DE19654603C2 - Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung - Google Patents
Anlage zur Niederdruck-PlasmabehandlungInfo
- Publication number
- DE19654603C2 DE19654603C2 DE19654603A DE19654603A DE19654603C2 DE 19654603 C2 DE19654603 C2 DE 19654603C2 DE 19654603 A DE19654603 A DE 19654603A DE 19654603 A DE19654603 A DE 19654603A DE 19654603 C2 DE19654603 C2 DE 19654603C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- treatment reactor
- treatment
- plant according
- drive shaft
- mixer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/18—Stationary reactors having moving elements inside
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
- B01J19/126—Microwaves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
- B29B9/00—Making granules
- B29B9/16—Auxiliary treatment of granules
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
- H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00074—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00132—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/0015—Controlling the temperature by thermal insulation means
- B01J2219/00155—Controlling the temperature by thermal insulation means using insulating materials or refractories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Anlage zur Niederdruck-
Plasmabehandlung von pulver- und/oder granulatförmi
gem Material, mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1
genannten Merkmalen.
Anlagen der gattungsgemäßen Art sind bekannt. Diese
wiesen einen Behandlungsreaktor auf, dem Einrichtun
gen zur Anregung eines Plasmas zugeordnet sind. Eine
derartige Anlage ist beispielsweise in der DE 195 02 187 A1
gezeigt. Hierbei ist in einem als Drehtrommel
ausgebildeten Behandlungsreaktor eine stabförmige
Elektrode zur Anregung eines Plasmas angeordnet. Zu
sätzlich ist eine Mischeinrichtung vorgesehen, die
von an der Trommel befestigten Mitnehmern gebildet
wird. Bei dieser Anordnung ist nachteilig, daß neben
der aufwendigen Lagerung für einen drehbaren Behand
lungsreaktor das zu behandelnde Material zwangsläufig
in Kontakt mit der Elektrode kommt. Hierdurch ist
diese Anlage nicht für die Niederdruck-Plasmabehand
lung von temperaturempfindlichem Material geeignet,
da die Elektrode durch die Generatoreinspeisung
erwärmt wird.
Aus der DE 41 41 805 A1 ist eine Anlage zur Niederdruck-
Plasmabehandlung bekannt, bei der innerhalb eines
feststehenden Behandlungsreaktors eine Drehtrommel
angeordnet ist. Die Drehtrommel dient der Aufnahme
des zu behandelnden Materials. Bei dieser Anlage be
steht zwar nicht der Nachteil, daß das zu behandelnde
Material mit einer Elektrode in Kontakt kommt, jedoch
ist durch die zusätzliche Anordnung der Drehtrommel
die Zuführung des Plasmagases zu dem zu behandelnden
Material erschwert. Darüber hinaus bedarf es einer
aufwendigen Lagerung für eine Drehtrommel, die zudem
noch ein geringes Fassungsvermögen aufweist.
Aus der US-PS 4,867,573 ist eine Anlage zur Plasma
behandlung von pulverförmigem Material bekannt. Diese
umfaßt einen Behandlungsreaktor, innerhalb dem eine
Mischeinrichtung angeordnet ist. Der Behandlungsreak
tor ist in eine obere Zone, eine mittlere Zone und
eine untere Zone unterteilt, wobei die einzelnen Zo
nen durch Isolatoren voneinander galvanisch entkop
pelt sind. Die obere Zone dient als Elektrode zum
Einkoppeln einer RF-Spannung, während die untere Zone
auf Massepotential liegt. Innerhalb des Behandlungs
reaktors ist ein Mischwerkzeug vorgesehen, das durch
ein in der unteren, mit Masse verbundenen Zone ange
ordnetes Lager gehalten ist. Über die untere Zone und
das Lager liegt die Mischeinrichtung 52 auf Masse
potential.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine
Anlage der gattungsgemäßen Art zu schaffen, die ein
fach aufgebaut ist und universell für große Behand
lungsmengen einsetzbar ist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einer Anlage
zur Niederdruck-Plasmabehandlung mit den im Anspruch
1 genannten Merkmalen gelöst. Dadurch, daß die Misch
einrichtung von einem Mischwerk gebildet wird, das
innerhalb eines feststehenden Behandlungsreaktors
angeordnet, vorzugsweise in Rotation versetzbar ist
und das galvanisch entkoppelt gelagert ist, ist es
vorteilhaft möglich, Pulver und Schüttgüter aller
Art, insbesondere auch wärmeempfindliches pulver-
und/oder granulatförmiges Material, mit hoher Effi
zienz plasmazubehandeln. Durch die galvanisch entkop
pelte Lagerung des Mischwerks wirkt diese nicht als
Gegenelektrode für die Einrichtungen zum Erzeugen/An
regen des Plasmas, sondern dieses nimmt das Potential
des zu behandelnden Materials beziehungsweise des
plasmaangeregten Prozeßgases an. Hierdurch kann sehr
vorteilhaft das Mischwerk aus einem hochfesten, an
sich elektrisch leitenden Material, beispielsweise
Edelstahl, gefertigt werden, ohne daß dies einen Ein
fluß auf die Plasmaanregungsprozesse ausübt.
Insbesondere, wenn bevorzugt die Einrichtungen zum
Erzeugen/Anregen des Plasmas außerhalb eines Wirkbe
reiches der Mischeinrichtung angeordnet werden, das
heißt, die Elektroden sind asymmetrisch, im Gegensatz
zu der aus dem Stand der Technik bekannten zentrosym
metrischen Anordnung, zu dem Mischwerk und zu dem zu
behandelnden Material angeordnet, kann der Behand
lungsreaktor mit einem hohen Füllgrad betrieben wer
den, wobei das galvanisch entkoppelte Mischwerk ein
Mischen beziehungsweise Umverteilen des zu behandeln
den Materials gewährleistet und das Material nicht
mit in den Behandlungsreaktor hineinragenden Elektro
den in Kontakt kommen kann.
In bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung ist vorge
sehen, daß das Mischwerk von einer auf einer An
triebswelle galvanisch entkoppelt gelagerten Hohl
welle gebildet wird, die vorzugsweise Mischwerkzeuge
trägt. Hierdurch kann das Mischwerk der Geometrie des
Behandlungsreaktors, dessen Behandlungsbereich vor
zugsweise von einem Hohlzylinder gebildet wird, ange
paßt werden, und es ist eine größtmögliche Erfassung
des gesamten Innenraums des Behandlungsbereiches des
Behandlungsreaktors durch das Mischwerk möglich.
Hierdurch kann der Füllgrad des Behandlungsreaktors
gegenüber bekannten Behandlungsreaktoren stark erhöht
werden, ohne daß eine homogene Plasmabehandlung der
Materialien beeinträchtigt wird. Schließlich ist es
auch vorteilhaft möglich, hierdurch das Mischwerk
selber sehr robust auszuführen, so daß große Kräfte
übertragen werden können. Hierdurch wird ebenfalls
einerseits das Mischverhalten und andererseits die
maximal mögliche Menge von zu behandelndem Material
positiv beeinflußt. Darüber hinaus ist in bevorzugter
Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, daß die An
triebswelle des Mischwerks fliegend gelagert ist.
Hierdurch ist in einfacher Weise die Lagerung der
Mischeinrichtung möglich, ohne daß deren Mischverhal
ten beeinträchtigt ist. Ferner ist bevorzugt, wenn
die Antriebswelle beidseitig gelagert ist. Hierdurch
können sehr robuste Mischwerke eingesetzt werden, bei
denen durch die beidseitige Lagerung während des
Mischvorgangs auftretende Querkräfte sehr gut abge
fangen werden können.
In weiterer bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung
ist vorgesehen, daß der Behandlungsreaktor wenigstens
eine verschließbare Öffnung aufweist, die Reinigungs-
und/oder Inspektions- und/oder Reparaturarbeiten
dient. Durch diese verschließbare Öffnung, die vor
zugsweise von einer Tür oder einem verschraubbaren
stirnseitigen Deckel des Behandlungsreaktors gebildet
wird, ist der Innenraum des Behandlungsreaktors, bei
spielsweise zum Einsetzen oder Austauschen des Misch
werks, leicht zugänglich. Darüber hinaus kann die Tür
oder der Deckel gleichzeitig eine Lagerstelle für die
Antriebswelle des Mischwerks aufweisen.
In weiterer bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung
ist vorgesehen, daß der Behandlungsreaktor über eine
vorzugsweise oben angeordnete Einfülleinrichtung und
eine vorzugsweise unten angeordnete Entleerungsein
richtung befüllbar beziehungsweise entleerbar ist.
Hierdurch kann in einfacher Weise ein Befüllen und
Entleeren des Behandlungsreaktors erfolgen, ohne daß
dieser mittels aufwendiger Kippmechanismen oder ähn
liches gelagert werden muß. Durch das zentrisch ange
ordnete Mischwerk und das Fehlen von Elektroden in
nerhalb des Behandlungsbereiches des Behandlungsreak
tors wird ein Befüllen und Entleeren nicht behindert.
Ferner ist bevorzugt, wenn das Mischwerk so ausgebil
det ist, daß dieses den Entleerungsvorgang unter
stützt. Darüber hinaus ist in bevorzugter Ausgestal
tung der Erfindung vorgesehen, daß der Behandlungs
reaktor und/oder die Einfülleinrichtung und/oder die
Entleerungseinrichtung temperierbar sind. Hierdurch
kann sehr vorteilhaft auf ein Temperaturregime wäh
rend der Plasmabehandlung Einfluß genommen werden. So
kann über eine temperierbare Einfülleinrichtung das
zu behandelnde Material auf eine optimale Temperatur
für die Plasmabehandlung gebracht werden, während der
temperierbare Behandlungsreaktor diese Temperatur
beibehält oder im Verlaufe der Plasmabehandlung opti
miert. Darüber hinaus kann durch die temperierbare
Entleerungseinrichtung eine Temperatur des behandel
ten Materials bis zu deren Weiterverarbeitung beibe
halten werden. Insgesamt lassen sich somit sehr vor
teilhaft optimale Prozeßbedingungen für die Plasmabe
handlung erzielen. Unter Temperierung wird im Sinne
der Erfindung sowohl eine Erwärmung oder eine Abküh
lung auf eine bestimmte gewünschte Temperatur des
Materials verstanden. Die Temperierung kann bevorzugt
durch entsprechende Heizmittel, die beispielsweise
elektrisch oder über ein Wärmeträgeröl betrieben wer
den, erfolgen. Insbesondere ist bevorzugt, wenn der
Behandlungsreaktor doppelwandig ausgebildet ist, so
daß der Zwischenraum mit einem Medium beaufschlagt
werden kann, das die Temperierung des Innenraums des
Behandlungsreaktors übernimmt.
In weiterer bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung
ist vorgesehen, daß die Hohlwelle des Mischwerks mit
der Antriebswelle über aus elektrisch isolierenden
Material bestehenden Mitteln form- und/oder kraft
schlüssig verbunden ist. Hierdurch wird einerseits
die galvanisch entkoppelte Lagerung des Mischwerks
sichergestellt und andererseits eine Übertragung gro
ßer Kräfte von der Antriebswelle auf das Mischwerk
möglich.
Ferner ist in bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung
vorgesehen, daß die Mischeinrichtung insgesamt aus
einem elektrischen Isoliermaterial besteht. So kann
die galvanische Entkopplung der Mischeinrichtung in
einfacher Weise erfolgen. Das Material der Mischein
richtung ist gegenüber der durchzuführenden Plasmabe
handlung resistent.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung
ergeben sich aus den übrigen in den Unteransprüchen
genannten Merkmalen.
Die Erfindung wird nachfolgend in einem Ausführungs
beispiel anhand der zugehörigen Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Vorderansicht einer Anlage zur
Niederdruck-Plasmabehandlung;
Fig. 2 eine Seitenansicht der Anlage gemäß Fig. 1;
Fig. 3 eine Draufsicht der Anlage gemäß Fig. 1
und
Fig. 4 eine Schnittdarstellung eines Behandlungs
reaktors.
In den Fig. 1, 2 und 3 ist eine insgesamt mit 10
bezeichnete Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung,
nachfolgend Plasmabehandlungsanlage 10 genannt, ge
zeigt. Gleiche Teile in den Figuren sind jeweils mit
gleichen Bezugszeichen versehen und nur einmal erläu
tert. Die Plasmabehandlungsanlage 10 weist einen Be
handlungsreaktor 12 auf, der einen von einem Hohl
zylinder gebildeten Behandlungsbereich 13 aufweist.
Der Behandlungsreaktor 12 besteht beispielsweise aus
Edelstahl. Der Behandlungsreaktor 12 besitzt an sei
ner Vorderseite eine Tür 14, die ein Öffnen des Be
handlungsreaktors 12 über dessen gesamten freien
Querschnitt des Behandlungsbereiches 13 gestattet.
Dem Behandlungsreaktor 12 ist eine Einfülleinrichtung
16 sowie eine Auslaßeinrichtung 18 zugeordnet. Die
Einfülleinrichtung 16 ist oberhalb des Behandlungs
reaktors 12 angeordnet und besitzt wenigstens eine
verschließbare Öffnung zu dem Innenraum des Behand
lungsreaktors 12. Die Auslaßeinrichtung 18 ist unter
halb des Behandlungsreaktors 12 angeordnet und be
sitzt ebenfalls wenigstens eine verschließbare Öff
nung zu dem Behandlungsreaktor 12. Innerhalb des
Behandlungsbereiches 13 des Behandlungsreaktors 12
ist eine Mischeinrichtung 20 angeordnet, deren
konkreter Aufbau anhand von Fig. 4 noch näher er
läutert wird. Die Mischeinrichtung 20 ist über einen
Antrieb 22, beispielsweise einem Elektromotor, unter
Zwischenschaltung eines Getriebes 24 antreibbar.
Die Anlage 10 weist ferner eine Vakuumpumpe 25 auf,
mittels der der Behandlungsreaktor 12 evakuiert wer
den kann. In die Verbindung zwischen der Vakuumpumpe
25 und dem Behandlungsreaktor 12 ist ein Filter 26
angeordnet, der das Ansaugen von Partikeln des zu
behandelnden Materials verhindert. Innerhalb des Be
handlungsreaktors 12 ist eine erste Elektrode 27 und
eine zweite Elektrode 28 angeordnet. Die Elektroden
27 und 28 ragen stabförmig in den Behandlungsreaktor
12 hinein. Die Elektroden 27 und 28 sind derart
angeordnet, daß sie außerhalb des Behandlungsbe
reiches 13 des Behandlungsreaktors 12 liegen, so daß
ein Berührungskontakt mit dem zu behandelnden Ma
terial ausgeschlossen werden kann. Die Elektrode 27
ist mit einem HF- und NF-Generator, der im einzelnen
nicht dargestellt ist, verbunden. Die Elektrode 28
ist mit einem ebenfalls nicht dargestellten Mikrowel
lengenerator verbunden. Die Generatoren sind in einem
Schaltschrank 29 angeordnet und über entsprechende
elektrische Leitungen und Anpassungsnetzwerke mit den
Elektroden 27 und 28 verbunden.
Die Elektrode 27 kann als Stab- oder Flächenelektrode
ausgebildet sein und ist beispielsweise mit einer
Kühlung verbunden. Hierzu ist ein im einzelnen nicht
dargestellter Kühlmittelkreislauf vorgesehen, der den
Innenraum der Elektrode 27 mit einem Kühlmittel,
beispielsweise Wasser, beaufschlägt.
Die Elektrode 28 ist beispielsweise als Stabantenne
ausgebildet, die innerhalb eines Schutzrohres, bei
spielsweise eines Keramikrohres, aus Aluminiumoxid
(Al2O3), das gleichzeitig als Fenster für die
Einkopplung der Mikrowelle dient, angeordnet ist. Die
Stabantenne kann als Rohr ausgebildet sein, so daß in
das Innere der Stabantenne ein Kühlmittel,
beispielsweise Luft, geblasen werden kann. Dieses
Kühlmittel tritt an dem vorderen Ende der Stabantenne
aus und wird innerhalb des Schutzrohres außerhalb der
Stabantenne vorbeigeführt und tritt am befestigungs
seitigen Ende der Elektrode 28 aus dieser aus. Die
angesprochene Ausbildung der Elektroden 27 und 28 ist
lediglich beispielhaft. So kann selbstverständlich
jede andere Elektrodenanordnung gewählt sein, über
die eine Einkopplung der Mikrowellenfrequenz be
ziehungsweise der weiteren Frequenzen möglich ist.
In der Draufsicht in Fig. 3 sind Durchführungen 30
der Elektroden 27 und 28 angedeutet, die einerseits
einer vakuumdichten Anordnung der Elektroden 27 und
28 in der Rückwand des Behandlungsreaktors 12 dienen
und andererseits die elektrische Verbindung mit den
Generatoren und die Beaufschlagung mit den Kühlmedien
gestattet. In der Draufsicht ist weiterhin ein Druck
anschluß 31 gezeigt, der mit einer Druckmeßeinrich
tung zur Überwachung eines Innendrucks des Behand
lungsreaktors 12 verbunden ist.
Ferner ist eine nicht näher gezeigte Einrichtung vor
gesehen, die der Zuführung wenigstens eines Prozeß
gases in den Behandlungsreaktor dient. Als Prozeßgase
kommen beispielsweise Inertgase und Reaktionsgase in
Betracht. Die Einrichtung ist so ausgelegt, daß eine
kontrollierte Zuführung wenigstens eines Inert-
und/oder Reaktionsgases oder Kombinationen verschie
dener Inert- und/oder Reaktionsgase in den Behand
lungsreaktor 12 möglich ist. Hierzu besitzt die Ein
richtung nicht näher gezeigte Ventile, Druckein
stellmittel, Mischstellen, Gasanalysemeßeinrichtungen
usw.
Die Plasmaanlage 10 weist den Schaltschrank 29 auf,
der die Bauelemente der Energieversorgung, der Steu
erung und Regelung beziehungsweise Überwachung ent
hält. Sämtliche Komponenten der Plasmabehandlungs
anlage 10 sind an beziehungsweise auf einem Gestell
33 angeordnet, so daß sich insgesamt eine kompakte,
transportable Anlage ergibt.
Zunächst soll die allgemeine Funktion der Plasmabe
handlungsanlage 10 erläutert werden, wobei hier nur
die Grundfunktion erläutert wird, da Aufbau und
Funktionsweise von Plasmabehandlungsanlagen an sich
bekannt sind. Über die Einfülleinrichtung 16 wird ein
zu behandelndes Material in den Behandlungsreaktor 12
gegeben. Als zu behandelndes Material kommen pulver-
und/oder granulatförmige Materialien beziehungsweise
Schüttgüter aller Art in Betracht. Die Korngröße des
Materials kann hierbei beispielsweise vom µm-Bereich
bis in den cm-Bereich variieren. Der Füllgrad des
Behandlungsreaktors richtet sich nach dem zu er
zielenden Behandlungsergebnis, das heißt nach der
Intensität der Behandlung des Materials. Bei einem
konkreten Beispiel, bei dem beispielsweise Poly
ethylen- oder Polypropylen-Granulat behandelt wird,
beträgt der Füllgrad zirka 20% des Gesamtvolumens
des Behandlungsreaktors 12. Damit ist die Behandlung
einer Charge von zirka 80 bis 100 kg möglich.
Nachdem der Behandlungsreaktor 12 gefüllt ist, wird
die Einfülleinrichtung 16 geschlossen und der Innen
raum des Behandlungsreaktors 12 über die Vakuumpumpe
25 evakuiert, das heißt, es wird ein Vakuum in dem
Behandlungsreaktor 12 erzeugt. Nachfolgend wird die
Niederdruck-Plasmabehandlung durchgeführt, wobei die
Behandlung mit einem unterschiedlichen Prozeßgas und
unterschiedlicher Plasmaanregung erfolgen kann. Hier
bei können insbesondere Kombinationen verschiedener
Frequenzanregungen und Kombinationen verschiedener
Prozeßgasatmosphären miteinander kombiniert werden,
so daß entsprechend des Ausgangsmaterials eine abge
stimmte Niederdruck-Plasmabehandlung erfolgen kann.
Während der Plasmabehandlung wird das Material in dem
Behandlungsbereich 13 des Behandlungsreaktors 12 mit
tels der Mischeinrichtung 20 bewegt. Durch die -noch
zu erläuternde- Ausbildung der Mischeinrichtung 20
erfolgt eine gleichmäßige Durchmischung des Ma
terials, so daß eine im wesentlichen homogene Plasma
behandlung sämtlicher Körner des pulver-und/oder gra
nulatförmigen Materials erfolgt.
Nachdem die Niederdruck-Plasmabehandlung durchgeführt
wurde, wird über die Auslaßeinrichtung 1~8 das behan
delte Material aus dem Behandlungsreaktor 12 entnom
men, indem dieses beispielsweise gleich in einem
Transportbehälter konfektioniert wird. Dadurch, daß
die Auslaßeinrichtung 18 an der unteren Seite des Be
handlungsreaktors 12 angeordnet ist, fällt das behan
delte Material aufgrund der Schwerkraft von alleine
in die bereitgestellten Behälter beziehungsweise eine
Transporteinrichtung. Zusätzlich kann vorgesehen
sein, daß die Entleerung durch das Mischwerk unter
stützt wird. Hierzu besitzt dieses einen derartigen
Aufbau, daß mittels der Drehbewegung des Mischwerks
das behandelte Material zu der Auslaßeinrichtung 18
transportiert wird. Dies kann beispielsweise durch
eine Veränderung der Drehgeschwindigkeit und/oder
Drehrichtung der Mischeinrichtung während des Ent
leerens des Behälters erfolgen. Somit ist eine im we
sentlichen vollständige Restentleerung des Behand
lungsreaktors 12 in kürzester Zeit möglich.
Die Behandlung von pulver-und/oder granulatförmigen
Materialien kann chargenweise wiederholt werden, wo
bei aufgrund des relativ großen Füllgrades des Be
handlungsreaktors 12 ein großer Materialdurchsatz er
zielbar ist. Durch das einfache Befüllen über die
oben angeordnete Einfülleinrichtung und das einfache
Entleeren über die unten angeordnete Auslaßeinrich
tung 18 sind die Hilfszeiten, die nicht der eigentli
chen Plasmabehandlung dienen, äußerst gering, so daß
die Plasmaanlage 10 insgesamt sehr effektiv arbeiten
kann. Bei der beispielhaft gezeigten Anlage sind
Durchsätze von bis zu 500 kg pro Stunde möglich. Die
Effektivität der Plasmaanlage 10 kann weiter gestei
gert werden, indem beispielsweise der Einfülleinrich
tung 16 und der Auslaßeinrichtung 18 eine automatisch
arbeitende Befüllung und Entleerung zugeordnet wird,
die ein Heranführen des zu behandelnden Materials und
ein Wegführen des behandelten Materials zu bzw. von
der Plasmaanlage 10 übernimmt. Entsprechend der
gewählten Taktzeiten der Plasmabehandlung kann so im
schnellen Wechsel ein Befüllen des Behandlungs
reaktors, ein Evakuieren des Behandlungsreaktors, ein
Plasmabehandeln des Materials und ein Entleeren des
Behandlungsreaktors erfolgen.
In Fig. 4 wird der Aufbau der Mischeinrichtung 20
detaillierter dargestellt. Die Mischeinrichtung 20
weist eine fliegend gelagerte Antriebswelle 32 auf.
Die Antriebswelle 32 ist durch eine Durchführung 34
geführt und über den Antrieb 22 sowie das Getriebe 24
(Fig. 2) in Rotation versetzbar. Die Durchführung 34
ist dicht ausgeführt, das heißt, trotz der in dem In
nenraum des Behandlungsreaktors 12 geführten An
triebswelle 32 besteht keine Undichtigkeit. Dies ist
wesentlich, da ansonsten eine Evakuierung des Behand
lungsreaktors 12 nicht möglich wäre. Die Antriebs
welle 32 kann einstückig ausgebildet sein, sie kann
jedoch an ein in den Behandlungsreaktor 12 hinein
ragendes Antriebswellenende des Antriebes 22 bezie
hungsweise des Getriebes 24 angeflanscht sein.
Um eine absolut dichte Führung der Antriebswelle 32
durch die Durchführung 34 zu gewährleisten, ist hier
für eine spezielle Durchführung vorgesehen, die bei
spielsweise eine Gleitringdichtung beinhaltet. Diese
besitzt bekanntermaßen wenigstens zwei Gleitringe,
von denen einer drehfest auf der Antriebswelle 32 und
ein zweiter - der den ersten Gleitring paßgenau um
greift - drehfest in der Durchführung 34 angeordnet
ist. Zum Aufrechterhalten dieser Abdichtung ist ein
Thermosiphonbehälter 35 vorgesehen, der einen Kühl-
und Schmiermittelkreislauf für die Gleitflächen der
Gleitringdichtung aufrechterhält. Selbstverständlich
sind auch andere geeignete Durchführungen einsetzbar.
Durch die Untersetzung des Getriebes 24 dreht die
Antriebswelle 32 relativ langsam, beispielsweise mit
20 bis 60 Umdrehungen pro Minute. Die notwendige An
triebskraft wird über den Elektromotor 22, dessen
Leistung beispielsweise 5,5 kW beträgt, aufgebracht.
Die Drehzahl der Antriebswelle 32 und damit der
Mischeinrichtung 20 ist beispielsweise mittels eines
Frequenzumrichters stufenlos in dem genannten Bereich
von 20 bis 60 Umdrehungen pro Minute regelbar. Hier
bei ist gleichzeitig die Antriebsleistung des Elek
tromotors 22 regelbar, die nicht konstant ist, son
dern sich drehzahlabhängig bis zu einem maximalen
konstanten Wert ändert. In Kombination mit einer ent
sprechenden Steuerung läßt sich so beispielsweise die
Durchmischung während der Plasmabehandlung und/oder
die bereits erwähnte Beschleunigung der Entleerung
des Behandlungsreaktors beeinflussen und automati
sieren. Selbstverständlich sind auch hier andere ge
eignete Antriebe für die Mischeinrichtung 20 ein
setzbar.
Die Antriebswelle 32 trägt ein Mischwerk 36, das eine
Hohlwelle 38 aufweist, an deren Umfang hier lediglich
angedeutete Mischwerkzeuge 40 drehfest befestigt
sind. Die Mischwerkzeuge 40 können beispielsweise
spiralförmig auslaufende Schaufeln sein, die zur bes
seren Durchmischung konkave und/oder konvexe Ausfor
mungen aufweisen können. Die Mischwerkzeuge 40 er
strecken sich radial so weit nach außen, daß diese
bei Rotation gerade noch an dem Innenmantel 42 des
Behandlungsreaktors 12 in dessen Behandlungsbereich
13 vorbei rotieren, so daß unter Gewährleistung eines
möglichst minimalen Spaltes zwischen den Mischwerk
zeugen 40 und dem Innenmantel 42 eine Berührung aus
geschlossen ist. Die Antriebswelle 32 besitzt eine
derartige Dimensionierung, daß trotz der einseitigen
Lagerung eine exakte zentrische Führung gewährleistet
ist.
Ein Innendurchmeser d1 der Hohlwelle 38 ist größer
als der Außendurchmesser d2 der Antriebswelle 32.
Hierdurch kommt es zur Ausbildung eines Ringraumes 44
zwischen der Antriebswelle 32 und der Hohlwelle 38.
Zur Lagerung der Hohlwelle 38 auf der Antriebswelle
32 sind Buchsen 46 vorgesehen, die auf der Antriebs
welle 32 paßgenau angeordnet sind. Die Buchsen 46
besitzen einen Ringabschnitt 48, der in eine kor
respondierende Ringstufe 50 der Hohlwelle 38 ein
greift. Die Hohlwelle 38 liegt mit ihren Ringstufen
50 an den Ringabschnitten 48 der Buchsen 46 an, so
daß sichergestellt ist, daß der Ringraum 44 erhalten
bleibt. Die Buchsen 46 bestehen aus einem elektrisch
isolierenden Material, so daß die Hohlwelle 38 ge
genüber der Antriebswelle 32 galvanisch entkoppelt
ist. Diese Entkopplung erfolgt einerseits über die
Buchsen 46 und über den Ringraum 44. Als Dielektrikum
kann in dem Ringraum 44 beispielsweise die Atmosphäre
dienen. Um die galvanische Trennung auch gegenüber
hohen Potentialunterschieden sicherzustellen, kann
der Ringraum 44 zusätzlich mit einem elektrischen
Isoliermaterial ausgefüllt sein.
Um die Hohlwelle 38 auf der Antriebswelle 32 drehfest
anzuordnen, ist wenigstens ein Mitnehmer 52 vorge
sehen, der einerseits in Eingriff mit einer Aus
nehmung 54 der Antriebswelle 32 und andererseits mit
einer Ausnehmung 56 der Hohlwelle 38 steht. Über die
Mitnehmer 52, die ebenfalls aus einem elektrisch iso
lierenden Material bestehen, erfolgt eine kraft
schlüssige Verbindung der Antriebswelle 32 mit der
Hohlwelle 38, so daß diese entsprechend der Drehung
der Antriebswelle 32, beispielsweise im Uhrzeiger
sinn, ebenfalls in Rotation versetzbar ist.
Nach einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel
kann anstelle der Mitnehmer 52 vorgesehen sein, daß
die Buchsen 46 an ihrem Ringabschnitt 48 eine Außen-
und eine Innenverzahnung aufweisen, die mit einer
entsprechenden Innenverzahnung der Hohlwelle 38 im
Bereich der Ringstufe 50 und einer entsprechenden
Außenverzahnung der Antriebswelle 32 kraft- und form
schlüssig in Eingriff stehen. Somit wird eine beson
ders gute Übertragung von auch hohen Kräften auf die
Hohlwelle 38 möglich, wobei gleichzeitig deren galva
nische Entkopplung gegenüber der Antriebswelle 32
gewährleistet ist. Bei der Montage der Hohlwelle 38
wird diese durch die geöffnete Tür 14 des Behand
lungsreaktors 12 auf die Antriebswelle 32 aufgescho
ben und in eine definierte Position gebracht, die den
Kraftschluß zwischen der Hohlwelle 38 und der An
triebswelle 32 sicherstellt. Um ein axiales Verschie
ben der Hohlwelle 38 zur Antriebswelle 32 zu ver
hindern, ist eine Arretierung mittels einer Befesti
gungseinrichtung 58 vorgesehen. Die Befestigungsein
richtung 58 kann beispielsweise eine Gewindeschraube
umfassen, die in ein entsprechendes Sackloch 60 ein
schraubbar ist. Die Befestigungseinrichtung 58 drückt
eine Sicherungsscheibe 62 gegen die türseitige Buchse
46, so daß ein Bund 64 der Buchse 46 gegen eine
stirnseitige Ringfläche 66 der Hohlwelle 38 gedrückt
wird. Die Sicherungsscheibe 62 kann zusätzlich mit
einer Verdrehsicherung 68 versehen sein, bei der bei
spielsweise ein Stift eine mit einer axialen Sack
öffnung der Antriebswelle 32 fluchtende Durchgangs
öffnung der Sicherungsscheibe 62 durchgreift.
Schließlich ist noch ein Deckel 70 vorgesehen, der
die Befestigung 58 abdeckt. Der Deckel 70 kann bei
spielsweise über ein Gewinde auf einen Fortsatz 72
der Hohlwelle 38 aufgeschraubt sein. Der Deckel 70
gewährleistet einerseits eine galvanische Trennung
des Innenraums des Behandlungsreaktors 12 von der An
triebswelle 32 und verhindert andererseits gleich
zeitig eine Verschmutzung des stirnseitigen Bereiches
der Antriebswelle 32 sowie der Befestigungseinrich
tung 58.
Insgesamt wird durch die Lagerung der Hohlwelle 38
mit den Mischwerkzeugen 40 erreicht, daß diese bei
der Plasmabehandlung von sich in dem Behandlungs
reaktor 12 befindenden Material das Potential des
behandelten Materials aufweist. Die Hohlwelle 38 und
somit die gesamte Mischeinrichtung 20, wirken demnach
nicht als Gegenelektrode der Elektroden 27 bezie
hungsweise 28 bei der Plasmaanregung. Somit wird er
reicht, daß die Mischeinrichtung aus einem robusten
und festen, für Übertragungen großer Kräfte geeigne
ten Material, insbesondere Edelstahl, bestehen kann
und trotzdem eine Behandlung von wärmeempfindlichem
Material möglich ist. Insbesondere ist hierdurch eine
Anpassung der Leistungseinspeisung der Plasmaanre
gung, insbesondere wenn eine Hochfrequenzanregung mit
einer Frequenz von 13,56 MHz erfolgen soll, möglich.
Weitere Anregungen können beispielsweise mit 40 kHz
und/oder 2,45 GHz, je nach Zuschaltung der Elektroden
27 und 28, erfolgen.
Claims (15)
1. Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung von pul
ver- und/oder granulatförmigem Material, mit einem
Behandlungsreaktor, einer in dem Behandlungsreaktor
angeordneten Mischeinrichtung sowie dem Behandlungs
reaktor zugeordneten Einrichtungen zum Erzeugen/An
regen eines Plasmas, dadurch gekennzeichnet, daß die
Mischeinrichtung (20) von einem Mischwerk (36) gebil
det wird, das innerhalb eines feststehenden, das zu
behandelnde Material aufnehmenden Behandlungsreaktors
(12) angeordnet ist und das galvanisch entkoppelt
gelagert ist.
2. Anlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Mischwerk (36) innerhalb eines Behandlungsbe
reiches (13) des Behandlungsreaktors (12) in Rotation
versetzbar ist.
3. Anlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen (27,
28) zum Erzeugen/Anregen des Plasmas außerhalb des
Wirkbereiches des Mischwerkes (36) angeordnet sind.
4. Anlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Mischwerk (36) von
einer auf einer Antriebswelle (32) galvanisch entkop
pelt befestigten Hohlwelle (38) gebildet wird, an
deren Außenumfang wenigstens ein Mischwerkzeug (40)
drehfest angeordnet ist.
5. Anlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Mischwerk (36) im
wesentlichen den gesamten Behandlungsbereich (13) des
Behandlungsreaktors (12) erfaßt.
6. Anlage nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Hohlwelle (38) über Buchsen
(46) aus elektrisch isolierendem Material auf der
Antriebswelle (32) gelagert ist.
7. Anlage nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Buchsen (46) eine form- und/oder kraftschlüs
sige Verbindung der Antriebswelle (32) und der Hohl
welle (38) übernehmen.
8. Anlage nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß ein zwischen der Hohlwelle (38)
und der Antriebswelle (32) ausgebildeter Ringraum
(44) ein elektrisches Isoliermaterial enthält.
9. Anlage nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Mischeinrichtung (20) insgesamt aus
einem elektrischen Isoliermaterial besteht.
10. Anlage nach einem der Ansprüche 4 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Antriebswelle (32) des Misch
werks (36) fliegend gelagert ist.
11. Anlage nach einem der Ansprüche 4 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Antriebswelle (32) beidseitig
gelagert ist.
12. Anlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Behandlungsreaktor
(12) wenigstens eine verschließbare Öffnung (14) auf
weist, die Reinigungs- und/oder Inspektions- und/oder
Reparaturarbeiten dient.
13. Anlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Behandlungsreaktor
(12) temperierbar ist.
14. Anlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Behandlungsreaktor
(12) eine vorzugsweise oben angeordnete Einfüllein
richtung (16) und eine vorzugsweise unten angeordnete
Entleerungseinrichtung (18) aufweist.
15. Anlage nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die Einfülleinrichtung (16) und/oder die Ent
leerungseinrichtung (18) temperierbar sind.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19654603A DE19654603C2 (de) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung |
PCT/EP1996/005857 WO1998028117A1 (de) | 1996-12-20 | 1996-12-23 | Anlage zur niederdruck-plasmabehandlung |
AU13070/97A AU1307097A (en) | 1996-12-20 | 1996-12-23 | Installation for low-pressure plasma processing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19654603A DE19654603C2 (de) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19654603A1 DE19654603A1 (de) | 1998-07-02 |
DE19654603C2 true DE19654603C2 (de) | 2003-05-22 |
Family
ID=7816350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19654603A Expired - Fee Related DE19654603C2 (de) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
AU (1) | AU1307097A (de) |
DE (1) | DE19654603C2 (de) |
WO (1) | WO1998028117A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CZ304221B6 (cs) * | 2013-02-15 | 2014-01-08 | Technická univerzita v Liberci | Způsob nízkotlaké plazmové úpravy povrchu práškových materiálů a zařízení pro provádění tohoto způsobu |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4141805A1 (de) * | 1991-12-18 | 1993-06-24 | Rhein Bonar Kunststoff Technik | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von thermoplastischen kunststoffteilen mit hilfe von niedertemperaturplasmen |
DE4423471A1 (de) * | 1994-07-05 | 1996-01-11 | Buck Chem Tech Werke | Vorrichtung zur Plasmabehandlung von feinkörnigen Gütern |
DE19502187A1 (de) * | 1995-01-25 | 1996-08-01 | Fraunhofer Ges Forschung | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung und Plasmabeschichtung von Pulvern |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56155631A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-01 | Toshiba Corp | Powder treatment device utilizing plasma generated by microwave |
JPS57177342A (en) * | 1981-04-23 | 1982-11-01 | Toshiba Corp | Plasma treating apparatus of powder |
JPS59145038A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 粉体表面改質装置 |
CA1327769C (en) * | 1986-06-20 | 1994-03-15 | Shoji Ikeda | Powder treating method and apparatus used therefor |
JP2656349B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1997-09-24 | 宇部興産株式会社 | プラズマ粉体処理装置 |
SU1749315A1 (ru) * | 1990-07-02 | 1992-07-23 | Институт механики металлополимерных систем АН БССР | Устройство дл обработки порошков в вакууме |
JP3283889B2 (ja) * | 1991-07-24 | 2002-05-20 | 株式会社きもと | 防錆処理方法 |
JP3259186B2 (ja) * | 1992-06-22 | 2002-02-25 | 株式会社ダイオー | 粉体のプラズマ処理方法 |
DE4325377C1 (de) * | 1993-07-26 | 1995-08-17 | Gvu Ges Fuer Verfahrenstechnik | Verfahren zur Herstellung eines als Pulverbeschichtungsmaterial und/oder Schmelzkleber einsetzbaren Kunststoffes |
-
1996
- 1996-12-20 DE DE19654603A patent/DE19654603C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-23 AU AU13070/97A patent/AU1307097A/en not_active Abandoned
- 1996-12-23 WO PCT/EP1996/005857 patent/WO1998028117A1/de active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4141805A1 (de) * | 1991-12-18 | 1993-06-24 | Rhein Bonar Kunststoff Technik | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von thermoplastischen kunststoffteilen mit hilfe von niedertemperaturplasmen |
DE4423471A1 (de) * | 1994-07-05 | 1996-01-11 | Buck Chem Tech Werke | Vorrichtung zur Plasmabehandlung von feinkörnigen Gütern |
DE19502187A1 (de) * | 1995-01-25 | 1996-08-01 | Fraunhofer Ges Forschung | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung und Plasmabeschichtung von Pulvern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1998028117A1 (de) | 1998-07-02 |
DE19654603A1 (de) | 1998-07-02 |
AU1307097A (en) | 1998-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4405747B4 (de) | Magnetfeldunterstützte Zerstäubungsanordnung und hiermit ausgerüstete Vakuumbehandlungsanlage | |
DE1943212C3 (de) | Vorrichtung zum Wärmen und Vorwärmen eines Kautschukartikels | |
EP0444618A2 (de) | Plasma-Behandlungsvorrichtung | |
DE60213389T2 (de) | Röntgen-bestrahlungsvorrichtung | |
WO2009127540A1 (de) | Vorrichtung zum behandeln einer inneren oberfläche eines werkstücks | |
DE3641206A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum behandeln eines substrates mit einem plasma | |
DE19654603C2 (de) | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung | |
DE19543401A1 (de) | Vorrichtung zur Wärmebehandlung einer Probe durch die Bestrahlung mit Mikrowellen | |
DE2146862A1 (de) | Verfahren zur Verfestigung der Oberfläche von Werkstücken aus Eisen und Stahl | |
AT401737B (de) | Vorrichtung zum kontinuierlichen bearbeiten von viskosen flüssigkeiten und massen | |
EP3603810A1 (de) | Druckbehälter mit magnetscheibe zum rühren | |
WO1992005001A1 (de) | Verfahren und anlage zum reduktionsglühen von eisenpulver | |
DE2845756A1 (de) | Ionenitrierhaertungsverfahren | |
DE2709574A1 (de) | Vorrichtung zum reaktivieren von aktivkohle o.dgl. | |
DE102010031259B4 (de) | Stützeinrichtung für eine Magnetronanordnung mit einem rotierenden Target | |
DE4343756C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Wärmebehandlung von feinem Pulver | |
EP0702598A1 (de) | Prallbrecher | |
EP4000735A1 (de) | Rührwerkskugelmühle | |
EP0421200B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Schleudern eines hochviskosen Schleudergutes | |
EP3631024B1 (de) | Härtungsverfahren und härtungsvorrichtung zum oberflächenhärten eines rotationssymmetrischen werkstücks | |
DE102004027989B4 (de) | Werkstückträgervorrichtung zum Halten von Werkstücken | |
EP2181770B1 (de) | Zentrifuge | |
DE60214893T2 (de) | Mikrowellen-mischer/trockner/reaktor zur industriellen verwendung | |
EP1222061B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum aufschluss von holzwerkstoffen | |
DE1557180A1 (de) | Vorrichtung zum Behandeln fliessfaehiger Stoffe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8304 | Grant after examination procedure | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |