CN102668070A - 用于开关电流的电子装置和该电子装置的制造方法 - Google Patents

用于开关电流的电子装置和该电子装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102668070A
CN102668070A CN2010800516369A CN201080051636A CN102668070A CN 102668070 A CN102668070 A CN 102668070A CN 2010800516369 A CN2010800516369 A CN 2010800516369A CN 201080051636 A CN201080051636 A CN 201080051636A CN 102668070 A CN102668070 A CN 102668070A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bus
bar
substrate
electronic installation
power semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800516369A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102668070B (zh
Inventor
M.沃特贝格
C.豪斯佩格尔
M.J.奥尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lisa Draexlmaier GmbH
Original Assignee
Lisa Draexlmaier GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lisa Draexlmaier GmbH filed Critical Lisa Draexlmaier GmbH
Publication of CN102668070A publication Critical patent/CN102668070A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102668070B publication Critical patent/CN102668070B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901—Structure
    • H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Abstract

本发明涉及一种可靠和耐久的用于开关电流的电子装置及其制造方法。这样的电子装置包括：功率半导体，其能被激励以用于在至少两个状态之间切换；衬底，其具有与功率半导体兼容的热机械特性，在所述衬底上在一侧上布置功率半导体；汇流排，其布置在衬底的另一侧上以用于传导电流，其中衬底和汇流排彼此耦合为使得提供导热连接，从而能够将热从功率半导体导出到汇流排。

Description

用于开关电流的电子装置和该电子装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于开关电流的电子装置和用于制造该电子装置的制造方法，并且尤其是涉及一种被构造为在车辆中使用的电子装置。
背景技术
例如在通过电起动机起动内燃机时，通常在例如汽车中的电线路中流动有高达1000安培的电流。高达1000安培的高电流一般仅仅短时地作为电流尖峰存在。但是较长时间流动的处于30安培范围内的电流并不少见。为了开关这样的负载电流，通常使用电磁继电器。
最近，电磁继电器越来越多地被功率半导体代替，这在用于将功率半导体用在配电器中的构造和连接技术方面导致新的技术挑战。
公知的是，将覆壳体（gehaust）的半导体作为SMD（Surface Mounted Device，表面安装设备）部件焊接到电路板上。在此，将SMD/THT（Through Hole Technology，通孔技术）标准工艺用于制造。但是，经封装的半导体的安装空间需求是大的。另外，半导体的热循环稳定性是有限的，并且在半导体中产生的热必须通过电路板或印制电路板被导出。尽管使用热过孔或嵌体，但是具有足够可靠性的这种布置仅仅适用于具有高达85℃ 温度的安装空间。
另一方面，曾提出将裸露的半导体、即所谓的裸晶片半导体焊接和接合到陶瓷衬底上。接触部和/或汇流排被用塑料包封，并且被保持在壳体中。可用作为配电器的引线框与电路板之间的连接例如通过接合线进行。在此，为了导出热，在衬底下设置大的冷却体，该冷却体具有多个柱状突起，以便扩大其表面。由此可以实现裸露半导体的高的热循环。
但是，冷却体需要许多空间并且必须被周围空气充分冷却。这导致大的装置，该装置通过多个高成本的和昂贵的接合连接与激励电子设备和引导负载电流的不同电流线路连接。冷却体利用周围空气的冷却尤其是在车辆的引擎室中由于在那里充满的高温而成为问题。
发明内容
本发明所基于的任务在于，提供一种用于开关电流的可靠和耐久的电子装置和一种该电子装置的相应制造方法。
该任务通过具有权利要求1的特征的电子装置以及通过具有权利要求16的特征的制造方法来解决。有利的实施方式在从属权利要求中描述。
根据一个实施方式，用于尤其是在车辆中开关电流的电子装置包括：功率半导体，其可被激励以用于在至少两个状态之间切换；衬底，其具有与所述功率半导体兼容的热机械特性，在所述衬底上在一侧上布置有所述功率半导体；以及汇流排，其布置在所述衬底的另一侧上以用于传导电流，其中所述衬底和所述汇流排彼此耦合为使得提供导热连接，从而可以将热从所述功率半导体导出到汇流排。
因此，可以通过经由汇流排的导热来冷却功率半导体，这尤其对于配电器壳体中和/或发动机舱中的电子装置而言是有利的，因为在那里由于非常热的空气和少的气流而不可能进行简单的空气冷却。此外，通过将汇流排用作为电流线路和热线路，可以高度缩小该电子装置，并且可以节省诸如额外的冷却体之类的零件。
根据一个有利的实施方式，衬底包括陶瓷。因此，可以在与功率半导体具有类似膨胀系数的陶瓷上进行功率半导体的高的热循环。功率半导体尤其是可以循环到大致170°C的高温，由此得出汇流排中的良好的热沉降。
根据一个有利的实施方式，所述衬底和所述汇流排通过导热层彼此耦合。因此，可以容易和有效地通过这样优化的导热连接将热导出。优选地，导热层包括导热粘合剂、导热膏或者含硅树脂垫。
所述汇流排要么直接要么间接地与功率半导体电连接。在间接连接的情况下，功率半导体例如与电路板连接，并且该电路板又与汇流排连接。
根据另一有利的实施方式，所述电子装置包括电路板，其中所述衬底和所述功率半导体形成功率模块，该功率模块与该电路板电连接。因此可以根据常规工艺在电路板上形成不同电路，该电路板例如用作电桥，由此简化和标准化了电子装置的构造。优选地，在所述电路板与所述衬底之间布置汇流排。
根据另一有利的实施方式，所述电路板具有用于通过连接线路与功率模块电连接的连接接触部。因此，可以通过标准化焊接工艺将该功率模块和该电路板彼此电连接。
根据另一有利的实施方式，所述电子装置包括用于测量至少一个连接线路上的电压降的测量设备。例如，连接线路上的电压降可以用作为用于测量由该装置所承载的电流的测量参量。为此，电路板上的微控制器测量例如被模压为引线框引脚的连接线路上的电压降，并且确定与该电压降成比例的电流。
根据另一有利的实施方式，汇流排通过连接线路、例如焊片与电路板电连接。因此，汇流排用于给电路板供给电流，该电路板又与功率模块电连接。
根据一个有利的实施方式，提供两个汇流排，其中另外的汇流排布置在衬底的一侧上，并且该衬底和该另外的汇流排彼此耦合为使得提供导热连接，从而可以将热从该功率半导体排出到另外的汇流排。因此，可以更有效地排出热。
根据另一有利的实施方式，提供两个汇流排，其中另外的汇流排布置在衬底的另一侧上的第一汇流排旁边。因此，可以更有效地排出热。第一汇流排和第二（另外的）汇流排尤其是分别在朝向该另一汇流排的侧通过连接线路与电路板连接，并且电流引导被构造为使得汇流排中的一个汇流排用作输送电流的汇流排并且另一汇流排用作排出电流的汇流排。因此，两个汇流排不仅用于导热，而且还用作电流回路的一部分。
在另一有利的实施方式中，所述电子装置包括布置在电路板上的激励逻辑。因此，功率半导体和激励逻辑分开，由此还可以分开激励电流回路和负载电流回路。
根据另一有利的实施方式，电子装置的制造方法包括下列步骤：将可激励的功率半导体安装在衬底的一侧上，该衬底具有与该功率半导体兼容的热机械特性；以及将优选具有导热层的汇流排布置在衬底的另一侧上，使得该汇流排和该衬底彼此耦合为以便提供导热连接。因此，可以有利地以多个简单步骤来制造小并且良好排热的电子装置。
本发明的另外的有利特征在对实施例的详细描述中以及在权利要求书中公开。
附图说明
下面根据示出下列内容的附图详细地描述本发明。
图1示意性地示出根据一个实施方式的电子装置。
图2示出流程图，该流程图示出根据另一实施方式的用于制造电子装置的制造方法的步骤。
图3示出功率模块的俯视图和侧视图。
图4示出构成根据另一实施方式的电子装置的一部分的电路板。
图5示出汇流排在电路板上如何布置。
图6示出汇流排的侧视图。
图7示出电路板上的汇流排，其中这些汇流排之一具有导热层。
图8示出根据另一实施方式的电子装置。
图9示出图8的电子装置的侧视图。
图10A、10B和10C示出根据另一实施方式的电子装置的俯视图、侧视图、以及旋转90°的侧视图。
图11示出具有焊片的汇流排的示例。
图12A和12B示出根据另一实施方式的电子装置。
图13和14根据另一实施方式以俯视图和侧视图示出另一电子装置。
具体实施方式
下面参考附图详细地描述本发明的优选实施方式。在此，在不同的图中分别用相同或相似的附图标记来表示相同或相应的元件。
参考用于开关尤其是车辆的车载电网中的电流的电子装置来详细描述本发明的将在下面详述的优选实施方式。但是应当注意，下面的描述仅仅包含示例并且不应被看成是限制本发明。
图1示意性地示出用于开关电流、尤其是负载电流的电子装置的元件，并且例如可以用在车辆中。图1中的电子装置100包括功率半导体6、衬底5和汇流排3。
功率半导体6例如是裸露半导体并且可以焊接和/或接合到衬底5上。
功率半导体6例如可以由后面描述的激励逻辑来激励，以便在至少两个状态之间切换。例如，功率半导体6被构造为简单的开关并且闭合或打开电流回路。在此，例如在车辆中使用时可能出现高的负载电流，这可能导致功率半导体中的温度的强烈升高。
功率半导体或负载开关例如可以被实现为功率MOSFET，如在专利申请DE 10 2007 062 955中所描述的那样。在高负载电流的情况下适用由多个功率MOSFET构成的并联电路，使得负载电流的仅仅部分分别流经功率MOSFET。当然，也可以替代于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）而使用可通过低栅极电压以最小延迟开关的其他场效应晶体管。
由于高电流产生的高温可能导致热致张力，也就是说，功率半导体可能膨胀。因此，提供具有与功率半导体6兼容的热机械特性的衬底5。如图1所示，功率半导体6布置在衬底的上侧上。例如，功率半导体6可以通过焊接和接合固定在衬底5上。由于衬底具有与功率半导体兼容的热机械特性，即在温度提高（或温度减小）的情况下在形状改变方面与功率半导体6的表现类似，因此可以由于衬底和半导体的不同热膨胀而避免功率半导体6的损坏。
优选地使用金属陶瓷衬底或具有印制导线的陶瓷衬底作为衬底，其中该衬底具有与功率半导体类似的或相应的膨胀系数或热膨胀系数。例如，膨胀系数可以相差大致20%，并且由于不同的热机械特性而因此总是在大多数情况下避免功率半导体6的损坏。由于陶瓷不是最优的热导体，因此优选使用0.3至1mm厚、优选0.63mm的薄层作为衬底。
如图1所示，汇流排3布置在衬底5的下侧上。汇流排3用于输送或导出负载电流并且因此可以构成电流回路的一部分。汇流排3也可以是引线框的一部分或者车辆中的配电器系统的一部分。例如，汇流排3由具有大致1mm厚度的经冲压的铜片构成。
衬底5和汇流排3彼此这样耦合，使得提供导热连接，从而可以将热从功率半导体6排出到汇流排。具体而言，在功率半导体6中，由高电流产生的热通过衬底5主要通过热传导被输送给汇流排3，热从汇流排那里可以进一步通过配电器系统被排出。在此合适的是，使用导电以及导热良好的材料、例如铜作为汇流排的材料。
应当注意，在将功率半导体直接连接到汇流排上时，半导体材料和汇流排材料的不同的热机械特性、例如膨胀系数导致在功率半导体6中可能产生裂缝。这导致减小的热循环能力，因为在几次温度提高以后要么功率半导体6与衬底5之间的连接解除、要么功率半导体6在其他方面受到损伤。
为了连接功率半导体6和汇流排3，需要可延展的含铅焊剂——这可能导致环境保护问题——或者昂贵的钼焊板。具有钼焊板的无铅焊剂尤其是在多次热循环的情况下可能容易碎裂。
此外，针对汽车应用，汇流排由于防腐蚀而应该镀锡。但是在镀锡的接触侧上不能接合，从而必须使用高成本制造的部分镀锡的汇流排。通过将衬底5夹在中间来绕过这些问题，使得不存在功率半导体6与汇流排3之间的直接连接。
为了改善汇流排3与衬底5之间的热传导，可以在它们之间安装导热层。该导热层例如包括导热粘合剂、导热膏或含硅树脂垫。这仅仅是导热层的几个示例，并且对于专业人员公知有其他材料和层，利用所述其他材料和层可以将例如由陶瓷制成的衬底和例如由铜制成的汇流排彼此耦合为使得提供良好的导热性。
另外应当注意，由于衬底5中的不导电的陶瓷，不提供在功率半导体6与汇流排5之间的通过衬底5的电线路。但是汇流排3和功率半导体6可以通过衬底5中的印制导线或者其他导电连接彼此连接在衬底上和/或衬底旁。
图2示出根据另一实施方式的具有电子装置的制造方法的步骤的流程图。在此，在第一步骤S1中，将可激励的功率半导体安装在衬底、例如衬底5的一侧上，该衬底具有与该功率半导体兼容的热机械特性。
然后，在第二步骤S2中，将优选具有导热层的汇流排布置在衬底的另一侧上，使得该汇流排和该衬底彼此耦合为使得提供导热连接。
因此，可以通过几个简单步骤来制造如图1所示的电子装置。下面将要描述的更特殊的电子装置也可以通过添加另外的制造步骤通过扩展在此所述的电子装置来制造。例如，可以利用通孔接触来提供可简单地与功率半导体下方的汇流排和衬底连接的电路板。
图3以俯视图和侧视图示出如何能够将功率半导体6布置在衬底5上的示例，其中还示出了连接线路4和7。由衬底和功率半导体构成的组合在下面称为功率模块，其中图3所示的功率模块具有两个功率半导体。
在图3中的俯视图中，衬底5被构造成不导电的——例如陶瓷——衬底5a，并且具有印制导线5b。印制导线5b（灰色）与电连接线路4和7连接。在焊接工艺中，在衬底5的侧处将引线框与焊接引脚连接，使得连接线路4（连接脚）表示所谓的引线框引脚，这些引线框引脚与例如陶瓷上的所印刷的印制导线连接。功率半导体6被焊接和接合在衬底上，并且如图3所示，在衬底上的功率半导体6与印制导线5b之间的连接线路7被构造成接合线。
下面参考图4详细描述被构造为与上述功率半导体、衬底和汇流排一起使用的电路板。
图4的电路板1可以在下面描述的电子装置中用作基板。例如，激励逻辑12可以布置在电路板1上。激励逻辑12可以包括微控制器或其他类型的控制芯片并且用于激励功率半导体，使得功率半导体的开关状态可以由激励逻辑12来选择。因此，也可以将负载电流和控制电流隔离，其中控制电流流经激励逻辑并且负载电流流经上述汇流排和功率半导体。
此外，图4中的电路板1具有多个连接接触部14和16。连接接触部14被设置用于到上述功率模块的连接线路。连接接触部16被设置用于到上述汇流排的连接线路。这些连接接触部可以被构造成通孔接触，使得可以简单地连接连接线路。但是连接接触部也可以是上面例如焊接有连接线路的连接区。如下面所述那样，汇流排可以具有焊片作为连接线路，所述焊片与连接接触部16连接。
图5示出两个汇流排3和9布置在电路板1上的俯视图。如参考图4所描述的那样，图6所示的连接线路19例如接触汇流排3和9的焊片以及连接接触部16。在此，汇流排3例如可以用作为输送电流的汇流排并且汇流排9用作为排出电流的汇流排。
在图7中，示出如图5所示的相同电路板1和汇流排3和9。附加地，在汇流排3上设置有导热层10，该导热层10是所谓的热界面，以便改善如在图3中所述的功率模块到汇流排的热连接。如已经参考图1详述的那样，导热层10可以包括导热粘合剂、导热膏或含硅树脂垫。
下面参考图8描述根据一个实施方式的具有电路板的电子装置。
在图8中，图3中所述的包括衬底5和功率半导体6的功率模块布置在图5（不具有导热层）或图7（具有导热层）的汇流排3上。功率模块例如可以如通孔部件那样装配。在焊轴工艺中，电路板1、汇流排3和功率模块被彼此连接，并且然后可以被安装或包封在优选由塑料制成的壳体11中。
图8中还示出了电子装置200中的电流（细箭头）和热流（粗箭头）。具体而言，在图8所示的功率半导体6的接通状态下，电流通过汇流排3，也就是说，电流通过汇流排3被馈送到电子装置200中。然后，电流通过汇流排3的至少一个焊片流到电路板1上。从那里，电流仅仅在一短段上流经电路板1并且然后通过图3所示的功率模块的连接线路4流到衬底的金属化部（例如印制导线）上（参见粗箭头）。
电流的导出通过功率半导体的源极侧上的连接线路通过电路板1和汇流排9的焊片进行。如图8所示，电流尤其是通过连接线路8流回到电路板1并且从那里通过汇流排9的焊片流到汇流排9上。如图8所示，功率模块的连接线路和汇流排的焊片彼此靠近，以便实现这二者的良好电连接。为清楚起见，在电路板1上未示出印制导线或导体结构。
在图8的电子装置200中，例如通过陶瓷和导热层进行功率半导体到输送电流的汇流排3上（粗箭头）以及从那里到线路组中或者到配电器的与汇流排3导热地连接的汇流排中的热连接。
如图8所示，汇流排3布置在电路板1与衬底5之间，使得连接线路是可良好地达到的并且容易地与相应接触部连接或焊接在一起。但是也可以设想，电路板1安装在功率模块和汇流排3之上，使得功率模块处于电路板1与汇流排3之间。
另外，电子装置200具有测量设备以用于测量功率模块与电路板之间的连接线路中的至少一条上的、即引线框引脚上的电压降。该电压降可以有利地用作用于测量由该装置承载的电流的测量参量。为此，可以作为激励逻辑的一部分的微控制器在电路板上测量引线框引脚上的电压降，并且确定与该电压降成比例的电流。例如，这样的连接线路（在此被构造成引线框引脚）可以由材料CnSn6制成。由于该材料具有非常小的温度系数（铜的1/6），因此与温度基本无关的并因此精确的电流测量是可能的。因此，一个或多个连接线路可以代替附加的测量分流。
图9示出已参考图8描述的电子装置200的侧视图。
在图9中，相同的附图标记表示与图8相同的元件。尤其是示出了电路板1，其具有激励逻辑以及印制导线2。输送电流和导热的汇流排3与焊片一起示出。
输送电流的连接线路4与衬底5上的焊盘焊接在一起，其中衬底可以具有在侧视图中未示出的所印刷的印制导线。功率半导体6通过接合线7与衬底5的印制导线连接。输送电流的连接线路8（引线框引脚）与衬底上的焊盘焊接在一起并且在另一侧上与电路板连接。
在衬底5与汇流排3之间示出导热层10。另外，示出在电路板1的印制导线上的具有焊片的汇流排9，由此汇流排9与连接线路8电连接。
在图10A至10C中示出另一实施方式的电子装置。图10A示出电子装置300的俯视图，并且图10B和10C示出侧视图。
该电子装置具有三个拥有焊片的汇流排3、9a和9b，其中中间的汇流排3用于输送电流，并且该电流进一步通过连接线路4被带到衬底上。电流导出通过汇流排9a和9b进行。图11中示出用在电子装置300中的汇流排的一个示例。
在该特殊实施方式中，可以被构造为到电池的集电弓（Bügel）的外部附加汇流排30被提供在衬底上并且利用旋拧连接和垫片31与中间的汇流排3连接。该外部汇流排30被延长为使得其位于功率模块的中心，固定该汇流排并且附加地排出热。
电流从外部汇流排30流到汇流排3并且从那里通过连接线路4流到衬底5上并且通过另外的连接线路流到电路板1上的汇流排9a和9b上。热通过如图10所示存在于每个汇流排与衬底之间的导热层10流动，使得热可以通过汇流排被导出。在被构造为双继电器的电子装置300的情况下，衬底与电路板之间的连接线路全部被布置在一侧上，这简化了制造并且在后面还将参考图12A和12B描述。
图12A和12B示出根据一个特定实施方式的电子装置。在此再次示出汇流排3和汇流排9，其中汇流排3和汇流排9分别在朝向另一汇流排的侧与电路板1连接。因此，如图12A所示，一个或多个功率模块处的连接线路（引线框）的连接接触部仅须在一侧上提供。这简化了制造工艺。图12B所示的功率模块中的示例性电流通过图12B中的箭头来示出，其中汇流排3表示输送电流的汇流排并且汇流排9表示排出电流的汇流排。
从汇流排到电路板上的印制导线的电流在图12A中通过箭头来示出，并且从电路板上的印制导线到功率半导体的电流在图12B中通过箭头来示出。
具体而言，如图12A所示，负载电流被从汇流排3输送给中间的印制导线2a，从那里，连接线路将电流分配给分别具有两个功率半导体的两个所示衬底（图12B）。然后，电流通过连接线路流回到电路板上的印制导线2b，其中印制导线2b通过例如焊片与排出电流的汇流排9连接，使得电流可以通过汇流排9流出。
因此，电子装置400的在图12A和12B中所示的布置允许具有四个功率半导体的紧凑和节省空间的装置，所述功率半导体分别开关由汇流排3输送的电流的1/4。
图13和14示出根据另一特定实施方式的电子装置500。在此再次示出汇流排3和汇流排9，其中所述汇流排通过由至少一个功率半导体6和衬底5构成的功率模块彼此电连接。
在图13中，汇流排3示出为输送电流的汇流排（细箭头19a）并且另一汇流排9示出为排出电流的汇流排（细箭头19b）。例如，汇流排3通过连接线路与衬底5上的印制导线连接并且该印制导线又与衬底5上的功率半导体6连接。汇流排3的功率半导体6又通过连接线路18与汇流排9电连接。图14中示出该布置的侧视图。
因此，可以通过图13所示的功率模块中断或关断从汇流排3到汇流排9的电流。在图13所示的示例中，功率半导体6分布在多个汇流排上，以便相应地优化通过汇流排的排热，这由箭头50来示出。根据电流的大小，也可以设置汇流排3和/或汇流排9上的仅仅一个功率半导体或者设置多个功率半导体。
如参考前面的实施方式所述的那样，位于电路板上的激励逻辑通过连接线路与至少一个功率模块电连接以用于激励该功率模块。
如上面在电子装置100、200、300、400和500的情形下所描述的那样，这些装置能够排出功率半导体的热的形式的功率损耗，而不需要空气对流，这在车辆的配电器中由于低的或小的空气对流而是特别有利的。这尤其是通过功率半导体到汇流排的良好热连接来实现。
使用处于此间的衬底导致高达170°C的高热循环能力，由此提高装置的寿命及其可靠性。因为不需要附加的冷却体，因此还可以减小装置的安装空间和重量。
在将陶瓷用作衬底的情况下，可以使用标准焊接工艺来将功率半导体和汇流排与电路板连接。因此，可以实现多个优点，这些优点尤其是对于功率半导体在车辆电子设备中的应用或者具有有限空气冷却的其他应用领域具有重大意义。
专业人员还从前面的描述中获悉，可以实施本发明的所示装置和方法的不同修改和变型而不脱离本发明的范围。
另外，本发明参考特定示例来描述，但是这些示例仅仅应当用于更好地理解本发明，而不应限制本发明。专业人员还立刻认识到，可以使用许多不同的元素组合来实施本发明。因此，本发明的真实范围由下面的权利要求书来表征。

Claims (17)

1.一种用于尤其是在车辆中开关电流的电子装置，包括：
功率半导体（6），其能被激励以用于在至少两个状态之间切换；
衬底（5），其具有与功率半导体（6）兼容的热机械特性，在所述衬底上在一侧上布置功率半导体（6）；以及
汇流排（3），其布置在衬底（5）的另一侧上以用于传导电流，其中
衬底（5）和汇流排（3）彼此耦合为使得提供导热连接，从而能够将热从功率半导体（6）导出到汇流排（3）。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中衬底（5）是包含陶瓷的衬底（5）。
3.根据权利要求1或2所述的电子装置，其中衬底（5）和汇流排（3）通过导热层（10）彼此耦合。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中导热层（10）包括导热粘合剂、导热膏或者含硅树脂垫。
5.根据权利要求1至4之一所述的电子装置，其中汇流排（3）与功率半导体（6）电连接。
6.根据权利要求1至5之一所述的电子装置，还包括电路板（1），其中衬底（5）和功率半导体（6）形成与电路板（1）电连接的功率模块。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其中汇流排（3）布置在电路板（1）与衬底（5）之间。
8.根据权利要求6或7所述的电子装置，其中电路板（1）具有连接接触部（14，16）以用于通过连接线路与所述功率模块电连接。
9.根据权利要求8所述的电子装置，还包括用于测量所述连接线路中的至少一条上的电压降的测量设备。
10.根据权利要求6至9之一所述的电子装置，其中汇流排（3）通过焊片与电路板（1）电连接。
11.根据权利要求1至10之一所述的电子装置，还包括另外的汇流排（9，30）。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其中另外的汇流排（30）布置在衬底（5）的一侧上，并且衬底（5）和另外的汇流排（30）彼此耦合为使得提供导热连接，从而能够将热从功率半导体（6）导出到另外的汇流排（30）。
13.根据权利要求11所述的电子装置，其中另外的汇流排（9）在衬底（5）的另一侧上布置在汇流排（3）旁边。
14.根据权利要求11至13之一所述的电子装置，其中汇流排（3）和另外的汇流排（9）电连接，并且电流引导被构造为使得汇流排之一用作为输送电流的汇流排，并且另一个用作为排出电流的汇流排。
15.根据权利要求11至14之一所述的电子装置，其中在汇流排（3，9）的每一个上布置有具有至少一个功率半导体（6）的衬底（5）。
16.根据权利要求6至15之一所述的电子装置，还包括布置在电路板（1）上的激励逻辑（12）。
17.一种电子装置的制造方法，包括步骤：
将能激励的功率半导体（6）安装在衬底（5）的一侧上，所述衬底（5）具有与功率半导体（6）兼容的热机械特性；以及
将汇流排（30）布置在衬底（5）的另一侧上，使得汇流排（30）和衬底（5）彼此耦合为以便提供导热连接。
CN201080051636.9A 2009-09-15 2010-09-15 用于开关电流的电子装置和该电子装置的制造方法 Expired - Fee Related CN102668070B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009029476A DE102009029476B4 (de) 2009-09-15 2009-09-15 Elektronische Vorrichtung zum Schalten von Strömen und Herstellungsverfahren für dieselbe
DE102009029476.7 2009-09-15
PCT/EP2010/063522 WO2011032966A1 (de) 2009-09-15 2010-09-15 Elektronische vorrichtung zum schalten von strömen und herstellungsverfahren für dieselbe

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102668070A true CN102668070A (zh) 2012-09-12
CN102668070B CN102668070B (zh) 2015-06-03

Family

ID=43064826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080051636.9A Expired - Fee Related CN102668070B (zh) 2009-09-15 2010-09-15 用于开关电流的电子装置和该电子装置的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8837150B2 (zh)
EP (1) EP2478556B1 (zh)
CN (1) CN102668070B (zh)
DE (1) DE102009029476B4 (zh)
WO (1) WO2011032966A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106536916A (zh) * 2014-05-13 2017-03-22 自动电缆管理有限公司 用于机动车辆的电路装置和电路装置的应用

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011076273A1 (de) 2011-05-23 2012-11-29 Continental Automotive Gmbh Leiterplatte für elektrische Bauelemente und Leiterplattensystem
FR2982712B1 (fr) * 2011-11-15 2013-11-15 Ece Plaque de distribution d'energie electrique comprenant une barre de distribution protegee.
DE102014000126A1 (de) * 2014-01-13 2015-07-16 Auto-Kabel Management Gmbh Leiterplatte, Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer Schaltung
WO2016028451A1 (en) * 2014-08-20 2016-02-25 Halliburton Energy Services, Inc. Printed circuit board assemblies
DE102014118655A1 (de) 2014-12-15 2016-06-16 Lisa Dräxlmaier GmbH Kontaktelement für eine Leiterplatte
DE102015117809A1 (de) * 2015-10-20 2017-04-20 Hella Kgaa Hueck & Co. Verfahren zum Betreiben eines Leitungssystems
JP6326038B2 (ja) * 2015-12-24 2018-05-16 太陽誘電株式会社 電気回路装置
EP3418265A1 (en) * 2017-06-21 2018-12-26 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Logic power module with a thick-film paste mediated substrate bonded with metal or metal hybrid foils
DE102018204865A1 (de) * 2018-03-29 2019-10-02 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung mit einem Abstandshalteelement, Umrichter und Luftfahrzeug mit einer derartigen Schaltungsanordnung sowie Verfahren zur Strommessung
EP3923321A1 (de) * 2020-06-08 2021-12-15 CeramTec GmbH Modul mit anschlusslaschen für zuleitungen
DE102020210296A1 (de) 2020-08-13 2022-02-17 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Schaltvorrichtung, elektrischer Energiespeicher und Vorrichtung
DE102022206300A1 (de) 2022-06-23 2023-07-06 Zf Friedrichshafen Ag Elektronische Vorrichtung, Verfahren zum Montieren einer elektronischen Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden einer elektronischen Vorrichtung mit einer Leiterplatte

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19900603A1 (de) * 1999-01-11 2000-07-13 Bosch Gmbh Robert Elektronisches Halbleitermodul
DE10159851A1 (de) * 2001-12-06 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelementanordnung mit verminderter Oszillationsneigung
US20040001319A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Autonetworks Technologies, Ltd. Circuit-constituting member and circuit unit
US20040223304A1 (en) * 2003-02-14 2004-11-11 Autonetworks Technologies, Ltd. Distribution unit and electric connection box including the same
CN101174734A (zh) * 2006-10-30 2008-05-07 株式会社电装 具有汇流条组件及由焊接装在其上的电子部件的电子装置
JP2008206363A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Toyota Motor Corp 半導体電力変換装置およびその製造方法
US20090161301A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Gm Global Technology Operations, Inc. Busbar assembly with integrated cooling

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2652982B1 (fr) 1989-10-11 1993-04-30 Alsthom Gec Assemblage de composants en electronique de puissance.
US5153449A (en) * 1990-08-28 1992-10-06 Milwaukee Electric Tool Corporation Heatsink bus for electronic switch
DE59009448D1 (de) 1990-11-09 1995-08-31 Siemens Ag Elektromagnetisches Relais mit Regelbaustein.
DE4419005A1 (de) 1994-05-31 1995-12-07 Hella Kg Hueck & Co Elektronischer Lastschalter für Kraftfahrzeuge
DE19625249C2 (de) 1996-06-17 1998-07-02 Projektgemeinschaft Feste Fahr Lagestabiler Gleiskörper aus Betonfertigteilen sowie Verwendung von Betonfertigteilen für diesen Gleiskörper
US6127727A (en) * 1998-04-06 2000-10-03 Delco Electronics Corp. Semiconductor substrate subassembly with alignment and stress relief features
US6295201B1 (en) * 1998-08-04 2001-09-25 Stratos Lightwave, Inc. Bus bar having embedded switching device
DE19943258A1 (de) 1999-09-10 2001-03-15 Hella Kg Hueck & Co Elektronisches Gerät für ein Kraftfahrzeug
US6215681B1 (en) * 1999-11-09 2001-04-10 Agile Systems Inc. Bus bar heat sink
JP2001211529A (ja) 2000-01-20 2001-08-03 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 電気接続箱
US6678182B2 (en) * 2000-11-07 2004-01-13 United Defense Lp Electrical bus with associated porous metal heat sink and method of manufacturing same
DE10134187B4 (de) * 2001-07-13 2006-09-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Kühleinrichtung für Halbleitermodule
JP3910497B2 (ja) * 2002-07-03 2007-04-25 株式会社オートネットワーク技術研究所 電力回路部の防水方法及び電力回路部をもつパワーモジュール
JP4155048B2 (ja) * 2003-02-14 2008-09-24 住友電装株式会社 パワーモジュール及びその製造方法
US6757175B1 (en) * 2003-03-27 2004-06-29 International Business Machines Corporation Method and embedded bus bar structure for implementing power distribution
JP2005151617A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Sumitomo Wiring Syst Ltd 回路構成体及び回路構成体の製造方法
US20050128706A1 (en) * 2003-12-16 2005-06-16 Ballard Power Systems Corporation Power module with heat exchange
DE102004018469B3 (de) * 2004-04-16 2005-10-06 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleiterschaltung
US20050252681A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Runyon Ronnie J Microelectronic assembly having variable thickness solder joint
DE102004025523A1 (de) 2004-05-25 2005-12-15 Ebm-Papst Mulfingen Gmbh & Co. Kg Kühlanordnung für ein elektrisches oder elektronisches Bauteil und Verfahren zu deren Montage
JP2005354786A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 電気接続箱
JP2006060956A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Sumitomo Wiring Syst Ltd 電気接続箱
JP2006087173A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 電気接続箱
JP2006186170A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
JP2006262664A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 電力変換装置
JP4275641B2 (ja) * 2005-04-08 2009-06-10 住友電装株式会社 自動車用電気接続箱の車体取付構造
DE102006033175A1 (de) 2006-07-18 2008-01-24 Robert Bosch Gmbh Elektronikanordnung
KR101121616B1 (ko) 2006-07-21 2012-03-13 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 회로 접속 재료, 회로 부재의 접속 구조 및 회로 부재의 접속 방법
WO2008069755A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Infineon Technologies Ag Integrated semiconductor outline package
DE102007016222B3 (de) 2007-04-04 2008-11-06 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung sowie Verfahren zur Herstellung desselben
US20090284213A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Gm Global Technology Operations, Inc. Power module layout for automotive power converters
JP5116426B2 (ja) 2007-10-11 2013-01-09 矢崎総業株式会社 電気接続箱
JP5116427B2 (ja) 2007-10-11 2013-01-09 矢崎総業株式会社 電気接続箱
CN101681907B (zh) * 2007-11-30 2012-11-07 松下电器产业株式会社 散热结构体基板和使用其的模块及散热结构体基板的制造方法
JP4942629B2 (ja) * 2007-12-11 2012-05-30 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
DE102007062955B4 (de) 2007-12-21 2011-06-01 Catem Develec Gmbh & Co. Kg Schaltung zur Spannungsstabilisierung eines Bordnetzes

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19900603A1 (de) * 1999-01-11 2000-07-13 Bosch Gmbh Robert Elektronisches Halbleitermodul
DE10159851A1 (de) * 2001-12-06 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelementanordnung mit verminderter Oszillationsneigung
US20040001319A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Autonetworks Technologies, Ltd. Circuit-constituting member and circuit unit
US20040223304A1 (en) * 2003-02-14 2004-11-11 Autonetworks Technologies, Ltd. Distribution unit and electric connection box including the same
CN101174734A (zh) * 2006-10-30 2008-05-07 株式会社电装 具有汇流条组件及由焊接装在其上的电子部件的电子装置
JP2008206363A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Toyota Motor Corp 半導体電力変換装置およびその製造方法
US20090161301A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Gm Global Technology Operations, Inc. Busbar assembly with integrated cooling

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106536916A (zh) * 2014-05-13 2017-03-22 自动电缆管理有限公司 用于机动车辆的电路装置和电路装置的应用
CN106536916B (zh) * 2014-05-13 2018-11-20 自动电缆管理有限公司 用于机动车辆的电路装置和电路装置的应用

Also Published As

Publication number Publication date
DE102009029476A1 (de) 2011-03-31
EP2478556A1 (de) 2012-07-25
WO2011032966A1 (de) 2011-03-24
US8837150B2 (en) 2014-09-16
CN102668070B (zh) 2015-06-03
US20120236504A1 (en) 2012-09-20
EP2478556B1 (de) 2020-03-25
DE102009029476B4 (de) 2012-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102668070B (zh) 用于开关电流的电子装置和该电子装置的制造方法
JP6764807B2 (ja) 半導体モジュール
CN101533972B (zh) 压配合式连接器
US7393236B2 (en) Integrated thermal and electrical connection system for power devices
CN100517676C (zh) 半导体器件及采用它的功率变流器以及采用此功率变流器的混合动力汽车
CN105575920A (zh) 双面冷却功率模块及其制造方法
CN104637832B (zh) 半导体装置及其制造方法
CN103974585B (zh) 半导体模块装置和用于制造半导体模块装置的方法
CN115917737A (zh) 具有至少三个功率单元的功率模块
JP2009536458A (ja) 半導体モジュール及びその製造方法
US10192811B2 (en) Power semiconductor device
CN101202256B (zh) 功率放大器
CN207381382U (zh) 电力电子模块和电力电子元器件封装基板
CN101355060B (zh) 带有连接装置的功率半导体模块
TW586343B (en) Power feed device
US11037867B2 (en) Semiconductor module
CN105532079A (zh) 电路板组件、用于冷却风扇模块的控制装置和方法
CN103531582A (zh) 半导体单元
JP2016162992A (ja) パワー半導体装置
US11032951B2 (en) Electronic system comprising an electronic module
JP2013041939A (ja) 半導体モジュール及びそれを搭載したインバータ
US20060018100A1 (en) Active plate-connector device with built-in semiconductor dies
CN115516749A (zh) 具有包覆成型件的电气模块和包括这种电气模块的系统
US20030171026A1 (en) Electrical device
US10755999B2 (en) Multi-package top-side-cooling

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150603