DE19502187A1 - Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung und Plasmabeschichtung von Pulvern - Google Patents
Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung und Plasmabeschichtung von PulvernInfo
- Publication number
- DE19502187A1 DE19502187A1 DE1995102187 DE19502187A DE19502187A1 DE 19502187 A1 DE19502187 A1 DE 19502187A1 DE 1995102187 DE1995102187 DE 1995102187 DE 19502187 A DE19502187 A DE 19502187A DE 19502187 A1 DE19502187 A1 DE 19502187A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- powder
- plant according
- rotary drum
- drivers
- flange
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/28—Moving reactors, e.g. rotary drums
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4417—Methods specially adapted for coating powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00189—Controlling or regulating processes controlling the stirring velocity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Glanulating (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Anlage zur Niederdruck-Plasmabeschichtung und Plasmabe
handlung von Pulvern gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruches.
Eine derartige Anlage ist aus der Dissertation P. Plein "Untersuchungen zur Plasmapo
lymerisation", 1988, Seite 165 bekannt. Bei dieser Anlage wird das Pulver nach Austritt
aus einer Rieselvorrichtung über eine Rüttlerstrecke durch den Plasmaraum geführt.
Dabei wird das Pulver durchwirbelt; durch die Neigung der Rüttlerstrecke kann die
Verweilzeit des Pulvers und somit auch seine Behandlungs- bzw. Beschichtungszeit
variiert werden. Diese Anlage ist insbesondere für grobe Materialien (< 1000 µm ge
eignet, die lediglich einer Plasmabehandlung unterworfen werden müssen. Eine homo
gene Beschichtung, insbesondere von feinsten Pulvern (10 nm - 1000 µm, gestaltet sich
mit dieser Anlage relativ schwierig, da sich solche Teilchen auf der Rüttelstrecke nur
schlecht fortbewegen lassen. Außerdem läßt sich die Oberflächenleitfähigkeit der
Rüttelstrecke in einem beschichtenden Prozeß nicht aufrechterhalten, was zu stati
schem Haften und somit zu einer ungleichmäßigen Beschichtung führen kann.
Eine weitere Anlage zur Pulverbehandlung in einem Plasmaraum ist aus der US-PS
3,814,983 bekannt. Bei dieser Anlage werden die Pulver im freien Fall durch eine
Plasmazone geführt und während des freien Falls behandelt. Diese Anlage eignet sich
insbesondere für Plasmabehandlungen bei denen schon sehr kurze Behandlungszeiten
ausreichend sind. Bei längeren Behandlungszeiten wären prinzipiell bedingt Anlagen
mit sehr großen Maßen notwendig.
Ferner sind Anlagen zur Plasmabehandlung von Pulvern bekannt, bei denen die Pulver
in eine einfache Drehtrommel eingefüllt sind. Bei diesen Anlagen ist eine gleichmäßige
Behandlung des Pulvers problematisch, da sich die größte Pulvermenge im unteren
Bereich der Drehtrommel sammelt und damit das gesamte Pulver nicht gleichmäßig
umgewälzt werden kann.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Anlage zur Plasmabehandlung von
Pulvern anzugeben, welche sowohl die Behandlung von Pulvern in einem homogenen
Rieselfeld erlaubt als auch deren homogene Beschichtung und die Aufbringung von in
situ-Gradientenschichten auf diesen Pulvern erlaubt.
Diese Aufgabe ist durch eine Anlage gelöst, welche die Merkmale des Anspruches
aufweist. Die Unteransprüche stellen vorteilhafte Weiterbildungen dar.
Die erfindungsgemäße Anlage erlaubt nicht nur die Behandlung von Pulvern in einem
homogenen Rieselfeld, vielmehr ist es auch möglich, die Behandlungszeit und die
Behandlungsintensität variabel zu gestalten. Auch das Aufbringen von in-situ-Gradien
tenschichten ist möglich. Bei der Behandlung bzw. Beschichtung von Nanopulvern
(10-1000 nm) ist eine Möglichkeit der Kombination von pulvererzeugendem und pulverbe
schichtetem Verfahren unter Vakuum und somit unter Reduzierung der Oxidation der
Oberflächen und einer Erhöhung der Qualität der Oberflächenmodifizierung gegeben.
Dadurch, daß die erfindungsgemäße Anlage eine Drehtrommel aufweist, mit der um
fangsseitigen Anordnung von Mitnehmern, welche so ausgestaltet sind, daß sie nicht
nur das gleichmäßige Mitnehmen, sondern gleichzeitig auch das gleichmäßige Verrie
seln des zu behandelnden Pulvers garantieren, ist erreicht, daß eine einwandfreie Pul
verbeschichtung mittels der erfindungsgemäßen Anlage möglich ist. Die umfangsseitig
der Drehtrommel angeordneten Mitnehmer sind gleichzeitig "nur" Mitnehmer und
gleichzeitig die Verrieselungsvorrichtung.
In Ausgestaltung sieht die Erfindung vor, daß, wenn keine stabförmige Energiequelle in
die Drehtrommel eingesetzt wird, können die Mitnehmer, die in diesem Fall gegen die
Trommel elektrisch isoliert sind, als Elektroden eingesetzt werden.
Vorteilhafterweise erstrecken sich die Mitnehmer über die gesamte Länge der Dreh
trommel. Sie sind L-förmig ausgebildet und weisen zwei in etwa senkrecht aufeinan
derstehende Wandabschnitte auf. Die eine, das L-Profil bildende Wand ist geschlos
sen, die andere Wand ist perforiert, vorzugsweise weist sie über ihre gesamte Länge
Durchbrechungen auf. Die Größe der Durchbrechungen ist der Pulverpartikelgröße
angepaßt. In Ausgestaltung sieht die Erfindung vor, daß die mit Durchbrechungen ver
sehene Wand bogenförmig ausgestaltet ist. Zum einen um das Eintauchen in die am
Boden der Drehtrommel befindliche Pulvermenge zu erleichtern und zum anderen um
das Auftauchen zu erleichtern. Ferner gewährleistet die bogenförmige Ausbildung der
Wand ein einfacheres Abrutschen der auf der Wand eventuell verbleibenden Pulver
menge bei der Rotationsbewegung der Trommel. Die gleichmäßig angeordneten
Durchbrechungen in dieser Wand gewährleisten eine gleichmäßige Verrieselung des
Pulvers. Die Größe der Durchbrechungen ist der Pulverpartikelgröße angepaßt.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, daß die Pulverzufuhr zu der Dreh
trommel kontinuierlich erfolgt und damit ein in-line-Betrieb möglich ist. Dafür ist ein
Materialzuführungskanal vorgesehen, der durch einen der Drehtrommel vorgeschalte
ten, feststehenden Flansch gebildet ist. Der Flansch dient gleichzeitig als Abpump
flansch, an dem eine geeignete Vakuumpumpe angeschlossen ist.
Für den Einsatz in einen In-line-Betrieb ist die zylinderförmige Drehtrommel kippbar. Im
Batchbetrieb ist eine solche Trommel immer horizontal ausgerichtet. Ein kontinuierli
cher Betrieb wird dabei dadurch gewährleistet, daß die Drehtrommel um wenige Grad
gekippt und damit aus der Waagerechten gebracht wird. Hierdurch wird erreicht, daß
das Pulver durch die Drehbewegung der Trommel und durch die Schwerkraft in Zylin
derlängsrichtung bewegt werden kann. Somit läßt sich das Pulver von der Materialzu
fuhr über eine Vielzahl von Drehungen im Plasma der Drehtrommel zur entgegenge
setzten Seite der Materialzufuhr befördern. Der Pulveraustrag aus der Drehtrommel in
einen Sammelbehälter ist über einen Flansch möglich, der vergleichbar mit dem Zu
führflansch ist. Die Größe der Kippung (Neigung aus den Horizontalen) und die
Drehgeschwindigkeit bestimmen die Geschwindigkeit der Pulverbewegung durch die
Drehtrommel.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird anhand der nachfolgenden Zeichnungen
näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 Drehtrommel- und Mitnehmeranordnung der erfindungsgemäßen
Anlage,
Fig. 2 perspektivische Darstellung eines Mitnehmers,
Fig. 3 schematische Darstellung der kontinuierlichen Pulverzufuhr zu der
erfindungsgemäßen Anlage.
Die erfindungsgemäße Anlage weist eine Drehtrommel 1 mit umfangsseitig angeordne
ten Mitnehmer 2 auf. Das Plasma kann entweder durch eine stabförmige Energiequelle
angeregt werden oder die Anregung kann durch Elektroden erfolgen, wobei in diesem
Fall die Mitnehmer 2 gegen die Trommel elektrisch isoliert sind und über Schleifkontak
te 4 als Elektroden geschaltet werden können. In Fig. 1 arbeiten die Mitnehmer c und
g als Elektroden, die Mitnehmer h, a und b führen die Verrieselung durch und die Mit
nehmer d, e und f haben "nur" die Funktion von Mitnehmern. Durch die besondere
Ausgestaltung der Mitnehmer 2 ist gewährleistet, daß diese abwechselnd als Mitneh
mer und als Verrieselungsvorrichtung arbeiten. Die Mitnehmer 2 weisen zwei etwa
senkrecht aufeinanderstehende Wände 5 und 6 auf. Die Wand 5 ist durchgehend, die
Wand 6 weist Durchbrechungen 7 auf. Ferner ist die Wand 6 bogenförmig ausgestaltet.
Durch diese Ausbildung der Mitnehmer ist gewährleistet, daß das zu behandelnde Pul
ver 8 im unteren Bereich der Trommel durch die Wand 5 aufgenommen wird und auf
dieser solange liegenbleibt, bis durch die Drehbewegung der Trommel das Pulver auf
die Wand 6 gelangt welche Durchbrechungen 7 aufweist und durch diese nach unten
durchrieselt. Durch die gleichmäßige Anordnung von Durchbrechungen 7 und die
gleichmäßige Geschwindigkeit der Trommel ist gewährleistet, daß eine gleichmäßige
Verrieselung von Pulver 9 in der Plasmakammer stattfindet. Die gleichmäßige Verriese
lung ist für eine einwandfreie Beschichtung wesentlich. Durch ein mehrmaliges Umlau
fen der Drehtrommel und damit ein mehrmaliges Verrieseln der Pulverpartikelchen 9
durch den Plasmaraum ist eine Erzeugung von in situ Gradientenschichten möglich.
Durch die Anordnung der Mitnehmer als Elektroden ist ferner gewährleistet, daß ein
homogenes elektrisches Feld quer zur Verrieselungsrichtung entsteht. Die Gaszufuhr
vorrichtung und der Abpumpflansch können drehachsennah installiert werden, sind je
doch in Fig. 1 nicht dargestellt.
In Fig. 3 ist eine Anordnung der Drehtrommel für einen in-line-Betrieb dargestellt. Das
Pulver wird bei dieser Vorrichtung aus einem Vorratsbehälter kontinuierlich in die Ma
terialzuführung 10 eingerieselt. Diese ist so gestaltet, daß das Pulver 11 langsam der
Drehtrommel 1 zugeführt wird. Die Materialzuführung 10 ist als feststehender Flansch
ausgebildet. Das Arbeitsgas wird durch eine Öffnung 12 mittels einer Pumpe nach
oben abgepumpt, was vorteilhafterweise gewährleistet, daß annähernd kein Pulver 11
in die Pumpe gelangt. Der Flansch ist über ein Vakuumlager 13 mit der sich drehenden
Trommel 1 verbunden. Die Neigung der Drehtrommel um den Winkel 14 gegenüber der
Horizontalen sorgt für den Transport des Pulvers entlang der Zylinderlängsachse.
Dabei bestimmt die Größe des Winkels 14 die Transportgeschwindigkeit des Pulvers.
Die Einstellung der Neigung kann durch einfache mechanische Vorrichtungen erfolgen,
z. B. durch Anheben der Anlage auf der Materialzuführungsseite. Am Ende des
Zylinders gelangt das Pulver in den Auskopplungsflansch 17 durch den es kontinu
ierlich in einen Vorratsbehälter fällt. Die stabförmige Energiequelle 3 ist in der Halte
rung 15 gehaltert und wird über die Zuleitung 16 gespeist.
Claims (11)
1. Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung und Plasmabeschichtung von Pul
vern mit einer Plasmabeschichtungskammer und einer in dieser angeordneten
Rieselvorrichtung zum homogenen Verrieseln des Pulvers mit einer definierten
Rieselgeschwindigkeit und mit einer regelbaren Vorrichtung für die Einstellung
der Verweilzeit des Pulvers in der Kammer dadurch gekennzeichnet, daß die
Beschichtungskammer durch eine Drehtrommel (1) gebildet ist, und daß an de
ren Umfang angeordnete Mitnehmer (2) abwechselnd als Mitnehmer d, e, f und
Verrieselungsvorrichtung h, a, b einsetzbar sind.
2. Anlage nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß wahlweise eine
stabförmige Energiequelle (3) einsetzbar ist oder daß die Mitnehmer (2) als
Elektroden g und c einsetzbar sind.
3. Anlage nach Anspruch 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, daß die Mitneh
mer (2) sich über die gesamte Länge der Drehtrommel (1) erstrecken.
4. Anlage nach einem der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeich
net, daß die Mitnehmer (2) zwei im wesentlichen senkrecht aufeinanderstehen
de, ein L-Profil bildende Wände (5, 6) aufweisen.
5. Anlage nach Anspruch 4 dadurch gekennzeichnet, daß die eine, der
Drehtrommelwand abgewandte Wand (6) des Mitnehmers mit Durchbrechun
gen (7) versehen ist.
6. Anlage nach Anspruch 5 dadurch gekennzeichnet, daß diese Wand (6) bogen
förmig ausgebildet ist.
7. Anlage nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchbrechungen
(7) der Pulverpartikelgröße anpaßbar sind.
8. Anlage nach einem der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeich
net, daß die Pulverzufuhr kontinuierlich oder diskontinuierlich erfolgt.
9. Anlage nach Anspruch 8 dadurch gekennzeichnet, daß die Drehtrommel (1)
um den Winkel (14) kippbar ist.
10. Anlage nach Anspruch 8 oder 9 dadurch gekennzeichnet, daß bei bei einer
kontinuierlichen Pulverzufuhr das Pulver über einen feststehenden Flansch (10)
der Drehtrommel (1) und über einen weiteren feststehenden Flansch (17) konti
nuierlich einem Vorratsbehälter zugeführt wird.
11. Anlage nach einem der Ansprüche 8 bis 9 dadurch gekennzeichnet, daß der
Zufuhrflansch (10) gleichzeitig Abpumpflansch ist, an dem ein Vakuum
Pumpflansch (12) angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1995102187 DE19502187C2 (de) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung und Plasmabeschichtung von Pulvern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1995102187 DE19502187C2 (de) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung und Plasmabeschichtung von Pulvern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19502187A1 true DE19502187A1 (de) | 1996-08-01 |
DE19502187C2 DE19502187C2 (de) | 1996-12-12 |
Family
ID=7752256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1995102187 Expired - Fee Related DE19502187C2 (de) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung und Plasmabeschichtung von Pulvern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19502187C2 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19654603A1 (de) * | 1996-12-20 | 1998-07-02 | Iveco Gmbh & Co Kg | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung |
WO2015071658A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-21 | Perpetuus Research & Development Limited | Treating particles |
CN115212804A (zh) * | 2022-07-04 | 2022-10-21 | 昆山普乐斯电子科技有限公司 | 内置旋转容器式颗粒/粉体物表面改性装置及其使用方法 |
DE102022123756A1 (de) | 2022-09-16 | 2024-03-21 | Julius Justenhoven | Vorrichtung und Verfahren zur Beeinflussung von bewegter Materie mittels mindestens eines Magnetfeldes und/oder eines elektrischen Feldes |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4859493A (en) * | 1987-03-31 | 1989-08-22 | Lemelson Jerome H | Methods of forming synthetic diamond coatings on particles using microwaves |
US4860928A (en) * | 1986-12-24 | 1989-08-29 | Tadahiro Shimazu | Powder constant-volume feeder |
DE4141805A1 (de) * | 1991-12-18 | 1993-06-24 | Rhein Bonar Kunststoff Technik | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von thermoplastischen kunststoffteilen mit hilfe von niedertemperaturplasmen |
-
1995
- 1995-01-25 DE DE1995102187 patent/DE19502187C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4860928A (en) * | 1986-12-24 | 1989-08-29 | Tadahiro Shimazu | Powder constant-volume feeder |
US4859493A (en) * | 1987-03-31 | 1989-08-22 | Lemelson Jerome H | Methods of forming synthetic diamond coatings on particles using microwaves |
DE4141805A1 (de) * | 1991-12-18 | 1993-06-24 | Rhein Bonar Kunststoff Technik | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von thermoplastischen kunststoffteilen mit hilfe von niedertemperaturplasmen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Dissertation: P. Plein "Untersuchungen zu Plasmapolymerisation", RWT H. Aachen (1988), S. 165 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19654603A1 (de) * | 1996-12-20 | 1998-07-02 | Iveco Gmbh & Co Kg | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung |
DE19654603C2 (de) * | 1996-12-20 | 2003-05-22 | Iveco Gmbh & Co Kg | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung |
WO2015071658A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-21 | Perpetuus Research & Development Limited | Treating particles |
GB2521751A (en) * | 2013-11-12 | 2015-07-01 | Perpetuus Res & Dev Ltd | Treating particles |
CN105934407A (zh) * | 2013-11-12 | 2016-09-07 | 佩尔佩图斯研究与发展有限公司 | 处理粒子 |
US9884766B2 (en) | 2013-11-12 | 2018-02-06 | Perpetuus Research & Development, Ltd. | Treating particles |
CN105934407B (zh) * | 2013-11-12 | 2019-06-14 | 佩尔佩图斯研究与发展有限公司 | 处理粒子 |
CN115212804A (zh) * | 2022-07-04 | 2022-10-21 | 昆山普乐斯电子科技有限公司 | 内置旋转容器式颗粒/粉体物表面改性装置及其使用方法 |
DE102022123756A1 (de) | 2022-09-16 | 2024-03-21 | Julius Justenhoven | Vorrichtung und Verfahren zur Beeinflussung von bewegter Materie mittels mindestens eines Magnetfeldes und/oder eines elektrischen Feldes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19502187C2 (de) | 1996-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0945202B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines dreidimensionalen Objektes | |
EP0339195B1 (de) | Magnetscheider | |
EP3083870B1 (de) | Verfahren zur herstellung von mehrschicht-schleifpartikeln | |
EP2766123B1 (de) | Verfahren zur fragmentierung und/oder vorschwächung von material mittels hochspannungsentladungen | |
WO1993019217A1 (de) | Einrichtung zum vakuumbeschichten von massengut | |
DE20321893U1 (de) | Elektrostatischer Hochspannungsklassifizierer | |
DE2324803C2 (de) | Elektrostatisches Wirbelbettverfahren zum Pulverbeschichten von Werkstücken | |
DE102014222129A1 (de) | Verfahren, Vorrichtung und Beschichtungsmodul zum Herstellen eines dreidimensionalen Objekts | |
DE3206544C2 (de) | ||
DE112012006121T5 (de) | Pulverbeschichtungssystem | |
EP0888463B1 (de) | Einrichtung zum vakuumbeschichten von schüttgut | |
DE19502187C2 (de) | Anlage zur Niederdruck-Plasmabehandlung und Plasmabeschichtung von Pulvern | |
EP0070011B1 (de) | Galvanisiereinrichtung | |
WO2015143572A1 (de) | Verfahren zum fragmentieren eines stangenartigen materials, insbesondere aus polykristallinem silizium | |
EP2306792B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Objekten mit einem physikalischen Plasma bei Atmosphärendruck | |
DE2451514A1 (de) | Vorrichtung zum elektrostatischen aufbringen eines pulvers auf ein substrat | |
DE4121119A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung und sammlung von ultrafeinen partikeln | |
EP2024080B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur behandlung von schüttgut mit einem physikalischen plasma bei atmosphärendruck | |
WO1998028080A1 (de) | Vorrichtung zum elektrostatischen sortieren von gemischen aus teilchen unterschiedlicher kunststoffe | |
DE4143260A1 (de) | Vorrichtung zur thermischen behandlung von lockerem gut | |
DE60026668T2 (de) | Vorrichtung zum elektrostatischen Beflocken | |
EP1871517B1 (de) | Trommel zum beschichten von körnigen substraten | |
DE1955759A1 (de) | Vorrichtung zum aufstaeuben von pulverfoermigen stoffen | |
DE69811858T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen elektrostatischen Auftragen einer pulverförmigen Substanz auf einem Substrat | |
DE102019007941B4 (de) | Vorrichtung zur Herstellung eines dreidimensionalen Objektes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |