DE19850078C2 - Regelungsverfahren beim Ätzen mit Fluorwasserstoff - Google Patents
Regelungsverfahren beim Ätzen mit FluorwasserstoffInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Regeln einer Ätzung eines mit einer
Deckelheizung verbundenes Substrats mittels eines Fluorwasserstoff
enthaltenden Ätzmediums, wobei zwischen Substrat und Ätzmedium eine
Temperaturdifferenz vorliegt.
In der Oberflächenmikromechanik wird auf einer Substratoberfläche, meistens ein
Substrat aus Silizium, üblicherweise ein Schichtaufbau verwendet, der aus einer
Opferschicht, meist SiO2, und einer darüber befindlichen Lage von aktivem Silizium,
meist Polysilizium oder einkristallinem Silizium, besteht, in der die später
freitragenden Strukturen erzeugt werden. Im allgemeinen sind zur elektrischen
Kontaktierung der Bauelemente Metallkontaktflächen auf der aktiven Siliziumschicht
vorgesehen. Als Kontaktmaterial haben sich in der Halbleitertechnik verschiedene
Aluminiumlegierungen wie AlSi, AlSiCu, etabliert, wobei Aluminium in diesen
Legierungen den größten Anteil ausmacht. Es ist bekannt, dass zur Erzeugung von
freitragenden oberflächenmikromechanischen Strukturen diese zunächst in die obere
aktive Siliziumschicht eingeätzt werden bis zum Erreichen der sich darunter
befindlichen sogenannten Opferschicht beispielsweise durch ein isotropes
Nassätzverfahren herausgelöst, wie in der WO 94/28426 beschrieben, wozu man
vorteilhaft Fluorwasserstoffsäuredampf über einem azeotropen Fluorwasserstoffsäure-
Wasser-Gemisch einsetzen kann.
In der deutschen Patentanmeldung 197 04 454 A1 wird ein Verfahren zur
Opferschichtätzung von oberflächenmikromechanischen Strukturen beschrieben, das
auf der Ätzung des Opferoxids (SiO2) aus der Dampfphase über einer azeotropen
Flusssäurelösung beruht. Dadurch, dass hohe Temperaturen von beispielsweise 50-
80°C für die Flusssäurelösung und eine um 10-20°C höhere Temperatur für einen
Siliziumwafer eingesetzt werden, wird ein gegenüber Aluminiumkontaktflächen
korrosionsfreier Prozess erreicht. Dieser Effekt beruht auf eine Passivierung der
Aluminiumoberfläche gegenüber der HF-Dampfphase bei erhöhter Temperatur,
insbesondere bei erhöhter Temperatur gegenüber der Temperatur des Ätzmediums.
Die für die zu erzielenden Ätzraten für das Opferoxid wesentlichen Parameter sind die
Temperaturen des Ätzmediums und die Temperatur der Substratoberfläche bzw. die
Relation beider Temperaturen zueinander. Je kleiner die Temperaturdifferenz
zwischen Ätzmediums und Substratoberfläche ist, umso höher ist die erzielte Ätzrate
für das Opferoxid, aber umso kritischer hängt die Ätzrate auch von kleinen
Temperaturabweichungen ab. Hieraus ergibt sich eine Optimierung der
Temperaturdifferenz zwischen möglichst hoher Ätzrate und Stabilität des Prozesses.
Prozesstechnisch sinnvolle Werte für diese Temperaturdifferenz liegen zwischen 10
und 20°C.
In der deutschen Patenanmeldung 197 04 454 A1 wird eine Ätzvorrichtung
beschrieben, bei der die Temperatur der Flusssäurelösung durch einen
Heißwassermantel stabilisiert wird, der das eigentliche, vorzugsweise aus Teflon
gefertigte, Ätzgefäß umgibt. Durch Umwälzung des Heißwasser mittels eines
Thermostaten, der gleichzeitig auch die umgewälzte Wassertemperatur stabilisiert,
werden eine gleichmäßige thermische Anbindung
und stabile Temperaturverhältnisse in der azeotropen Flußsäurelösung
realisiert. Optional kann die HF-Lösung zur Verbesserung der thermischen
Anbindung mittels eines Magnetrührers gerührt werden.
Die Heizung des Substrats geschieht vorzugsweise über eine in den Deckel
der Ätzvorrichtung eingebrachte Heizplatte mit elektrischen Heizelementen,
die in Form sogenannter Heizzonen angebracht sein können und eine
möglichst gleichmäßige Temperaturverteilung über die Heizplatte bzw. das
zu beheizende Substrat gewährleisten sollen. Ein solches Substrat ist
beispielsweise ein Siliziumwafer. Die Heizplatte ist ebenfalls vorzugsweise
aus Silizium gefertigt, welches mit einer passivierenden Dünnschicht von
vorzugsweise Siliziumcarbid beschichtet und mit rückseitig aufgeklebten
oder auflaminierten Heizfolien versehen sein kann, denen individuell
elektrische Leistung zudosiert werden kann, um die Temperaturverteilung im
gewünschten Sinn zu beeinflussen. Ein Temperaturfühler, der auf der
Heizplatte an einer bestimmten Stelle, z. B. in der Mitte auf der Rückseite der
Heizplatte, befestigt ist, meldet hierbei die Ist-Temperatur an dieser Stelle
der Heizplatte an einen elektronischen Regler, einen sogenannten PID-
Regler (Proportional Integral Differential). Dieser dosiert die Heizleistung so
zu, daß exakt die eingestellte Soll-Temperatur an der Heizplatte konstant
gehalten wird. Dieser PID-Regler arbeitet vorzugsweise als getakteter
elektrischer Geber mit variablem Impuls-Pause-Verhältnis, das heißt, einer
hohen Heizleistung entsprechen hohe Ein- gegenüber kurzen Aus-Zeiten,
verminderte Heizleistung bedeutet demgegenüber kürzere Ein- gegenüber
längeren Aus-Zeiten.
Bei dem bekannten Konzept ist zwar eine Stabilisierung der Deckel
temperatur auf den eingestellten Sollwert problemlos und sehr schnell
möglich, da die elektrische Heizung in Verbindung mit der geringen
Wärmeträgheit des Systems "Deckel" eine praktisch unmittelbare Reaktion
auf Veränderungen erlaubt. Das bedeutet kurze Aufheizzeiten und präzise
Stabilisierung der Temperatur auf den eingestellten Sollwert.
Um die Heizleistung auf die Heizzonen der Heizplatte so zu verteilen, daß
die gewünschte Temperaturverteilung über die Waferoberfläche erreicht
wird, muß eine Methode zur Leistungsaufteilung auf die einzelnen Heiz
zonen gefunden werden, die mit dem Puls-zu-Pause-Signal des PID-
Reglers harmoniert und möglichst flexibel einstellbar ist. Eine individuelle
Aufteilung der Heizleistung über Vorschaltwiderstände zu jedem Heiz
element liegt zwar nahe, ist allerdings wenig flexibel und aufwendig,
insbesondere wenn beispielsweise bis zu sechs Heizzonen versorgt werden
müssen.
Demgegenüber gestaltet sich die Stabilisierung der Temperatur der
azeotropen Flußsäurelösung erheblich schwieriger. Durch die hohe
Wärmekapazität des Flußsäurevolumens von beispielsweise 500-1000 cm3
und der Anbindung der Flußsäuretemperatur an den Heißwasserheizmantel
über die Teflonwand ist nur eine relativ schwache thermische Ankopplung
gegeben. Es treten daher stets Schwankungen der Flußsäuretemperatur
auf, wenn beispielsweise der Deckel der Vorrichtung geöffnet wird, um einen
Wafer ein- bzw. auszuladen. Beim Öffnen des Deckels tritt jedesmal der
angesammelte Flußsäuredampf zumindest teilweise aus, der unter
Abkühlung des Lösungsvorrats nachgeliefert werden muß. Diese Abkühlung
entspricht derjenigen Wärmemenge, die zur Erzeugung einer gesättigten
Dampfphase nach dem erneuten Schließen des Deckels benötigt wird.
Diese Wärmemenge und damit die Temperaturabsenkung ist umso
gravierender, je mehr Dampf bis zum Erreichen des Sättigungszustandes
gebildet werden muß, d. h. je heißer die Flußsäurelösung ist. Mit höherer HF-
Temperatur ist auch die Dampfphase im Sättigungszustand über der HF-Lösung
konzentrierter, so dass ein Ersatz der Dampfphase zu relativ großen benötigten
Wärmemengen und damit Temperaturreduktionen führt. Gerade hohe HF-Temperaturen
sind aber im Interesse von hoher Prozessstabilität des Ätzprozesses bei hohen
Prozessraten anzustreben.
Es ist zwar in an sich bekannter Weise möglich, die Temperaturen der Flusssäurelösung
zu messen und die Temperatur des Umwälzwasser des Heißwassermantels durch eine
Regelung entsprechend nachzuführen, wenn sich die Temperatur der Flusssäurelösung
z. B. nach Öffnen des Deckels ändert. Bei Absinken der Temperatur der
Flusssäurelösung würde dann der Regler entsprechend das Umwälzwasser auf höhere
Temperatur erhitzen, bei zu hoher Temperatur der Flusssäurelösung würde der Regler
korrigieren, indem die Temperatur des Umwälzwasser reduziert wird. Hierbei stören
jedoch ebenfalls die schwachen thermischen Anbindungen der Flusssäurelösung an den
Heißwasserkreislauf und die große thermische Trägheit des Gesamtsystems, die keine
instantane Temperaturkorrektur erlaubt. In der Praxis treten bei beiden
Lösungsmöglichkeiten, der aktiven Nachregelung des Umwälzwassers bezogen auf die
Temperatur der HF-Lösung und der Stabilisierung der Umwälzwassertemperatur auf
einen konstanten Wert, Oszillationen der Temperatur der Flusssäurelösung auf. Diese
Temperaturschwankungen, z. B. nach Öffnen und Schließen des Deckels, haben
entsprechende Ätzratenschwankungen zur Folge, die umso gravierender sind, je
niedriger die Temperaturdifferenz Flusssäurelösung zu Deckelheizung eingestellt wird.
Aus EP 0 396 002 A2 ist ein Ätzverfahren bekannt, bei dem eine Temperaturregelung des
Ätzmediums über eine direkte, sensorgesteuerte Heizeinrichtung mit einer entsprechenden
Kontrolleinrichtung erfolgt. Insbesondere ist dort die Einstellung und Kontrolle der
Temperatur des Ätzmediums über eine Heizvorrichtung mit einem Heizer und einem
Isoliermaterial bekannt, mit denen die äußeren Bereiche der Ätzkammer beheizbar sind, so
dass diese Teile der Ätzanlage auf Temperaturen oberhalb des Taupunktes des Ätzmediums
gehalten werden können.
In DE 35 20 361 A1 wird ein Magnetrührer mit einer regelbaren Heizeinrichtung für das
Rührmedium und einem die Temperatur des Rührmediums mit einem Temperaturfühler
abgreifenden Kontaktthermometer beschrieben. Weiter ist dort zur Glättung des
Temperaturverlaufs im Rührmedium ein PID-Regler vorgesehen. Eine ähnliche
Vorgehensweise ergibt sich auch aus US 5,814,790, in der eine Vorrichtung zur
Verflüssigung und zur Bereitstellung von thermoplastischen Materialien beschrieben ist.
Die Aufgabe vorliegender Erfindung bestand daher darin, ein Regelungsverfahren
bereitzustellen, bei dem die die Ätzraten primär bestimmende
Temperaturdifferenz zwischen dem Substrat und dem Ätzmedium in stark
verbesserter Weise konstant gehalten wird.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum Regeln einer
Ätzung eines mit einer Deckelheizung verbundenen Substrats mittels eines
Fluorwasserstoff enthaltenen Ätzmediums mit einer Temperaturdifferenz
zwischen Substrat und Ätzmedium gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist,
daß die Temperatur des Ätzmediums und des Deckels gemessen und
einem Differenzregler zugeführt wird, der bei Schwankungen der festgeleg
ten Temperaturdifferenz die Temperatur des Deckels nachführt, was sehr
schnell erfolgen kann.
Vorzugsweise wird als Differenzregler ein PID-Regler verwendet.
Ferner ist bevorzugt, daß die Temperatur des Substrats 10-30°C über der
Temperatur des Ätzmediums liegt, sowie daß die Temperatur des
Ätzmediums mindestens 30°C beträgt.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die im Stand der Technik
bekannten, bisher unausweichlichen Schwankungen der Temperatur des
Ätzmediums dadurch kompensiert, daß die Temperatur des Deckels, die
einer schnellen und hochpräzisen Regelung zugänglich ist, entsprechend
nachgeführt wird, so daß eine konstante Temperaturdifferenz ΔT zwischen
der Substratoberfläche und dem Ätzmedium erreicht wird. Hierfür wird so
wohl die Temperatur des Ätzmediums als auch die des Deckels gemessen
und dem Differenzregler zugeführt. Dieser stellt die Deckeltemperatur so
ein, daß sie um den gewählten und den Prozeß bestimmenden Wert ΔT
über dem aktuellen Temperaturwert des Ätzmediums liegt.
Die Temperatur des Ätzmediums selbst kann unabhängig davon entweder
über eine konstante Temperatur des Heißwassermantels des Ätzgefäßes
oder mit aktiver Unterstützung durch Nachführung der Temperatur des
Heißwassermantels in Bezug auf die Temperatur der HF-Lösung als
Regelparameter relativ stabil gehalten werden.
Im Folgenden soll erläutert werden, warum eine möglichst hohe Temperatur
des Ätzmediums für einen stabilen Ätzprozeß mit hohen Ätzraten
vorteilhafter ist, als eine niedrige Temperatur.
Um die Ätzrate zu erhöhen, wird der Wert von ΔT reduziert, d. h. der
Temperaturdifferenz zwischen dem Ätzmedium und dem Substrat. Je
niedriger die Temperaturdifferenz ist, desto höher ist die Ätzrate. Hierzu
kann man entweder die Temperatur des Substrats reduzieren oder die
Temperatur des Ätzmediums erhöhen, wobei jedoch folgende Rand
bedingungen zu berücksichtigen sind.
Neben dem Korrosionsproblem der Aluminium-Kontaktflächen, das bei
niedrigen Substrattemperaturen auftritt und dem durch hohe Substrat
temperaturen und entsprechend hohe Temperaturen des Ätzmediums
begegnet werden kann, gibt es noch ein weiteres Problem hinsichtlich der
Anreicherung von Ätzprodukten im Fall von Flußsäurelösung als
Ätzmedium, das insbesondere bei niedrigen Temperaturen der Flußsäure
lösung und hohen Ätzraten von SiO2 gravierend werden kann.
Bei der Ätzung von SiO2 bildet sich als Reaktionsprodukt gasförmiges SiF4.
Dieses reagiert mit Fluorwasserstoffsäure zur Fluorokieselsäure H2SiF6. Die
Reaktionsgleichungen hierfür lauten:
SiO2 + 4HF → SiF4 + 2H2O
SiO2 + 4HF → SiF4 + 2H2O
SiF4 + 2HF → H2SiF6
Damit lautet die Gesamtreaktion:
SiO2 + 6HF ↔ H2SiF6 + 2H2O.
Die Anreicherung von Fluorokieselsäure erfolgt also umso schneller, je
schneller SiO2 geätzt wird, via Flußsäurevorrat.
Die Fluorokieselsäure, die in der Flußsäurelösung gelöst ist, verändert den
Sättigungsdampfdruck über der Lösung und damit tendenziell die
Ätzgeschwindigkeit gegenüber SiO2, so daß bei Anreicherung der Fluoro
kieselsäure in der Lösung eine Prozeßdrift zu niedrigeren Raten über die
Zeit eintritt. Das ist dann der Fall, wenn die Fluorokieselsäure in der
Flußsäurelösung eine relativ hohe Konzentration erreicht, also bei hohen
SiO2-Ätzraten.
Gleichzeitig mit der Hinreaktion findet auch die Rückreaktion gemäß obiger
Gesamtgleichung statt. Das bei der Rückreaktion entstehende SiO2
unterscheidet sich jedoch von dem geätzten SiO2 dahingehend, daß es als
kolloidales SiO2 ausfällt in Form von wasserhaltigen Clustern. In dieser Form
kann das SiO2 von Flußsäure nicht mehr geätzt werden und es bildet einen
unlöslichen Rückstand ("Stain). Dadurch wird die Flußsäurelösung
regeneriert, d. h., nach einer gewissen Erholungszeit verhält sich die
gebrauchte Flußsäurelösung wieder wie eine frische azeotrope Lösung. Die
Geschwindigkeit, mit der diese Regeneration stattfindet, hängt kritisch von
der Temperatur der Flußsäurelösung ab. Mit steigender Temperatur wächst
die Regenerationsgeschwindigkeit an, bis die Prozeßdrift vernachlässigbar
wird. Temperaturwerte von 50°-70°C der Flußsäurelösung sind in diesem
Sinne günstig für einen stabilen Prozeß.
Besonders schwerwiegend wirkt die Anreicherung von SiF4 bzw. H2SiF6
dann, wenn innerhalb der Ätzkammer Kondensationströpfchen vorliegen,
insbesondere in der Nähe des zu ätzenden Wafers. Im kälteren Kondensat
reichert sich SiF4 wegen der niedrigeren Kondensattemperatur besonders
stark an und kann schädlich mit dem Ätzprozeß wechselwirken. Im Interesse
eines stabilen Ätzprozesses ist also zu vermeiden, daß sich irgendwo in der
Vorrichtung Kondensat bildet, insbesondere nicht in unmittelbarer
Umgebung des zu ätzenden Wafers. Da der Teflonbehälter durch den
Heißwassermantel beheizt wird, tritt am Teflongefäß kein Kondensat auf.
Kondensat kann sich allenfalls an den kälteren Teilen der Waferaufnahme,
d. h. am Teflonkragen, der den zu ätzenden Wafer trägt, bilden und ist
wegen der Nähe zum Wafer besonders prozeßschädlich. Es ist daher
vorteilhaft, die Teile der Waferaufnahme mit einer Kragenheizung zu
beheizen und somit jegliche Kondensation auszuschließen.
In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird eine Deckelheizung mit mehreren Heizzonen verwendet.
Hierbei können vorteilhaft als Heizzonen zwei konzentrische innere
Ringheizungen und vier äußere Kreissegmentheizungen verwendet werden.
Des weiteren ist ein Verfahren bevorzugt, bei dem ein Regler verwendet
wird, der eine Kombination von Zeitgliedern mit dem PID-Ausgang darstellt
und wobei der Ein-Zeit des PID-Reglers bei jeder Heizzone eine zusätzliche
Ein-Zeit eines jeweils fest zugeordneten Zeitglieds hinzuaddiert werden
kann.
Durch diesen modifizierten Regler ist eine einfache Einstellung der
Heizleistung zu den einzelnen Heizzonen der Deckelheizung möglich, die
sich somit leicht an veränderte Temperatursollprofile über die Fläche der
Heizplatte anpassen läßt und deren Stellgrößen sich direkt aus dem PID-
Ausgangssignal (Puls-zu-Pause-Verhältnis) ableiten läßt. Mit dem
erfindungsgemäß verwendeten Regler kann die Heizleistung, die jede Zone
erhält, auf einen Wert ober- oder unterhalb eines durchschnittlichen
Zusatzwertes eingestellt werden. Hierdurch benötigt man nur noch einen
einzigen PID-Regler, um alle Heizzonen zu steuern.
Beispielsweise kann allen Zeitgebern eine mittlere Zusatzzeit einpro
grammiert werden. Heizzonen, die weniger Heizleistung als den Mittelwert
benötigen, werden nachträglich bezüglich ihrer Zusatzzeit nach unten korri
giert, Heizzonen, die mehr Heizleistung als der Mittelwert benötigen, werden
nachträglich bezüglich ihrer Zusatzzeit nach oben korrigiert. Die manuell
vorgegebene Einstellung bemißt sich nach dem gewünschten Temperatur
profil, das man über der Heizplatte erreichen möchte. Damit kann auch ein
Gang der Ätzratenverteilung über den Wafer korrigiert werden, indem über
die Temperaturverteilung der Heizplatte gegengesteuert wird. Zonen auf
dem Wafer, die zunächst zu schnell ätzen, werden auf höhere Temperatur
gebracht und die Ätzrate damit gesenkt, Zonen auf dem Wafer, die zunächst
zu langsam ätzen, werden auf niedrigere Temperatur als die Umgebung
gebracht und die Ätzrate dadurch erhöht. So kann eine Ätzratenhomo
genisierung auch bei inhomogen ätzendem Wafer erreicht werden.
Die Erfindung soll nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert werden.
Die Fig. 1 zeigt ein Funktionsdiagramm.
Die Fig. 2 zeigt ein Blockschaltbild.
In dem Behälter 1 befindet sich die azeotrope Fluorwasserstoffsäure-
Wassermischung 2. In diese ragt die Temperaturmeßleitung 6, die ebenso
wie die Temperaturmeßleitung 5 mit dem Differenzregler 4 verbunden ist.
Die Temperaturmeßleitung 5 mißt die Temperatur des Deckels 3, die
Temperaturmeßleitung 6 die der Fluorwasserstoffsäure-Wassermischung 2.
Vom Differenzregler 4 geht die Signalleitung 7 zum Deckel 3.
Die Fig. 2 zeigt den PID-Regler 9 sowie für jede der nicht dargestellten
Heizzonen 1-5 die jeweils zugehörigen Leitungen zu diesen Heizzonen
12-16, die programmierbaren Zeitglieder 8, die Oder-Glieder 10 und die
Leistungsschalter mit Halbleiterrelais 11.
Die Erfindung soll nunmehr anhand von Beispielen näher erläutert werden.
In einem Behälter, wie er schematisch in Fig. 1 dargestellt ist, befand sich
eine azeotrope Fluorwasserstoffsäure-Wassermischung, deren Temperatur
70°C betrug, wobei die Temperatur der Heizplatte um 15°C höher lag, also
bei 85°C. Es wurde nun der Deckel geöffnet, worauf die Temperatur des
Ätzmediums um 0,5°C auf 69,5°C fiel, was kurzfristig nicht verhindert
werden konnte. Die Temperatur der Heizplatte wurde nunmehr jedoch
korrigierend um eben diesen Wert von 0,5°C ebenfalls abgesenkt, auf
nunmehr 84,5°C. Die Temperaturdifferenz von 15°C, welche die Prozeß
eigenschaften, wie die Ätzrate in erster Linie bestimmt, blieb dadurch
vorteilhafterweise unverändert und man erhielt einen stabilen Prozeß.
Bei einer Flußsäuretemperatur von 72,5°C und einer Heizplattentemperatur
von 87,5°C konnte ein driftfreier Prozeß mit einem Ätzabtrag von 1500 nm in
15 Minuten bezogen auf einen ganzflächig thermisch oxidierten 6-Zoll-Wafer
erreicht werden. Unter diesen Bedingungen war der Prozeß auch bei diesen
hohen Raten sehr stabil über die Zeit, d. h. über viele nacheinander
prozessierte Wafer.
Bei einer HF-Temperatur von 54°C und einer Heizplattentemperatur von
68°C sowie einer zusätzlichen Kragenheizung konnte ebenfalls ein driftfreier
Prozeß mit einem Ätzabtrag von 1500 nm in 15 Minuten erreicht werden.
Claims (7)
1. Verfahren zum Regeln einer Ätzung eines mit einer Deckelheizung
verbundenen Substrats mittels eines Fluorwasserstoff enthaltenden
Ätzmediums mit einer Temperaturdifferenz zwischen Substrat und Ätzmedium,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Temperatur des Ätzmediums und des Deckels (3) gemessen und einem
Differenzregler (4) zugeführt wird, der bei Schwankungen der festgelegten
Temperaturdifferenz die Temperatur des Deckels (3) nachführt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
Differenzregler (4) ein PID-Regler (9) verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Temperatur des Substrats 10-30°C über der Temperatur des Ätzmediums liegt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Temperatur des Ätzmediums mindestens 30°C beträgt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine Deckelheizung mit mehreren Heizzonen verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als
Heizzonen zwei konzentrische innere Ringheizungen und vier äußere
Kreissegmentheizungen verwendet werden.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein
Regler verwendet wird, der eine Kombination von Zeitgliedern (8) mit dem PID-
Ausgang darstellt und wobei der Ein-Zeit des PID-Reglers (9) bei jeder
Heizzone eine zusätzliche Ein-Zeit eines jeweils fest zugeordneten Zeitglieds
(8) hinzuaddiert werden kann.
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| DE19850078A DE19850078C2 (de) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Regelungsverfahren beim Ätzen mit Fluorwasserstoff |
| GB9925625A GB2343147B (en) | 1998-10-30 | 1999-10-29 | A regulation process for etching with hydrogen fluoride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19850078A DE19850078C2 (de) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Regelungsverfahren beim Ätzen mit Fluorwasserstoff |
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|---|---|
| DE19850078A1 DE19850078A1 (de) | 2000-05-04 |
| DE19850078C2 true DE19850078C2 (de) | 2003-04-30 |
Family
ID=7886169
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE19850078A Expired - Fee Related DE19850078C2 (de) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Regelungsverfahren beim Ätzen mit Fluorwasserstoff |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| GB (1) | GB2343147B (de) |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| DE19941042A1 (de) * | 1999-08-28 | 2001-03-15 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung oberflächenmikromechanischer Strukturen durch Ätzung mit einem dampfförmigen, flußsäurehaltigen Ätzmedium |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3520361A1 (de) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | Heidolph Elektro GmbH & Co KG, 8420 Kelheim | Magnetruehrer mit regelbarer heizeinrichtung fuer das ruehrmedium |
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| DE19704454A1 (de) * | 1997-02-06 | 1998-08-20 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung oberflächenmikromechanischer Strukturen mittels Ätzung in der Dampfphase |
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|---|---|---|---|---|
| DE4317274A1 (de) * | 1993-05-25 | 1994-12-01 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung oberflächen-mikromechanischer Strukturen |
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-
1999
- 1999-10-29 GB GB9925625A patent/GB2343147B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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Also Published As
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|---|---|
| GB2343147B (en) | 2000-09-27 |
| DE19850078A1 (de) | 2000-05-04 |
| GB2343147A (en) | 2000-05-03 |
| GB9925625D0 (en) | 1999-12-29 |
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