JPS59145038A - 粉体表面改質装置 - Google Patents
粉体表面改質装置Info
- Publication number
- JPS59145038A JPS59145038A JP1847183A JP1847183A JPS59145038A JP S59145038 A JPS59145038 A JP S59145038A JP 1847183 A JP1847183 A JP 1847183A JP 1847183 A JP1847183 A JP 1847183A JP S59145038 A JPS59145038 A JP S59145038A
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- JP
- Japan
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- powder
- cylinder
- surface modification
- semi
- plasma
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- Granted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/18—Details relating to the spatial orientation of the reactor
- B01J2219/187—Details relating to the spatial orientation of the reactor inclined at an angle to the horizontal or to the vertical plane
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低温プラズマを用いて粉体物質の表面改質を
行うためのものであって、特に減圧下の粉体貯槽から装
置内に安定に粉体の供給、取り出しを行いながら9重合
モノマー利用効率の高い処理操作が行える装置に関する
ものである。
行うためのものであって、特に減圧下の粉体貯槽から装
置内に安定に粉体の供給、取り出しを行いながら9重合
モノマー利用効率の高い処理操作が行える装置に関する
ものである。
最近、多(の工業分野において、その表面に一定の特性
を持つ粉体物質が利用されている。例えば、吸着剤、充
填剤、顔料、触媒などであるが。
を持つ粉体物質が利用されている。例えば、吸着剤、充
填剤、顔料、触媒などであるが。
こうした粉体物質の性質を改良するために、様々の表面
改質技術が用いられている。
改質技術が用いられている。
改質方法は、粉体物質の種類9表面の反応性等によって
個々に大きく異なるのが通常であるが。
個々に大きく異なるのが通常であるが。
プラズマ処理番こよる場合、類似の操作でほとんどあら
ゆる固体物質の表面特性を変えることが可能である。
ゆる固体物質の表面特性を変えることが可能である。
しかし、従来プラズマ処理は、膜状、板状、管状、繊維
状といった多種の形状の物体の表面処理に多く用いられ
ているが、粉体処理に用いた例は多(ない(例えば、特
開昭52−124068 、特開昭52−140570
など)。しかも、処理装置に関する記述はなされていな
い。類似物として、ビーズ状物質の処理に用いたペルジ
ャー型反応装置に関する報告はあるが、振動する皿の−
Lにビーズを置(ものであり9本発明の装置iltとは
異なる。(A CS Sym−po、 5eries
108. PP、315−330 (1979) )
シかも、連続処理がスムーズに行われ、処理気体やプ
ラズマとの接触が均一に効率よ(達成されるための考慮
も払われていない。
状といった多種の形状の物体の表面処理に多く用いられ
ているが、粉体処理に用いた例は多(ない(例えば、特
開昭52−124068 、特開昭52−140570
など)。しかも、処理装置に関する記述はなされていな
い。類似物として、ビーズ状物質の処理に用いたペルジ
ャー型反応装置に関する報告はあるが、振動する皿の−
Lにビーズを置(ものであり9本発明の装置iltとは
異なる。(A CS Sym−po、 5eries
108. PP、315−330 (1979) )
シかも、連続処理がスムーズに行われ、処理気体やプ
ラズマとの接触が均一に効率よ(達成されるための考慮
も払われていない。
プラズマ発生部には、ラジオ波コイルあるいは。
電極など一般に使用されているプラズマ処理装置のもの
を用いることができる。粉体の種類によっては、熱に弱
いものがあるがプラズマ発生部に与えられるラジオ波准
力、処理円筒との距離を適当にすることにより発熱を抑
えることができる。
を用いることができる。粉体の種類によっては、熱に弱
いものがあるがプラズマ発生部に与えられるラジオ波准
力、処理円筒との距離を適当にすることにより発熱を抑
えることができる。
ちなみに2反応管のこの部分は、パイレックス。
石英など絶縁物から成り、他の部分は金属(ステンレス
等)であってもかまわない。排気系は、粉の飛散を防ぐ
ため荒い多孔性フィルターを管路に取り付けたものを用
いる。
等)であってもかまわない。排気系は、粉の飛散を防ぐ
ため荒い多孔性フィルターを管路に取り付けたものを用
いる。
また2回転円筒の一端(排気系側)にも荒いフィルター
が付けられている。ただし、排気がすみPtpに(jo
われるようにフィルター中心に直径5讃程度の小穴を必
要に応じてあけである。
が付けられている。ただし、排気がすみPtpに(jo
われるようにフィルター中心に直径5讃程度の小穴を必
要に応じてあけである。
本発明の実施例を図面を用いて説明すると、第1図の中
の1はいずれも真空ポンプに継がれて。
の1はいずれも真空ポンプに継がれて。
4の未処理粉体貯槽、10の粉体処理回転円向、12の
処理粉体回収容器内等の排気に用いられる。
処理粉体回収容器内等の排気に用いられる。
未処理粉体は、11のバルブ、3の粉体送入機構を進じ
て10の回転円1;iに送られ、15のラジオ波発振器
から14のマツチング回路を7mじて、8のラジオ波コ
イルに送られた電力により励起されたプラズマに曝露さ
れ表面処理が行われる。
て10の回転円1;iに送られ、15のラジオ波発振器
から14のマツチング回路を7mじて、8のラジオ波コ
イルに送られた電力により励起されたプラズマに曝露さ
れ表面処理が行われる。
また、この円筒壁の一部は、軸方向に長く多孔フィルタ
ー16になっており、2の処理気体等大系からのプラズ
マ気体を尚内軸方向に均一に分布する働きをする。これ
によって、プラズマ気体として重合性のモノマーを用い
た場合9反応効率が高められる。
ー16になっており、2の処理気体等大系からのプラズ
マ気体を尚内軸方向に均一に分布する働きをする。これ
によって、プラズマ気体として重合性のモノマーを用い
た場合9反応効率が高められる。
また、10の円面部には、9の回転軸(一部柔軟なプラ
スチック管から成る。)7の真空回転導入機構によって
処理中回転し、6の粉体分散ロッド(棒)が内側をころ
がりながら粉体同士の付着を防ぎ、プラズマとの接触を
助け、同時に粉体は。
スチック管から成る。)7の真空回転導入機構によって
処理中回転し、6の粉体分散ロッド(棒)が内側をころ
がりながら粉体同士の付着を防ぎ、プラズマとの接触を
助け、同時に粉体は。
棒表面にラセン状に分布した突起ど1oの内面に付けら
れた浅いラセンlaによって、粉体回収部5゜11、1
2に移動して行く。この移動速度、すなわち粉体処理時
間は、尚回転速さ、1Fti出口のせきの高さ2反応青
金体の傾斜度によっても制御可能である。なお、13は
、排気中の粉体飛散を防止するた−めのフィルターであ
る。
れた浅いラセンlaによって、粉体回収部5゜11、1
2に移動して行く。この移動速度、すなわち粉体処理時
間は、尚回転速さ、1Fti出口のせきの高さ2反応青
金体の傾斜度によっても制御可能である。なお、13は
、排気中の粉体飛散を防止するた−めのフィルターであ
る。
11の扮1本バルブを詳1.<説明したのが、第2図及
び第3トニ1である。
び第3トニ1である。
第2図において粉体は上から下に流れるが、バルブ内の
孔がラッパ状になっており、閉状態でバルブ内に滞i?
7 L/にくい。このようなバルブ動作を第3図に説明
した。
孔がラッパ状になっており、閉状態でバルブ内に滞i?
7 L/にくい。このようなバルブ動作を第3図に説明
した。
なお、第2図に示したようにバルブはO−リングを用い
て減圧ドで使用できるようになっている。
て減圧ドで使用できるようになっている。
処理例として、平均直径30 pのガラス粉末を用いて
、その表面のピリジンプラズマ処理を行った。
、その表面のピリジンプラズマ処理を行った。
この時、管内圧力を0.08torrに調整した後、約
1mlのガラス粉末の処理を尚回転速度、1回毎秒程度
、50W (ラジオ波電力)で1時間行ったが。
1mlのガラス粉末の処理を尚回転速度、1回毎秒程度
、50W (ラジオ波電力)で1時間行ったが。
粉末が出口付近に滞って長時間処理が可能となった。反
応後、筒回転速度を4回毎秒程度に上げ。
応後、筒回転速度を4回毎秒程度に上げ。
管領斜度を調節すると粉末が受器に落下した。粉体は薄
茶色に着色しておりピリジン膜が粉末表面に生成してい
ることが明らかであった。顕微鏡観察によっても均一な
膜生成が認められた。
茶色に着色しておりピリジン膜が粉末表面に生成してい
ることが明らかであった。顕微鏡観察によっても均一な
膜生成が認められた。
また2本発明の装置は、粉体を断続的に加え供給気体を
変えて処理を操り返すことにより多層膜処理も可能であ
り、前型反応管を用いるため気体の更新がすみやかで、
シャープな層構造が得られる。
変えて処理を操り返すことにより多層膜処理も可能であ
り、前型反応管を用いるため気体の更新がすみやかで、
シャープな層構造が得られる。
以上のように1本発明においては、粉体表面改質が、半
連続的に均一かつ高効率で実現できる点で既存の汎用プ
ラズマ処理装置にない特徴を持っている。
連続的に均一かつ高効率で実現できる点で既存の汎用プ
ラズマ処理装置にない特徴を持っている。
第1図は正面断面図、第2図は11の粉体バルブの側面
断面図、第3図は同粉体バルブの動作図である。 l・・・・・・真空排気系 2・・・・・・処理気体導入系 3・・・・・・粉体送入機構 4・・・・・・未処理粉体貯槽 5・・・・・・粉体出口部 6・・・・・・粉体分散ロッド 7・・・・・・真空回転導入器 8・・・・・・ラジオ波コイル 9・・・・・・回転軸(柔軟構造) 10・・・・・・粉体処理回転円筒 11・・・・・・粉体パルプ 12・・・・・・処理粉体回収容器 13・・・・・・フィルター 14・−・・・・マツチング回路 15・・・・・・ラジオ波発振器 16・・・・・・多孔フィルター(処理気体流入口)a
・・・・・・開 b・・・・・・入口閉 C・・・・・
・半開 d・・・・・・間第 1i’d 205− 第2図 第 3 図
断面図、第3図は同粉体バルブの動作図である。 l・・・・・・真空排気系 2・・・・・・処理気体導入系 3・・・・・・粉体送入機構 4・・・・・・未処理粉体貯槽 5・・・・・・粉体出口部 6・・・・・・粉体分散ロッド 7・・・・・・真空回転導入器 8・・・・・・ラジオ波コイル 9・・・・・・回転軸(柔軟構造) 10・・・・・・粉体処理回転円筒 11・・・・・・粉体パルプ 12・・・・・・処理粉体回収容器 13・・・・・・フィルター 14・−・・・・マツチング回路 15・・・・・・ラジオ波発振器 16・・・・・・多孔フィルター(処理気体流入口)a
・・・・・・開 b・・・・・・入口閉 C・・・・・
・半開 d・・・・・・間第 1i’d 205− 第2図 第 3 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一端に低温プラズマ発生部を取り付けた背型の減圧容
器内に、もう一方の端から真空回転導入機構を介して円
筒を取り付け、その中で円筒の回転により半連続的に粉
体表面をプラズマ処理するための装置であって、粉体の
送入、取り出しにラッパ状の孔を持つ摺合わせバルブ。 円筒内に粉体分散移動のための突起を持つ棒状物を設け
9円筒壁の一部を多孔壁とし、処理気体を粉体上に均一
に供給できるようにした粉体表面改質装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1847183A JPS59145038A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 粉体表面改質装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1847183A JPS59145038A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 粉体表面改質装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59145038A true JPS59145038A (ja) | 1984-08-20 |
JPS621536B2 JPS621536B2 (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=11972553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1847183A Granted JPS59145038A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 粉体表面改質装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59145038A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6331536A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-10 | Natl Res Inst For Metals | プラズマ気相反応による微粒子製造装置 |
JPS63245445A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Tome Sangyo Kk | 粉粒体表面のプラズマ処理方法およびそれに用いる装置 |
EP0695577A3 (de) * | 1994-07-05 | 1996-04-10 | Buck Chem Tech Werke | Vorrichtung zur Plasmabehandlung von feinkörnigen Gütern |
WO1998028117A1 (de) * | 1996-12-20 | 1998-07-02 | Iveco Gmbh & Co. Kg | Anlage zur niederdruck-plasmabehandlung |
EP0993922A2 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-19 | Kaco GmbH + Co. | Verfahren zur Herstellung von Teilen aus Pulverförmigen antiadhäsiven organischen Stoffen, nach einem solchen Verfahren hergestelltes Teil und Gerät zur Durchführung eines solchen Verfahrens |
JPWO2004112964A1 (ja) * | 2003-06-20 | 2006-07-27 | 株式会社ホソカワ粉体技術研究所 | 粉体処理方法、粉体処理装置、及び、多孔質造粒物の製造方法 |
JP2021041355A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 株式会社ニッシン | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP1847183A patent/JPS59145038A/ja active Granted
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6331536A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-10 | Natl Res Inst For Metals | プラズマ気相反応による微粒子製造装置 |
JPH0410376B2 (ja) * | 1986-07-25 | 1992-02-25 | ||
JPS63245445A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Tome Sangyo Kk | 粉粒体表面のプラズマ処理方法およびそれに用いる装置 |
EP0695577A3 (de) * | 1994-07-05 | 1996-04-10 | Buck Chem Tech Werke | Vorrichtung zur Plasmabehandlung von feinkörnigen Gütern |
WO1998028117A1 (de) * | 1996-12-20 | 1998-07-02 | Iveco Gmbh & Co. Kg | Anlage zur niederdruck-plasmabehandlung |
EP0993922A2 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-19 | Kaco GmbH + Co. | Verfahren zur Herstellung von Teilen aus Pulverförmigen antiadhäsiven organischen Stoffen, nach einem solchen Verfahren hergestelltes Teil und Gerät zur Durchführung eines solchen Verfahrens |
EP0993922A3 (de) * | 1998-10-13 | 2001-03-14 | Kaco GmbH + Co. | Verfahren zur Herstellung von Teilen aus Pulverförmigen antiadhäsiven organischen Stoffen, nach einem solchen Verfahren hergestelltes Teil und Gerät zur Durchführung eines solchen Verfahrens |
JPWO2004112964A1 (ja) * | 2003-06-20 | 2006-07-27 | 株式会社ホソカワ粉体技術研究所 | 粉体処理方法、粉体処理装置、及び、多孔質造粒物の製造方法 |
JP4580339B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2010-11-10 | ホソカワミクロン株式会社 | 粉体処理方法、及び、粉体処理装置 |
US7905434B2 (en) | 2003-06-20 | 2011-03-15 | Hosokawa Micron Co., Ltd. | Powder processing apparatus |
JP2021041355A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 株式会社ニッシン | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS621536B2 (ja) | 1987-01-14 |
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