und D in Fig. 1 definiert ist, wobei die Sätze von x, y
und z an den Eckpunkten A, B, C und D des Polygons die
folgenden Werte haben:
2. Dielektrische keramische Zusammensetzung nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß sie als Zusatzstoff 0,1
bis 10,0 Gew.-% LiO2 enthält.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=27304554
Family Applications (1)
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Country | Link |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |