DE19854733A1 - Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung - Google Patents

Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung

Info

Publication number
DE19854733A1
DE19854733A1 DE19854733A DE19854733A DE19854733A1 DE 19854733 A1 DE19854733 A1 DE 19854733A1 DE 19854733 A DE19854733 A DE 19854733A DE 19854733 A DE19854733 A DE 19854733A DE 19854733 A1 DE19854733 A1 DE 19854733A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
underfiller
scanning unit
substrate
unit according
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19854733A
Other languages
English (en)
Inventor
Dieter Michel
Wolfgang Holzapfel
Peter Speckbacher
Reiner Burgschat
Wolfgang Brode
Guenter Schwarzrock
Andreas Schmidt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dr Johannes Heidenhain GmbH
Original Assignee
Dr Johannes Heidenhain GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dr Johannes Heidenhain GmbH filed Critical Dr Johannes Heidenhain GmbH
Priority to DE19854733A priority Critical patent/DE19854733A1/de
Priority to DE29825143U priority patent/DE29825143U1/de
Priority to DE59909421T priority patent/DE59909421D1/de
Priority to PCT/EP1999/009123 priority patent/WO2000033022A2/de
Priority to US09/856,867 priority patent/US6605828B1/en
Priority to EP99964502A priority patent/EP1133674B1/de
Priority to JP2000585617A priority patent/JP4602557B2/ja
Publication of DE19854733A1 publication Critical patent/DE19854733A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/32—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
    • G01D5/34—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
    • G01D5/347—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales
    • G01D5/34707—Scales; Discs, e.g. fixation, fabrication, compensation
    • G01D5/34715—Scale reading or illumination devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Optical Transform (AREA)

Abstract

Eine Abtasteinheit (1) einer Positionsmeßeinrichtung besteht aus einem Optochip (100), in dem Lichtempfänger (12, 13) und eine Lichtquelle (11) integriert sind. Der Optochip (100) ist an einem Glasträger (16) mittels Flip-Chip-Technik befestigt und mit Leiterbahnen (17) des Glasträgers (16) elektrisch kontaktiert. Zur Stabilisierung des Flip-Chip-Aufbaus ist zwischen dem Optochip (100) und dem Glasträger (16) ein Underfiller (20) eingebracht. Zur Vermeidung von Streulicht ist der Raum (25) um die Lichtquelle (11) von Underfiller (20) frei gehalten (Figur 1).

Description

Die Erfindung betrifft eine Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung zur Längen- und Winkelmessung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
In der Zeitschrift F & M, Heft 10, 1996, Seiten 752 bis 756 ist eine derartige Abtasteinheit beschrieben. Eine Leuchtdiode ist auf einem Fotodiodenarray- Chip angeordnet, der in Flip-Chip-Technik bzw. Chip-on-glass-Technik über Goldbumps mit Leiterbahnen auf einer transparenten Glasplatte verbunden ist. Die Glasplatte ist auch Träger des Abtastgitters. Der Raum zwischen dem Fotodiodenarray-Chip und der Glasplatte ist mit einem transparenten Underfiller ausgefüllt, der zur mechanischen Stabilisierung des Aufbaus bei­ trägt.
Bei der Positionsmessung mit dieser Abtasteinheit durchstrahlt das Licht der Leuchtdiode das Abtastgitter, fällt auf einen Maßstab und wird vom Maß­ stabgitter reflektiert. Das reflektierte Licht gelangt noch einmal durch das Abtastgitter und fällt auf das Fotodiodenarray, wo gegeneinander phasen­ verschobene sinusförmige Abtastsignale erzeugt werden. Nachteilig bei die­ ser Konstruktion ist jedoch, daß der Underfiller ein sehr guter Lichtleiter ist, der einen großen Teil des von der Leuchtdiode ausgestrahlten Lichtes direkt zu den Fotodioden des Fotodiodenarrays leitet. Durch Kantenstrahlung der Leuchtdiode und Streulicht, erzeugt durch Streuung im Underfiller, tritt eine hohe direkte Lichteinstrahlung von der Leuchtdiode auf die Fotodioden auf. Diese direkte Strahlung erhöht den Gleichpegel der Abtastsignale erheblich und führt zu einem ungünstigen Verhältnis von Nutzsignal zu Störsignal.
Aus der DE 197 20 300 A1 ist ein optisches Bauelement bekannt, bei dem eine Leuchtdiode in ein Fotodiodenarray implantiert ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Abtasteinheit einer Positi­ onsmeßeinrichtung anzugeben, die kompakt aufgebaut ist und bei der das Verhältnis von Nutzlicht zu Störlicht und somit das Verhältnis von Nutzsignal zu Störsignal verbessert wird.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß durch einfache Weise der Raum um die Lichtquelle frei von Underfiller ge­ halten werden kann und mit dem Underfiller eine Grenzfläche geschaffen wird, die das von der Lichtquelle abgestrahlte Licht nicht direkt zu den Licht­ empfängern gelangen läßt, sondern die das Licht absorbiert oder reflektiert. Das Verhältnis der Lichtanteile von Nutzlicht und Störlicht, welche die Licht­ empfänger erreichen, wird verbessert. Der Gleichpegel der Abtastsignale wird verringert und das Verhältnis von Nutzsignal zu Störsignal wird somit verbessert.
Vorteilhafte Ausbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 eine erste Abtasteinheit mit einem Maßstab im Längsschnitt,
Fig. 2 eine zweite Abtasteinheit im Längsschnitt,
Fig. 3 eine dritte Abtasteinheit im Längsschnitt,
Fig. 4 eine vierte Abtasteinheit,
Fig. 5 eine fünfte Abtasteinheit,
Fig. 6 eine sechste Abtasteinheit und
Fig. 7 eine siebte Abtasteinheit.
Bei den nachfolgend beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispielen sind übereinstimmende Teile mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet.
In Fig. 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Die Positionsmeßeinrichtung besteht aus einer Abtasteinheit 1 und einem Maß­ stab 2. Die Abtasteinheit 1 weist eine Lichtquelle in Form einer LED 11, mehrere Lichtempfänger 12, 13 und ein Abtastgitter 14 auf. Das Licht der LED 11 durchstrahlt das Abtastgitter 14, fällt auf den Maßstab 2 und wird von der Teilung 15 des Maßstabs 2 reflektiert. Das reflektierte Licht gelangt noch einmal durch das Abtastgitter 14 und fällt auf die Lichtempfänger 12, 13. Der Lichtanteil der LED 11, der diesen Weg durchläuft wird als Nutzlicht bezeichnet, da er zur positionsabhängigen Modulation des Lichts beiträgt. Die Relativanordnung der Lichtempfänger 12, 13, des Abtastgitters 14 und des Maßstabs 2 ist in bekannter Weise so gewählt, daß die einzelnen Licht­ empfänger 12, 13 gegeneinander phasenverschobene elektrische sinusför­ mige Abtastsignale erzeugen. Besonders vorteilhaft ist eine symmetrische Anordnung einer Vielzahl von Lichtempfängern 12, 13 in Form eines Foto­ diodenarrays, wobei die LED 11 in der Mitte des Fotodiodenarrays angeord­ net ist. Diese Anordnung ist in der Zeitschrift F & M, Heft 10, 1996 auf den Seiten 752 bis 756 ausführlich beschrieben und dargestellt, weshalb sich weitere Erläuterungen hierzu erübrigen.
Das Abtastgitter 14 ist auf einer Glasscheibe 16 als abwechselnd licht­ durchlässiges und lichtundurchlässiges Strichmuster lithographisch aufge­ bracht. Die Glasscheibe 16 dient auch als Träger der LED 11 und der Licht­ empfänger 12, 13. Hierzu ist auf der dem Abtastgitter 14 gegenüberliegen­ den Seite der Glasscheibe 16 ein Leiterbahn-Layout mit lithographischen Verfahren aufgebracht. Dieses Layout weist Leiterbahnen 17 mit Kontakt­ stellen 171 zur face down Kontaktierung auf.
Die Lichtempfänger 12, 13 sind vorteilhafterweise als eine gemeinsame Ein­ heit in Form eines Optochips 100 aufgebaut. Der Optochip 100 ist durch die aufgesetzte LED 11 (Halbleiterchip) ergänzt. Die LED 11 ist am Optochip 100 elektrisch kontaktiert. Zur Kontaktierung des Optochips 100 weist dieser Kontaktstellen 101 auf, die in Richtung der Kontaktstellen 171 der Glasscheibe 16 weisen und mit diesen über Pumps 18 in Flip-Chip-Technik verbunden sind. Die LED 11 kann direkt auf einer ebenen Oberfläche des Optochips 100 aufgesetzt sein. Vorteilhafterweise ist die LED 11 aber im Optochip 100 implantiert. Das heißt, daß im Optochip 100 eine Vertiefung 102 zur Aufnahme der LED 11 eingebracht ist, wie in der DE 197 20 300 A1 beschrieben ist. Die Rückseite der LED 11 wird durch das Aufsetzen mittels Lötung oder mittels eines Leitklebers mit dem Optochip 100 kontaktiert. Die Vorderseite der LED 11 wird durch Drahtbonden mit dem Optochip 100 kontaktiert. Der Bonddraht ist mit dem Bezugszeichen 19 versehen.
Nachdem der die LED 11 und die Lichtempfänger 12 und 13 tragende Opto­ chip 100 mit den Leiterbahnen 17 der Glasscheibe 16 elektrisch kontaktiert ist, wird der Raum zwischen dem Optochip 100 und der Glasscheibe 16 mit einem Underfiller 20 ausgefüllt. Der Underfiller 20 dient insbesondere zur mechanischen Stabilisierung des Aufbaus, er besteht deshalb aus einem fest aushärtenden Kunststoffmaterial hoher Festigkeit und guter Haftfähigkeit an dem Optochip 100 und an der Glasscheibe 16.
Um den Raum 25 im Bereich der Hauptabstrahlrichtung der LED 11 vom Underfiller 20 frei zu halten, ist beim ersten Ausführungsbeispiel auf der der LED 11 gegenüberliegenden Oberfläche der Glasscheibe 16 eine insbesondere umlaufende Kante 21 ausgebildet. Diese Kante 21 verhindert das Weiterfließen des Underfillers 20 vom Bereich der Lichtempfänger 12, 13 in den Bereich der LED 11. Die Kante 21 wird deshalb nachfolgend als Fließkante 21 bezeichnet. Diese Fließkante 21 kann mit dem gleichen Lithographieprozess wie die Leiterbahnen 17 aufgebracht werden. Die Fließkante 21 wird dabei von einer metallischen Schicht-Struktur 22 gebildet, welche aus dem gleichen Material besteht, wie die Leiterbahnen 17.
Am Optochip 100 ist gegenüber der Fließkante 21 eine weitere insbesondere umlaufende Fließkante 23 ausgebildet. Diese Fließkante 23 kann von einer separaten Struktur gebildet sein, oder im Optochip 100 durch eine Vertiefung oder eine Erhöhung ausgebildet sein. Im dargestellten Beispiel wird die Fließkante 23 durch die Vertiefung 102 gebildet. Der Underfiller 20 wird von außen in den Zwischenraum von Optochip 100 und Glasscheibe 16 eingebracht, dabei fließt er aufgrund der Kapillarwirkung bis zu den Fließkanten 21, 23, bei denen das Weiterfließen verhindert wird. Der Raum 25 zwischen LED 11 und der Glasscheibe 16 kann somit auf einfache Weise underfillerfrei gehalten werden. Durch die Fließkanten 21, 23 bildet sich eine Grenzfläche 24 zwischen dem Underfiller 20 und dem freien Raum 25 aus. Diese Grenzfläche 24 ist eine Oberfläche des Underfillers 20, welche die Transmission des von der LED 11 ausgehenden Lichtes erheblich reduziert, indem das auftreffende Licht reflektiert und/oder absorbiert wird.
Beide Fließkanten 21 und 23 können als Schicht-Struktur, als Vertiefung, als Erhebung oder als Oberflächenrauhigkeit ausgebildet sein.
Der Underfiller 20 ist für den Lichtwellenlängenbereich transparent, der von der LED 11 gesendet bzw. von der Lichtempfängern 12, 13 detektiert wird. Er sollte einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten haben, der an die Komponenten des Flip-Chip-Aufbaus angepaßt ist und somit keine mecha­ nischen Spannungen hervorruft. Zur Anpassung und Verringerung des Ausdehnungskoeffizienten ist der Underfiller 20 üblicherweise mit Quarzmehl 26 oder Quarzkugeln gefüllt bzw. versetzt. Die Oberfläche des Underfillers 20 ist dadurch an der Grenzfläche 24 relativ rauh, wodurch die Transmission weiter verringert wird.
Das zu den Lichtempfängern 12, 13 gelangende Störlicht und somit auch der Gleichpegel der Abtastsignale wird erheblich reduziert. Weiterhin befin­ det sich die LED 11 in einem Freiraum 25 mit Luft, die eine beliebige Ausdehnung der LED 11 zuläßt. Eine Häufung des Underfillers 20 im Raum der LED 11 entfällt, dadurch werden die bei Temperaturänderung auftretenden mechanischen Spannungen im Bereich der LED 11 erheblich reduziert. Da die Grenzfläche 24 keine mechanische Barriere für den Bonddraht 19 darstellt, ist eine einfache Fertigung möglich. Die Grenzfläche 24 bildet eine Art Lichtdichtung, wobei sich die Bonddraht-Öffnung entsprechend dem Verlauf des Bonddrahts 19 selbständig ausbildet.
Fig. 2 zeigt ein weiteres Beispiel einer Abtasteinheit. Der Grundaufbau ent­ spricht dem der Fig. 1, weshalb nur die davon abweichenden Merkmale nachfolgend erläutert werden.
Zur Ausbildung einer Grenzfläche 24 ist anstelle von Fließkanten 21, 23 eine andere Maßnahme vorgesehen. An der Stelle, an der das Weiterfließen des Underfillers 10 verhindert werden soll, ist die Oberfläche 31 der Glasscheibe 16 und die Oberfläche 32 des Optochips 100 derart behandelt, daß die Be­ netzungsfähigkeit dieser Oberflächenbereiche 31, 32 stark verringert ist. Diese Maßnahme wird auch als Hydrophobierung bezeichnet. Der physikali­ sche Effekt ist dabei die Erhöhung der Grenzflächenspannung der Oberflä­ chenbereiche 31 und 32 um das Benetzungsvermögen zu verringern. Die Oberflächenbereiche 31, 32 können Beschichtungen mit Teflon oder dia­ mant like carbon sein. Diese Maßnahme kann alternativ oder zusätzlich zu der Maßnahme gemäß Fig. 1 eingesetzt werden. Wenn sie zusätzlich ein­ gesetzt wird, kann der Oberflächenbereich 31 der Glasscheibe 16 auch die Struktur 22 sein. Es ist auch möglich, die zu Fig. 1 und 2 beschriebenen Maßnahmen miteinander zu kombinieren. Die Struktur 22 besteht dabei aus einer Schicht, die eine mechanische Barriere und eine Art chemische Bar­ riere für den Underfiller 20 bildet. Die Struktur 22 ist beispielsweise aus Te­ flon oder einer Teflon-Chrom-Verbindung, also einem Material, welches eine geringe Benetzungsfähigkeit aufweist.
Zusätzlich kann bei allen Ausführungsbeispielen das Benetzungsverhalten der Glasscheibe 16 und des Optochips 100 in dem Bereich, in dem der Un­ derfiller 20 gut einfließen soll, gezielt verbessert werden, indem dieser Ober­ flächenbereich mit einem Material 60 beschichtet wird, welches eine hohe Benetzungsfähigkeit aufweist. Die Benetzungsfähigkeit wird beispielsweise durch die Beschichtung mit Hexamethyldisilizan erheblich verbessert. Ein Ausführungsbeispiel dazu ist in Fig. 3 dargestellt.
Zur weiteren Reduzierung von Streulicht können die seitlichen Kanten der LED 11 und/oder die Oberflächenbereiche des Optochips 100 im Raum 25 um die LED 11 absorbierend ausgebildet sein. Diese Oberfläche des Opto­ chips 100 und/oder die seitlichen Kanten der LED 11 weisen dazu eine licht­ absorbierende Oberfläche beispielsweise in Form einer lichtabsorbierenden Schicht 40 auf. Dieses Ausführungsbeispiel ist in Fig. 4 schematisch dar­ gestellt.
Als Alternative können die seitlichen Kanten der LED 11 und/oder die Ober­ fläche des Optochips 100 im Raum 25 reflektierend beschichtet sein. Als reflektierendes Material kann eine Metallschicht 50 verwendet werden. Die­ ses Beispiel ist in Fig. 5 schematisch dargestellt.
Ein sechstes Ausführungsbeispiel wird anhand von Fig. 6 erläutert. Dabei wird ein underfillerfreier Raum geschaffen, indem zwischen der LED 11 und der Glasscheibe 16 anstelle von Luft ein hochtransparentes Material 250 vorgesehen ist. Dieses transparente Material 250 ist vorzugsweise ein elastisches Material, beispielsweise Silikon, welches den Optochip 100 mit der Glasscheibe 16 nur elastisch verbindet. Die am Optochip 100 montierte LED 11 wird mit diesem Material 250 umgeben. Die Dicke des Materials 250 wird so gewählt, daß es beim Aufsetzen und Löten des Optochips 100 auf die Glasscheibe 16 auf dieser aufliegt und einen Raum zwischen LED 11 und Glasscheibe 16 gegenüber dem danach einzubringenden Underfiller 20 ausfüllt und abdichtet.
Das elastische transparente Material 250 kann auch auf der Glasscheibe 16 aufgebracht werden, wobei sich der abzudichtende Raum wiederum durch das Aufsetzen des Optochips 100 auf die Glasscheibe 16 ergibt. Nach dem Aufsetzen und Löten des Optochips 100 wird der Underfiller 20 eingebracht, der bis zu dem Material 250 fließt und dort die Grenzfläche 24 bildet.
Das Vorsehen eines elastischen transparenten Materials 250 im Bereich der LED 11 hat wiederum den Vorteil, daß in diesem Bereich thermische Ausdehnungen keine Spannungen erzeugen können, da sich das elastische Material 250 anpaßt. Weiterhin ist keine Kondensation in diesem Bereich möglich. Die erforderliche Stabilität wird durch den nicht elastischen Underfiller 20 erreicht, der den Optochip 100 starr mit der Glasscheibe 16 verbindet. Der Underfiller 20 härtet fest aus und haftet gut an den Oberflächen des Optochips 100 und der Glasplatte 16.
Alle oben beschriebenen Maßnahmen können alternativ oder zusätzlich auch bei nebeneinander liegenden Lichtempfängern 120 und 130 eingesetzt werden, wie nur schematisch in Fig. 7 dargestellt ist. Dabei wird ein Über­ sprechen, hervorgerufen durch Streuung von Nutzlicht im Underfiller 20, ver­ ringert. Die lichtempfindlichen Bereiche der Lichtempfänger 120, 130 werden dadurch auf einfache Weise frei vom lichtstreuenden Underfiller 20 gehalten. In den übrigen Bereichen des Optochips 100 gewährleistet der Underfiller 20 eine stabile Verbindung mit der Glasscheibe 16. Bei dieser Ausführung ist es darüber hinaus nicht erforderlich, daß der Underfiller 20 transparent ist, der Underfiller 20 kann sogar opak ausgebildet sein und die Funktion eines Lichtsperrelements bzw. Blendenelements haben.
Bei allen Ausführungsbeispielen kann der Optochip 100 auch Schaltkreise zur Verarbeitung der Abtastsignale der Lichtempfangselemente enthalten. Die Schaltkreise zur Verarbeitung der Abtastsignale können auch als sepa­ rate Bauelemente in Flip-Chip-Technik auf der Glasscheibe 16 kontaktiert und befestigt sein.
Anstelle einer Glasscheibe 16 kann als Träger auch ein anderes transpa­ rentes Material, beispielsweise Mylar verwendet werden.
Weiterhin kann das Abtastgitter 14 auch auf der anderen Seite der Glas­ scheibe 16 angebracht sein. Dies hat den Vorteil, daß das Abtastgitter 14, die Leiterbahnen 17 und die Struktur 22 für die Fließkante 21 auf der glei­ chen Oberfläche und somit im gemeinsamen Verfahrensprozeß hergestellt werden können. Die Struktur 22 zur Bildung der Fließkante 21 kann dabei Bestandteil des Abtastgitters 14 sein.
Die Teilung 15 kann eine inkrementale und/oder eine ein- bzw. mehrspurige absolute Codeteilung sein.

Claims (11)

1. Abtasteinheit (1) einer Positionsmeßeinrichtung mit
  • - einem Substrat (100), welches nebeneinander angeordnet mehrere optoelektronische Bauelemente (11, 12, 13, 120, 130) aufweist und welches Kontaktstellen (101) zur elektrischen Kontaktierung besitzt,
  • - einem Träger (16) des Substrats (100) mit elektrischen Leiterbah­ nen (17) und Kontaktstellen (171), wobei diese Kontaktstellen (171) den Kontaktstellen (101) des Substrats (100) gegenüberliegen und mit diesen elektrisch kontaktiert sind,
  • - einem Underfiller (20) in einem Raum zwischen dem Substrat (100) und dem Träger (16), dadurch gekennzeichnet, daß
  • - der Underfiller (20) zwischen dem Substrat (100) und dem Träger (16) eine Grenzfläche (24) zu einem transparenten underfillerfreien Raum (25, 250) bildet, wobei die Grenzfläche (24) den underfiller­ freien Raum (25, 250) im Bereich zumindest eines der optoelektro­ nischen Bauelemente (11, 12, 13, 120, 130) begrenzt.
2. Abtasteinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß am Sub­ strat (100) zwischen zwei optoelektonischen Bauelementen (11, 12, 13, 120, 130) eine Kante (23) ausgebildet ist, und gegenüberliegend am Träger (16) eine weitere Kante (21) ausgebildet ist, und daß der Under­ filler (20) den Abstand zwischen den beiden Kanten (23, 21) überbrückt und dort die Grenzfläche (24) ausgebildet ist.
3. Abtasteinheit nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich der Grenzfläche (24) die Benetzungsfähigkeit des Substrats (100) und des Trägers (16) verringert ist.
4. Abtasteinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der underfillerfreie Raum von einem hochtranspa­ renten elastischen Material (250) gebildet ist, an das der Underfiller (20) angrenzt.
5. Abtasteinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Substrat (100) nebeneinanderliegend eine Licht­ quelle (11) und einen Lichtempfänger (12, 13) aufweist, und daß der Raum (25, 250) zwischen Lichtquelle (11) und Träger (16) frei von Un­ derfiller (20) ist, und daß die Grenzfläche (24) diesen underfillerfreien Raum (25, 250) vom Raum um den Lichtempfänger (12, 13) abgrenzt.
6. Abtasteinheit nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Sub­ strat ein Halbleitersubstrat (100) ist, in dem mehrere Lichtempfänger (12, 13) ausgebildet sind, und an dem die Lichtquelle (11) befestigt und elektrisch kontaktiert ist.
7. Abtasteinheit nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (100) eine Ausnehmung (102) aufweist, in welche die Lichtquelle (11) eingesetzt ist.
8. Abtasteinheit nach einem der Ansprüche 5 bis 6, dadurch gekennzeich­ net, daß ein Oberflächenbereich der Lichtquelle (11) und/oder des Sub­ strats (100) im underfillerfreien Raum (25, 250) absorbierend ausgebil­ det, insbesondere beschichtet ist.
9. Abtasteinheit nach einem der Ansprüche 5 bis 6, dadurch gekennzeich­ net, daß ein Oberflächenbereich des Substrats (100) im underfillerfreien Raum (25, 250) reflektierend beschichtet ist.
10. Abtasteinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß Oberflächenbereiche des Substrats (100) und/oder des Trägers (16), zwischen denen der Underfiller (20) vorgesehen ist, mit einem Material (60) beschichtet sind, welches eine hohe Benet­ zungsfähigkeit aufweist.
11. Abtasteinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Träger (16) aus einem transparenten Material besteht, und daß auf dem Träger (16) ein Abtastgitter (14) ausgebildet ist.
DE19854733A 1998-11-27 1998-11-27 Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung Withdrawn DE19854733A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19854733A DE19854733A1 (de) 1998-11-27 1998-11-27 Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung
DE29825143U DE29825143U1 (de) 1998-11-27 1998-11-27 Abtasteinheit einer Positionsmesseinrichtung
DE59909421T DE59909421D1 (de) 1998-11-27 1999-11-25 Optoelektronische baueinheit
PCT/EP1999/009123 WO2000033022A2 (de) 1998-11-27 1999-11-25 Optoelektronische baueinheit
US09/856,867 US6605828B1 (en) 1998-11-27 1999-11-25 Optoelectronic component with a space kept free from underfiller
EP99964502A EP1133674B1 (de) 1998-11-27 1999-11-25 Optoelektronische baueinheit
JP2000585617A JP4602557B2 (ja) 1998-11-27 1999-11-25 光電子構造ユニット

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19854733A DE19854733A1 (de) 1998-11-27 1998-11-27 Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19854733A1 true DE19854733A1 (de) 2000-05-31

Family

ID=7889198

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19854733A Withdrawn DE19854733A1 (de) 1998-11-27 1998-11-27 Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung
DE59909421T Expired - Lifetime DE59909421D1 (de) 1998-11-27 1999-11-25 Optoelektronische baueinheit

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE59909421T Expired - Lifetime DE59909421D1 (de) 1998-11-27 1999-11-25 Optoelektronische baueinheit

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6605828B1 (de)
EP (1) EP1133674B1 (de)
JP (1) JP4602557B2 (de)
DE (2) DE19854733A1 (de)
WO (1) WO2000033022A2 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1172635A2 (de) * 2000-07-10 2002-01-16 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Optische Positionsmesseinrichtung
DE10128419B4 (de) * 2000-10-13 2006-09-21 Mitsubishi Denki K.K. Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung mit Mikrolinse und Unterfüllung
DE10325082B4 (de) * 2002-06-03 2008-04-30 Mitsubishi Denki K.K. Fotoelektrischer Drehwertgeber
WO2011128181A3 (de) * 2010-04-13 2011-12-29 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Abtastbaueinheit einer positionsmesseinrichtung
EP2592392A1 (de) * 2012-03-09 2013-05-15 Hexagon Technology Center GmbH Optoelektronische Lagemessvorrichtung
EP3355034A1 (de) * 2017-01-26 2018-08-01 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Positionsmesseinrichtung

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10150099A1 (de) * 2001-10-11 2003-04-17 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Verfahren zur Herstellung eines Maßstabes, sowie derart hergestellter Maßstab und eine Positionsmesseinrichtung
DE10157112A1 (de) * 2001-11-21 2003-06-05 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Kontrollvorrichtung einer Positionsmesseinrichtung
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3882738B2 (ja) * 2002-10-24 2007-02-21 ソニー株式会社 複合チップモジュール及びその製造方法、並びに複合チップユニット及びその製造方法
JP4549640B2 (ja) * 2003-07-08 2010-09-22 シャープ株式会社 チルト角検出光結合装置およびそれを備えた電子機器
JP4494746B2 (ja) * 2003-09-25 2010-06-30 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置
JP4494745B2 (ja) * 2003-09-25 2010-06-30 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置
JP4351012B2 (ja) * 2003-09-25 2009-10-28 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置
WO2005038911A1 (en) 2003-10-15 2005-04-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Device, system and electric element
JP4259979B2 (ja) 2003-10-22 2009-04-30 新光電気工業株式会社 光透過性カバー及びこれを備えたデバイス並びにそれらの製造方法
US20060081983A1 (en) * 2004-10-14 2006-04-20 Giles Humpston Wafer level microelectronic packaging with double isolation
WO2008139701A1 (ja) * 2007-04-27 2008-11-20 Panasonic Corporation 電子部品実装体及びハンダバンプ付き電子部品並びにそれらの製造方法
US7737513B2 (en) * 2007-05-30 2010-06-15 Tessera, Inc. Chip assembly including package element and integrated circuit chip
JP5308059B2 (ja) * 2008-04-25 2013-10-09 株式会社ミツトヨ 光電式エンコーダ用スケール
DE102009001930B4 (de) * 2009-03-27 2018-01-04 Robert Bosch Gmbh Sensorbaustein
JP2010238995A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびこれを搭載したカメラモジュール
JP2012009816A (ja) 2010-05-28 2012-01-12 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
CN102263116B (zh) * 2010-05-28 2014-11-05 兆探晶股份有限公司 具有光传感器的摄像装置及其制造方法
WO2012096651A1 (en) 2011-01-11 2012-07-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Passive optical alignment
US9917647B2 (en) * 2012-01-31 2018-03-13 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Combination underfill-dam and electrical-interconnect structure for an opto-electronic engine
DE102012218457A1 (de) * 2012-10-10 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
EP3052900B1 (de) 2013-10-01 2022-03-30 Renishaw PLC Verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung und entsprechende elektronische vorrichtung
WO2015049174A1 (en) 2013-10-01 2015-04-09 Renishaw Plc Measurement encoder
EP3052898B1 (de) 2013-10-01 2021-06-02 Renishaw PLC Bezugsmarkendetektoranordnung
TWI595606B (zh) * 2015-11-23 2017-08-11 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
CN110505372B (zh) * 2018-05-18 2021-03-09 致伸科技股份有限公司 摄像模块的组装方法
US11984526B2 (en) 2019-12-12 2024-05-14 Brolis Sensor Technology, Uab Optical device having an out-of-plane arrangement for light emission and detection

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4122479A (en) * 1975-01-31 1978-10-24 Hitachi, Ltd. Optoelectronic device having control circuit for light emitting element and circuit for light receiving element integrated in a semiconductor body
JPS61123033A (ja) * 1984-11-20 1986-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 保護膜構造体
JPS633475A (ja) * 1986-06-23 1988-01-08 Toshiba Corp 反射型光結合素子
US4935665A (en) * 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
JP2769255B2 (ja) * 1990-11-05 1998-06-25 松下電子工業株式会社 撮像装置およびその製造方法
JP3078010B2 (ja) * 1990-11-30 2000-08-21 株式会社東芝 固体撮像装置
US5272355A (en) * 1992-05-20 1993-12-21 Spire Corporation Optoelectronic switching and display device with porous silicon
JPH06117924A (ja) * 1992-08-19 1994-04-28 Nippondenso Co Ltd 光位置検出装置
US6017681A (en) * 1992-11-09 2000-01-25 Fujitsu Limited Method of coupling optical parts and method of forming a mirror
JP3207319B2 (ja) * 1993-05-28 2001-09-10 株式会社東芝 光電変換装置及びその製造方法
DE69408558T2 (de) 1993-05-28 1998-07-23 Toshiba Ave Kk Verwendung einer anisotropischen leitfähigen Schicht für die Verbindung von Anschlussleitern einer Leiterplatte mit den elektrischen Anschlusskontakten einer photoelektrischen Umwandlungsvorrichtung und Verfahren zur Montage dieser Vorrichtung
US5689106A (en) * 1994-12-22 1997-11-18 Santa Barbara Research Center Optical device assembly having a metallic bump bonding together two planar optical components, and its preparation
JP3263288B2 (ja) * 1995-09-13 2002-03-04 株式会社東芝 半導体装置
US5670781B1 (en) * 1996-02-08 2000-10-10 Renco Encoders Inc Photoelectrical encoder
DE19720300B4 (de) * 1996-06-03 2006-05-04 CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH Elektronisches Hybrid-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH10223980A (ja) * 1997-02-03 1998-08-21 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置、及び光半導体装置の製造方法
JPH11186326A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH11260953A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体チップの実装構造
DE29805392U1 (de) * 1998-03-25 1999-08-05 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 83301 Traunreut Optoelektronische Baugruppe
US6278055B1 (en) * 1998-08-19 2001-08-21 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically series configuration
EP1003012B3 (de) * 1998-11-19 2011-04-20 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Optische Positionsmesseinrichtung
US6329062B1 (en) * 2000-02-29 2001-12-11 Novellus Systems, Inc. Dielectric layer including silicalite crystals and binder and method for producing same for microelectronic circuits

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1172635A2 (de) * 2000-07-10 2002-01-16 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Optische Positionsmesseinrichtung
EP1172635A3 (de) * 2000-07-10 2003-07-02 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Optische Positionsmesseinrichtung
DE10128419B4 (de) * 2000-10-13 2006-09-21 Mitsubishi Denki K.K. Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung mit Mikrolinse und Unterfüllung
DE10325082B4 (de) * 2002-06-03 2008-04-30 Mitsubishi Denki K.K. Fotoelektrischer Drehwertgeber
WO2011128181A3 (de) * 2010-04-13 2011-12-29 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Abtastbaueinheit einer positionsmesseinrichtung
EP2592392A1 (de) * 2012-03-09 2013-05-15 Hexagon Technology Center GmbH Optoelektronische Lagemessvorrichtung
WO2013131945A1 (de) * 2012-03-09 2013-09-12 Hexagon Technology Center Gmbh Optoelektronische lagemessvorrichtung
US9816842B2 (en) 2012-03-09 2017-11-14 Hexagon Technology Center Gmbh Optoelectronic position measuring device including a code carrier, a radiation source, and a detection element
EP3355034A1 (de) * 2017-01-26 2018-08-01 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Positionsmesseinrichtung
US10571310B2 (en) 2017-01-26 2020-02-25 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Position-measuring device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000033022A3 (de) 2000-10-05
EP1133674A2 (de) 2001-09-19
WO2000033022A2 (de) 2000-06-08
EP1133674B1 (de) 2004-05-06
JP4602557B2 (ja) 2010-12-22
US6605828B1 (en) 2003-08-12
JP2002531936A (ja) 2002-09-24
DE59909421D1 (de) 2004-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19854733A1 (de) Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung
DE69715554T2 (de) Optische Einrichtung für Verschiebungsdetektion
EP1068643A1 (de) Optoelektronische baugruppe
DE69028865T2 (de) Reflektierender Achsenwinkelkodierer
EP1014043B1 (de) Abtastkopf
DE68923780T2 (de) Optischer Codierer mit inaktiven Photodetektoren.
DE19640423C1 (de) Optoelektronisches Modul zur bidirektionalen optischen Datenübertragung
DE69320716T2 (de) Gerät zur Detektion von Verschiebungsinformation
DE3111746A1 (de) Photoelektrischer wandler
EP2063231B1 (de) Abtasteinheit einer optischen Positionsmesseinrichtung und Positionsmesseinrichtung mit dieser Abtasteinheit
EP2344847A1 (de) Längenmesseinrichtung
DE10022676A1 (de) Optische Verschiebungsdetektoreinrichtung
EP1597774B1 (de) Optoelektronisches bauelement mit einer leuchtdiode und einer mehrzahl von lichtsensoren
EP3124921B1 (de) Positionsmesseinrichtung
DE19855307B4 (de) Abtasteinheit für eine optische Positionsmeßeinrichtung
DE10227544B4 (de) Vorrichtung zur optischen Datenübertragung
DE10033263A1 (de) Optische Positionsmesseinrichtung
DE29825143U1 (de) Abtasteinheit einer Positionsmesseinrichtung
EP0147514B1 (de) Lichtelektrische Längen- oder Winkelmesseinrichtung
EP0564683B1 (de) Optoelektronisches Weg-, Winkel- oder Rotationsmessgerät
DE10302007B4 (de) Optischer Sensor
EP1055100B1 (de) Optoelektronisches weg-, winkel- oder rotationsmessgerät
DE102015103253A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE602005004763T2 (de) Optoelektronische Messeinrichtung
DE19812008A1 (de) Optoelektronische Bauelementanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
8181 Inventor (new situation)

Free format text: SCHWARZROCK, GUENTER, DIPL.-ING., 99195 SCHWERBORN, DE BURGSCHAT, REINER, 07745 JENA, DE SCHMIDT, ANDREAS, DIPL.-PHYS., 99089 ERFURT, DE BRODE, WOLFGANG, DIPL.-PHYS., 07629 HERMSDORF, DE HOLZAPFEL, WOLFGANG, DR., 83119 OBING, DE SPECKBACHER, PETER, DR., 84558 KIRCHWEIDACH, DE MICHEL, DIETER, 83278 TRAUNSTEIN, DE

8141 Disposal/no request for examination