DE19753809A1

DE19753809A1 - Dünnschichttransistor mit vertikalem Aufbau und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE19753809A1
Application number: DE19753809A
Authority: DE
Inventors: Suk-Jae Chung
Original assignee: Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Current assignee: Hydis Technologies Co Ltd
Priority date: 1996-12-28
Filing date: 1997-12-04
Publication date: 1998-07-02
Also published as: KR19980056197A; JPH10321865A; KR100230595B1; US6144422A; TW357462B

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Technologie für einen Dünnschichttransistor, eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung (LCD) und insbesondere einen Dünnschichttransistor, der eine vertikale Struktur bzw. einen vertikalen Aufbau hat, und ein Verfahren zu dessen Herstellung gemäß dem Patentanspruch 1 bzw. gemäß dem Patentanspruch 13 und gemäß dem Patentanspruch 17 bzw. gemäß dem Patentanspruch 31.

Im allgemeinen wird eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung in einem Fernseher, einer graphischen Anzeige usw. verwendet. Insbesondere weist eine Flüssigkristallanzeige von dem Typ mit einer aktiven Matrix eine Hochgeschwindigkeitsreaktionseigenschaft auf und ist für Anzeigeeinrichtungen zweckmäßig, bei denen viele Bildelemente erforderlich sind. Deshalb trägt sie zur Verwirklichung eines Bildes im großen Maßstab mit großer Be stimmtheit bzw. großer Auflösung bei. Ferner wird sie bei einem Lap-Top-Computer, einem tragbaren Fernsehgerät, einer Autonavigationsanzeige (Cockpit- bzw. Instrumen tenanzeige) usw. aufgrund eines geringen Gewichtes und eines niedrigen Energiever brauchs eingesetzt.

Bei einer derartigen Flüssigkristalleinrichtung des Typs mit aktiver Matrix werden an den Zwischenabschnitten bzw. überschneidenden Abschnitten eine Anzahl von Gatebusleitun gen und Datenbusleitungen, eine Anzahl von Schalteinrichtungen, wie etwa Dioden, Dünnschichttransistoren usw., angeordnet, um die Bildelementelektroden wahlweise zu betreiben.

Ein Dünnschichttransistor enthält einen versetzten Transistor, einen invers versetzten Transistor, einen Transistor vom Planartyp und einen inversen Transistor vom Planartyp. In Fig. 2 ist der Dünnschichttransistor vom invers versetzten Typ gezeigt.

Bezugnehmend auf Fig. 2 ist ein Metallmaterial, wie etwa Chrom oder Aluminium usw., bis zu einer ausgewählten Dicke auf der Oberfläche eines unteren isolierenden Substrats 1 abgeschieden und ist unter Verwendung einer ersten Maske bzw. Schaltungsstruktur strukturiert, um eine Gateelektrode 2 eines Dünnschichttransistors auszubilden.

Um eine Isolation mit einer leitenden Schicht herzustellen, die in dem letzteren Schritt auszubilden ist, wird eine isolierende Schicht 3 eines Materials, wie etwa Siliziumnitrid, über bzw. auf der gesamten Oberfläche der sich ergebenden Oberfläche abgeschieden, in der die Gateelektrode 2 ausgebildet wird. Dann wird auf der Oberfläche der isolierenden Schicht 3 eine Schicht 4 aus amorphem Silizium ausgebildet. Die Schicht 4 aus amor phem Silizium, wie etwa eine Si:H-Schicht bzw. a-Si:H, dient als Kanal eines Dünn schichttransistors. Ein isolierendes Material wird auf einer oberen Oberfläche der Schicht 4 aus amorphem Silizium abgeschieden und wird unter Verwendung einer zweiten Maske strukturiert bzw. mit einer Schaltungsstruktur versehen, um eine Ätzstoppschicht 5 zu bilden. Eine Schicht 6 aus amorphem Silizium, wie etwa eine N⁺ a-Si:H, innerhalb derer eine n-Typ-Verunreinigung dotiert worden ist, ist auf der Oberfläche der sich ergebenden Oberfläche ausgebildet, wobei die Schicht 6 aus amorphem Silizium als ohm'sche Schicht dient. Die Schichten 6 und 4 aus amorphem Silizium werden dann unter Verwendung einer dritten Maske strukturiert bzw. mit einem Muster versehen. In dieser Hinsicht wird die amorphe Siliziumschicht 4 strukturiert, um eine minimale wirksame Kanallänge zu erhalten, so daß die Breite der Schicht 4 aus amorphem Silizium länger ist als die Breite der Gateelektrode 2. Aufeinanderfolgend bzw. nachfolgend wird ein transparentes Material, wie etwa Indiumzinnoxid, auf der gesamten Oberfläche der sich ergebenden Oberfläche abgeschieden und unter Verwendung einer vierten Maske strukturiert, um eine Bildelementelektrode 7 zu schaffen. Der Ausbildung der Bildelementelektrode 7 folgend, wird ein leitendes Material, wie etwa Aluminium, Tantal, Chrom usw., bis zu einer vorausgewählten Dicke auf der sich ergebenden Oberfläche abgeschieden und unter Verwendung einer fünften Maske und einer sechsten Maske strukturiert, um so einen Teil der Ätzstoppschicht 5 freizulegen bzw. zu belichten, wobei eine Source 8a und eine Drain 8b des Dünnschichttransistors von der Source durch ein Loch getrennt ausgebildet werden. Zu dieser Zeit wird die Sourceelektrode 8b an die Bildelementelektrode 7 angeschlossen. Dann wird eine Passivierungsschicht auf der Oberfläche der sich er gebenden Oberfläche ausgebildet, in der der Dünnschichttransistor gemäß dem herkömm lichen Verfahren ausgebildet wird und dann unter Verwendung einer siebten Maske strukturiert wird, um eine Passivierungsschicht 9 zu bilden, die nur auf der oberen Oberfläche des Dünnschichttransistors verbleibt.

Der Dünnschichttransistor vom invers versetzten Typ, der die Ätzstoppschicht, wie oben beschrieben, hat, weist die folgenden Nachteile auf:
Um zuerst den Dünnschichttransistor, wie in Fig. 2 gezeigt, herzustellen, sind sieben Masken (in dem Fall, der den Schritt zur Herstellung des Kontaktflags, wie etwa Chrom usw., enthält, sind acht Masken erforderlich) erforderlich und das Verfahren ist folglich umständlich.

Zweitens absorbiert die Schicht 4 aus amorphem Silizium, die als der Kanal des Dünn schichttransistors dient, das einfallende Licht von einer Gegenlichteinrichtung bzw. Hintergrundlichteinrichtung des unteren Substrats (nicht gezeigt), um dadurch einen optischen Strom in dem Transistor zu erzeugen. Deshalb fließt ein Strom, d. h. ein Aus- Zustandstrom, durch den Transistor, selbst wenn der Transistor in dem ausgeschalteten Zustand ist, weil die äußere elektrische Quelle bzw. Spannungsquelle nicht an das Gate des Transistors angelegt ist. Folglich wird eine Lebensdauer des Transistors in der Flüssigkristallanzeigeeinrichtung verkürzt und ein Kontrastverhältnis, ein Grauphänomen und ein Flackerphänomen usw. der Flüssigkristallanzeigeeinrichtung werden beein trächtigt.

Drittens überlappt sich bei dem invers versetzten Dünnschichttransistor, da eine Gateelek trode in einem der unteren und der oberen Abschnitte ausgebildet ist und die Soure- und Drainelektroden entgegengesetzt zu der Gateelektrode ausgebildet sind, die Gateelektrode mit der Sourceelektrode und der Drainelektrode. Diese Überlappung führt zu der Erzeu gung einer parasitären Kapazität zwischen der Gateelektrode und den Source-/Drainelek troden. Eine derartige parasitäre Kapazität erzeugt ein Restbild in einem Bild der Flüssig kristallanzeigeeinrichtung und verringert deren Verläßlichkeit.

Um viertens die wirksame Kanallänge zu erhalten, solle eine Breite der Schicht 4 aus amorphem Silizium, die als der Kanal des Dünnschichttransistors dient, größer als eine Breite der Gateelektrode sein. Um mit einer derartigen Anforderung fertigzuwerden, wird die Größe des Transistors groß. Es ergibt sich ein Problem, daß die Größe des Transi stors größer und größer wird, wobei das Öffnungsverhältnis der Flüssigkristallanzeigeein richtung weniger und weniger abnimmt.

Fünftens ist die Auswahl für das Metallmaterial der Gateelektrode 2 begrenzt, da das Metall der Gateelektrode die folgenden Eigenschaften haben sollte: es muß einen niedri gen Widerstand haben, um die Betriebsverzögerung der Flüssigkristallanzeigeeinrichtung zu verkürzen; es muß von einem Unterschneidungsätzen angegriffen werden, um die Stufenabdeckung zu verbessern bzw. muß eine entsprechende Ätzung überstehen; und darüber hinaus sollte es nicht durch die anderen Prozesse bzw. Verfahren nach der Ausbildung der Gateelektrode 2 beeinträchtigt werden.

Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, um einen Transistor einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung einfacher herzustellen.

Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Transistor für eine Flüssig kristallanzeigeeinrichtung zur Verfügung zu stellen, die einen niedrigen Ausschaltstrom hat.

Es ist noch eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Transistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung bereitzustellen, die eine niedrige parasitäre Kapazität zwischen den Source-/Drainelektroden und einer Gateelektrode hat.

Es ist noch eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Transistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung bereitzustellen, die dazu in der Lage ist, ein Öffnungs verhältnis der Flüssigkristallanzeigeeinrichtung zu verbessern, indem eine Größe des Dünnschichttransistors eingenommen wird, die kleiner als die nach dem Stand der Technik ist.

Es ist noch eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Her stellung eines Transistors für eine Flüssigkristallanzeige zur Verfügung zu stellen, indem der ausgewählte Grenzbereich des Metallmaterials für die Gateelektrode erstreckt ist.

Die obigen Aufgaben werden wenigstens teilweise soweit als möglich durch die Gegen stände der unabhängigen Ansprüche 1, 13, 17 bzw. 31 gelöst. Zweckmäßige Ausfüh rungsformen der erfindungsgemäßen Gegenstände gehen aus den Unteransprüchen hervor.

Um die obigen Ziele zu realisieren, enthält der Dünnschichttransistor Source-/Drainelek troden, einen Kanal und eine Gateelektrode und ist konstruiert bzw. ausgelegt, um relativ zu dem Substrat vertikal ausgerichtet bzw. angeordnet zu sein. Darüber hinaus ist die Elektrode, die unter der Kanalschicht ausgebildet ist (auf die im folgenden als die untere Elektrode Bezug genommen wird) auch konstruiert, um eine Breite zu haben, die größer als oder im wesentlichen gleich der der Kanalschicht ist, und ein nichttransparentes Material wird für die Elektrode unter der Kanalschicht verwendet. Ferner werden die untere Elektrode und die Gateelektrode so konstruiert, daß die untere Elektrode des Dünnschichttransistors, die eine senkrechte Konstruktion hat, nicht mit der Gateelektrode an dem oberen Abschnitt des Dünnschichttransistors überlappt und wird zu der Gateelek trode ausgerichtet bzw. angeordnet. Deshalb wird die parasitäre Kapazität zwischen der Gateelektrode und der unteren Elektrode beseitigt.

Ein Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einer Aus führungsform gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung weist folgende Merkmale auf: ein Substrat; eine erste Elektrode, die auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet ist, mit einer ersten Breite; eine Halbleiterschicht, die auf der ersten Elek trode ausgebildet ist, mit einer zweiten Breite, die nicht breiter als die erste Breite ist; eine Schicht aus isolierendem Material, die auf der gesamten Oberfläche des sich er gebenden Substrats ausgebildet ist, in der die Halbleiterschicht ausgebildet ist, wobei die Schicht aus isolierendem Material eine Kontaktöffnung hat, die einen Abschnitt einer Oberfläche der Halbleiterschicht freigibt; eine zweite Elektrode, die auf einen Abschnitt der Oberfläche der Schicht aus isolierendem Material ausgebildet ist, wobei die Kontakt öffnung bzw. das Kontaktloch gefüllt ist; und einer Gateelektrode, die auf einem anderen Abschnitt der Oberfläche der Schicht aus isolierendem Material gebildet ist und auch von der zweiten Elektrode mit einem ausgewählten Abstand getrennt ist.

Hier ist die Halbleiterschicht aus einem amorphen Siliziummaterial ausgebildet. Der Dünnschichttransistor kann ferner aufweisen, eine erste ohm'sche Schicht, die zwischen der ersten Elektrode und der Halbleiterschicht ausgebildet ist; eine zweite ohm'sche Schicht, die zwischen der Halbleiterschicht und der isolierenden Schicht ausgebildet ist; eine erste Schicht zum Steuern der Zusammenbruch- bzw. Abbruchspannung zwischen der ersten ohm'schen Schicht und der Halbleiterschicht; und eine zweite Schicht zum Steuern der Abbruchspannung bzw. Zusammenbruchspannung, die zwischen der zweiten ohm'schen Schicht und der Halbleiterschicht ausgebildet ist. Bevorzugt sind die erste ohm'sche Schicht und die zweite ohm'sche Schicht beide aus Materialien von n+ amor phem Silizium ausgebildet und haben in bezug zueinander die gleiche Verunreinigungs konzentration. Die erste Schicht zum Steuern der Zusammenbruchspannung und die zweite Schicht zum Steuern der Zusammenbruchspannung sind allesamt aus einem Material von n-amorphem Silizium ausgebildet, die eine niedrigere Verunreinigungskon zentration haben als die der ersten und der zweiten ohm'schen Schicht. Die Verunreini gungskonzentration der ersten Schicht zur Steuerung der Abbruchspannung ist die gleiche wie die der zweiten Schicht zur Steuerung der Verunreinigungskonzentration. Ferner ist die erste Elektrode eine Sourceelektrode und die zweite Elektrode ist eine Drainelektrode; und umgekehrt.

Darüber hinaus werden die zweite Elektrode und die Gateelektrode bevorzugt aus dem gleichen Material ausgebildet. Die Gateelektrode kann zusammen mit der Elektrode ausgerichtet bzw. angeordnet werden, die einen unmittelbaren Kontakt zu dem Substrat herstellt, z. B. die Sourceelektrode.

In dem Fall, daß die erste Elektrode eine Drainelektrode (oder eine Sourceelektrode) ist, werden die Gateelektrode und die Sourceelektrode aus zumindest einem Material ausge bildet, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Aluminium, Aluminium/Molybdän, Molybdän und Chrom bzw. einer Kombination davon besteht, und die Drainelektrode (oder die Sourceelektrode) wird zumindest aus einem Material ausgebildet, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Aluminium, Aluminium/Molybdän, Molybdän, Chrom, Molybdän-Tantal (MoTa), Molybdän-Wolfram (MoW) bzw. einer Kombination davon besteht.

Bei einer anderen Ausführungsform des Dünnschichttransistors gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Gateelektrode konstruiert, um sich mit der Sourceelektrode (oder der Drainelektrode) auszurichten bzw. anzuordnen.

Eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung weist auf: ein Substrat; eine erste Elektrode, die mit einer ersten Breite auf dem Substrat ausgebildet ist; eine Halbleiterschicht, die auf der ersten Elektrode ausge bildet ist und die eine zweite Breite hat, wobei die zweite Breite schmäler als oder im wesentlichen gleich der ersten Breite ist; eine isolierende Schicht, die auf der gesamten Oberfläche des sich ergebenden Substrats ausgebildet ist, in der die Halbleiterschicht ausgebildet ist, wobei die isolierende Schicht ein Kontaktloch bzw. eine Kontaktöffnung hat, die einen Abschnitt einer Oberfläche der Halbleiterschicht freilegt bzw. freigibt; eine zweite Elektrode, die auf einem ersten ausgewählten Abschnitt einer Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet ist; und eine dritte Elektrode, die auf einem zweiten ausgewählten Abschnitt der Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet ist, wobei das Kontaktloch bzw. die Kontaktöffnung gefüllt wird, und die sich zu einem Abschnitt der Oberfläche der zweiten Elektrode erstreckt; eine vierte Elektrode, die auf einem dritten ausgewählten Abschnitt der Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet ist und die von der dritten Elektrode mit einem ausgewählten Abstand getrennt ist.

Hier ist eine der ersten Elektroden und die dritte Elektrode eine Sourceelektrode und die andere ist eine Drainelektrode, wobei die dritte Elektrode eine Bildelementelektrode ist und die vierte Elektrode eine Gateelektrode ist. Auch kann, wie bei der oben im Hin blick auf den Dünnschichttransistor beschriebenen Ausführungsform, die Gateelektrode mit der Sourceelektrode ausgerichtet bzw. angeordnet werden. Zusätzlich kann die Flüssigkristallanzeigeeinrichtung ferner eine Passivierungsschicht aufweisen, die die dritte Elektrode und die vierte Elektrode und eine lichtabschirmende Schicht abdeckt, die auf der Oberfläche der Passivierungsschicht ausgebildet ist.

Ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung weist bei einer Ausführungsform gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung die folgenden Schritte auf: (a) ein Substrat wird vorgesehen; (b) eine erste Elektrode wird auf dem Substrat mit einer ersten Breite ausgebildet; (c) auf der ersten Elektrode wird eine Halbleiterschicht mit einer zweiten Breite ausgebildet, die nicht breiter als die erste Breite ist; (d) eine Schicht aus isolierendem Material wird auf der gesamten Oberfläche des sich ergebenden Substrates ausgebildet, in welchem die Halbleiterschicht ausgebildet wird, wobei die isolierende Schicht ein Kontaktloch bzw. eine Kontaktöffnung zum Freigeben eines Abschnitts der Oberfläche der Halbleiterschicht hat; (e) eine zweite Elektrode wird auf einem Abschnitt der Oberfläche des isolierenden Materialschicht bzw. der Schicht aus isolierendem Material ausgebildet, wobei das Kontaktloch gefühlt wird; und (f) eine Gateelektrode wird auf einem anderen Abschnitt der isolierenden Schicht ausgebildet, wobei die Gateelektrode von der zweiten Elektrode mit einem ausgewählten Abstand getrennt bzw. isoliert wird.

Hier wird die Halbleiterschicht aus einem amorphen Siliziummaterial ausgebildet. Darüber hinaus kann das Verfahren ferner die folgenden Schritte umfassen: eine erste ohm'sche Schicht wird zwischen der ersten Elektrode und der Halbleiterschicht nach dem Schritt (b) ausgebildet, und eine zweite ohm'sche Schicht wird zwischen der Halbleiter schicht und der isolierenden Schicht nach dem Schritt (c) ausgebildet. Darüber hinaus kann das Verfahren ferner die folgenden Schritte aufweisen: eine erste die Zusammen bruchspannung steuernde Schicht wird zwischen der ersten ohm'schen Schicht und der Halbleiterschicht nach dem Schritt (g) ausgebildet, und eine zweite die Zusammenbruch spannung steuernde Schicht wird nach der Ausbildung der zweiten ohm'schen Schicht ausgebildet.

Hier werden die erste ohm'sche Schicht und die zweite ohm'sche Schicht aus amorphen n+-Siliziummaterialien ausgebildet, die die gleiche Verunreinigungskonzentration haben. Die erste und die zweite die Zusammenbruchspannung steuernde Schichten haben allesamt eine Verunreinigungskonzentration, die niedriger ist als die der ersten und der zweiten ohm'schen Schichten ist. Die erste und die zweite Schicht zur Steuerung der Zusammen bruchspannung haben die gleiche Verunreinigungskonzentration.

Bevorzugt wird der Schritt zur Ausbildung der zweiten Elektrode gleichzeitig mit dem Schritt zur Ausbildung der Gateelektrode durchgeführt.

Bei einem Herstellungsverfahren des Dünnschichttransistors wird bei einer anderen Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung die Gateelektrode zu der Sourceelek trode (oder der Drainelektrode) ausgerichtet bzw. mit dieser angeordnet.

Ein Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung weist die folgenden Schritte auf: (a) ein Substrat wird vorgesehen; (b) eine erste Elektrode wird auf dem Substrat mit einer ersten Breite ausgebildet; (c) eine Halbleiterschicht mit einer zweiten Breite, die nicht breiter als die erste Breite ist, wird auf der Oberfläche der ersten Elektrode ausgebildet; (d) eine Isolierschicht wird auf dem sich ergebenden Substrat, in dem die Halbleiterschicht ausgebildet ist, ausgebildet, wobei die isolierende Schicht eine Kontaktöffnung bzw. ein Kontaktloch zur Freigabe bzw. zum Freilegen eines Abschnittes der Oberfläche der Halbleiterschicht hat; (e) eine zweite Elektrode wird auf einem ersten ausgewählten Abschnitt der Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet; (f) eine dritte Elektrode, die sich von einem zweiten ausgewählten Abschnitt der Oberfläche der isolierenden Schicht zu einem Abschnitt der Oberfläche der zweiten Elektrode erstreckt, wird so ausgebildet, daß sie die Kontaktöffnung bzw. das Kontaktloch füllt; und (g) eine vierte Elektrode wird auf einem anderen Abschnitt der Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet, wobei die vierte Elektrode von der dritten Elektrode durch einen ausgewähl ten Abstand getrennt ist.

Hier ist eine der ersten Elektroden und die dritte Elektrode eine Sourceelektrode und die andere ist eine Drainelektrode, wobei die zweite Elektrode eine Bildelementelektrode ist und die vierte Elektrode eine Gateelektrode ist. Wie die oben im Hinblick auf die Her stellung des Dünnschichttransistors beschriebene Ausführungsform, kann die Gateelek trode zu der darunterliegenden Sourceelektrode (oder Drainelektrode) ausgerichtet bzw. angeordnet werden.

Darüber hinaus weist das Verfahren ferner die folgenden Schritte auf: (g) eine Passi vierungsschicht wird nach dem Schritt (f) ausgebildet, die die dritte Elektrode und die vierte Elektrode abdeckt bzw. bedeckt, und (h) eine lichtabschirmende Schicht wird auf der gesamten Oberfläche der Passivierungsschicht nach dem Schritt (g) ausgebildet.

Da die Breite der Elektrode, die unter der Kanalschicht liegt, breiter als oder gleich der Breite der Kanalschicht ist, wird das Licht, das von einer Hintergrund- bzw. Gegenlicht einrichtung einfällt, wird durch die Elektrode absorbiert, die unter der Kanalschicht liegt, um so einen optischen Strom von der Kanalschicht zu verringern. Folglich wird kein Strom im ausgeschalteten Zustand durch den Transistor fließen. Auch wird das Öff nungsverhältnis des Dünnschichttransistors ansteigen, da der Dünnschichttransistor konstruiert ist, um kleiner als im Stand der Technik zu sein. Da die Elektrode, die unter der Kanalschicht liegt, z. B. eine Sourceelektrode, und eine Gateelektrode so konstruiert sind, daß sie einander nicht überlappen, tritt keine parasitäre Kapazität an dem Abschnitt zwischen der Elektrode und der Gateelektrode auf. Die obigen Aufgaben bzw. Zielset zungen, Vorteile und andere Aufgaben bzw. Zielsetzungen und Merkmale gemäß der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf die Darstellungen beschrieben.

Fig. 1a bis 1e sind querschnittliche Ansichten, die Schritte zur Herstellung eines Dünnschichttransistors einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung ge mäß der vorliegenden Erfindung zeigen.

Fig. 2 ist eine querschnittliche Ansicht eines Dünnschichttransistors vom invers versetzten Typ für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß dem Stand der Technik.

Fig. 3 ist eine querschnittliche Ansicht, die einen Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemaß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.

Fig. 4 ist eine querschnittliche Ansicht, die einen Dünnschichttransistor einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß noch einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.

Im folgenden werden Ausführungsformen der Erfindung im Hinblick auf eine Flüssig kristallanzeigeeinrichtung, die einen Dünnschichttransistor enthält, und ein Verfahren zur Herstellung derselben bzw. desselben im einzelnen unter Bezugnahme auf die Darstel lungen beschrieben:
Bezugnehmend auf Fig. 1a wird ein nichttransparentes leitendes Material bis zu einer Dicke von ungefähr 2000 bis 5000 Å auf der oberen Oberfläche eines Substrats 11 abgeschieden bzw. abgelagert und wird unter Verwendung einer ersten Maske struktu riert, um eine Drainelektrode 12 auszubilden. Hier ist das leitende Material zumindest eines, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Aluminium, Aluminiumlegierung, Aluminium/Molybdän, Chrom, Molybdän-Tantal (MoTa), Molybdän-Wolfram (MoW) bzw. Kombinationen davon besteht. Zu dieser Zeit wird eine Datenleitung einer Flüssig kristallanzeigeeinrichtung (nicht gezeigt) gleichzeitig mit der Drainelektrode 12 ausge bildet.

Im allgemeinen ist eine Drainelektrode ein Abschnitt, der sich von der Datenleitung fortsetzt und integral bzw. gemeinsam mit der Datenleitung ausgebildet wird. Dann werden auf der Drainelektrode 12 aufeinanderfolgend eine erste Schicht mit hoher Verunreinigungskonzentration, eine erste Schicht mit niedriger Verunreinigungskonzen tration, eine Halbleiterschicht, eine zweite Schicht mit niedriger Verunreinigungskonzen tration und eine zweite Schicht mit hoher Verunreinigungskonzentration abgeschieden. Nachdem nachfolgend eine zweite Maskenstruktur über der Oberfläche der zweiten hochkonzentrierten Verunreinigungsschicht ausgebildet worden ist, werden diese Schich ten, die auf der Drainelektrode 12 abgeschieden sind, gleichzeitig strukturiert, um eine erste hochkonzentrierte Verunreinigungsschicht 13-1 auszubilden, eine erste niedrigkon zentrierte Verunreinigungsschicht 13-2 eine Halbleiterschicht 13-3, eine zweite niedrig konzentrierte Verunreinigungsschicht 13-4 und eine zweite Schicht mit hochkonzentrierter Verunreinigung 13-5 auszubilden. In dieser Ausführungsform wird diese mehrschichtige Struktur bzw. dieser mehrschichtige Aufbau als eine Kanalschicht 30, wie in Fig. 1b gezeigt, angedeutet. Die Kanalschicht 30 weist eine Breite auf, die niedriger ist als die der Drainelektrode 12 oder im wesentlichen die gleiche ist wie die der Drainelektrode 12. Auch wird die Drainelektrode 12 aus nichttransparentem Metall gemacht. Folglich wird eine wesentliche Menge bzw. Dosis des Lichtes, das auf die Drainelektrode von der Hintergrundlicht- bzw. Gegenlichteinrichtung einfällt, in die Drainelektrode absorbiert, und es wird dadurch verhindert, daß das Licht die Kanalschicht 30 erreicht.

Die Halbleiterschicht 13-3 kann nur ausreichend als ein Kanal eines Dünnschichttransi stors dienen. Um jedoch die Charakteristik des Dünnschichttransistors zu verbessern, werden die Schichten 13-1 und 13-5 mit hoher Verunreinigungskonzentration und die Bereiche 13-2 und 13-4 mit niedriger Verunreinigungskonzentration zusätzlich in die Kanalschicht 30 aufgenommen. Um gute ohm'sche Kontakte zwischen der Drainelektrode 12 und der Sourceelektrode 17, die später auszubilden sind, bereitzustellen, werden die erste Schicht 13-1 mit hoher Verunreinigungskonzentration und die zweite Schicht 13-5 mit hoher Verunreinigungskonzentration jeweils in die Kanalschicht 30 einbezogen. Diese Schichten 13-1 und 13-5 mit hoher Verunreinigungskonzentration werden alle aus amor phem Siliziummaterial vom N-Typ (n+ a-SiH) ausgebildet. Die erste Schicht 13-1 mit hoher Verunreinigungskonzentration und die zweite Schicht 13-5 mit hoher Verunreini gungskonzentration haben die gleiche Verunreinigungskonzentration.

Um eine Zusammenbruchspannung eines Dünnschichttransistors zu steuern, werden die erste und die zweite Schicht 13-2 und 13-4 mit niedriger Verunreinigungskonzentration in die Kanalschicht 30 aufgenommen. Sie haben die gleiche Verunreinigungskonzentration und sind aus amorphem Siliziummaterial vom N-Typ (n- a-Si:H) ausgebildet. Obwohl ein extrinsischer Halbleiter bzw. ein Störstellenhalbleiter im allgemeinen für die Halbleiter schicht 13-3 verwendet wird, wird bei dieser Ausführungsform ein amorphes Silizium (a-Si:H) verwendet, weil kein Hochtemperaturverfahren zur Ausbildung des amorphen Siliziums erforderlich ist.

Wie in Fig. 1c gezeigt, folgt der Ausbildung der Kanalschicht 30, daß ein Gateisolations material über bzw. auf der gesamten Oberfläche der sich ergebenden Oberfläche abge schieden wird. Hier wird das Gateisolationsmaterial aus einem Material ausgebildet, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Siliziumoxid, einem Siliziumnitrid und Siliziumni tridoxid besteht. Alternativ kann das Gateisolationsmaterial aus einer mehrschichtigen Struktur ausgebildet sein. Das Gateisolationsmaterial wird an einem Teil von diesem geätzt, der die Kanalschicht 30 überdeckt, wobei eine dritte Maskenstruktur verwendet wird, um eine Gateisolationsschicht 14 zu bilden, die ein Kontaktloch H hat. Hier wird das Kontaktloch H für das elektrische Anschließen der Kanalschicht 30 an eine Sourcee lektrode 18 verwendet, die in einem weiteren Schritt auszubilden ist. Daraufhin wird ein transparentes Material bzw. Metall, wie etwa Indiumzinnoxid, auf der gesamten Ober fläche der Gateisolationsschicht für das Gate abgeschieden und wird unter Verwendung einer vierten Maskenstruktur strukturiert, so daß eine Bildelementelektrode 15 getrennt von der Kanalschicht 30 ausgebildet wird.

In dem obigen wird die Gateisolationsschicht abgeschieden und das Kontaktloch H wird dann unmittelbar ausgebildet. Jedoch kann das Kontaktloch H auch nach der Ausbildung der Gateisolationsschicht und der Bildelementelektrode ausgebildet werden.

Bezugnehmend auf Fig. 1d wird ein Metallmaterial bis zu einer ausgewählten Dicke auf einem Abschnitt der Gateisolationsschicht und einem Abschnitt der Bildelementelektrode 15 abgeschieden. Zu dieser Zeit wird das Kontaktloch mit dem Metallmaterial gefüllt. Hier ist das Metallmaterial zumindest eines, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Aluminium, Aluminium/Molybdän und Chrom bzw. Kombinationen davon besteht. Wie in Fig. 1d gezeigt, wird die Metallschicht unter Verwendung einer fünften Masken struktur strukturiert, um gleichzeitig eine Sourceelektrode 17 auszubilden, die sich von einer oberen Oberfläche der Gateisolationsschicht, die das Kontaktloch (H) hat, bis zu einem Abschnitt der Oberfläche der Bildelementelektrode 15 und einer Gateelektrode 16 erstreckt, die durch einen ausgewählten Abstand von der Sourceelektrode 17 getrennt ist und sich mit einem ausgewählten Abstand in der entgegengesetzten Richtung bzw. auf der entgegengesetzten Seite zu der Bildelementelektrode 15 erstreckt. Da hier die Drainelek trode 12 auf der Oberfläche des Substrats 11 ausgebildet ist und die Sourceelektrode 17 und die Gateelektrode 16 voneinander getrennt sind, wird eine parasitäre Kapazität, die senkrecht zwischen einer Gateelektrode und einer Sourceelektrode in einem Dünnschicht transistor vom invers versetzten bzw. gestapelten Typ im Stand der Technik aufgetreten ist, beseitigt.

Alternativ könnte, wie in Fig. 3 gezeigt, die Gateelektrode 16a mit der Drainelektrode 12 ausgerichtet bzw. angeordnet werden. In diesem Fall tritt, da es keinen überlappenden Abschnitt zwischen der Drainelektrode 12 und der Gateelektrode 16a gibt, eine parasitäre Kapazität dazwischen nicht auf. Um die Drainelektrode zu der Gateelektrode auszurichten bzw. anzuordnen, wird dies realisiert, indem eine Form der Maskenstruktur modifiziert bzw. verändert wird, die in dem Schritt zur Ausbildung der Gateelektrode verwendet wird.

Ein Dünnschichttransistor, der in einer derartigen Weise ausgebildet wird, weist eine vertikale Struktur auf, in der die Sourceelektrode bzw. die Drainelektrode 12 insbesonde re jeweils in der oberen und der unteren Position zu der Kanalschicht angeordnet sind, die zwischen diesen untergebracht ist. Wenn deshalb die externe Spannung an die Gatee lektrode 16 über eine Gateleitung angelegt wird, wird das Signal auf die Sourceelektrode 17 über die Kanalschicht 30 übertragen, und die Bildelementelektrode 15, die an die Sourceelektrode 17 angeschlossen ist, wird durch das Signal betrieben. Weil darüber hinaus die Kanallänge des Dünnschichttransistors durch die Dicke der Halbleiterschicht 13-3 betrieben wird, ist die Verringerung der Halbleiterschicht 13-3 in ihrer Länge einfacher. Folglich könnte die Größe des Dünnschichttransistors, verglichen mit dem Dünnschichttransistor nach dem Stand der Technik, verringert werden. Folglich kann die Flüssigkristallanzeigeeinrichtung, die die Struktur bzw. den Aufbau eines vertikalen Dünnschichttransistors gemäß der vorliegenden Erfindung hat, ein hohes Öffnungs verhältnis, verglichen mit Flüssigkristallanzeigeeinrichtungen, aufweisen, die einen Dünnschichttransistor mit vergleichsweise großer Größe nach dem Stand der Technik aufweist. Da zusätzlich die Gateelektrode an einem oberen Teil des Dünnschichttransi stors anders als im Stand der Technik ausgebildet wird, wird eine Belastung der Gateelek trodenschicht vergleichsweise gemindert, wodurch der Auswahlkreis für Metall für eine Gateelektrode vergrößert wird.

Bezugnehmend auf Fig. 1e wird, um den Dünnschichttransistor zu schützen, entweder eine Siliziumoxidschicht oder eine Siliziumnitridschicht abgeschieden und unter Verwen dung einer sechsten Maske strukturiert, um eine Passivierungsschicht 18 zu bilden, so daß entweder das Siliziumoxid oder das Siliziumnitrid lediglich an einem Abschnitt verbleibt, auf dem ein Dünnschichttransistor ausgebildet wird.

Bei dem Schritt zur Herstellung des invers versetzten bzw. gestapelten Dünnschicht transistors sind sieben oder acht Masken im Stand der Technik erforderlich, während gemäß der vorliegenden Erfindung sechs Masken erforderlich sind. Deshalb ist der Herstellungsprozeß gemäß der vorliegenden Erfindung noch weiter vereinfacht.

Die Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Fig. 4 weist ferner die Lichtabschirmschicht 20 auf der Oberfläche der Passivierungsschicht auf, die auf der Oberfläche des Dünn schichttransistors ausgebildet ist, um einen Dünnschichttransistor davor zu bewahren, aufgrund des Durchlasses von Licht beeinträchtigt bzw. zerstört zu werden.

Nach der Ausbildung des Dünnschichttransistors wird eine isolierende Schicht, wie etwa Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, auf der Oberfläche des Dünnschichttransistors abge schieden.

Darauffolgend wird eine undurchsichtige Metallschicht abgeschieden. Als nächstes werden die isolierende Schicht und die undurchsichtige Metallschicht beide unter Verwen dung einer Maskenstruktur geätzt, wobei gleichzeitig die Passivierungsschicht 18 und die Lichtabschirmschicht 20 ausgebildet werden.

Alternativ ist es möglich, daß, nachdem die Passivierungsschicht ausgebildet und dann strukturiert ist, eine lichtabschirmende Schicht ausgebildet und dann strukturiert wird.

Wie oben beschrieben, ist das Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors, der eine vertikale Struktur gemäß der vorliegenden Erfindung hat, verglichen mit dem zur Herstellung eines invers versetzten Dünnschichttransistors, der eine Ätzstoppschicht hat, nach dem Stand der Technik einfach. Da darüber hinaus die Größe des Dünnschicht transistors verringert werden kann, kann das Öffnungsverhältnis der Flüssigkristall anzeigeeinrichtung, die einen derartigen Dünnschichttransistor einsetzt, vergrößert werden. Ein optischer Strom der Kanalschicht infolge von Licht, das von der Gegenlicht einheit bzw. Hintergrundlichteinheit einfällt, ist blockiert, wobei die Lebenszeit des Dünnschichttransistors gesteigert werden kann. Da die parasitäre Kapazität zwischen der Gateelektrode und den Source-/Drainelektroden abnimmt, wird die charakteristische Beeinträchtigung bzw. Zerstörung der Flüssigkristallanzeigeeinrichtung, die den Dünn schichttransistor gemäß der vorliegenden Erfindung einsetzt, verhindert. Darüber hinaus wird, da die Gateelektrode 16 nach der Ausbildung der Drainelektrode 12 (oder der Sourceelektrode) ausgebildet wird, die Verspannung bzw. Belastung der Gateelektrode, die später ausgebildet wird, vergleichsweise verringert, wodurch die Auswahl an Metall für die Gateelektrode erhöht wird.

Während die vorliegende Erfindung insbesondere unter Bezugnahme auf deren bestimmte Ausführungsformen gezeigt und beschrieben worden ist, ist es für die Fachleute im Stand der Technik verständlich, daß verschiedene Änderungen in deren Form und deren Einzelheiten vorgenommen werden können, ohne den Geist und den Bereich der vorlie genden Erfindung zu verlassen, wie er durch die bei geschlossenen Ansprüche definiert wird.

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung, die folgende Merkmale umfaßt: ein Substrat; eine Sourceelektrode (bzw. Drainelektrode) mit einer ersten Breite, die auf dem Substrat ausgebildet ist, mit einer ersten Breite; eine Halbleiterschicht, die auf der Sourceelektrode (Drainelektrode), die eine zweite Breite hat, ausgebildet ist, wobei die zweite Breite schmäler als oder im wesentlichen die gleiche wie die erste Breite ist; eine Isolationsschicht, die auf der gesamten Oberfläche der sich ergebenden Oberfläche ausgebildet ist, in welcher der Halbleiter ausgebildet ist, wobei diese ein Kontaktloch bzw. eine Kontaktöffnung hat, um einen Abschnitt der Halbleiterschicht freizulegen; die Drainelektrode (Sourceelektrode), die auf einem Abschnitt einer Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet ist, füllt die Kontaktöffnung bzw. das Kontaktloch; und eine Gateelektrode, die auf dem anderen Abschnitt der isolierenden Schicht ausgebildet ist, ist von der zweiten Elektrode durch einen ausgewählten Abstand getrennt. Folglich ist das Herstellungsverfahren für die Flüssigkristallanzeige mit dem vertikalen Dünnschichttransistor einfacher, wobei dessen Strom im ausgeschalteten Zustand verringert wird und die parasitäre Kapazität darin verringert ist. Darüber hinaus kann der Transistor mit geringer Größe konstruiert werden, wobei das Öffnungsverhältnis der Flüssigkristallanzeige verbessert bzw. gesteigert wird, die den vertikalen Dünnschichttransistor einsetzt.

Claims

1. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung, die aufweist:
ein Substrat (11);
eine erste Elektrode (12), die auf dem Substrat (11) mit einer ersten Breite ausgebildet ist;
eine Halbleiterschicht (13-3), die auf der ersten Elektrode (12) ausgebildet ist, die eine zweite Breite hat, wobei die zweite Breite geringer oder im wesentlichen gleich der ersten Breite ist,
eine Isolierschicht (17), die auf der gesamten Oberfläche der sich ergebenden Oberfläche ausgebildet wird, in der die Halbleiterschicht ausgebildet ist, wobei die Isolierschicht eine Kontaktöffnung zur Freigabe eines Abschnitts einer Oberfläche der Halbleiterschicht hat;
eine zweite Elektrode, die auf einem Abschnitt einer Oberfläche der Isolierschicht ausgebildet ist und das Kontaktloch füllt; und
eine Gateelektrode, die auf einem anderen Abschnitt der Oberfläche der Isolier schicht ausgebildet ist und die von der zweiten Elektrode durch einen ausgewählten Abstand getrennt ist.

2. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 1, in dem die Halbleiterschicht aus einem amorphen Siliziummaterial ist.

3. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei dieser eine erste ohm'sche Schicht, die zwischen der ersten Elektrode und der Halbleiterschicht ausgebildet ist, und eine zweite ohm'sche Schicht aufweist, die zwischen der Halbleiterschicht und der isolierenden Schicht ausgebildet ist.

4. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 3, wobei die erste ohm'sche Schicht und die zweite ohm'sche Schicht amorphes n⁺-Silizium aufweisen bzw. daraus bestehen, und gleiche Verunreinigungskonzentrationen zueinander aufweisen.

5. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, der ferner aufweist: eine erste Schicht zur Steuerung der Durchbruch spannung, die zwischen der ersten ohm'schen Schicht und der zweiten ohm'schen Schicht gebildet ist; und eine zweite Schicht zur Steuerung der Durchbruchspannung, die zwi schen der zweiten ohm'schen Schicht und der Halbleiterschicht gebildet ist.

6. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 5, wobei die erste Schicht zur Steuerung der Durchbruchspannung und die zweite Schicht zur Steuerung der Durchbruchspannung beide die gleiche bzw. wenigstens im wesentli chen die gleiche Verunreinigungskonzentration haben und aus amorphem n⁻-Silizium sind, wobei die Verunreinigungskonzentration der ersten und der zweiten Schichten zur Steuerung der Durchbruchsspannung niedriger ist als die der ersten und zweiten ohm'schen Schichten.

7. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, wobei eine der ersten Elektroden und der zweiten Elektrode eine Sourceelektrode und die andere eine Drainelektrode ist.

8. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die zweite Elektrode und die Gateelektrode allesamt aus dem gleichen Material sind.

9. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Gateelektrode zu der ersten Elektrode ausgerichtet ist bzw. angeordnet ist.

10. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Gateelektrode aus zumindest einem Material ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus folgenden Materialien besteht: Aluminium, Alumini um/Molybdän, Molybdän, Chrom und Kombinationen davon.

11. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Elektrode aus zumindest einem Material ist, das aus der Gruppe ausge wählt ist, die aus Aluminium, Aluminium/Molybdän, Molybdän, Chrom, Molybdän- Tantal und Molybdän-Wolfram bzw. einer Kombination davon besteht.

12. Dünnschichttransistor für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 9, wobei eine der ersten Elektroden und der zweiten Elektroden eine Sourceelektrode und die andere eine Drainelektrode ist.

13. Flüssigkristallanzeigeeinrichtung, die aufweist:
ein Substrat (11);
eine erste Elektrode (12), die auf dem Substrat (11) mit einer ersten Breite ausgebildet ist;
eine Halbleiterschicht (13), die auf der ersten Elektrode ausgebildet ist, die eine zweite Breite hat, wobei die zweite Breite schmäler oder im wesentlichen gleich der ersten Breite ist;

eine Isolierschicht (17), die auf der gesamten Oberfläche der sich ergebenden Struktur ausgebildet ist, in der die Halbleiterschicht ausgebildet ist, wobei die isolierende Schicht, die eine Kontaktöffnung zur Freilegung eines Abschnittes von einer Oberfläche der Halbleiterschicht hat;
eine zweite Elektrode, die auf einem ersten ausgewählten Abschnitt einer Ober fläche der isolierenden Schicht ausgebildet ist und die Kontaktöffnung füllt; und
eine dritte Elektrode, die auf einem zweiten ausgewählten Abschnitt der isolieren den Schicht ausgebildet ist und die sich zu einem Abschnitt der Oberfläche der zweiten Elektrode erstreckt; und
eine vierte Elektrode, die auf einem dritten ausgewählten Abschnitt der Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet ist und die von der dritten Elektrode durch einen ausgewählten Abstand getrennt ist.

14. Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 13, wobei eine von der ersten Elektrode und der dritten Elektrode eine Sourceelektrode und die andere eine Drainelek trode ist, wobei die zweite Elektrode eine Bildelementelektrode ist und die vierte Elek trode eine Gateelektrode ist.

15. Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 14, wobei die Gateelektrode zu der Sourceelektrode ausgerichtet bzw. angeordnet ist bzw. zu dieser im wesentlichen genau versetzt bzw. deckend ausgerichtet angeordnet ist.

16. Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 13, die ferner einen Passi vierungsschicht aufweist, die die dritte Elektrode und die vierte Elektrode bedeckt bzw. insbesondere auch eine lichtabschirmende Schicht bedeckt, wobei die lichtabschirmende Schicht auf der Oberfläche der Passivierungsschicht ausgebildet ist.

17. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung, das die folgenden Schritte umfaßt:

(a) ein Substrat (11) wird bereitgestellt;
(b) eine erste Elektrode mit einer ersten Breite wird auf dem Substrat (11) ausgebildet;
(c) eine Halbleiterschicht wird auf der ersten Elektrode mit einer zweiten Breite ausgebildet, die schmäler bzw. geringer als oder im wesentlichen gleich der ersten Breite ist;
(d) eine Isolierschicht wird auf einer Oberfläche der sich ergebenden Struktur ausgebildet, in welcher die Halbleiterschicht ausgebildet ist, so daß ein Abschnitt einer Oberfläche der Halbleiterschicht freigelegt ist, um eine Kontaktöffnung zu bilden;
(e) eine zweite Elektrode wird auf einem Abschnitt einer Oberfläche der isolierenden Schicht mit der gefüllten Kontaktöffnung ausgebildet; und
(f) eine Gateelektrode wird auf einem anderen Abschnitt der Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet, so daß die Gateelektrode durch einen ausgewählten Abstand von der zweiten ausgewählten Elektrode getrennt ist.

18. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 17, wobei die Halbleiterschicht aus einem amorphen Silizium gebildet wird.

19. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 17 oder Anspruch 18, das ferner die folgenden Schritte aufweist:

(g) eine erste ohm'sche Schicht wird zwischen der ersten Elektrode und der Halbleiterschicht nach dem Schritt (b) ausgebildet, und
(h) eine zweite ohm'sche Schicht wird zwischen der Halbleiterschicht und der isolierenden Schicht nach dem Schritt (c) ausgebildet.

20. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 19, wobei die erste ohm'sche Schicht und die zweite ohm'sche Schicht allesamt aus amorphem n⁺-Silizium ausgebildet sind und die gleiche Verunreinigungskonzentration haben.

21. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 19, die ferner die folgenden Schritte aufweist: (i) eine erste Schicht zur Steuerung der Zusammenbruchspannung wird zwischen der ersten ohm'schen Schicht und der zweiten ohm'schen Schicht nach dem Schritt (g) ausgebildet, und (j) eine zweite Schicht zur Steuerung der Zusammenbruchspannung wird zwischen der zweiten ohm'schen Schicht und der Halbleiterschicht nach dem Schritt (h) ausge bildet.

22. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 21, wobei die erste Schicht zur Steuerung der Zusammenbruchspannung und die zweite Schicht zur Steuerung der Zusammenbruch spannung allesamt aus amorphem n⁻-Silizium ausgebildet sind, die eine Verunreinigungs konzentration haben, die niedriger als die der ersten ohm'schen Schicht und der zweiten ohm'schen Schicht ist, wobei die Verunreinigungskonzentration der ersten und der zweiten Schichten zur Steuerung der Zusammenbruchspannung gleich sind.

23. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 17, wobei eine der ersten Elektroden und der zweiten Elektroden eine Sourceelektrode und die andere eine Drainelektrode ist.

24. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 17, wobei die zweite Elektrode und die Gateelek trode allesamt aus dem gleichen Material gebildet sind.

25. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 17, wobei die Gateelektrode zu der ersten Elektrode ausgerichtet bzw. angeordnet ist bzw. deckend oder überdeckend mit dieser ausgerichtet wird.

26. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 17, wobei die Gateelektrode aus zumindest einem Material ausgebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Aluminium, Aluminium/Molybdän, Molybdän und Chrom bzw. einer Kombination von diesen besteht.

27. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 17, wobei die erste Elektrode aus zumindest einem Material ausgebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Aluminium, Aluminium/Molybdän, Molybdän, Chrom, Molybdän-Tantal und Molybdän-Wolfram bzw. einer Kombination von diesen besteht.

28. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 17, wobei der Schritt (e) und der Schritt (f) gleich zeitig ausgeführt werden.

29. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 17, wobei die Gateelektrode zu der ersten Elektrode ausgerichtet bzw. im Verhältnis zu dieser insbesondere deckend bzw. überdeckt an geordnet ist.

30. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors für eine Flüssigkristall anzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 29, wobei eine der ersten Elek troden und der zweiten Elektroden eine Sourceelektrode und die andere eine Drainelek trode ist.

31. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung mit den folgen den Schritten:

(a) ein Substrat wird bereitgestellt;
(b) eine erste Elektrode mit einer ersten Breite auf dem Substrat wird ausge bildet;
(c) eine Halbleiterschicht wird auf der ersten Elektrode mit einer zweiten Breite ausgebildet, die geringer bzw. schmäler als oder im wesentlichen gleich zu der der ersten Breite ist;
(d) eine isolierende Schicht mit einer Kontaktöffnung wird auf einer Ober fläche der sich ergebenden Konstruktion bzw. des sich ergebenden Aufbaus ausgebildet, in der bzw. in dem die Halbleiterschicht so ausgebildet ist, daß ein Abschnitt einer Oberfläche der Halbleiterschicht freigelegt wird;
(e) eine zweite Elektrode wird auf einem ersten ausgewählten Abschnitt der Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet;
(f) eine dritte Elektrode, die sich von einem zweiten ausgewählten Abschnitt der Oberfläche der isolierenden Schicht zu einem Abschnitt einer Oberfläche der zweiten Elektrode erstreckt, wird ausgebildet, wobei die dritte Elektrode in der Kontaktöffnung liegt bzw. diese füllt; und
(g) eine vierte Elektrode wird auf einem dritten ausgewählten Abschnitt der Oberfläche der isolierenden Schicht ausgebildet, wobei die vierte Elektrode von der dritten Elektrode getrennt ist.

32. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 31, wobei eine der ersten Elektroden und der dritten Elektroden eine Sourceelektrode ist und die andere eine Drainelektrode ist, wobei die zweite Elektrode eine Bildelementelek trode ist und die vierte Elektrode eine Gateelektrode ist.

33. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß Anspruch 31, wobei die Gateelektrode zu der ersten Elektrode ausgerichtet bzw. angeordnet ist.

34. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß einem der Ansprüche 31 bis 33, das ferner die folgenden Schritte umfaßt:

(g) eine Passivierungsschicht wird ausgebildet, um die dritte Elektrode und die vierte Elektrode nach dem Schritt (f) zu bedecken; und
(g) eine lichtabschirmende Schicht wird auf einer gesamten Oberfläche der Passivierungsschicht nach dem Schritt (g) ausgebildet.