DE19900603A1 - Elektronisches Halbleitermodul - Google Patents

Elektronisches Halbleitermodul

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Wolfgang Jacob
Harald Tschentscher
Stephan Rees
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Robert Bosch GmbH
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Abstract

Zur Verbesserung der Wärmeableitung und zur Reduzierung von parasitären Induktivitäten in einem elektronischen Halbleitermodul, welches ein Trägersubstrat mit einer elektrisch isolierenden Schicht, einer auf der Oberseite der isolierenden Schicht angeordneten Metallschicht, in der durch Strukturieren Leiterbahnen ausgebildet sind, und einen auf die Unterseite der isolierenden Schicht aufgebrachten metallischen Kühlkörper sowie wenigstens ein auf dem Trägersubstrat angeordnetes Halbleiterbauelement aufweist, wird vorgeschlagen, die elektrisch isolierende Schicht mit wenigstens einer Aussparung zu versehen und wenigstens eine auf der von dem Trägersubstrat abgewandten Oberseite des Halbleiterbaulementes vorgesehene Anschlußfläche mit einem Kontaktelement elektrisch zu verbinden, welches durch die Aussparung hindurch direkt auf den metallischen Kühlkörper kontaktiert ist.

Description

Stand der Technik
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Halbleitermodul mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Merkmalen.
Derartige Halbleitermodule weisen als Trägersubstrat ein so­ genanntes IMS-Substrat (Insulated metal substrat) auf, wel­ ches aus einer als Kühlkörper dienenden Metallplatte besteht, die auf ihrer Oberseite mit einer elektrisch isolierenden Schicht und einer auf die isolierende Schicht aufgebrachten dünnen Metallschicht versehen ist. Die isolierende Schicht weist eine gute Wärmeleitfähigkeit auf und besteht beispiels­ weise aus einer dünnen Polymerschicht, in die zur Verbesse­ rung der Wärmeableitung ein Keramikpulver eingebracht ist. Durch Strukturieren der Metallschicht sind auf der Oberseite des Substrats Leiterbahnen ausgebildet. Elektronische Halb­ leiterbauelemente sind auf die Oberseite bestückt und über Bonddrähte mit den Leiterbahnen elektrisch verbünden. Der Vorteil bei der Verwendung eines IMS-Substrats ist insbeson­ dere in der guten Wärmeableitung der durch das Halbleiterbau­ element erzeugten Wärme auf den metallischen Kühlkörper mit­ tels der relativ dünnen und gut wärmeleitenden, isolierenden Schicht zu sehen.
Außer den ISM-Substraten ist die Verwendung von sogenannten DCB-Substraten (Direct copper bonded) in elektronischen Halb­ leitermodulen bekannt, wie beispielsweise aus: H. de Lambil­ ly, H. Keser; Failure analysis of Power Modules: A look at the packaging and reliability of large IGBTS, IEEE/CHMT Int. Electronics Manufacturing Technology Symposium 1992, Seite 366 hervorgeht. Die DCB-Substrate bestehen aus einem relativ dicken Keramikträger, auf dessen Ober- und Unterseite je eine dünne Metallschicht in einem speziellen Preßverfahren aufge­ bracht wird. Die obere Metallschicht wird durch Strukturieren mit Leiterbahnen versehen. Halbleiterbauelemente sind auf der Oberseite des Moduls über Bonddrähte mit den Leiterbahnen verbunden. Auf die untere Metallschicht des Trägersubstrats wird eine als Wärmesenke dienende dicke Metallplatte aufgelö­ tet. Aus der EP 0 508 717 A1 ist weiterhin bekannt, die Me­ tallplatte mit Kühlkanälen zu versehen, welche von einem Kühlmedium durchströmt werden. Ein Nachteil der DCB-Substrate gegenüber den IMS-Substraten besteht insbesondere in der dicken Keramikschicht, durch die der Wärmeübergang auf den Kühl­ körper erschwert wird.
Nachteilig bei den oben beschriebenen bekannten Halbleitermo­ dulen ist, daß alle Anschlußleitungen der Halbleiterbauele­ mente auf der Oberseite des Trägersubstrats ausgebildet sind. Die Leiterbahnführung in dieser einen Lage wird dadurch sehr aufwendig. Bei elektronischen Schaltungen mit hohem Integra­ tionsgrad muß das ohnehin teure Substrat deshalb seitlich vergrößert werden, um die gesamte notwendige Leiterbahnver­ drahtung auf der Oberseite des Trägersubstrats unterbringen zu können. Hierdurch werden die Herstellungskosten erheblich vergrößert. Besonders nachteilig ist, daß durch die Anordnung aller Anschlußleitungen in der oberen Metallschicht des Sub­ strats große parasitäre Induktivitäten entstehen, die zu sehr großen Überspannungen führen. Dies wirkt sich insbesondere nachteilig aus, wenn auf dem Trägersubstrat leistungselektro­ nische Schaltungen mit Gleichspannungskreis angeordnet sind. Die parasitären Induktivitäten verursachen unerwünschte Über­ spannungen, welche bei der Auswahl der Halbleiterbauelemente berücksichtigt werden müssen. So muß beispielsweise der Ab­ schaltvorgang eines elektronischen Leistungsschalters durch geeignete Maßnahmen verlangsamt werden, um die Überspannungen zu reduzieren und eine Beschädigung des Halbleitermoduls zu vermeiden.
Vorteile der Erfindung
Durch das erfindungsgemäße Halbleitermodul mit den kennzeich­ nenden Merkmalen des Anspruchs 1, werden die bekannten Pro­ bleme vermieden. Vorteilhaft wird eine gute Wärmeableitung der von den Halbleiterbauelementen erzeugten Wärme erreicht und gleichzeitig die parasitären Induktivitäten des Halblei­ termoduls erheblich verkleinert. Als Trägersubstrat des Halb­ leitermoduls wird ein IMS-Substrat verwandt, wobei die iso­ lierende Zwischenschicht des IMS-Substrats mit wenigstens ei­ ner Aussparungen versehen ist und wenigstens eine auf der von dem Trägersubstrat abgewandten Oberseite eines Halbleiterbau­ elementes vorgesehene Anschlußfläche des Halbleiterbauelemen­ tes mit einem Kontaktelement elektrisch verbunden ist, wel­ ches durch die Aussparung hindurch direkt auf den metalli­ schen Kühlkörper kontaktiert ist. Dadurch, daß der Kühlkörper als elektrischer Leiter verwandt wird, der direkt mit dem An­ schluß eines Halbleiterbauelementes über das Kontaktelement elektrisch verbunden ist, können die parasitären Induktivitä­ ten des Halbleitermoduls erheblich verkleinert werden. Außer­ dem wird die Leiterbahnverdrahtung erleichtert, da auch der metallische Kühlkörper als Leiter für die Zuführung der zum Betrieb des Halbleiterbauelements benötigten Energie dient. Durch die sehr dünne elektrisch isolierende Schicht bzw. das sehr dünne Dielektrikum zwischen dem Kühlkörper und den Lei­ terbahnen auf der Oberseite des Substrats werden die parasi­ tären Induktivitäten noch weiter verkleinert und gleichzeitig eine sehr schnelle und effiziente Wärmeableitung auf den Kühlkörper erreicht.
Vorteilhafte Ausbildungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen dargestellt.
Vorteilhaft kann das Kontaktelement als ein mit dem Anschluß des Halbleiterbauelementes einerseits und dem metallischen Kühlkörper andererseits verbundener Bonddraht hergestellt sein. Die Bonddraht-Technik ist gut beherrscht und die di­ rekte Kontaktierung des Bonddrahtes auf den Kühlkörper macht lediglich die Ausbildung von kleinen Aussparungen in der isolierenden Zwischenschicht erforderlich, was kostengünstig mit einem Laser durchgeführt werden kann.
Vorteilhaft kann der metallische Kühlkörper als Potential­ fläche zur Bereitstellung des zum Betrieb des Halbleiterbau­ elementes notwendigen Versorgungspotentials, insbesondere des Massepotentials vorgesehen sein.
Um eine möglichst gute Wärmeableitung und Reduzierung der parasitären Induktivitäten zu erreichen, ist es vorteilhaft, die Dicke der Isolationsschicht kleiner als 250 µm auszubil­ den.
Eine besonders effiziente Wärmeableitung kann dadurch er­ zielt werden, daß der metallische Kühlkörper mit einem Kühl­ medium gekoppelt ist. Besonders vorteilhaft ist, wenn der metallische Kühlkörper des IMS-Substrats mit Kühlkanälen versehen ist, welche von dem Kühlmedium durchströmt werden.
In Gleichspannungszwischenkreisen mit Zwischenkreiskondensa­ tor ist es vorteilhaft, den Plusanschluß des Kondensators mit einer Leiterbahn der Metallschicht auf der Oberseite des Substrats und den Minusanschluß direkt mit dem metallischen Kühlkörper zu verbinden. Die parasitären Induktivitäten kön­ nen hierdurch weiter reduziert werden.
Zeichnung
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung nä­ her erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein im Stand der Technik bekanntes Halbleitermodul,
Fig. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleitermoduls,
Fig. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemä­ ßen Halbleitermoduls,
Fig. 4 ein Schaltbild für das in den Fig. 1, 2 und 3 darge­ stellte Halbleitermodul eines Tiefsetzstellers.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
Fig. 1 zeigt ein im Stand der Technik bekanntes Halbleitermo­ dul. Als Trägersubstrat 1 wird ein DCB-Substrat (Direct cop­ per bonded) verwandt, welches eine etwa einen Millimeter dicke Keramikschicht 2 umfaßt, die auf ihrer Oberseite und Un­ terseite mit etwa 300 µm dicken Metallschichten 4, 5 aus Kup­ fer beschichtet ist. Bekannt ist auch die Verwendung von IMS- Substraten (Insulated metal substrat), welche eine dünne iso­ lierende Schicht aufweisen, die auf der Oberseite mit einer Metallschicht versehen ist und auf deren Unterseite ein me­ tallischer Kühlkörper direkt aufgebracht ist. In der oberen Metallschicht 4 sind durch Strukturieren Leiterbahnen 4a, 4b, 4c ausgebildet. Ungehäuste Halbleiterbauelemente 20, 21, bei­ spielsweise MOSFETS, Leistungsdioden, IGBT's oder bipolare Transistoren, sind auf die Metallschicht 4 aufgebracht. Nicht dargestellte Anschlüsse auf der Unterseite der Halbleiterbau­ elemente 20, 21 sind mit den Leiterbahnen 4a, 4c beispielsweise durch Auflöten der ungehäusten Halbleiterbauelemente 20, 21 elektrisch verbunden: Außerdem sind die Halbleiterbauelemente über Bonddrähte 11, 14, welche Anschlußflächen 22, 23 auf der Oberseite der Halbleiterbauelemente kontaktieren, mit weite­ ren Leiterbahnen 4b, 4c elektrisch verbunden. Auf die Metall­ schicht 5 auf der Unterseite des Trägersubstrats 1 ist ein metallischer Kühlkörper 3 aus beispielsweise Kupfer aufgelö­ tet. Der Kühlkörper 3 kontaktiert mit seiner Unterseite ein Kühlmedium 10, beispielsweise eine Kühlflüssigkeit. Weitere elektrische Bauelemente, wie beispielsweise ein Kondensator 30, sind über Leitungsverbindungen 40, 41 und Metallbrücken 42, 43 mit den Leiterbahnen 4a, 4b verbunden.
Im folgenden seien die Nachteile des oben dargestellten be­ kannten Halbleitermoduls anhand eines Tiefsetzstellers erläu­ tert. Die Nachteile bestehen aber bei allen mit diesem Halb­ leitermodul realisierten leistungselektronischen Schaltungen mit Gleichspannungskreis, wie beispielsweise Gleichstromstel­ lern, Gleich- und Wechselrichtern, Sperrwandlern, Durchfluß­ wandlern und anderen. Ein Schaltbild des Tiefsetzstellers ist in Fig. 4 dargestellt, wobei die elektrischen und elektroni­ schen Bauelemente des Halbleitermoduls innerhalb der strich­ punktierten Linie 50 dargestellt sind. Der Anschluß B+ des Betriebspotentials liegt an der Leiterbahn 4a in Fig. 1 an, der Anschluß B- an der Leiterbahn 4b. Der Phasenanschluß P ist mit der Leiterbahn 4c verbunden. Das Halbleiterbauelement 21 ist in diesem Beispiel ein Leistungsschalter, beispiels­ weise ein MOSFET, das Bauelement 20 eine Halbleiterdiode. Wird der Leistungsschalter 21 abgeschaltet kommutiert der Strom vom MOSFET 21 auf die Diode 20. Für die beim Abschalten am MOSFET abfallende elektrische Spannung UMOSFET gilt:
wobei U1 die am Halbleitermodul zwischen den Leiterbahnen 4a und 4b angelegte Zwischenkreisspannung ist und L1 bis L7 die auftretenden parasitären Induktivitäten darstellen. Nach obi­ ger Gleichung verursachen die Spannungsabfälle an den parasi­ tären Induktivitäten L1 bis L7 beim Abschalten an dem MOSFET eine Überspannung, die größer als die Zwischenkreispannung U1 ist. Der Abschaltvorgang muß deshalb durch zusätzliche Maß­ nahmen verlangsamt werden, damit die maximale Sperrspannung des MOSFET nicht überschritten wird. Die unerwünschte Über­ spannung ist um so größer, je größer die parasitären Indukti­ vitäten L1 bis L7 sind. Die in Fig. 4 dargestellten parasitä­ ren Induktivitäten können dem Aufbau des Halbleitermoduls in Fig. 1 direkt zugeordnet werden. In Fig. 1 wird die parasitä­ re Induktivität L1 durch die elektrische Anschlußleitung 40 des Pluspols 32 des Zwischenkreiskondensators 30 gebildet. Die parasitäre Induktivität L2 wird durch den Anschlußbügel 43 und die Leiterbahn 4a gebildet. Die parasitären Induktivi­ täten L3 und L5 werden durch die elektrische Leitungsverbin­ dung vom MOSFET 21 zur Halbleiterdiode 20, also durch den Bonddraht 11 und die Leiterbahn 4c bedingt. Die parasitäre Induktivität L6 wird durch die Leiterbahn 4b und den An­ schlußbügel 42 bedingt und die parasitäre Induktivität L7 durch die Anschlußleitung 41 des Zwischenkreiskondensators 30. In Fig. 1 nicht erkennbar ist die parasitäre Induktivität L4 für den Anschluß des mit P bezeichneten Kontaktes an die Leiterbahn 4c. Mit der eng benachbarten Anordnung der An­ schlußleitungen 40 und 41 in der Zwischenkreisverschienung 45 lassen sich zwar die Induktivitäten L1 und L7 etwas reduzie­ ren, wie aber in Fig. 1 zu erkennen ist, wird zwischen dem B+ Anschluß und dem B- Anschluß des Halbleitermoduls, also zwi­ schen den Anschlußbügeln 43 und 42 eine sehr große Fläche aufgespannt, was zu großen Werten für die parasitären Induk­ tivitäten L2 und L6 führt, die durch eine Optimierung des Auf­ baus nicht wesentlich reduziert werden können. Außerdem wird durch die Anordnung der Potentialanschlüsse B+ und B- in der oberen Metallschicht 4 der Anschluß der Leiterbahn 4c an das Halbleiterbauelement 20 erschwert, was zu großen parasitären Induktivitäten L3 und L5 führt. Die parasitären Induktivitäten L1 bis L7 können bei den im Stand der Technik bekannten Halb­ leitermodulen nicht weiter reduziert werden, was zu den oben beschriebenen Nachteilen führt.
In Fig. 2 ist ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungs­ gemäßen Halbleitermoduls dargestellt. Auch bei diesem Bei­ spiels sollen die Vorteile anhand eines Tiefsetzstellers er­ läutert werden. Die Vorteile ergeben sich aber bei allen po­ tentialverbindenden oder potentialtrennenden leistungselek­ tronischen Schaltungen mit Gleichspannungskreis. Wie in Fig. 2 dargestellt ist, wird als Trägersubstrat 1 für das Halblei­ termodul ein an sich bekanntes IMS-Substrat verwandt, welches einen mehrere Millimeter dicken metallischen Kühlkörper 3 aus beispielsweise Aluminium umfaßt, auf dessen Oberseite eine elektrisch isolierende Schicht 2 aufgebracht ist. Die elek­ trisch isolierende Schicht in diesem Beispiel ist 140 µm dick ausgebildet und sollte nicht dicker als 250 µm sein. Die iso­ lierende Schicht besteht vorzugsweise aus einem Polymer, in das gut wärmeleitende, keramische Partikel eingebracht sind. Auf die isolierenden Schicht 2 ist eine etwa 300 µm dicke Me­ tallschicht 4 aus beispielsweise Kupfer aufgebracht, in der in bekannter Weise durch Strukturieren Leiterbahnen 4a, 4c ausgebildet sind. Der metallische Kühlkörper 3 steht an sei­ ner Unterseite mit einem Kühlmedium 10 in Wärmekontakt. Auf die Metallschicht 4 sind ungehäuste Halbleiterbauelemente 20, 21 aufgebracht. Es ist aber auch möglich andere elektri­ sche und/oder elektronische Bauelemente, beispielsweise ge­ häuste Halbleiterbauelemente auf das Halbleitermodul aufzu­ bringen. Bei dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel ist das Halbleiterbauelement 21 ein MOSFET und das Halbleiterbauele­ ment 20 eine Halbleiterdiode. An Stelle des MOSFET kann bei einem anderen Schaltungsaufbau auch ein IBGT, ein bipolarer Transistor oder ein anderes Halbleiterbauelement verwandt werden. An Stelle der Halbleiterdiode kann auch ein schaltba­ rer Leistungshalbleiter, beispielsweise ein bipolarer Transi­ stor, ein MOSFET oder ein IGBT verwandt werden. Der MOSFET 21 steht auf der Unterseite mit der Leiterbahn 4a in elektri­ schem Kontakt. Auf der von dem Trägersubstrat 1 abgewandten Oberseite des MOSFET 21 sind zwei Anschlußflächen 23 angeord­ net, von denen in Fig. 2 nur eine dargestellt ist. Die An­ schlußfläche 23 ist mit einem Bonddraht 11 kontaktiert, der mit seinem anderen Ende mit der Leiterbahn 4c verbunden ist. Die Halbleiterdiode 20 weist auf ihrer Unterseite eine erste Anschlußfläche auf, die mit der Leiterbahn 4c elektrisch ver­ bunden ist. Eine zweite Anschlußfläche 22 der Halbleiterdiode 20 ist auf der von dem Trägersubstrat 1 abgewandten Seite der Halbleiterdiode angeordnet und mit einem als Bonddraht 12 ausgebildeten Kontaktelement verbunden. Der Bonddraht 12 ist durch den Spalt zwischen den Leiterbahnen 4c und 4a und durch eine in die isolierende Schicht 2 eingebrachte Aussparung 13 hindurch direkt mit dem Kühlkörper 3 elektrisch verbunden. Unter einer direkten Verbindung wird hierbei eine Verbindung ohne Zwischenanbindung anderer Bauelemente verstanden. Die Aussparung 13 weist einen Durchmesser von beispielsweise 3 mm auf und kann auf einfache Weise mit einem Laser in die iso­ lierende Schicht 2 eingebracht werden. Anders als bei einem DCB-Substrat wird die Stabilität des Trägersubstrats 1 durch die Metallplatte 3 gewährleistet und daher nicht durch die in die isolierende Schicht 2 eingebrachte Aussparung 13 vermin­ dert. In Fig. 2 ist der Pluspol 32 eines Zwischenkreiskonden­ sators 30 durch eine in dem Kühlkörpers 3 und der isolieren­ den Schicht 2 vorgesehene Ausnehmung 33 mit der Leiterbahn 4a auf der Oberseite des Trägersubstrats 1 verbunden, beispiels­ weise durch Schrauben oder Nieten. Der Minuspol 31 des Zwi­ schenkreiskondensators 30 ist mit dem Kühlkörper 3 verbunden. Bei dem in Fig. 2 dargestellten Tiefsetzsteller, dessen Schaltbild in Fig. 4 wiedergegeben ist, ist das Versorgungs­ potential B+ an die Leiterbahn 4a angeschlossen und das Mas­ sepotential B- an den Kühlkörper 3. Insbesondere, in Halblei­ termodulen, welche in Kraftfahrzeugen eingesetzt werden, ist ein Anschluß der Leistungshalbleiterbauelemente oft mit Mas­ sepotential zu verbinden, so daß der Kühlkörper 3 ohne iso­ lierende Zwischenschicht direkt auf das B- Potential gelegt werden kann. Durch Verwendung des Kühlkörpers 3 als Leiter zur Zuführung des Massepotentials B- wird die zwischen den Potentialen B+ und B- aufgespannte Fläche im Vergleich zu den bekannten Halbleitermodulen aus Fig. 1 stark verkleinert und die parasitären Induktivitäten L2 und L6 erheblich reduziert. Die obere Metallschicht 4 führt fast nur noch das Potential B+. Nur die Fläche für die Leiterbahn 4c und der Spalt zwi­ schen den Leiterbahnen muß ausgespart werden. Durch die sehr dünne isolierende Schicht 2 wird weiterhin erreicht, daß auch die parasitären Induktivitäten L1 und L7 sehr viel stärker als durch die Zwischenkreisverschienung des Halbleitermoduls in Fig. 1 reduziert werden können. Weiterhin vorteilhaft bei dem erfindungsgemäßen Halbleitermodul ist, daß die von den Halb­ leiterbauelementen 20, 21 erzeugte Wärme durch die dünne und gut wärmeleitende, isolierende Schicht 2 sehr schnell an den Kühlkörper 3 abgegeben wird und von dort auf das Kühlmedium 10 übertragen wird.
Sind weitere elektrische und/oder elektronische Bauelemente vorgesehen, die mit dem B- Potential zu verbinden sind, so wird die isolierende Schicht 2 an weiteren Stellen mit Aus­ sparungen versehen und die betroffenen Bauelemente jeweils über einen durch die Aussparung durchgeführten Bonddraht mit dem Kühlkörper kontaktiert. Vorteilhaft kann somit der Masse­ anschluß aller Bauelemente durch den gemeinsamen Kühlkörper 3 realisiert werden. Die Leiterbahnführung auf der Oberseite des Substrats wird hierdurch erheblich erleichtert.
In Fig. 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiels des erfin­ dungsgemäßen Halbleitermoduls dargestellt. Gleiche Teile sind mit gleichen Bezugsziffern gekennzeichnet. Im Vergleich zu dem in Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel ist in Fig. 3 der Kühlkörper 3 mit mäanderförmigen Kühlkanälen 15 versehen, die von dem Kühlmedium 10 durchströmt werden. Hierdurch wird eine noch bessere Ableitung der Wärme erreicht.
Die Verwendung des erfindungsgemäßen Halbleitermoduls ist keinesfalls auf den oben dargestellten Anwendungsfall eines Tiefsetzstellers beschränkt, vielmehr kann das Halbleitermo­ dul auch in anderen leistungselektronischen Schaltungstopolo­ gien mit Gleichspannungskreis zur Verringerung der parasitä­ ren Induktivitäten und zur Verbesserung der Wärmeableitung eingesetzt werden.

Claims (7)

1. Elektronisches Halbleitermodul, umfassend ein Trägersub­ strat (1), welches eine elektrisch isolierende Schicht (2), eine auf der Oberseite der isolierenden Schicht angeordnete Metallschicht (4), in der durch Strukturieren Leiterbahnen (4a, 4b, 4c) ausgebildet sind, und einen auf die Unterseite der isolierenden Schicht aufgebrachten metallischen Kühlkör­ per (3) aufweist, und wenigstens ein auf dem Trägersubstrat (1) angeordnetes Halbleiterbauelement (20), dadurch gekenn­ zeichnet, daß die elektrisch isolierende Schicht (2) mit we­ nigstens einer Aussparung (13) versehen ist und wenigstens eine auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Obersei­ te des Halbleiterbauelementes (20) vorgesehene Anschlußflä­ che (22) mit einem Kontaktelement (12) elektrisch verbunden ist, welches durch die Aussparung (13) hindurch direkt auf den metallischen Kühlkörper (3) kontaktiert ist.
2. Elektronisches Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktelement (12) ein mit der An­ schlußfläche (22) des Halbleiterbauelementes (20) und dem metallischen Kühlkörper (3) verbundener Bonddraht ist.
3. Elektronisches Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der metallische Kühlkörper (3) als Po­ tentialfläche zur Bereitstellung des zum Betrieb des Halb­ leiterbauelementes notwendigen Versorgungspotentials, insbe­ sondere des Massepotentials (B-) vorgesehen ist.
4. Elektronisches Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Isolationsschicht (2) kleiner als 250 µm ausgebildet ist.
5. Elektronisches Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der metallische Kühlkörper (3) mit einem Kühlmedium (10) gekoppelt ist.
6. Elektronisches Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der metallische Kühlkörper (3) mit Kühl­ kanälen (15) versehen ist, welche von dem Kühlmedium (10) durchströmt werden.
7. Elektronisches Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator (30) vorgesehen ist, dessen Plusanschluß (32) mit einer Leiterbahn (4a) der Me­ tallschicht verbunden ist und dessen Minusanschluß (31) mit dem metallischen Kühlkörper (3) verbunden ist.
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